이 연구는 얇고 잘 휘어지는 소재 위에 트랜지스터용 절연막(HfO2)을 낮은 온도에서 잘 만드는 방법을 찾는 실험입니다. 열을 이용한 방법, 플라즈마를 쓰는 방법, 그리고 플라즈마와 열처리를 함께 쓰는 방법(ALA)을 비교했어요. 그 결과 ALA 방법으로 만든 막이 전기적으로 가장 좋은 성능을 보였습니다.
이 논문은 메모리 소자에 쓰이는 특수한 산화물 전극(SrVO₃)이 고온 공정에서 손상되지 않도록 보호막을 씌우는 방법을 다룹니다. 란탄(La)을 넣은 티탄산스트론튬(STO) 얇은 막과 오존을 이용한 원자층 증착(ALD) 기술로 이 문제를 해결했습니다. 이를 통해 더 좋은 성능의 고유전율 소재를 반도체 메모리에 적용할 수 있게 됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 얇은 막을 특정 위치에만 쌓는 새로운 기술을 소개합니다. 이 기술은 값비싼 백금 같은 귀금속을 쓰지 않고도 연료전지의 전극(음이온교환막 연료전지의 촉매층)을 더 안정적으로 만드는 데 사용됩니다. 에너지를 더 오래, 더 튼튼하게 만드는 촉매 재료를 만드는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 Co3O4와 TiO2라는 두 물질을 얇게 쌓아 특별한 접합구조를 만들었습니다. 이 구조는 에너지를 저장하는 슈퍼커패시터라는 장치의 성능을 높이는 전극 재료로 사용됩니다. ALD 공정을 통해 두 물질의 경계면을 정밀하게 만든 것이 핵심입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)과 특별한 화학 방법을 이용해 티타늄산화물(TiO2) 위에 코발트를 올려서 이산화탄소를 수소와 반응시키는 촉매를 만드는 연구입니다. 코발트가 촉매 속에서 어떤 상태로 존재하는지 분광학적 방법으로 알아냈습니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 화학 촉매 분야 연구입니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착) 기술로 아주 얇은 WS2(텅스텐 황화물) 박막을 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 위험한 황화수소 대신 안전한 화학물질을 사용해서 표면에서 일어나는 복잡한 반응 과정을 자세히 분석했습니다. 열처리를 통해 결정성 있는 WS2 박막으로 변하는 과정도 확인했습니다.