이번 주 논문들은 HfO2 고유전율 게이트 유전체를 저온에서 형성하기 위한 원자층 어닐링·플라즈마 강화 ALD 조합, 그리고 SrVO3 하부전극을 La-도핑 STO로 패시베이션해 SrTiO3 고유전율 커패시터 집적을 안정화하는 연구가 상위권을 차지했다. 두 연구 모두 소자 미세화에 따라 요구되는 저온 공정과 계면 결함 제어라는 공통 과제를 다루고 있어, 로직·메모리용 커패시터 스택의 신뢰성 확보가 여전히 핵심 연구축임을 보여준다.
동시에 WS2 초박막 ALD의 표면 반응 메커니즘 규명, 면적선택적 ALD를 활용한 PGM-프리 연료전지 촉매, Co3O4/TiO2 슈퍼커패시터 전극 등 2D 소재와 에너지 응용 쪽으로 ALD 활용 범위가 넓어지는 흐름도 함께 관찰된다. 이는 ALD가 전통적인 반도체 유전체 영역을 넘어 촉매·에너지 저장 소재 설계 도구로 자리잡아가는 방향성을 시사한다.
ALD는 고유전율 게이트 스택 최적화와 에너지·2D 소재 응용 확장이라는 두 축을 동시에 심화시키고 있다.
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