이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 한 층씩 쌓는 기술의 기본 원리를 설명합니다. 어떤 재료들을 만들 수 있고, 기술이 어떻게 발전해왔는지, 그리고 반도체 등 여러 분야에 어떻게 쓰이는지 소개합니다. 즉 ALD 기술 전반을 개괄적으로 다루는 리뷰 논문입니다.
이 논문은 얇은 TiN 막을 원자층 증착 방법으로 만들 때 온도를 400도에서 600도까지 바꾸면서 특성을 살펴봤어요. 온도가 높아지면 전기가 더 잘 통하지만 표면이 거칠어지는 문제가 생겼어요. 그래서 낮은 온도에서도 좋은 막을 만들기 위해 플라즈마로 후처리를 해서 전기 저항을 25%나 줄이는 데 성공했답니다.
이 논문은 3D 커패시터 전극으로 쓰이는 TiN이라는 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 온도를 375도에서 475도까지 바꿔가며 막의 성질과 전기적 특성을 살펴봤어요. 최적의 온도 조건을 찾아서 깊은 구멍 안쪽까지 얇은 막을 잘 입힐 수 있는 방법을 알아냈습니다.
이 연구는 MoO2Cl2라는 원료를 이용해 원자층증착법(ALD)으로 몰리브데넘(Mo) 얇은 막을 만드는 방법을 연구했어요. 온도를 600도에서 650도까지 높이면 저항이 낮아지고 막이 더 매끄럽게 잘 덮인다는 것을 확인했어요. 반도체의 트랜지스터 전극으로 쓰기 위해 결정성을 높이고 씨앗층(seed layer)을 만드는 것이 중요하다는 것을 알아냈어요.
이 논문은 PE-ALD(플라즈마 원자층 증착) 기술로 아주 얇은(약 5나노미터) 결정질 산화갈륨(β-Ga2O3) 막을 만드는 방법을 다룹니다. 플라즈마 가스 조성과 온도를 조절해서 금(Au)과 산화갈륨-이산화티타늄 계면에서 특별한 전자 통로를 만들었습니다. 이를 통해 차세대 저전력 반도체 소자에 쓸 수 있는 금속-반도체 접합을 만들었습니다.
이 연구는 TiN 박막을 만드는 PEALD 공정에서 퍼지 가스(아르곤)의 유량과 시간을 조절하면 박막의 두께, 균일성, 저항, 불순물 양이 어떻게 달라지는지 알아봤어요. 퍼지 시간이 너무 길고 유량이 부족하면 불순물이 많이 남는다는 것을 발견했습니다. 이 결과는 좋은 품질의 TiN 박막을 만드는 최적 조건을 찾는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 산화인듐(In2O3) 박막에 티타늄을 조금 섞어서 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 트랜지스터를 만드는 연구입니다. 티타늄을 적절한 비율(15:1)로 넣으면 전기적 성질이 좋아지고 투명하면서도 안정적인 트랜지스터가 된다는 것을 발견했습니다. 이는 투명한 전자기기를 만드는 데 큰 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 TiN(질화티타늄) 박막을 만들 때 가스 속도가 두께 균일성에 어떤 영향을 주는지 컴퓨터 시뮬레이션과 실험으로 알아본 연구입니다. 가스 속도를 줄이면 박막이 더 고르게 만들어진다는 것을 확인했습니다. 이를 통해 반도체를 만드는 장비 설계를 개선하는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 원하는 곳에만 얇은 막을 쌓는 원자층 증착(ASALD) 기술을 컴퓨터 시뮬레이션(CFD)으로 연구했습니다. 여러 반응기 설계를 비교해서 재료가 골고루 잘 묻으면서 서로 섞이지 않게 하는 최적의 모양과 회전 속도, 가스 농도 조건을 찾았습니다. 이 연구는 실제 반도체 공장에서 더 효율적인 증착 장비를 만드는 데 도움을 줄 수 있습니다.
새로운 전구체 La(thd)3-DMEA를 만들어서 그 특성을 확인했어요. 이 전구체를 이용해 ALD라는 방법으로 얇은 La2O3 막을 만드는 실험을 했어요. 250~280도에서 일정한 속도로 막이 잘 자라는 것을 확인했고, 반도체 공정에 쓸 수 있는 좋은 재료임을 보였어요.
이 논문은 반도체를 만드는 특수한 원자층 증착(ALD) 장비를 컴퓨터로 더 잘 조절하는 방법을 연구했어요. 회전판 속도를 조절해서 막이 원하는 두께로 잘 자라도록 인공지능과 시뮬레이션을 이용했어요. 그 결과 압력이 변해도 목표한 두께를 잘 맞출 수 있었대요.
이 논문은 TDMAS라는 원료로 실리콘 산화막(SiOx)을 플라즈마를 이용한 원자층증착법(PEALD)으로 낮은 온도에서 만드는 방법을 연구했어요. 플라즈마로 산소를 넣는 시간과 가스 종류(순수 산소 또는 산소+아르곤)를 바꿔가며 막의 화학적 성질을 살펴봤어요. 그 결과 짧은 시간 동안 산소와 아르곤을 함께 쓰면 더 깨끗한 산화막을 만들 수 있다는 것을 알아냈어요.
이 논문은 ALD라는 방법으로 Y2O3라는 얇은 막을 만드는 연구를 했어요. 온도를 다르게 해도 막이 잘 만들어졌고, 플라즈마로 깎아봤을 때 다른 막보다 훨씬 덜 깎였어요. 그래서 반도체를 만들 때 플라즈마에 강한 보호막으로 쓸 수 있어요.
이 논문은 아주 작은 구멍(나노채널) 안에 얇은 막을 쌓는 원자층증착(ALD) 공정을 컴퓨터 시뮬레이션으로 분석했습니다. 기체가 흐르는 큰 스케일과 원자가 붙는 작은 스케일을 함께 계산해서, 구멍 입구와 안쪽에서 막이 얼마나 매끄럽고 균일하게 쌓이는지 예측했습니다. 이를 통해 반도체 등에 쓰이는 정밀 박막 공정을 더 잘 설계할 수 있는 방법을 제시했습니다.
이 논문은 아주 얇은 산화물 반도체(TiO2-In2O3)와 금(Au)을 이용해 특별한 전자 소자를 만드는 연구입니다. ALD라는 정밀한 증착 방법으로 박막을 쌓고, 열처리를 하면 전기적 특성이 어떻게 변하는지 살펴보았습니다. 이 소자는 축전기처럼 전기를 저장하면서도 메모리처럼 작동하는 특별한 성질을 가지고 있습니다.
전기방사와 원자층증착(ALD)을 결합해 속이 빈 아주 가느다란 섬유를 만드는 연구입니다. 먼저 얇은 알루미나막을 씌워 고분자 틀을 보호하고, 고분자를 태워 없앤 뒤 니켈, 코발트, 철이 섞인 산화아연막을 입혔습니다. 이렇게 만든 특수한 이중껍질 섬유의 모양과 구조를 여러 현미경과 분석 장비로 자세히 살펴본 논문입니다.
이 논문은 수소를 만드는 장치(PEMWE)에 쓰이는 금속판을 부식으로부터 보호하기 위해 탄탈럼(Ta)이라는 금속을 아주 얇게 코팅하는 방법을 연구했습니다. 특별한 플라즈마 장비를 이용해 표면이 매끄럽고 단단한 탄탈럼 막을 만들었고, 이렇게 코팅하면 금속이 녹슬지 않고 전기도 잘 통하게 됩니다. 실험 결과 코팅한 금속이 부식에 훨씬 강해진 것을 확인했습니다.
이 논문은 ZnO, TiO2, ZrO2라는 산화물 박막에 Al2O3를 섞어서 만든 얇은 막의 빛 반사 특성을 연구했습니다. 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 막을 만들고, 빛을 이용한 측정으로 굴절률을 알아냈습니다. 이렇게 만든 막은 반사를 줄이는 코팅이나 필터를 만드는 데 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 아주 얇은 SiO2와 HfO2 막을 겹겹이 쌓아서 강한 레이저 빛을 견디는 특수 코팅을 만드는 연구입니다. 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD)이라는 정밀한 방법으로 막을 만들고, 다양한 방법으로 성질을 측정했습니다. 그 결과 빛 반사를 줄이고 레이저에 강한 코팅을 만들 수 있었습니다.
이 연구는 아주 얇은 막을 한 층씩 정밀하게 쌓는 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 빛을 특정한 방식으로 반사하는 '탐 플라즈몬-폴라리톤'이라는 현상을 조절하는 방법을 보여줍니다. 실리콘산화물과 탄탈륨산화물을 번갈아 쌓고 그 위에 아주 얇은 산화알루미늄 층을 추가해서 빛의 색깔(파장)을 미세하게 바꿀 수 있었습니다. 이 기술은 나노미터보다 더 작은 단위로 두께를 조절할 수 있어 정밀한 광학 소자를 만드는 데 유용합니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 SiO2와 TiO2를 번갈아 얇게 쌓은 특별한 막을 100도씨에서 만들었습니다. 이렇게 만든 막은 빛을 쬐면 특이한 비선형 광학 신호(제2고조파)를 강하게 낼 수 있다는 것을 발견했습니다. 이 기술로 빛의 성질을 정밀하게 조절할 수 있는 새로운 소재를 만들 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 이트리아-도핑 세리아(YDC) 막을 만들어 연료전지의 성능을 높이는 연구입니다. 이 얇은 막을 넣으면 산소가 더 잘 이동해서 저온형 고체산화물 연료전지가 1.5배 더 좋은 성능을 냅니다. 하지만 이트리아를 너무 많이 넣으면 오히려 성능이 나빠진다는 것도 밝혀냈습니다.
우주선을 뜨거운 열로부터 보호하는 탄소-페놀 소재에 지르코늄 산화물과 알루미늄 산화물 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입혔습니다. 이렇게 코팅한 소재는 불꽃 실험에서 무게가 덜 줄고 표면도 덜 깎였습니다. 즉, 코팅 덕분에 소재가 열에 더 강해졌다는 것을 확인했습니다.
이 연구는 아주 얇은 산화물 막을 원자 단위로 쌓는 ALD 기술로 아연과 티타늄이 섞인 특별한 코팅을 만들었어요. 비율을 다르게 섞어봤더니 두께와 표면 성분이 예상과 다르게 나왔고, 특히 염소도 포함되어 있었어요. 이렇게 만든 막은 항생제에 강한 세균을 죽이면서도 인체 세포에는 해롭지 않아서 의료용으로 쓸 수 있을 것 같아요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 알루미늄 산화물(Al2O3) 얇은 막을 석회암 표면에 입혀서 산성 용액으로부터 돌을 보호하는 실험을 다룹니다. 코팅이 두꺼울수록 돌이 산에 녹는 속도를 크게 줄여주지만, 결국 코팅에 생긴 작은 결함 때문에 보호 효과가 사라진다는 것을 발견했습니다. 이 기술은 문화재(옛 건축물이나 조각상 등) 보존에 활용될 수 있습니다.
이 연구는 치과 보철물에 쓰이는 코발트-크롬 합금 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 지르코니아(ZrO2) 막을 입히는 실험입니다. 이렇게 코팅하면 금속 이온이 덜 나오고 표면이 더 튼튼하고 깨끗해져서 입안에서 세균 부착이나 염증을 줄일 수 있습니다. 반도체나 디스플레이용이 아니라 의료(치과) 재료 코팅 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇고 균일한 막을 만드는 기술을 페로브스카이트 태양전지에 어떻게 활용하는지 설명합니다. 온도, 원료물질, 기판 같은 조건들이 막의 품질과 태양전지 성능에 어떤 영향을 주는지 정리했습니다. 특히 기판의 역할을 강조하며, 앞으로 탠덤 태양전지 등에 ALD를 어떻게 활용할 수 있는지도 소개합니다.
이 논문은 원자층을 한 층씩 쌓는 ALD 공정에서 막의 불순물을 줄이기 위해 마이크로파 에너지를 추가로 쬐어주는 새로운 방법(MW-ALD)을 소개합니다. 기존의 열처리 방식보다 낮은 온도에서도 불순물을 없애고 막질을 좋게 만들 수 있다는 장점이 있습니다. 실제 장비 설계와 Al2O3, HfO2 박막에 적용한 초기 결과도 함께 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 투명하면서도 전기가 통하는 특수한 산화물을 만드는 이야기입니다. 이런 산화물은 태양전지, 메모리, 센서 등 다양한 전자기기에 쓰일 수 있습니다. 특히 태양전지와 반도체 트랜지스터에 적용하는 사례를 중심으로 ALD 공정의 원리와 활용법을 설명합니다.
이 논문은 특수한 원자층 증착(ALD) 방법을 사용해 아주 얇은 2차원 반도체 물질(MoS2 등)을 넓은 면적에 낮은 온도에서 만드는 방법을 소개합니다. 수소 플라즈마를 이용해 결정 구조를 좋게 만들고, 재료의 모양과 도핑 정도까지 세밀하게 조절할 수 있음을 보여줍니다. 이는 미래 나노전자소자 제작에 중요한 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 결정성 MoS2(이황화몰리브덴) 박막을 만드는 연구입니다. 650도의 높은 온도와 특수한 플라즈마 기술을 이용해 결정이 잘 자라도록 했고, 층이 자라는 방식을 자세히 밝혀냈습니다. 이 결과는 앞으로 더 좋은 반도체 재료를 만드는 데 도움이 됩니다.
이 연구는 게르마늄(Ge) 위에 온도를 높이지 않고도 산화알루미늄(Al2O3) 절연막을 아주 낮은 온도(약 90도)에서 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 방법을 다룹니다. GeO2라는 얇은 층을 먼저 만들어주면 표면이 매끄러워지고, 이를 이용해 만든 트랜지스터와 커패시터가 잘 작동했습니다. 이 기술은 열에 약한 새로운 반도체 소자를 만들 때 매우 유용할 수 있습니다.
이 논문은 산화탄탈럼(Ta2O5)을 원하는 표면에만 선택적으로 아주 얇게 쌓는 새로운 원자층증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 표면의 산성/염기성 차이나 화학 반응 순서를 조절해서 구리 위에는 안 쌓이고 산화막 위에만 정확히 쌓이게 만들었습니다. 이는 반도체 칩을 더 작고 정밀하게 만드는 데 도움이 되는 중요한 공정 기술입니다.
이 연구는 반도체 배선용 금속인 루테늄(Ru)을 원자층증착(ALD)으로 W 표면에만 선택적으로 쌓고 SiO2 표면에는 쌓이지 않게 하는 기술을 개발했습니다. 억제제(inhibitor)를 SiO2에 처리해서 그 위에는 루테늄이 붙지 않게 만든 것이 핵심입니다. 이 방법은 미래 반도체 회로의 배선을 더 정밀하게 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 반도체를 아주 작게 만드는 이중 패터닝 공정에 쓰이는 TiSiOx라는 얇은 막을 원자층 증착(ALD)으로 만드는 방법을 연구했어요. 온도에 따라 막이 자라는 속도와 성질이 다르게 변하는 이유를 밝혀냈답니다. 좋은 품질의 막을 만들려면 공정 온도를 잘 조절해서 수분이 막 안에 들어가지 않도록 해야 한다는 것을 알아냈어요.
이 논문은 반도체 소자에 쓰이는 아주 얇은 절연막(HfAlOx)을 원자층 하나씩 쌓는 ALD 방법으로 만드는 연구입니다. 하프늄산화물과 알루미늄산화물을 섞는 비율을 바꿔가며 전기적 성질과 누설전류를 측정했습니다. 알루미늄을 적절히 섞으면 절연 성능이 더 좋아져서 반도체 칩의 성능 향상에 도움이 된다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술로 메모리 반도체를 만드는 새로운 재료들을 소개합니다. 특히 하프늄과 지르코늄을 섞은 산화물(HfZrO)을 이용해 강유전체 성질을 가진 메모리 소자를 만드는 방법을 설명합니다. 이 재료는 전기를 잘 저장하고 오래 사용해도 성능이 잘 유지되도록 만들어졌습니다.
이 논문은 낮은 온도(200도)에서 질화갈륨(GaN) 박막을 만드는 새로운 방법을 연구했어요. 특별한 재료(TDMAGa)와 암모니아 가스를 사용해서 얇은 막을 한 층씩 쌓았고, 그 후 열처리를 해서 막의 품질을 더 좋게 만들었어요. GaN은 LED나 전력 반도체 같은 첨단 전자제품에 쓰이는 중요한 반도체 재료예요.
이 논문은 MoS2로 만든 아주 얇은 트랜지스터에서 전극과의 접촉저항을 줄이는 방법을 연구했습니다. 원자층증착(ALD)으로 반금속 성질을 가진 TiS2를 접촉층으로 얇게 코팅해서 문제를 줄였습니다. 그 결과 트랜지스터 성능이 좋아지고 전기가 더 잘 통하게 되었습니다.
이 논문은 질화갈륨(GaN)이라는 반도체 재료를 실리콘 위에 얇게 쌓는 두 가지 방법(일반 ALD와 이온을 쏘는 ALA)을 비교했어요. 두 방법에 따라 표면의 극성(N쪽 또는 금속쪽)이 다르게 만들어지고, 이 차이 때문에 특정 화학 용액(KOH)으로 선택적으로 녹여낼 수 있다는 것을 발견했습니다. 이를 통해 전자와 정공이 모이는 층을 원하는 대로 만들 수 있어 전력 반도체 소자 제작에 유용합니다.
이 논문은 차세대 메모리인 PRAM의 전극으로 쓸 수 있는 비정질 탄소막을 ALD 방법으로 만드는 연구입니다. CBr4라는 재료를 이용해 복잡한 3D 구조에도 고르게 탄소막을 입힐 수 있는 공정을 개발했습니다. 증착 조건에 따라 막이 어떻게 자라고 성질이 바뀌는지도 함께 분석했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 하프늄-지르코니아 얇은 막을 이용해 에너지를 저장하는 특수한 콘덴서를 연구했습니다. 두 가지 방법(층층이 쌓기와 섞어서 만들기)으로 막을 만들고 열처리 온도를 바꿔가며 에너지 저장 성능을 비교했습니다. 결과적으로 지르코니아 비율이 높고 적절한 온도로 열처리하면 에너지 저장 능력이 좋아진다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 금속산화물 트랜지스터를 더 잘 만드는 방법을 소개해요. OLED 티비 화면이나 3D 메모리에 쓰일 수 있는 새로운 반도체 소자를 만드는 연구예요. 재료의 성분비를 조절하거나 구조를 새롭게 디자인해서 성능을 높이는 방법을 설명해요.
이 논문은 반도체 칩 안의 아주 좁고 깊은 구멍(비아)에 구리를 채우기 위해, ALD라는 방법으로 TiN과 Ru라는 얇고 저항이 낮은 금속막을 만드는 방법을 소개합니다. 기존 방법(PVD)보다 더 깊고 좁은 구멍에도 빈틈없이 금속을 잘 씌울 수 있어서 구리가 잘 채워지고 전기가 잘 통하게 됩니다. 이 기술은 앞으로 더 촘촘한 반도체 회로를 만드는 데 도움이 될 것으로 기대됩니다.
이 논문은 반도체 커패시터에 쓰이는 얇은 절연막을 만들 때, 원자층증착(ALD) 온도를 293도, 313도, 333도로 다르게 해서 전기적 성능과 수명을 비교했습니다. 온도가 높을수록 평평한 구조와 3차원 구조 모두에서 전류 누설이 줄고 수명이 늘어나는 것을 확인했습니다. 결론적으로 333도가 가장 좋은 성능을 보여주는 최적 온도라는 것을 알아냈습니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착) 방법으로 Nb2O5라는 특별한 절연체 재료를 얇게 쌓아서 커패시터를 만드는 연구입니다. Nb2O5를 실리콘이나 질화티타늄 위에 증착하고, 열처리 후 알루미늄 전극을 스퍼터링으로 올려서 MIM(금속-절연체-금속) 구조를 완성했습니다. 이렇게 만든 소자의 전기적 특성(전류 누설, 절연 성질 등)을 분석해서 메모리 소자 등에 쓸 수 있는지 확인했습니다.
이 논문은 강유전체 메모리에 쓰이는 HfZrO2 얇은 막을 만들 때, 산소를 넣는 방법(물 또는 산소 플라즈마)에 따라 성질이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 산소 플라즈마를 쓰면 결정이 더 잘 생기고 전기적 성질(분극)도 더 좋아지며, 반복 사용해도 성능이 덜 떨어진다는 것을 발견했습니다. 이는 반도체 메모리 소자를 더 잘 만들기 위한 중요한 공정 힌트를 제공합니다.
이 논문은 낮은 온도에서 원자층증착(ALD) 방법으로 안티모니 산화막(SbOx)을 만드는 방법을 연구했습니다. 이 막은 절연성이 좋아서 얇은 막 트랜지스터(TFT)의 절연층으로 사용했더니 성능이 아주 좋았습니다. 특히 전자가 잘 흐르게 도와주는 성질이 뛰어나서 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 텔루륨(Te)이라는 특수한 물질을 낮은 온도(150도)에서 얇은 막으로 정교하게 쌓는 새로운 원자층 증착 기술을 소개합니다. 기존 방법보다 결정이 깨끗하고 방향을 잘 조절할 수 있어서 반도체 소자에 활용할 수 있음을 보여줍니다. 실제로 이렇게 만든 소자가 좋은 전기적 특성을 가진다는 것도 증명했습니다.
이 논문은 미래형 메모리 소자에 쓰이는 강유전체 HfZrO2(HZO) 얇은 막을 원자층증착(ALD)으로 만드는 방법을 연구했습니다. 산소 플라즈마를 산화제로 쓰면 물을 쓸 때보다 더 낮은 온도에서 좋은 결정 구조를 얻을 수 있고, ZrO2라는 얇은 층을 전극과 HZO 사이에 넣으면 강유전 성질이 훨씬 좋아진다는 것을 보였습니다. 이런 방법들은 앞으로 더 좋은 메모리 소자를 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 ALD 방법으로 산화물 반도체(In-Ga-O)를 아주 얇게 쌓아서 트랜지스터를 만드는 연구예요. In과 Ga의 비율과 열처리 온도를 조절하면 전자가 안정적으로 흐르게 만들 수 있다는 것을 알아냈어요. 특히 결정질로 만든 산화물이 비정질보다 성능과 신뢰성이 더 좋다는 것을 밝혀냈어요.
이 연구는 TiN(질화티타늄) 박막을 만들기 위한 새로운 티타늄 화합물 3가지를 개발했습니다. 그중 하나를 이용해 원자층증착(ALD) 방법으로 얇고 균일한 TiN 막을 만드는 데 성공했습니다. 이 막은 전기가 잘 통하고 표면이 매끈해서 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 반도체 배선 재료로 주목받는 이리듐(Ir) 박막을 산화물 표면에 얇고 고르게 쌓는 방법을 연구했어요. 산화물 위에서는 박막이 잘 자라지 않는 문제가 있었는데, 표면을 미리 처리해서 이 문제를 해결했어요. 그 결과 저항이 낮고 얇으면서도 균일한 이리듐 박막을 만들 수 있었어요.
이 논문은 용액 기반 원자층증착(ALD) 방법으로 태양전지에 쓰이는 페로브스카이트 물질(MAPI)을 얇게 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 이렇게 만든 필름은 기존 스핀코팅 방식보다 더 순수하고 안정적이며 태양전지 성능도 더 좋았습니다. 이 기술로 원자 단위까지 정밀하게 조절된 반도체 재료를 만들 수 있게 되었습니다.
이 논문은 컴퓨터 메모리에 쓰일 수 있는 특수한 얇은 막(HZO)을 더 잘 만드는 방법을 연구했어요. ZrO2라는 얇은 층을 위나 아래에 넣어주면 메모리가 저장하는 전기 신호가 더 강해지고 오래 잘 작동한다는 것을 알아냈어요. 특히 낮은 온도에서도 잘 만들어져서 실제 반도체 공정에 유용할 수 있다고 해요.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 만든 산화주석(SnO) 반도체를 이용해 세로형 채널 트랜지스터를 만드는 연구입니다. 기존에는 만들기 어려웠던 p형 반도체를 사용해 트랜지스터를 완성했고, 산화알루미늄(Al2O3) 절연막도 함께 ALD로 쌓았습니다. 이 기술은 미래 메모리와 디스플레이 소자 집적도를 높이는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 MoS2 반도체 물질을 균일하고 조절 가능하게 쌓는 기술을 소개합니다. 이렇게 만든 얇은 막으로 메모리 기능을 가진 트랜지스터(멤트랜지스터)를 만들어 테스트했습니다. 기존 방법보다 더 간단하고 대량생산에 유리하다는 것이 특징입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)로 여러 종류의 원소를 섞은 얇은 막을 만드는 새로운 방법인 '전구체 동시 투입법'을 설명합니다. 기존 방법보다 더 균일하고 정확하게 재료의 성분 비율을 조절할 수 있다는 장점이 있습니다. 반도체, 태양전지 등 다양한 첨단 소재 개발에 활용될 수 있는 중요한 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 산화물과 칼코겐 화합물, 특히 2차원 물질인 전이금속 디칼코게나이드(MoS2, WS2 등)를 아주 얇게 만드는 방법을 설명합니다. 이런 물질들은 가스 센서, 촉매, 차세대 메모리, 라이더 등 다양한 곳에 쓰일 수 있습니다. ALD는 기존 화학기상증착보다 더 정밀하게 이런 얇은 2차원 물질을 만들 수 있는 좋은 방법이라고 소개합니다.
이 논문은 InN(질화인듐)이라는 특별한 반도체 물질을 아주 얇고 좋은 막으로 만드는 새로운 방법인 원자층 증착(ALD)을 소개합니다. InN은 온도가 높으면 쉽게 부서지기 때문에 낮은 온도에서 한 층씩 쌓는 ALD 기술과 새로운 재료(전구체)를 개발해서 문제를 해결했습니다. 이 방법을 InGaN이라는 비슷한 물질에도 적용해서 좋은 결과를 얻었습니다.
이 논문은 아주 얇은 2차원 물질인 MoS2 박막을 낮은 온도(100도)에서도 잘 만들 수 있는 원자층증착(ALD) 방법을 소개합니다. 수소 플라즈마를 이용해 결정성이 좋은 순수한 MoS2를 만드는 방법과, 위험한 황화수소 가스 대신 더 안전하고 값싼 액체 황 전구체(TBDS)를 사용하는 새로운 공정을 비교했습니다. 이런 기술은 나노전자소자에 사용할 수 있는 대면적 2D 반도체 박막을 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 리튬이온 배터리에 쓰이는 고체 전해질 LiPON을 원자층증착(ALD) 기술로 얇고 균일하게 입히는 방법을 연구했습니다. 두 가지 리튬 재료를 비교해서 어떤 것이 좁고 깊은 틈새까지 더 잘 코팅되는지 알아냈습니다. 이 기술을 이용하면 표면적이 넓은 초소형 배터리를 만들어 더 빨리 충전하고 많은 에너지를 저장할 수 있습니다.
이 연구는 반도체 칩 속 전선(구리 배선)을 대체할 새로운 물질인 몰리브덴 인화물(MoP) 박막을 만드는 새로운 방법을 개발했습니다. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 기술로 350~425도에서 얇은 막을 만들고 여러 방법으로 분석했습니다. 전기적 성질은 아직 완벽하지 않지만, 열처리를 통해 개선할 수 있음을 보여주어 미래 반도체 기술에 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 아주 작은 반도체 회로를 만드는 EUV 노광 공정에 쓰이는 새로운 감광 재료를 원자층 증착(ALD) 기술로 만드는 방법을 소개해요. 유기물과 무기물을 섞어서 더 성능 좋은 포토레지스트를 만드는 두 가지 방법(VPI, MALD)을 설명하고 있어요. 이를 통해 더 작고 성능 좋은 반도체 칩을 만드는 데 도움을 줄 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해서 디스플레이에 쓰이는 양자점(퀀텀닷) 발광 재료를 더 안정하고 오래가게 만드는 방법을 소개해요. ALD로 얇은 막을 씌우면 빛, 물, 열에 강해지고 전기도 잘 통해서 화면이 더 밝고 오래 켜질 수 있어요. 이 방법은 스마트폰이나 VR 화면 같은 디스플레이 성능을 높이는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 TiO2 표면의 결함(흠집)이 있는 부분에만 정확하게 물질을 얇게 쌓는 새로운 원자층 증착(ALD) 기술을 소개합니다. 컴퓨터 계산과 실험을 통해 결함 부위가 다른 부위보다 물을 더 잘 붙잡는다는 것을 알아내고, 이를 이용해 결함에만 선택적으로 증착시켰습니다. 이 기술은 전자소자의 성능을 높이는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 만드는 방법에 전기장을 걸어서 막의 결정 구조와 화학 성분을 바꾸는 새로운 방법을 연구했어요. 다양한 현미경과 분석 장비로 막의 두께, 균일성, 결정성, 성분을 확인했습니다. 컴퓨터 계산으로 전기장이 어떻게 증착 과정을 도와주는지도 알아봤어요.
이 논문은 NiO(산화니켈) 얇은 막을 ALD(원자층증착) 방법으로 만드는 새로운 재료(전구체)와 산소 공급원 조합을 연구했습니다. 어떤 재료와 조건을 쓰느냐에 따라 막이 자라는 속도와 표면 모양, 결정성이 달라짐을 확인했습니다. 이렇게 만든 NiO 막은 물을 산소로 분해하는 촉매로도 잘 작동함을 보였습니다.
이 논문은 반도체에 쓰이는 아주 얇은 금속막(코발트 등)을 원자 단위로 쌓는 원자층증착(ALD) 과정을 컴퓨터 계산(DFT)으로 분석했습니다. 표면에서 원자들이 어떻게 붙고 반응하는지 자세히 밝혀내어, 더 좋은 품질의 얇은 금속막을 만드는 방법을 알려줍니다. 반도체 제조 공정을 이해하고 개선하는 데 중요한 연구입니다.
이 논문은 반도체 박막을 만드는 PEALD 공정에서 기체 분자들이 어떻게 부딪히고 반응하는지 컴퓨터로 시뮬레이션한 연구입니다. 암모니아 분자와 이온이 충돌할 때의 특성을 분자동역학으로 계산해서 더 정확한 공정 예측 모델을 만들려고 했습니다. 이를 통해 질화붕소 같은 박막의 품질을 더 잘 예측할 수 있게 됩니다.
이 논문은 움직이는 기판 위에 아주 얇은 막을 빠르게 입히는 '공간 원자층증착(ALD)' 공정을 컴퓨터 시뮬레이션으로 연구했습니다. 미세 홈이나 구멍이 많은 전극 같은 울퉁불퉁한 표면에서는 가스가 골고루 퍼지기 어려워서 코팅이 잘 안 되는 문제를 분석했습니다. 기판 속도와 가스 농도, 전극 구조를 조절하면 더 깊고 고르게 코팅할 수 있다는 것을 밝혀냈습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)을 할 때 기판에 전기를 흘려주면서(바이어스) 얇은 막을 만드는 새로운 방법을 연구했어요. 그렇게 하면 막이 전기를 더 잘 통하게 되고 더 빨리 자라나는 것을 발견했어요. 두께, 표면 상태, 결정 구조 등을 여러 장비로 확인하고, 왜 이런 현상이 일어나는지 컴퓨터로도 분석했어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 WS2(황화텅스텐) 반도체 박막을 만드는 연구입니다. 특별한 유기 화합물을 재료로 써서 실리콘 기판 위에 균일하게 층을 쌓았고, 증착 횟수(사이클)를 조절해서 층의 두께를 정밀하게 조절할 수 있음을 보여주었습니다. 이 기술은 미래의 초소형 반도체 소자를 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 기술로 리튬티타늄산화물(LTO) 얇은막을 만들어 3차원 배터리 전극으로 활용하는 연구입니다. 증착 온도, 전구체 종류, 펄스 시간 등 공정 조건을 최적화해서 배터리 용량과 성능을 크게 높였습니다. 특히 울퉁불퉁한 3D 구조에도 얇고 고르게 막을 입히는 데 성공해 작은 칩에 강력한 배터리를 만들 수 있는 가능성을 보여줍니다.
이 논문은 아주 작은 영역에만 원자 단위로 얇은 막을 정밀하게 쌓을 수 있는 새로운 장비 기술(DALP)을 소개합니다. 이 장비는 원자층 증착(ALD) 기술을 발전시켜, 하나의 웨이퍼에 여러 두께의 막을 빠르게 만들 수 있게 해줍니다. 광학, 센서, 메모리, 에너지 저장 등 다양한 분야에서 실제 장치를 빠르게 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착) 방법으로 비스무트와 셀레늄을 이용해 BiSe라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 증착 온도를 90~120도로 바꾸면 결정 크기와 품질이 달라지고, 전기가 매우 잘 통하는 막을 만들 수 있음을 보였습니다. 이 막은 기존에 알려진 비슷한 물질보다 전기가 더 잘 흐르는 특징을 가집니다.
이 논문은 반도체에 쓰이는 SiCN이라는 얇은 막을 열을 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 만드는 과정을 컴퓨터 계산(DFT)으로 연구했어요. 플라즈마를 쓰지 않고 열만으로도 좋은 품질의 막을 만들 수 있는지 알아본 거예요. 계산 결과가 실제 실험 결과와 잘 맞았다고 해요.
이 논문은 원자층 식각(ALE)이라는 최신 반도체 가공 기술을 소개하는 튜토리얼입니다. 열, 방향성, 플라즈마 방식의 ALE 원리와 기존 식각 방법과의 차이점을 설명합니다. 로직, 메모리, 2D 소재 등 다양한 전자·광학 소자 제조에 ALE를 적용하는 사례도 다룹니다.
이 논문은 아주 얇은 반도체 재료인 MoS2를 원자 단위로 쌓거나(ALD) 깎아내는(ALE) 방법을 연구했습니다. 낮은 온도에서도 잘 정렬된 결정 구조를 만드는 방법과 그 화학 반응 원리를 알아냈습니다. 이 기술은 미래의 초소형 반도체 소자를 만드는데 중요한 역할을 할 수 있습니다.
이 논문은 여러 재료를 섞어서 아주 얇은 막을 만드는 ALD 공정을 컴퓨터가 자동으로 조절하도록 인공지능을 이용한 연구입니다. 실시간으로 측정한 데이터를 보고 기계학습 알고리즘이 원하는 재료 비율을 맞추도록 도와줍니다. 실제 실험 장치에서도 두 가지, 세 가지 재료를 섞는 공정에 성공적으로 적용했습니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 아주 얇은 막을 한 층씩 쌓는 ALD 공정을 더 잘 만들기 위한 연구입니다. 컴퓨터 계산으로 원료 물질(전구체)의 증기압을 예측하고, 특수 저울(QCM)로 아주 정밀하게 흡착량을 측정하는 방법을 개발했습니다. 이를 통해 온도가 조금 달라져도 일정하게 막이 잘 붙는 이상적인 ALD 공정을 만들 수 있습니다.
이 연구는 3D 반도체 패키징에 쓰이는 유리 인터포저 위에 구리를 잘 붙이는 방법을 찾는 실험입니다. 플라즈마 처리로 유리 표면을 살짝 거칠게 만들고, 아주 얇은 산화티타늄 층을 스퍼터링이나 ALD 등으로 코팅해서 구리가 잘 떨어지지 않게 했습니다. 그 결과 적절한 처리 조건에서 접착력이 크게 좋아졌음을 확인했습니다.
리튬이온배터리의 흑연 음극 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 LiF라는 얇은 막을 입혀서 성능이 어떻게 바뀌는지 실험한 연구입니다. LiF를 코팅한 두께가 두꺼워질수록 리튬 이온이 전극과 전해질 사이를 더 쉽게 이동할 수 있게 된다는 것을 알아냈습니다. 이는 배터리를 더 오래, 더 잘 쓸 수 있게 도와주는 코팅막을 만드는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 연구는 태양광으로 물을 분해해 수소를 만드는 광촉매의 효율을 높이기 위한 방법을 다룹니다. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술로 백금과 금 표면에 산화물 막을 선택적으로 입혀서 원치 않는 역반응을 막고 원하는 반응만 잘 일어나게 만들었습니다. 다양한 분석 방법으로 이 코팅이 실제로 반응 선택성을 높이는지 확인했습니다.
이 논문은 원자층을 아주 작은 영역에만 쌓을 수 있는 새로운 미세 노즐 기술(µDALP)을 소개합니다. 이 기술로 온도 센서, 압력 센서, 광학 렌즈, 거울 등 다양한 부품을 빠르고 정밀하게 만들 수 있습니다. 기존의 리소그래피나 진공 증착 방식보다 저렴하고 빠르게 시제품을 만들 수 있다는 장점이 있습니다.
이 논문은 수소를 만드는 촉매로 쓰이는 니오븀황화물(NbS2) 얇은 막을 플라즈마 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 플라즈마에 넣는 가스 비율과 온도, 열처리 조건을 바꾸면 막의 결정 구조와 니오븀/황 비율이 달라지고, 이것이 수소 생산 촉매 성능에 영향을 준다는 것을 보여줍니다. 이 방법은 기존 방식보다 더 균일하고 다양한 모양의 기판에도 잘 코팅할 수 있는 장점이 있습니다.
이 논문은 안티모니(Sb)와 비스무트(Bi) 순수 금속 박막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 새로운 화학 공정을 소개합니다. 여러 원료 물질과 반응 조건을 시도해서 25~175도 사이에서 얇고 균일한 결정질 박막을 만들었습니다. 특히 비스무트 박막을 ALD로 만든 것은 이번이 처음이라는 점이 중요합니다.
수소연료전지의 촉매 성능을 높이기 위해 원자층증착(ALD) 기술로 백금(Pt) 합금 촉매를 얇게 코팅하고 붕소를 도핑해서 촉매가 잘 부식되거나 뭉치지 않도록 만들었어요. 이렇게 만든 촉매는 산소와의 반응을 더 잘 견디고 오래 사용할 수 있어요. 결과적으로 연료전지의 성능과 내구성을 모두 향상시킬 수 있었습니다.
물을 전기로 나눠 수소를 만드는 장치(PEM 수전해)에서 비싼 티타늄 대신 값싼 스테인리스강을 쓰고, 그 위에 SnO2라는 얇은 막을 ALD 기술로 입혀 녹슬지 않게 보호하는 연구입니다. 이 얇은 막이 부식을 잘 막는지, 전기가 잘 통하는지 여러 방법으로 확인했습니다. 결과적으로 더 저렴하고 튼튼한 수소 생산 장치를 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 수소를 만드는 장치(PEM 전기분해기)에 아주 비싼 이리듐 금속을 얇게 코팅하는 새로운 방법을 소개해요. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 기술로 이리듐 산화물을 아주 얇게 입혀서 사용량을 100분의 1까지 줄일 수 있대요. 실험 결과 이렇게 얇게 만든 막도 성능과 내구성이 좋다는 것을 확인했어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 바륨 탄산염(BaCO3) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 전자를 잘 방출해서 마이크로채널판이라는 특수 센서의 성능을 높이는 데 사용될 수 있습니다. 연구팀은 막의 두께와 표면 특성을 정밀하게 조절하고 측정해서 좋은 코팅 재료임을 확인했습니다.
이 논문은 리튬이온 배터리의 실리콘/흑연 음극과 LiFePO4 양극 표면에 아주 얇은 보호막(ZnO, 알루미나)을 원자층증착(ALD)으로 입히는 연구입니다. 이 코팅은 배터리가 충전·방전될 때 부피 변화나 화학적 손상을 줄여 배터리를 더 오래, 더 안정적으로 쓸 수 있게 도와줍니다. TEM, XPS, XRD 같은 분석 방법으로 이 코팅이 전극 표면을 어떻게 바꾸는지 자세히 살펴봤습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(PEALD) 기술로 탄소나노튜브 표면에 은(Ag) 나노입자를 붙여 연료전지용 촉매를 만들었습니다. 비싼 백금 대신 값싼 은을 사용해도 세계 최고 수준의 성능을 냈고, 오래 사용해도 안정적이었습니다. 이는 친환경 연료전지를 더 저렴하게 만들 수 있는 가능성을 보여줍니다.
이 논문은 물을 분해해서 수소를 만드는 장치(PEM 전기분해)에 쓰이는 비싼 금속인 이리듐을 아주 적게 쓰면서도 잘 작동하는 전극을 만드는 방법을 소개합니다. 스페이셜 원자층 증착(sALD)이라는 정밀한 코팅 기술로 이리듐을 100배 이상 적게 사용해도 성능이 좋은 전극을 만들 수 있음을 보였습니다. 이 방법은 빠르게 많은 전극을 만들 수 있어서 앞으로 대규모 수소 생산에 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 전고체 배터리에서 리튬 금속과 고체 전해질 사이에 얇은 보호막(인공 SEI)을 특수한 원자층 증착법(공간형 ALD)으로 만드는 연구입니다. 여러 두께와 성분의 막을 만들어 화학적 결합과 안정성을 분석했습니다. 이를 통해 배터리 안에서 리튬 덴드라이트(뾰족한 결정) 성장을 줄이는 효과를 확인했습니다.
이 논문은 ALD/MLD라는 특수한 방법으로 무기물과 유기물을 결합한 새로운 란타넘족 박막을 만드는 연구입니다. 이 박막은 태양전지 효율을 높이는 코팅, 따뜻한 흰빛을 내는 조명, 생체 이미징에 쓰일 수 있는 발광 소재로 활용됩니다. 여러 응용 분야에 쓰일 수 있는 새로운 하이브리드 박막 소재를 개발한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 배터리 전극 표면을 얇게 코팅해서 배터리 성능을 높이는 연구입니다. 흑연 음극에 특수한 막을 입혀 빠른 충전이 가능하게 하고, 고체 배터리의 양극 입자에 얇은 보호막을 씌워 더 오래, 더 안전하게 사용할 수 있게 만들었습니다. 배터리를 더 좋게 만드는 표면 처리 기술에 관한 내용입니다.
이 연구는 원자층증착(ALD) 기술로 은(Ag) 나노입자를 탄소나노튜브 전극에 얇게 코팅해서 새로운 연료전지(수산화물 교환막 연료전지, HEMFC)에 사용했습니다. 비싼 백금 대신 은을 써도 높은 전력 성능을 낼 수 있음을 보여줬습니다. 이는 연료전지를 더 저렴하고 성능 좋게 만들 수 있는 가능성을 보여주는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 인이 도핑된 MnO2 나노시트 위에 아주 얇은 NiO 막을 입혀 코어-쉘 구조를 만든 연구입니다. 인 도핑과 NiO 코팅 두께를 조절해 전기화학적 성능과 안정성을 크게 높였습니다. 이렇게 만든 재료는 고성능 슈퍼커패시터 전극으로 활용될 수 있습니다.
이 논문은 백금, 루테늄 같은 귀금속을 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇게 코팅하는 기술을 소개합니다. 탄소종이나 티타니아 나노튜브 같은 지지체 위에 나노입자를 균일하게 만들어서, 적은 양의 귀금속으로도 전기화학 촉매반응을 효율적으로 일으킬 수 있게 합니다. 이렇게 만든 나노입자들은 물성 분석과 전기화학 테스트에서 좋은 성능을 보였습니다.
이 논문은 아주 얇고 긴 튜브 모양의 TiO2 나노튜브 표면에 원자층증착(ALD) 기술로 코팅을 입혀 성질을 바꾸는 연구입니다. ALD는 이런 좁고 깊은 구조도 골고루 코팅할 수 있는 유일한 방법이라고 설명합니다. 이렇게 만든 재료는 센서, 배터리, 촉매 등 여러 분야에 활용될 수 있습니다.
이 연구는 리튬 금속과 고체 전해질이 만나면 불안정해지는 문제를 해결하기 위해, 원자층증착(ALD)으로 아주 얇은 산화티타늄(TO) 보호막(5나 10나노미터)을 코팅했습니다. 이 얇은 막이 리튬과 전해질 사이의 반응을 막아주는 보호벽 역할을 한다는 것을 전기적 측정으로 확인했습니다. 또한 코팅 근처에서 특별한 전하층(공간전하층)이 생기는 것도 관찰했습니다.
이 논문은 리튬이온 배터리의 양극 소재(단결정 NMC) 표면에 산화몰리브덴(MoOₓ)이라는 얇은 보호막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입혀서 배터리 성능을 높이는 연구입니다. 이 보호막은 배터리가 많이 충전하고 방전해도 잘 견디게 해주고, 다른 코팅재료(ZrO₂)보다 더 좋은 성능을 보였습니다. 분말 형태의 배터리 소재에 균일하게 코팅할 수 있는 특수 ALD 장비를 사용했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 3차원 구조의 고체 배터리를 만드는 방법을 다룹니다. 리튬, 나트륨, 칼륨을 포함하는 특수한 전해질 박막을 얇고 균일하게 입히는 두 가지 방법(플라즈마 이용, 열 이용)을 비교합니다. 이를 통해 더 빠르고 안전한 배터리를 만들 수 있는 방법을 연구했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 기술로 촉매 입자를 원하는 위치와 크기로 만드는 방법을 연구했어요. 특수 장비(ALD-XAFS)를 직접 만들어서 촉매가 자라나는 과정을 실시간으로 관찰했어요. 이를 통해 촉매의 성능을 좋게 만드는 원리를 밝혀냈어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)을 이용해 기공이 많은 막(멤브레인) 재료를 코팅하는 최신 연구 동향을 소개하는 초청 발표입니다. ALD로 막의 구멍 크기와 구조를 정밀하게 조절해서 가스 분리, 에너지 생산, 물 정화, 센서 등 다양한 분야에 활용하는 방법을 설명합니다. 특정 재료나 세부 공정 조건보다는 ALD 기술의 전반적인 응용과 미래 가능성을 다루는 리뷰 성격의 발표입니다.
이 논문은 백금, 루테늄, 이리듐 같은 귀금속을 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 방법으로 탄소종이나 티타니아 나노튜브 위에 붙이는 방법을 설명해요. 이렇게 하면 비싼 귀금속을 적게 쓰면서도 전기화학 반응(전기촉매)을 잘 일으킬 수 있어요. 논문은 여러 실험 결과를 모아 이 기술이 촉매 성능을 높이는 데 효과적임을 보여줘요.
이 논문은 배터리에서 리튬 금속이 아무렇게나 자라지 않고 원하는 곳에만 쌓이도록 특수한 패턴 코팅막을 이용하는 방법을 연구했습니다. 원자층증착(ALD)으로 ZnO, Al2O3, LiF 같은 얇은 막을 구리 위에 패턴으로 입혀서 리튬이 좋아하는 곳과 싫어하는 곳을 만들었습니다. 두 가지 막을 같이 쓰면 리튬이 원하는 곳에 더 잘 쌓인다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 전기화학 반응으로 아주 얇은 금속막을 만드는 새로운 방법을 설명해요. 백금, 이리듐 같은 금속과 그 합금을 정교하게 쌓을 수 있어요. 이 기술은 나노입자와 촉매 연구에 활용될 수 있어요.
이 논문은 리튬이온배터리의 성능을 높이기 위해 플라즈마 원자층증착(ALD) 기술로 리튬니켈산화물 얇은 막을 만드는 연구입니다. 니켈과 리튬 재료의 비율을 조절해서 원하는 화학 조성을 만들고, 불순물을 적게 만드는 방법을 찾았습니다. 이렇게 만든 얇은 막은 배터리 전극과 전해질 사이의 반응을 연구하는 모델로 사용될 예정입니다.
이 논문은 백금, 루테늄, 팔라듐, 이리듐 같은 귀금속을 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 작은 나노입자 형태로 만드는 방법을 소개합니다. 탄소 종이나 티타니아 나노튜브 같은 표면 위에 이 나노입자들을 고르게 만들어서 전기화학 촉매 반응에 잘 쓰일 수 있게 합니다. 실험을 통해 이 방법이 효율적인 촉매 활동을 만든다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 탄소 위에 백금 나노입자를 골고루 붙여서 수소를 만드는 물 전기분해 장치의 촉매를 만드는 연구입니다. 유동층 반응기를 이용해 백금을 적게 쓰면서도 성능이 좋은 촉매층을 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 촉매는 비싼 백금을 절약하면서도 수소 생산 효율을 높일 수 있습니다.
이 논문은 연료전지에 쓰이는 백금 촉매를 만드는 새로운 방법을 소개해요. 원자층 증착(ALD)이라는 기술로 아주 작은 백금 알갱이들을 탄소 위에 골고루 붙이고, 이산화티타늄으로 얇게 덮어서 탄소가 부식되는 것을 막아줍니다. 이렇게 하면 연료전지가 더 오래 튼튼하게 작동할 수 있어요.
이 논문은 리튬 이온 배터리 성능을 높이기 위해 얇은 보호막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 리튬 인산염과 리튬 붕산염을 섞어서 이온이 잘 통하면서도 안정적인 새로운 코팅 재료를 개발했습니다. 실험 결과 이온 전도도와 전기화학적 안정성 사이에 균형을 맞추는 것이 중요하다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 나노튜브나 나노섬유처럼 아주 얇고 긴 재료(1D 나노소재) 표면에 얇은 막을 균일하게 입히는 원자층증착(ALD) 기술을 소개합니다. 특히 TiO2 나노튜브와 다양한 나노섬유에 ALD로 코팅해서 광촉매, 촉매, 센서, 배터리, 나노로봇 등에 활용한 사례를 설명합니다. 표면을 잘 다듬으면 재료의 반응성과 성능을 크게 높일 수 있다는 내용입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 기술을 이용해 리튬이온배터리와 나트륨이온배터리의 전극 표면에 아주 얇은 보호막을 입히는 방법을 연구했습니다. 이렇게 코팅하면 배터리가 더 오래 사용되고 성능도 좋아진다는 것을 실험과 문헌 분석으로 보여주었습니다. 특히 얇은 코팅(5회 이하)이 배터리 성능 향상에 가장 효과적이라는 것을 밝혔습니다.
이 연구는 ALD(원자층 증착)로 알루미나(Al2O3) 막을 만들면서 알코올을 함께 넣어서 아주 작은 구멍(나노미터보다 작은 크기)을 만드는 방법을 소개해요. 이 구멍 크기는 사용하는 알코올 종류에 따라 다르게 조절할 수 있어요. 이렇게 만든 세라믹 막은 물속의 특정 이온을 골라서 통과시키는 필터로 사용할 수 있어서, 물 정화나 자원 추출에 도움을 줄 수 있어요.
이 연구는 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 기술로 아주 적은 양의 백금(Pt)을 연료전지 전극에 얇게 입혔습니다. 이렇게 하면 전지의 성능이 좋아지고 오래 안정적으로 작동할 수 있습니다. 컴퓨터 시뮬레이션으로 왜 성능이 좋아지는지도 밝혀냈습니다.
이 논문은 다 쓴 리튬이온 배터리를 재활용할 때, 흑연 전극 표면에 원자층증착(ALD)으로 인공 보호막(SEI)을 만들어 배터리 성능을 높이는 방법을 연구했습니다. 새 전극보다 인공 SEI를 입힌 전극이 초기 효율을 5% 이상 높였다고 합니다. 이 기술은 배터리를 재사용할 때 리튬 손실을 줄이는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 리튬이온전지의 양극재료인 리튬-코발트-산소 박막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 여러 성분을 순서대로 쌓는 '슈퍼사이클' 방법을 사용했고, 라만분광법, X선광전자분광법 등으로 막의 화학적 성질을 조사했습니다. 만든 박막의 전기화학적 성능도 다른 연구와 비교했습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 기술로 탄소 종이나 티타니아 나노튜브 같은 지지체 위에 루테늄(Ru) 나노입자를 얇게 입히는 방법을 연구했습니다. Ru는 귀한 금속이라 표면 전처리를 통해 더 잘 붙도록 개선했고, 이렇게 만든 촉매는 알칼리 조건에서 수소를 만드는 반응에 효과적임을 보였습니다. Beneq TFS 200이라는 ALD 장비를 사용했습니다.
이 논문은 수소연료전지에 쓰이는 백금 촉매가 오래 잘 견디도록, 원자층증착(ALD) 기술로 아주 얇은 코발트 보호막을 입히는 연구입니다. 이 보호막 덕분에 백금 알갱이들이 뭉치는 것을 막아서 촉매가 더 오래 성능을 유지할 수 있었습니다. 실험 결과 코발트로 코팅한 촉매가 코팅 안 한 것보다 내구성이 더 좋다는 것을 확인했습니다.
이 논문은 나트륨 이온 배터리의 양극 재료 표면에 아주 얇은 TiO2 막을 원자층증착(ALD)으로 입혀서 배터리 성능을 좋게 만드는 연구입니다. 이 얇은 막 덕분에 배터리가 더 오래, 더 안정적으로 충전과 방전을 반복할 수 있게 되었습니다. 결과적으로 배터리의 용량과 수명이 크게 향상되었습니다.
이 연구는 레이저로 그래핀 표면을 미리 활성화시킨 후, 그 위에만 유로퓸-유기 박막을 선택적으로 얇게 쌓는 새로운 방법을 개발했습니다. 이렇게 만든 박막은 빛을 받으면 색을 내는 성질(발광 특성)을 가지고 있고, 그래핀의 전자적 성질도 변화시켰습니다. 이 기술은 작은 칩 위에 여러 기능을 가진 소자를 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 전고체 배터리에 쓰이는 황화물 고체전해질(LPSCl) 표면에 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 보호막을 원자층증착(ALD)으로 입히는 화학반응 원리를 연구했습니다. 적외선, X선, 라만 분광법과 컴퓨터 계산을 이용해 어떤 화학반응이 일어나는지 자세히 밝혀냈습니다. 이를 통해 배터리를 더 안전하고 오래 쓸 수 있게 만드는 코팅 방법을 개선하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 물을 산화시켜 과산화수소를 만드는 전극을 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 연구입니다. 티타늄산화물이나 주석산화물 표면에 망간 산화물을 아주 얇게 넣으면 반응에 필요한 전압을 낮출 수 있다는 것을 보여줍니다. 또한 망간이 얼마나 깊이 들어가는지, 열처리 조건에 따라 전극의 안정성과 성능이 어떻게 달라지는지도 확인했습니다.
이 논문은 리튬 배터리에 쓰이는 니켈이 많은 전극(NCM811)의 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 얇은 막을 씌우면 전극이 전해질과 나쁜 반응을 덜 일으켜서 배터리가 더 오래, 더 잘 작동합니다. 실험에서는 10번의 ALD 사이클로 코팅했을 때 성능이 가장 좋았다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착)로 만든 PbTe 박막에 크롬 이온을 주입해서 열전 성능을 높이는 연구입니다. 크롬을 넣으면 전기적 특성이 어떻게 변하는지 여러 방법으로 분석했습니다. 목표는 열전소자에 쓸 수 있는 더 좋은 박막을 만드는 것입니다.
이 논문은 리튬과 나트륨 배터리의 금속 음극을 보호하기 위해 원자층증착(ALD)과 분자층증착(MLD) 기술로 얇은 보호막을 만드는 연구입니다. 여러 종류의 보호막(합금형, 적층형, 유기-무기 혼합형)을 만들어서 배터리 성능을 개선하는 방법을 소개합니다. 이는 반도체나 디스플레이가 아닌 배터리 소재 분야 연구입니다.
이 논문은 리튬 배터리에 쓰이는 니켈이 많은 양극재를 원자층증착(ALD) 기술로 황화물 코팅해서 더 튼튼하고 오래 쓸 수 있게 만드는 연구입니다. 황화물 코팅은 기존 코팅보다 산소를 잘 흡수해서 배터리 성능을 더 좋게 만들어줍니다. 이를 통해 니켈이 많은 배터리 소재를 상용화하는 새로운 방법을 제시했습니다.
이 논문은 리튬이온배터리 성능을 높이기 위해 니켈이 많이 들어간 양극재(NMC811)를 원자층증착(ALD)으로 얇게 코팅했습니다. 또한 레이저로 표면에 작은 홈을 파서 리튬이온이 더 잘 이동하도록 했습니다. 그 결과 배터리가 더 오래 안정적으로 작동하고 빠르게 충전될 수 있게 되었습니다.
이 논문은 리튬이온 배터리에 쓰이는 니켈이 많이 든 양극재(NMC)의 성능을 높이기 위해 원자층증착(ALD)으로 표면을 코팅하는 연구를 소개합니다. 산화물 코팅보다 황화물 코팅이 더 좋은데, 충放전 중 황화물이 황산염 등으로 변하면서 산소를 없애줘 배터리를 더 오래 안정적으로 쓸 수 있게 해준다고 합니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 배터리 소재 연구입니다.
이 논문은 반도체를 아주 작고 정밀하게 만드는 최신 기술들을 소개해요. 원자 하나하나를 조절해서 깎거나 쌓는 방법(ALE, NBE, ALD)에 대해 설명합니다. 이런 기술들은 더 작고 성능 좋은 반도체를 만드는 데 중요해요.
이 논문은 ALD라는 방법으로 아주 얇은 티타늄질화물(TiN) 막을 여러 재료 위에 만들고 살펴본 연구입니다. 막의 두께와 바탕 재료에 따라 성분, 구조, 전기적 성질, 그리고 얼마나 튼튼한지(산화나 긁힘에 강한지)를 자세히 확인했습니다. TiN은 반도체를 만들 때 자주 쓰이는 중요한 얇은 막이라서 이런 연구가 큰 도움이 됩니다.
이 논문은 열 ALD와 플라즈마 ALD 두 가지 방법으로 티타늄 질화막(TiN)을 만들어 전기적, 열전기적 성질을 비교했어요. 성장 온도와 반복 횟수를 조절하면 전기 저항이 줄고 열전기 성능이 좋아진다는 것을 발견했어요. 반도체 재료 연구에 도움이 되는 내용입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 탄소섬유 위에 아주 작은 NbS2 나노 조각을 만들었어요. 이를 이용해서 심장병(심근경색)을 알 수 있는 물질(cTnI)을 아주 민감하게 찾아내는 센서를 만들었습니다. 반도체나 디스플레이 산업이 아닌 의료용 센서에 사용되는 기술입니다.
이 논문은 ALD라는 얇은 막을 쌓는 기술을 이용해 페로브스카이트 태양전지 재료의 결정 구조를 변화시키는 방법을 연구했습니다. 대칭성이 깨지면서 태양전지 성능에 영향을 줄 수 있는 특별한 결정 형태를 만들어냈습니다. 이는 더 좋은 태양전지를 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 TiN이라는 얇은 막을 아주 골고루 잘 입히기 위한 새로운 방법을 소개합니다. 특별한 가스 펄스 방식과 컴퓨터 시뮬레이션(CFD)을 이용해 증착 장비의 내부 구조를 더 좋게 설계했습니다. 이렇게 하면 반도체 부품에 필요한 얇고 균일한 막을 더 잘 만들 수 있습니다.
이 논문은 사파이어라는 판 위에 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 질화알루미늄(AlN) 막을 만드는 실험을 다룹니다. 만든 막의 구조가 어떻게 생겼는지 자세히 분석했습니다. 반도체 재료를 만드는 중요한 기술을 연구한 논문입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 게르마늄 산화막을 만들 때, 온도가 막의 성장에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 온도를 다르게 해서 실험하며 막이 어떻게 자라는지 관찰했습니다. 이는 반도체 소자 제작에 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 질소가 섞인 산화갈륨(GaO) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 질소를 넣으면 이 물질이 빛을 흡수하는 특성(밴드갭)이 달라지는 것을 확인했습니다. 이는 반도체 소재 개발에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 산화갈륨(Ga2O3)이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 막의 두께에 따라 결정 구조(비정질 또는 다결정)와 빛과 관련된 성질이 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 이는 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기초 정보를 제공합니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 니켈산화물과 니켈탄화물이라는 아주 얇은 막을 만드는 방법을 연구했어요. 특별한 장비와 공정 조건을 사용해서 원하는 물질을 정밀하게 쌓는 방법을 설명합니다. 이런 기술은 반도체 같은 첨단 전자제품을 만드는 데 사용될 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 주석과 산소, 황이 섞인 얇은 막을 만드는 연구입니다. 그 다음 진공 상태에서 열처리를 해서 막의 성분과 전자 구조를 바꾸는 방법을 알아봤어요. 이렇게 하면 반도체 재료의 성질을 원하는 대로 조절할 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 산화아연(ZnO)에 알루미늄(Al)을 도핑할 때, 도핑 원자층이 얼마나 꽉 채워지는지(포화도)가 도핑 정도를 조절하는 중요한 요소임을 연구했습니다. 여러 번 반복하는 슈퍼사이클 공정을 이용해 Al 도핑량을 정밀하게 조절하는 방법을 다룹니다. 이는 투명 전극이나 반도체 소재를 만들 때 중요한 기술입니다.
이 논문은 태양전지 표면을 보호하는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 Al2O3와 MoOx라는 두 재료를 연속으로 쌓아서 성능을 좋게 만들었습니다. 이렇게 하면 태양전지가 더 오래, 더 잘 작동할 수 있습니다.
이 논문은 아주 작은 구멍이 많은 실리카(메조다공성 실리카) 위에 지르코늄산화물(ZrO2)이라는 얇은 막을 원자층 증착법(ALD)으로 입히는 연구입니다. ALD는 원자 하나하나 쌓듯이 매우 얇고 균일한 막을 만드는 정밀한 기술입니다. 이 기술로 만든 막은 반도체나 촉매 등 다양한 분야에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 TiO2(이산화티타늄)라는 얇은 막을 두 가지 방법(열 원자층 증착, 플라즈마 원자층 증착)으로 만들었을 때 두께에 따라 어떻게 자라는지, 빛을 얼마나 잘 통과시키는지, 미세 구조가 어떻게 다른지를 연구했습니다. 즉, 아주 얇은 코팅을 만드는 방법과 그 결과물의 성질을 비교한 연구입니다.
이 논문은 회전식 원자층 증착(ALD) 장비를 이용해 아주 작은 가루(마이크로파우더) 표면에 알루미늄 산화막을 얇게 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 코팅된 가루는 이차전지(배터리)의 음극 재료로 사용될 수 있습니다. 즉, 배터리 성능을 높이기 위해 특별한 장비로 가루를 얇은 막으로 감싸는 기술에 관한 연구입니다.
이 논문은 산화아연(ZnO)을 분자층 증착과 원자층 증착 방법으로 얇게 입힌 하이브리드 막을 초고분자량 폴리에틸렌 표면에 만드는 연구입니다. 막의 두께에 따라 표면에 생기는 균열과 재료의 강도가 어떻게 변하는지 살펴봅니다. 이를 통해 더 튼튼하고 갈라지지 않는 코팅 방법을 찾으려는 목적입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇게 코팅하는 기술로 Al2O3와 TiO2를 번갈아 쌓아 은(銀)을 보호하는 투명한 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 은이 녹슬거나 변색되는 것을 막아주는 역할을 합니다. 얇고 투명하면서도 부식 방지 효과가 뛰어난 코팅을 개발한 것이 핵심입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 하프늄산화물(HfO2)과 알루미늄산화물(Al2O3)을 번갈아 아주 얇게 쌓은 다층막을 만드는 연구입니다. 이 다층막은 강한 X선을 반사시키는 특수 거울 같은 용도로 쓰일 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 마그네슘 합금 위에 티타늄 질화물과 산화물을 층층이 얇게 입혀서 더 단단하고 녹슬지 않게 만드는 방법을 연구했어요. 원자층증착이라는 정밀한 코팅 기술과 산화 과정을 함께 사용했습니다. 이렇게 하면 금속이 더 오래 튼튼하게 쓰일 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 Al₂O₃(산화알루미늄)이라는 얇고 좋은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 막은 FinFET과 GAA라는 최신 반도체 트랜지스터를 만드는 데 사용됩니다. 반도체 공정과 재료를 함께 다루는 중요한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 산화아연(ZnO)에 불소를 넣어 새로운 반도체 박막(FZO)을 만드는 연구입니다. 불소를 넣기 위해 새로운 재료(암모늄플루오라이드/물 혼합액)를 직접 만들어 사용했습니다. 온도와 농도를 조절해서 가장 좋은 불소 도핑 조건을 찾아냈습니다.
이 논문은 질화갈륨(GaN)이라는 반도체 재료를 원하는 부분에만 얇게 쌓는 새로운 방법을 연구했습니다. 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 기술을 낮은 압력과 열을 이용해 특정 위치에만 선택적으로 막을 입히는 방법을 다룹니다. 이는 반도체 소자를 더 정교하게 만드는 데 도움이 되는 중요한 공정 연구입니다.
이 논문은 하프늄, 알루미늄, 아연 산화물을 얇은 막으로 만들어 투명하면서도 전기가 통하는 재료(TCO)를 연구했습니다. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 막을 만들고 구조, 빛 투과, 전기적 특성을 살펴봤습니다. 이런 재료는 디스플레이나 태양전지의 투명 전극으로 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 티타늄 산화막을 아주 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법에서, 플라즈마를 쓰지 않는 산화제가 어떤 역할을 하는지 연구했습니다. 산화제 종류에 따라 반응 단계가 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 반도체 박막 제작 기술을 더 잘 이해하는데 도움이 됩니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD) 방법으로 아주 얇은 MoSe2 박막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 박막은 미래의 작은 전자부품(나노일렉트로닉스)에 쓰일 수 있습니다. 반도체 소재와 증착 공정을 함께 연구한 논문입니다.
이 논문은 게르마늄 산화물(GeO2)이라는 얇은 막을 만들기 위한 새로운 원료 물질을 개발한 연구입니다. 원자층 증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 얇은 막을 쌓는 과정을 다룹니다. 반도체 재료 연구에 활용될 수 있는 내용입니다.
이 논문은 액체 구리 전구체(Cu(emap)2)를 이용해 낮은 온도에서 플라즈마 원자층 증착(PEALD)으로 구리 박막을 만드는 방법을 다룹니다. 반도체 배선 등에 쓰일 수 있는 구리막을 더 낮은 온도에서 잘 만드는 공정을 연구한 것입니다. 장비의 플라즈마 소스와 공정 조건(온도 등)이 중요하게 다뤄집니다.
이 논문은 니켈산화물이라는 얇은 막을 만들 때, 산소를 넣어주는 방법을 열로 하는 방식과 플라즈마로 하는 방식을 비교한 연구입니다. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 막을 하나씩 쌓으면서 어떤 산화제가 더 좋은 막을 만드는지 살펴봅니다. 이를 통해 반도체 소자에 쓸 수 있는 더 나은 니켈산화물 막을 만드는 방법을 찾으려고 합니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 강유전체 박막을 만들 때, 원료 가스를 씻어내는 '퍼지 시간'을 다르게 해서 박막의 결정 구조와 성능이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 퍼지 시간을 조절하면 박막이 강유전체 성질을 더 잘 가지는 상태로 만들어질 수 있다는 것을 보여줍니다. 이는 차세대 메모리 소자에 활용될 수 있는 중요한 공정 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법을 이용해 아주 작은 구조물인 메타표면에서 빛을 더 잘 가두는 기술을 다룹니다. 빛을 잘 가두면 특별한 광학 효과를 더 강하게 만들 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, ALD 공정이 핵심 주제로 보입니다.
이 논문은 피나콜보레인이라는 화학 물질을 이용해서 구리와 비스무트라는 금속을 아주 얇게 쌓는 새로운 방법을 연구했어요. 이 방법은 원자층 증착이라는 정밀한 기술을 사용해요. 반도체 같은 작은 전자 부품을 만드는 데 활용될 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 염화은, 브롬화은, 요오드화은 같은 은 화합물 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 새로운 재료를 아주 얇게 쌓는 기술에 대한 논문입니다. 반도체나 디스플레이 같은 특정 분야보다는 재료 자체의 성질을 탐구하는 기초 연구로 보입니다.
이 논문은 스칸듐과 불소로 이루어진 얇은 막(ScF3)과 여기에 알루미늄을 섞은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇게 쌓는 연구입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만, 새로운 불화물 박막 소재를 만드는 것이 핵심입니다. 이런 박막은 특수한 광학 코팅 등에 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 코발트(Co)와 유기물이 섞인 특별한 얇은 막을 낮은 온도에서 만드는 방법을 연구했어요. VHF라는 특수한 플라즈마 장치를 이용해서 원자를 한층씩 쌓는 원자층 증착(ALD) 기술을 사용했답니다. 이렇게 만든 막은 몸에 해롭지 않아서 의료용 재료로 쓸 수 있어요.
이 논문은 키토산 스펀지에 ZnO를 얇게 입혀서 물 속의 파란색 염료를 흡착시키는 방법을 연구했어요. ALD라는 특별한 코팅 기술을 이용해서 재료를 만들었어요. 이 재료가 오염물질을 얼마나 잘 흡수하는지 물리적, 화학적 조건을 살펴봤어요.
이 논문은 게르마늄 반도체 트랜지스터(p-MOSFET)의 성능을 높이기 위해 티타늄-게르마늄산화물이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)이라는 정밀한 코팅 방법으로 만들어졌습니다. 이렇게 만든 트랜지스터는 전기적 성질이 더 좋아졌습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)과 원자층 식각(ALE) 과정에서 일어나는 반응을 자세히 관찰할 수 있는 새로운 진공 장비를 소개합니다. 이 장비는 공기에 노출되지 않고도 표면 상태를 분석할 수 있게 해줍니다. 대표적인 예로 알루미늄 산화막(Al2O3)을 만드는 공정을 이용해 장비의 성능을 확인했습니다.
이 논문은 새로운 고온용 지르코늄 전구체를 이용해 ALD 방식으로 ZrO2 얇은 막을 만드는 방법을 연구했어요. 이 새 재료는 기존 전구체보다 더 높은 온도에서도 잘 분해되지 않아서 더 좋은 막을 만들 수 있었대요. 이렇게 만든 막으로 커패시터를 만들어서 성능(전기 새는 정도 등)도 비교해봤어요.
이 논문은 전자를 이용해 낮은 온도(35도)에서 SiO2라는 유리 같은 얇은 막을 만드는 새로운 원자층 증착(ALD) 방법을 소개합니다. 디실란과 오존 또는 물을 재료로 사용하고, 특수한 전자총 장비로 전자를 쏘아 반응을 도와줍니다. 이렇게 만든 SiO2 막은 기존의 열산화막과 비슷한 좋은 품질을 가지고 있어서 반도체 등 다양한 곳에 쓸 수 있습니다.
이 논문은 반도체 제조에 쓰이는 질화규소(SiN) 막을 낮은 온도에서 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 서로 다른 재료를 섞어 만든 막의 품질을 기존 방식과 비교하고, 물에 잘 녹는 정도와 좁은 홈에도 고르게 막이 덮이는지를 확인했습니다. 이를 통해 더 얇고 정밀한 반도체를 만드는 데 도움이 되는 결과를 얻었습니다.
이 연구는 특수한 회전식 원자층 증착(ALD) 장비를 이용해 하프늄산화물(HfO2)이라는 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 고압 열처리와 초임계 유체 처리를 하면 막의 누설 전류가 줄고 절연 성능이 좋아졌습니다. 이 기술은 반도체 소자의 성능을 높이는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 반도체 회로 배선에 쓸 코발트 얇은 막을 원자층 증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 만드는 연구입니다. 수소 가스의 양과 시간을 조절해서 불순물(탄소)을 줄이고 전기가 잘 통하는 순수한 코발트 막을 만드는 조건을 찾았습니다. 좁고 깊은 홈에도 고르게 막을 입힐 수 있었고, 실제 벌크 코발트와 비슷한 전기 저항값을 얻는 데 성공했습니다.
이 논문은 실리콘 표면에 HfO2라는 얇은 막을 원자 단위로 쌓는 ALD 공정을 실시간으로 관찰한 연구입니다. 실리콘 표면에 물기(수산기)가 얼마나 있는지에 따라 하프늄 원료 물질이 어떻게 달라붙는지 자세히 밝혔습니다. 이는 반도체 트랜지스터의 절연막을 더 잘 만들기 위한 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 저항이 낮은 몰리브덴(Mo) 금속막을 얇게 쌓는 새로운 공정을 개발했습니다. 특별한 원료 가스와 수소 원자를 사용해 150~450도 사이에서 매우 균일하고 얇은 막을 만들 수 있었고, 250도 이상에서 특히 저항이 낮고 좋은 품질의 막이 만들어졌습니다. 이는 반도체 칩 배선 등에 쓰일 수 있는 중요한 재료 공정 연구입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD) 방법으로 GaN 반도체 위에 HfO2라는 얇은 절연막을 만드는 연구입니다. 이 막은 표면이 매끄럽고 치밀하며, 전기가 잘 통하지 않으면서도 절연성이 뛰어나 GaN 기반 전력 반도체 소자에 적합함을 보여줍니다. 즉, 더 좋은 반도체 소자를 만들기 위한 새로운 절연막 제작 기술을 소개한 논문입니다.
이 논문은 반도체 안에서 구리가 다른 곳으로 퍼지지 않게 막아주는 TiN이라는 얇은 막을 특별한 플라즈마 장비(HCP)를 이용해 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 막은 밀도가 높고 전기 저항이 낮으며, 깊고 좁은 홈에도 고르게 잘 덮인다는 것을 보여주었습니다. 이는 앞으로 더 작은 반도체를 만드는 데 유용하게 쓰일 수 있습니다.
실리콘에 불순물을 넣지 않고도 표면에 알루미늄이 든 유리막(SiO2:Al)을 씌워서 전기적 성질을 바꾸는 새로운 방법을 연구했어요. 하지만 이 막은 공기 중에서 쉽게 망가지기 때문에, 얇은 SiO2 보호막을 ALD라는 방법으로 덧씌워 보호했어요. 실험 결과 200도에서 플라즈마 ALD로 만든 보호막이 가장 성능이 좋고 원래 기능도 그대로 유지된다는 것을 확인했어요.
실리콘 위에 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 특별한 방법(ALD)으로 아주 얇게 입혀서, 그 위에 질화알루미늄(AlN)을 더 좋은 품질로 키우는 연구입니다. 이 얇은 막의 두께를 조절하면 결정 결함이 줄어들고 스트레스도 줄어드는 것을 확인했습니다. 이는 반도체 소자 제작에 중요한 기술입니다.
이 논문은 반도체 회로에 사용되는 루테늄(Ru)이라는 금속을 아주 얇게 균일하게 입히는 방법을 연구했어요. 산화막 위에 루테늄을 바를 때 잘 붙지 않는 문제를 해결하기 위해 특수한 화학물질로 표면을 미리 처리했더니 루테늄이 훨씬 잘 붙었어요. 새로운 루테늄 재료(전구체)를 사용해서 왜 이런 효과가 나는지 원자 단위로 설명했습니다.
이 논문은 반도체 배선(인터커넥트)에서 구리를 감싸는 장벽/라이너 층을 얇게 만들기 위해 루테늄(Ru)을 TaN 위에 원자층증착(ALD)으로 쌓는 화학 반응을 컴퓨터 계산으로 예측했습니다. 수소 플라즈마로 처리된 TaN 표면에서는 RuO4가 잘 달라붙고 산소 오염도 줄어든다는 것을 발견했습니다. 이 결과는 앞으로 더 작은 반도체 배선을 만드는 실험에 도움을 줄 수 있습니다.
이 연구는 반도체 회로 연결에 쓰이는 아주 얇은 몰리브덴 카바이드 막을 원자층증착법으로 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 압력을 조절해서 화학 반응을 도와주면 두께가 매우 얇아도(5나노미터 이하) 전기가 잘 흐르는 균일한 막을 만들 수 있습니다. 이 방법은 앞으로 더 작아지는 반도체 소자의 배선 재료로 활용될 수 있습니다.
이 논문은 얇은 산화막(IGZO)을 만들 때 사용하는 오존 가스의 주입 시간을 조절해서 성능이 더 좋은 반도체 채널막을 만드는 방법을 연구했습니다. 오존을 짧게 넣어도 불순물이 늘지 않고 전기적 성질이 오히려 좋아진다는 것을 발견했습니다. 이 결과로 만든 트랜지스터는 전류 흐름이 더 좋고 저항은 더 낮았습니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 몰리브덴 금속막을 만드는 연구입니다. MoO2Cl2라는 재료를 이용해 반도체 배선에 쓸 수 있는 저항이 매우 낮은 얇은 막을 만들었습니다. 10나노미터 두께에서 기존보다 훨씬 낮은 전기저항을 얻어 반도체 배선 재료로 유망함을 보였습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착법으로 인듐-갈륨-주석-산소(IGTO) 박막을 만들어 트랜지스터 채널로 사용하는 연구입니다. 각 원소의 비율을 조절하면서 얇은 막의 성질과 전기적 특성이 어떻게 변하는지 살펴봤습니다. 최적화된 조성의 트랜지스터는 높은 전자 이동도와 우수한 성능을 보였습니다.
이 논문은 WS2라는 아주 얇은 2차원 반도체 재료 위에 산화알루미늄(Al2O3) 절연막을 원자층증착(ALD)으로 입히는 연구입니다. WS2 표면에 있는 탄소 오염물질을 진공에서 열처리(annealing)로 제거하면 산화막이 더 잘 붙는다는 것을 밝혔습니다. 이는 미래 트랜지스터를 만들 때 중요한 표면처리 기술입니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(ALD)으로 HfO2와 SiO2를 얇게 번갈아 쌓은 막을 AlGaN/GaN 반도체 위에 만들고, 열처리 온도에 따라 구조와 전기적 성질이 어떻게 변하는지 연구했습니다. 600도로 열처리했을 때 유전율과 누설전류 특성이 좋아서 고성능 트랜지스터 제작에 유리하다는 것을 발견했습니다. 800도로 더 뜨겁게 열처리하면 결정이 생기고 성능이 나빠졌습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 니오븀이 섞인 티타늄 산화물 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 태양전지에서 전자를 잘 이동시키는 역할을 하며, 니오븀 양을 조절해 태양전지 효율을 18.3%까지 높이고 안정성도 개선했습니다. 공정 조건(온도, 전구체 투입 순서, 사이클 비율)을 세밀하게 조정한 것이 핵심입니다.
이 논문은 200mm 웨이퍼를 대량으로 처리할 수 있는 원자층증착(ALD) 장비를 이용해 매우 균일한 질화알루미늄(AlN) 박막을 만드는 방법을 연구했습니다. 300~350도 사이의 온도에서 가장 좋은 품질의 막이 만들어졌고, 불순물이 거의 없이 깨끗한 AlN 막을 얻을 수 있었습니다. 이 기술은 반도체 제조에서 웨이퍼마다, 배치마다 일정한 품질을 유지하면서도 빠르게 생산할 수 있는 장점이 있습니다.
이 논문은 반도체에 쓰이는 실리콘질화막을 더 좋게 만들기 위해 탄소를 넣은 실리콘탄질화막을 원자층증착법으로 만드는 연구예요. 같은 재료를 넣고 다른 플라즈마 가스를 사용하면 탄소 양을 조절할 수 있다는 것을 알아냈어요. 이렇게 하면 반도체에 필요한 성질 좋은 얇은 막을 원하는 대로 만들 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 아주 얇은 이황화몰리브덴(MoS2) 막을 정밀하게 만드는 방법을 연구했습니다. 특별한 가스로 먼저 막을 만들고 황화수소 가스로 열처리해서 결정처럼 잘 정렬된 MoS2를 만들었습니다. 이 방법은 아주 좁고 깊은 구조에도 고르게 막을 입힐 수 있어서 미래 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 실리콘 위에 질화알루미늄이라는 얇은 막을 만드는 특별한 방법(원자층증착)에 '원자층 어닐링'이라는 추가 단계를 넣어봤어요. 그렇게 하면 막이 더 단단하고 결정 구조가 좋아지고 순도도 높아진다는 것을 발견했어요. 낮은 온도에서도 좋은 품질의 막을 만들 수 있어서 여러 반도체 응용에 유용할 수 있어요.
이 논문은 아주 작은 반도체 부품을 만들 때 특정 위치에만 얇은 막을 쌓는 원자층증착(ALD) 공정을 컴퓨터 모델로 흉내낸 연구입니다. 산화알루미늄이라는 물질이 원하는 자리 옆으로 얼마나 삐져나오는지를 시뮬레이션으로 예측하고 실제 실험과 비교했습니다. 이를 통해 막이 옆으로 퍼지는 것을 어떻게 조절할 수 있는지 이해를 돕습니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 원하는 곳에만 아주 얇은 이황화몰리브덴(MoS2) 막을 선택적으로 쌓는 새로운 방법을 소개합니다. MoF6와 H2S라는 재료를 사용해 특정 표면에서만 막이 자라게 하고, 원자층 식각을 함께 사용해서 더 정확하게 원하는 곳에만 막을 만들 수 있게 했습니다. 이는 앞으로 더 작고 정밀한 반도체 부품을 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 얇은 막을 한 층씩 쌓는 원자층증착(ALD) 공정에서, 재료가 딸 표면에 딱 맞게 붙는 시간을 빨리 찾아내는 인공지능 방법을 소개합니다. 물리 법칙(랑뮤어 흡착 모델)과 베이지안 학습을 합쳐서 실험을 적게 하면서도 정확하게 최적 시간을 찾아냅니다. TiO2라는 물질을 실제로 증착해보며 이 방법이 잘 맞는지 확인했습니다.
이 논문은 컴퓨터 시뮬레이션으로 Al2O3를 원하는 곳에만 얇게 쌓는 ALD 공정에서, 특정 화학물질(TMPS)이 SiO2 표면을 얼마나 잘 막아주는지 연구했습니다. 결정질 표면 모델과 비결정질 표면 모델을 비교해서 어떤 모델이 실제 현상을 더 잘 설명하는지 알아냈어요. 결과적으로 두 모델을 함께 사용하는 것이 반도체 패턴 제작 정확도를 높이는데 중요하다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 아연과 유기물을 결합한 새로운 얇은 막을 60도의 낮은 온도에서 빠르게 만드는 방법을 개발했어요. 이 방법은 특정 패턴이 있는 고분자 재료 위에서 원하는 부분에만 선택적으로 막이 자라도록 할 수 있어요. 이는 미래의 휘어지는 전자기기를 만드는 데 사진 인쇄 기술을 대신할 새로운 방법이 될 수 있어요.
이 논문은 상변화 메모리에 쓰이는 GST(게르마늄-안티몬-텔루륨) 물질을 원자층 증착으로 만들 때, 처음 시작하는 순서에 따라 계면 부분에 게르마늄이 많아지는 현상을 연구했습니다. 실리콘 기판 위에서 각 재료가 어떻게 반응하는지 분석해서 왜 이런 현상이 생기는지 알아냈습니다. 이 결과는 더 좋은 메모리 소자를 만드는데 도움이 될 수 있습니다.
새로운 아연 전구체를 이용해 ALD 방법으로 산화아연(ZnO) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 산소를 공급하는 방법(플라즈마, 물, 또는 둘 다)에 따라 막의 성장 속도와 결정 방향, 불순물 정도가 달라진다는 것을 밝혔습니다. 물과 산소 플라즈마를 함께 쓰면 가장 순수한 ZnO 막을 만들 수 있었습니다.
이 논문은 원자층 증착법(ALD)이라는 방법으로 황화바나듐(VS)이라는 얇은 막을 만드는 새로운 재료(전구체)를 소개합니다. 200~300도 온도에서 막을 만들 수 있었고, 처음에는 결정이 없는 무정형 막이었지만 나중에 황화수소 가스 속에서 다시 가열하면 결정 모양의 막으로 바뀌었습니다. 이런 재료 조합을 사용한 것은 이번이 처음이라고 합니다.
이 연구는 산화란탄이라는 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 균일하게 만드는 방법을 찾는 실험입니다. 물 대신 오존을 산소 재료로 사용하면 막이 훨씬 더 고르게(약 10배) 만들어진다는 것을 발견했습니다. 오존으로 만든 막은 진짜 산화란탄에 더 가깝고, 물로 만든 막은 수산화란탄에 가까웠습니다.
이 논문은 여러 개의 반응 챔버를 동시에 연결해서 한 번에 여러 가지 얇은 막을 빠르게 만들 수 있는 새로운 장비를 소개해요. 이 장비는 자원을 나눠 쓰면서도 서로 섞이지 않게 잘 조절해서, 새로운 코팅 방법을 더 빠르고 저렴하게 찾을 수 있게 도와줘요. 실험을 통해 이 장비가 잘 작동하는 것을 확인했어요.
이 논문은 루테늄(Ru) 박막을 특정 표면에만 선택적으로 쌓는 방법을 연구했어요. 페놀이라는 작은 분자를 이용해서 텅스텐, 티타늄질화물, 산화하프늄, 산화지르코늄 표면에는 루테늄이 자라지 않게 막았어요. 반면 실리콘산화물과 코발트 표면에는 루테늄이 잘 자라도록 해서 원하는 곳에만 선택적으로 박막을 만드는 기술을 보여줬어요.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착으로 질화규소 박막을 만들 때 일어나는 화학 반응을 컴퓨터 모델로 설명합니다. 실험과 비교해 박막이 자라는 속도와 두께 한계를 잘 예측했고, 온도에 따라 막의 성질(불산 식각 속도)도 달라짐을 보였습니다. 이는 반도체 공정에서 얇은 막을 더 정밀하게 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 구리 아세틸아세토네이트라는 새로운 재료를 이용해 원자층 증착(ALD) 방법으로 Cu2O라는 반도체 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 물과 산소를 함께 사용해서 200도에서 깨끗하고 균일한 막을 만들 수 있었어요. 이 막은 태양전지나 물 분해 같은 곳에 쓸 수 있는 성질을 가지고 있습니다.
이 논문은 InN(질화인듐)이라는 반도체 재료를 열 방식의 원자층증착(ALD)으로 만들기 어려운 이유를 컴퓨터 계산으로 알아봤어요. NH3라는 가스가 InN 표면에 붙는 속도가 GaN보다 훨씨 느려서 열 ALD로는 InN을 만들기 힘들다는 것을 밝혀냈어요. 그래서 InN은 플라즈마를 이용한 ALD로만 만들 수 있다는 것을 설명해줘요.
이 논문은 반도체 식각 공정에서 쓰이는 티타늄 나이트라이드(TiN) 막을 원자층 증착법으로 만들 때 암모니아(NH3) 가스 양을 바꾸면 어떤 변화가 생기는지 연구했어요. NH3를 많이 넣을수록 막이 더 단단해지고 밀도도 높아지며 식각 선택성도 크게 좋아졌어요. 이 결과는 반도체를 만들 때 사용하는 딱딱한 보호막(하드마스크)의 성능을 높이는 데 도움을 줘요.
얇은 산화물 막을 원자층 하나씩 쌓는 방법(ALD)으로 지르코늄-탄탈럼 산화물을 만들고 뜨겁게 가열해서 특별한 결정 구조로 바꿨어요. 이 막에 은 전극을 붙였더니 빛을 비추면 전기 저항이 크게 바뀌는 스위치처럼 작동했어요. 이는 나중에 메모리 소자에 쓰일 수 있는 중요한 발견이에요.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 Al2O3 박막을 만들 때, 좁고 깊은 3D 구조 안에서 화학 물질이 어떻게 퍼지고 표면에 붙는지를 컴퓨터로 시뮬레이션하는 방법을 개발했습니다. 이 방법을 이용하면 시간에 따라 막이 얼마나 고르게(균일하게) 자라는지 예측할 수 있습니다. 이를 통해 공정 조건을 조절해서 더 균일한 박막을 만드는 방법을 찾을 수 있습니다.
이 논문은 아주 얇은 WS2라는 특수한 재료를 큰 웨이퍼(200mm) 위에 균일하게 만들고 원하는 모양대로 자르는(패터닝) 방법을 연구했습니다. WS2가 손상되지 않도록 Al2O3라는 보호막을 덧씌우는 새로운 기술을 사용했습니다. 이렇게 만든 WS2는 전기가 잘 통하고, 센서 등 다양한 전자기기에 활용될 수 있음을 보였습니다.
이 논문은 플라티늄(Pt)을 원자층증착(ALD)으로 아주 얇게 쌓을 때 표면에 작은 분자를 미리 발라주면 더 잘 달라붙는 이유를 컴퓨터 계산으로 알아낸 연구입니다. TMA나 AlCl3 같은 물질로 표면을 미리 처리하면 백금이 골고루 잘 붙는다는 것을 화학적으로 증명했습니다. 이는 반도체 회로를 만들 때 얇고 고른 금속막을 만드는 데 도움이 됩니다.
이 연구는 SnO2라는 얇은 막을 반도체 표면에 아주 얇게 입혀서, 불소 가스로 실리콘을 깎을 때 보호막(마스크) 역할을 하도록 만든 방법을 소개합니다. 이 막은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 만들어지며, 특정 조건에서 구멍 없이 잘 덮인 막이 만들어져 실리콘을 원하는 모양으로 정확하게 깎을 수 있게 도와줍니다. 실험 결과, 50번의 증착 과정으로 만든 얇은 막이 실리콘에 정교한 격자 무늬를 새기는 데 성공했습니다.
이 논문은 몰리브덴(Mo)과 폴리피롤(PPy) 두 가지 물질을 원하는 표면에만 선택적으로 얇게 쌓는 새로운 방법을 소개합니다. MoF6라는 화학물질을 이용해 실리콘 표면에는 Mo를 쌓고, 동시에 산화막 표면은 불소로 코팅해서 폴리피롤이 쌓이지 않게 막습니다. 또한 이 불소 코팅을 다시 없애서 표면을 재활용하는 방법도 보여줍니다.
이 연구는 원자층 증착과 분자층 증착을 결합해 만든 티타늄-싸이올레이트 얇은 막을 열처리해서 이황화티타늄이라는 매우 얇은 결정성 막으로 바꾸는 방법을 보여줍니다. 300도의 낮은 온도에서 아르곤과 수소 가스를 이용해 열처리하면 5.5나노미터까지 얇은 막을 만들 수 있었습니다. 여러 첨단 분석 방법으로 이 막의 구조와 성분을 자세히 확인했습니다.
이 논문은 코발트 산화물 얇은 막을 만들 때 열 공정과 플라즈마 공정을 섞어서 사용하는 새로운 방법을 연구했어요. 플라즈마를 많이 쓸수록 막이 더 빨리 두껍게 자라지만, 탄소가 많아지고 산소 비율이 줄어드는 특이한 현상도 발견했어요. 이 연구는 반도체나 에너지 저장 장치에 쓰일 얇은 막을 더 잘 만들 수 있는 방법을 제시해요.
이 논문은 ALD(원자층 증착)라는 얇은 막을 만드는 방법에 쓰이는 여러 화학 재료(전구체)들의 최근 유행을 조사한 리뷰입니다. 2010년 전후로 어떤 재료와 화학 반응이 많이 쓰였는지 비교했고, 반도체·에너지·촉매 분야에 필요한 새로운 금속이나 화합물이 계속 추가되고 있음을 보여줍니다. 특히 여러 화학 그룹을 섞은 복합 화합물이 최근 가장 많이 사용된다는 점을 강조합니다.
이 논문은 니켈산화물(NiO) 얇은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 유리판 위에 만든 연구입니다. 이 막은 전기를 주면 색깔이 투명에서 검은색으로 변하는 특성을 가지고 있어요. 온도에 따라 색 변화 성능이 달라지는 것을 확인했습니다.
이 논문은 몰리브덴 산화물이라는 특수한 물질의 얇은 막을 원자층 증착법으로 만드는 연구입니다. 새로운 전구체와 오존을 사용해 200~300도에서 매우 순수하고 결정성이 좋은 막을 만들었습니다. 이 기술은 센서나 반도체 소자 같은 다양한 분야에 활용될 수 있습니다.
ZrO2라는 얇은 막을 원자층증착이라는 방법으로 만들면서 오존의 농도를 다르게 조절해봤어요. 오존이 많아질수록 막의 결정 구조가 좋아져서 전기적 성질(유전율)이 좋아지지만, 동시에 전류가 새는 문제도 생겼어요. 이 연구는 반도체 소자를 만들 때 오존 농도로 막의 성질을 조절할 수 있다는 걸 보여줘요.
이 논문은 구리와 실리콘 표면 중 원하는 곳에만 산화알루미늄 얇은 막을 입히는 새로운 방법을 연구했어요. 기존에 쓰던 재료(TMA) 대신 더 크고 반응이 덜 예민한 새로운 재료(AlMe2(iPr-AMD))를 사용해서 정확한 위치에만 막을 만들 수 있었습니다. 특수 보호막(SAM)을 이용해 원하지 않는 곳에는 막이 자라지 않도록 막는 실험도 성공했어요.
이 연구는 반도체 게이트 절연막으로 쓰이는 하프늄산화물에 실리콘을 조금 넣어서 원자층증착(ALD) 방식으로 얇은 막을 만들었어요. 열처리 후에도 막의 두께와 밀도, 표면 상태를 X선으로 정확하게 측정하는 새로운 분석 방법을 만들었습니다. 실리콘을 넣으면 막이 더 안정되고 전기적으로도 성능이 좋아진다는 것을 확인했어요.
이 논문은 얇은 막을 원자 단위로 아주 정밀하게 쌓는 기술인 ALD에 인공지능(AI)을 접목한 최신 연구들을 정리한 리뷰입니다. AI를 이용하면 실험을 일일이 반복하지 않고도 더 빠르게 최적의 공정 조건을 찾고 새로운 재료를 개발할 수 있습니다. 이 논문은 이러한 AI-ALD 융합 연구의 현황과 앞으로의 과제를 소개합니다.
이 논문은 코발트(Co) 박막을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 과정을 컴퓨터 계산으로 연구했어요. Co(CO)3NO라는 재료를 사용하고 전자를 이용해 낮은 온도에서도 증착이 잘 되도록 돕는 방법(EE-ALD)을 분석했습니다. 이는 반도체 회로에서 구리 대신 코발트를 쓸 때 성능을 높이는 데 도움을 줄 수 있어요.
이 논문은 몰리브덴 전구체와 수소/질소/아르곤 플라즈마를 이용해 몰리브덴 탄화물(MoC)과 탄질화물(MoCN) 얇은 막을 원자층씩 쌓는 방법을 연구했습니다. 온도와 가스 조건에 따라 막의 성분과 결정구조, 전기저항이 달라지는 것을 확인했습니다. 특히 높은 온도로 열처리하면 저항이 훨씬 낮아져 금속 몰리브덴처럼 변한다는 것을 발견했습니다.
이 연구는 실리콘 표면을 브롬으로 코팅해서 특정 부분에만 산화물이 잘 자라지 않게 만드는 방법을 실험했습니다. 이렇게 하면 원자층증착(ALD) 과정에서 원하는 곳에만 물질을 얇게 쌓을 수 있어 더 작은 반도체 소자를 만들 수 있습니다. 브롬 처리된 표면은 기존 방법보다 더 안정적이라는 것을 발견했습니다.
새로운 스칸듐 전구체를 사용해 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 질화스칸듐(ScN) 박막을 아주 순수하게 만드는 방법을 연구했어요. 사파이어와 산화마그네슘 기판 위에서는 결정이 한 방향으로 잘 자란 막을, 실리콘 위에서는 여러 방향으로 자란 막을 얻었습니다. 이 박막의 전기적 성질(전도도, 이동도 등)도 측정해서 반도체 재료로서의 가능성을 확인했어요.
이 논문은 반도체용 질화물 얇은 막을 낮은 온도에서 더 깨끗하게 만드는 원자층증착(ALD) 방법을 컴퓨터 계산으로 분석했어요. H2S라는 물질을 중간에 넣으면 알루미늄, 티타늄, 지르코늄 질화물은 더 쉽게 반응이 일어나지만, 실리콘 질화물은 오히려 반응이 어려워진다는 것을 밝혀냈습니다. 이 연구는 앞으로 더 낮은 온도에서 질화물 박막을 만드는 새로운 방법 개발에 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 SiC라는 반도체 표면 위에 산화알루미늄(Al2O3)과 산화하프늄(HfO2)이라는 절연막을 아주 얇게 쌓는 초기 과정을 연구했어요. 특별한 현미경과 빛을 이용한 측정 방법으로 막이 자라는 모습을 관찰했습니다. 이를 통해 실리콘 기판과 비교해 SiC 위에서 막이 자라는 속도와 특성이 어떻게 다른지 알아냈어요.
이 연구는 몰리브덴 육카르보닐(Mo(CO)6)이라는 원료로 원자층 증착(ALD)을 이용해 금속 몰리브덴 박막을 만드는 방법을 연구했어요. 산소나 수소 같은 반응 기체를 함께 써서 산화물(MoO3)을 먼저 만든 뒤, 수소로 환원시켜 순수한 금속 몰리브덴 막을 얻는 과정을 실험했습니다. 온도를 다르게 하면서 환원 정도와 막의 특성이 어떻게 변하는지 다양한 분석 장비로 확인했어요.
이 논문은 팔라듬 금속을 특정 위치에만 얇게 쌓는 새로운 원자층 증착(ALD) 방법을 소개합니다. 니켈을 촉매로 사용해 낮은 온도에서도 팔라듬이 잘 자라도록 도와줍니다. 이 기술은 반도체 칩 제작에 필요한 정밀한 패턴 형성에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 새로운 원료 물질(주석 아세테이트)을 이용해 원자층 증착법으로 산화주석(SnO2) 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 온도에 따라 막이 자라는 속도와 성질이 어떻게 변하는지 확인했고, 열처리하면 더 좋은 결정 구조가 된다는 것을 알아냈습니다. 이 막은 태양전지, 센서, 디스플레이 등 여러 곳에 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 탄탈럼 황화물(TaSx)이라는 특수한 재료를 아주 얇게 쌓는 새로운 방법(원자층 증착, ALD)을 개발한 연구예요. 특정 화학물질과 플라즈마 가스를 이용해 150~400도 온도에서 균일하게 막을 쌓을 수 있었고, 플라즈마에 수소를 섞으면 다른 결정 구조(TaS2)가 만들어졌어요. 이 재료는 반도체 칩 안에서 구리선을 보호하는 장벽으로 쓰일 수 있어 중요해요.
이 논문은 아주 얇은 산화티타늄(TiO2) 막을 이용해서 트랜지스터를 만들고, 이를 플라즈마 원자층증착(ALD) 공정에서 라디칼(OH)을 감지하는 센서로 사용하는 연구입니다. 플라즈마에 노출되면 트랜지스터의 전류가 변하는데, 이를 통해 공정 중 화학반응을 실시간으로 확인할 수 있습니다. 이 기술은 여러 종류의 금속 전구체 가스에 적용해서 실험적으로 확인되었습니다.
이 연구는 산화아연(ZnO) 박막을 원자층증착(ALD)으로 만들 때, 기판에 전기를 걸어주면 필름의 두께, 결정 모양, 탄소 함유량이 달라진다는 것을 발견했습니다. 특수한 샘플 홀더를 이용해 전기장을 만들고, 컴퓨터 계산으로 원자 수준에서 왜 이런 변화가 생기는지 설명했습니다. 이를 통해 반도체용 박막의 성질을 더 세밀하게 조절할 수 있는 방법을 제안합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 몰리브덴 카보나이트라이드라는 물질을 갈륨나이트라이드(GaN) 위에 아주 얇게 쌓아서 전기 접합(쇼트키 다이오드)을 만드는 연구입니다. 열을 이용한 ALD 방식과 플라즈마를 이용한 ALD 방식을 비교했고, 열처리(600도)를 하면 전기적 성능이 더 좋아진다는 것을 발견했습니다. 현미경으로 봤을 때 두 물질 사이의 경계면이 매끄럽고 깨끗해서 품질이 좋다는 것도 확인했습니다.
이 논문은 전자를 이용해 루테늄(Ru)이라는 금속 얇은 막을 낮은 온도에서 쌓는 새로운 원자층 증착 방법을 소개합니다. 전자를 쏘아주면 표면의 불필요한 물질이 떨어져 나가서 루테늄이 잘 자라도록 도와줍니다. 만든 막을 특수 가스로 열처리하면 불순물이 줄고 전기가 더 잘 통하게 됩니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PE-ALD) 방법으로 갈륨황화물(Ga2S3)이라는 얇은 막을 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 이 방법은 낮은 온도(125도)에서도 깨끗하고 결정이 잘 된 막을 만들 수 있어서 기존 방법보다 더 좋은 품질의 막을 얻을 수 있습니다. 이 막은 빛을 잘 통과시키고 태양전지나 전자소자에 쓸 수 있는 성질을 가지고 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 장비에 마이크로웨이브 안테나를 추가해서 증착 중에 바로 마이크로웨이브를 쏘아주는 새로운 기술(MW-ALD)을 소개해요. Al2O3라는 절연 물질에 적용해보니 막의 두께, 굴절률, 전기적 특성이 더 좋아졌어요. 증착 후에 나중에 마이크로웨이브를 쬐는 것보다 증착 중에 바로 쬐는 것이 더 효과가 좋았답니다.
이 논문은 ALD 공정에 필요한 액체 원료를 기체로 바꾸는 새로운 '사이클론형 기화기'를 개발한 연구입니다. 컴퓨터 시뮬레이션으로 장비 내부의 공기 흐름과 온도를 최적화해서 빠르고 고르게 기화되도록 설계했습니다. 실제로 만들어 실험한 결과, 분당 4g의 원료를 모두 잘 기화시키는 데 성공했습니다.
이 논문은 ALD로 만든 아주 얇은 이황화몰리브덴(MoS2) 막을 뜨거운 암모니아 가스로 처리해 질화몰리브덴으로 바꾸는 방법을 연구했어요. 반응이 일어나는 동안 빛의 반사를 실시간으로 측정해서 변화 과정을 관찰했습니다. 이 방법은 새로운 2차원 소재를 만드는 데 활용될 수 있어요.
이 논문은 Al2O3라는 얇은 막을 만들 때 위험한(불이 잘 붙는) 재료 대신 안전한 새로운 재료(BDMADA-Al)를 사용하는 방법을 연구했습니다. 온도를 다르게 하면서 이 새 재료로 만든 막이 기존 재료(TMA)로 만든 막과 비슷한 품질을 가지는지 확인했습니다. 결과적으로 이 새로운 안전한 재료가 기존 위험한 재료를 대체할 수 있다는 것을 보여주었습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 니켈산화물(NiO) 박막에 알루미늄(Al) 원자를 아주 정밀하게 넣는 방법을 연구했습니다. Al을 넣는 순서와 비율을 조절하면 전기가 통하는 정도가 10만 배까지 바뀌고, 투명도와 결정성도 변한다는 것을 발견했습니다. XPS 등 정밀 분석을 통해 Al과 Ni가 어떻게 섞이는지 자세히 밝혀냈습니다.
이 논문은 산화아연이라는 반도체 재료를 얇은 막으로 만드는 원자층 증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 좁고 깊은 구조물에 얼마나 균일하게 막이 씌워지는지 실험과 시뮬레이션으로 분석했습니다. 200도에서 증착했을 때 이론적으로 가장 이상적인 결과가 나와서 앞으로 공정 개선의 좋은 기준이 될 수 있다고 밝혔습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 BaTiO3(BTO)라는 특별한 산화물 박막을 만드는 화학반응 과정을 연구했어요. 바륨 재료가 이산화탄소와 만나면 반응을 방해하는 탄산바륨이 생기는데, 이를 피해야 좋은 BTO가 만들어진다는 것을 밝혔습니다. 또한 티타늄산화물 씨앗층을 미리 깔아두면 결정질 BTO를 더 쉽게 만들 수 있다는 것도 발견했어요.
이 논문은 TiN이라는 얇은 막을 플라즈마 원자층 증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 질소를 넣어주는 방법(NH3 또는 N2)과 열처리에 따라 막의 전기적 성질이 어떻게 달라지는지 알아봤습니다. N2를 써도 나쁘지 않은 품질의 막을 만들 수 있고, 더 나은 장비 구조로 개선할 수 있다는 결론을 얻었습니다.
이 논문은 망간 아미딘 화합물과 암모니아 플라즈마를 이용해 얇은 망간 질화물 막을 만드는 방법을 소개합니다. 이 막은 구리가 다른 곳으로 퍼지지 않도록 막아주는 역할을 아주 잘한다는 것을 실험으로 확인했습니다. 반도체 칩 안에서 구리를 보호하는 데 유용하게 쓰일 수 있는 기술입니다.
이 논문은 실리콘 질화막을 만드는 PEALD 공정에서 이온이 표면에 부딪힐 때 일어나는 일을 컴퓨터 시뮬레이션으로 분석했습니다. 이온이 염소를 제거하는 데 도움을 주지만, 동시에 염소를 표면 아래로 밀어넣을 수도 있다는 것을 발견했습니다. 실험으로 보기 힘든 미세한 과정을 원자 단위 시뮬레이션으로 밝혀냈다는 점에서 의미가 있습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 유리(석영) 위에 질화갈륨(GaN) 얇은 막을 250도에서 만든 연구입니다. 만들어진 GaN 막은 표면이 매끈하고 경계면이 아주 깨끗해서, 앞으로 반도체 소자를 만드는 재료로 쓸 수 있다는 것을 보여줍니다. 불순물(산소, 탄소)의 양과 전기적 성질(전자 이동도)도 함께 측정했습니다.
이 논문은 산소 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD)으로 ZnO 얇은 막을 만들면서, 빛을 이용한 실시간 측정 방법(분광 타원계)으로 막이 자라는 과정을 관찰했습니다. 처음에는 작은 알갱이들이 생기다가 점점 매끄럽게 층이 쌓이는 모습을 아주 정밀하게(원자 단위) 확인했습니다. 이 방법은 새로운 박막 제조법을 빠르게 개발하는 데 도움을 줄 수 있습니다.
새로운 액체 몰리브덴 원료물질을 이용해 수소가스 없이 원자층증착으로 산화몰리브덴(MoOx) 박막을 만드는 방법을 연구했습니다. 산화제로 물(H2O)을 쓰면 산소(O2)를 쓸 때보다 나중에 열처리했을 때 더 좋은 결정 구조(α-MoO3)가 만들어진다는 것을 밝혔습니다. 이 물 기반 산화몰리브덴을 적외선 광검출기에 적용해 성능이 우수함을 확인했습니다.
이 논문은 Al2O3라는 얇은 막을 화학반응으로 아주 조금씩 깎아내는 '원자층 식각(ALE)' 과정을 다룹니다. 웨이퍼가 휘어지는 정도를 실시간으로 측정해서 막에 걸리는 스트레스가 어떻게 변하는지 알아냈습니다. HF와 TMA라는 두 화학물질을 번갈아 뿌리면서 온도(250~300도)에 따라 식각 속도와 스트레스 변화가 어떻게 다른지 밝혀냈습니다.
이 논문은 알루미늄 산화막을 만드는 원자층 증착(ALD) 공정에서 온도에 따라 한 번에 쌓이는 두께가 어떻게 달라지는지 여러 실험 데이터를 모아 분석했어요. 계산 결과, 약 200도 근처에서 두께 증가량이 최대가 되고, 그 이후에는 서서히 줄어드는 것을 확인했습니다. 또한 흔히 말하는 'ALD 윈도우'(온도와 상관없이 일정하게 증착되는 구간)가 매우 좁거나 아예 없을 수도 있다는 것을 보여줬어요.
이 논문은 공간 원자층증착(SALD)이라는 얇은 막 만드는 기술에서 가스 흐름과 화학반응을 컴퓨터로 시뮬레이션하는 모델을 만들었어요. TiO2라는 재료로 실제 실험을 해서 컴퓨터 예측과 비교했더니 잘 맞았어요. 이 모델은 앞으로 막을 더 빠르고 정확하게 만드는 데 도움을 줄 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)을 이용해 3차원 초소형 압전 기계장치(piezoMEMS)를 만드는 방법을 정리한 리뷰 논문입니다. 여러 압전 재료(질화알루미늄, PZT 등)를 ALD로 만드는 기술과 이를 활용한 3D 구조 제작법을 소개합니다. 이렇게 만들면 기존 평면 소자보다 훨씬 강한 힘을 낼 수 있다고 설명합니다.
이 논문은 아주 작은 구멍이 많은 알루미나 나노입자 덩어리 속까지 ZnO 얇은 막을 고르게 입히는 원자층증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 온도를 160도와 120도로 번갈아 바꾸는 새로운 방법을 써서 금속 아연이 생기지 않고 골고루 코팅되도록 했습니다. 다양한 현미경과 분석 장비로 이 방법이 잘 작동하는지 확인했습니다.
이 논문은 리튬 이온 배터리에 쓰이는 리튬-코발트 산화물 박막을 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 처음 만든 연구입니다. 여러 가지 분석 방법으로 이 박막이 실제로 전기화학적으로 작동하는지 확인했습니다. 배터리 전극 재료를 아주 얇고 정밀하게 만드는 새로운 방법을 보여준 첫 사례입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 불화칼슘(CaF2)이라는 얇은 막을 만드는 새로운 방법을 소개해요. 이 막은 투명하고 불소 화학물질에 강해서 보호막으로 쓸 수 있어요. 실험 결과, 실리콘을 아주 잘 보호할 수 있다는 것도 확인했어요.
이 논문은 작은 알갱이(입자) 표면에 아주 얇은 막을 씌우는 원자층 증착(ALD) 기술을 실험실에서 공장 규모로 키울 때 어떻게 될지 컴퓨터 모델로 예측했어요. 회전통, 유동층, 진동 반응기 같은 여러 장비 방식을 비교해서 어떤 방법이 재료를 더 빠르고 낭비 없이 코팅할 수 있는지 알아봤어요. 그 결과 입자 사이로 가스를 강제로 통과시키는 유동층 방식이 가장 효율적이라는 것을 발견했어요.
필터 종이 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 작은 은(Ag) 나노입자를 만들어 값싸고 넓은 면적의 라만 분광 센서를 개발했습니다. 은 입자 크기를 조절해서 3~9나노미터 크기의 입자를 만들었고, 이를 이용해 화학물질을 아주 잘 감지할 수 있음을 보였습니다. 이 방법은 비싸지 않으면서도 성능이 좋은 센서를 만드는 데 유용합니다.
이 논문은 아주 작은 나노입자 표면에 지르코니아(ZrO2)라는 얇은 막을 원자층 단위로 얹거나 깎아내는 방법을 연구했습니다. 원자층 증착(ALD)으로 막을 두껍게 만들고, 원자층 식각(ALE)으로 다시 얇게 만들 수 있음을 보여주었습니다. 이렇게 하면 나노입자가 서로 뭉치지 않으면서도 막의 두께를 정밀하게 조절할 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 니켈-코발트 산화물이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 코발트 비율을 바꾸면 결정 구조와 전기가 통하는 정도, 그리고 물을 분해해 산소를 만드는 성능이 달라진다는 것을 발견했습니다. 코발트가 80% 정도일 때 가장 성능이 좋았다고 합니다.
이 논문은 아주 작은 구멍이 많은 실리카 에어로젤에 ALD라는 방법으로 알루미늄 산화막(Al2O3)을 얇게 입히는 연구입니다. 컴퓨터 모델을 이용해서 시간, 온도, 반응기 크기 같은 조건을 바꿔가며 어떻게 하면 더 빠르고 효율적으로 코팅할 수 있는지 알아냈습니다. 이를 통해 재료를 낭비하지 않고 좋은 코팅을 만들 수 있는 최적의 방법을 찾아냈습니다.
플라즈마를 이용한 원자층 증착법으로 산화바나듐(V2O5) 박막을 만들 때 플라즈마의 파워, 가스 비율, 압력 등이 박막 성질에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 압력을 높이면 플라즈마 에너지가 줄어들어 박막이 결정화되지 않고 덜 단단해진다는 것을 발견했습니다. 이는 플라즈마 조건을 조절해서 박막의 결정성을 원하는 대로 조절할 수 있다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 몰리브덴 산화물(MoOx) 얇은 막을 원자층 증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 온도와 재료 주입 시간을 바꿔가며 가장 좋은 성장 조건을 찾았습니다. 만든 막의 특성을 여러 첨단 장비로 자세히 분석했습니다.
이 논문은 알루미늄과 인을 원료로 사용해 아주 얇은 인산알루미늄 막을 만드는 새로운 원자층 증착(ALD) 방법을 소개해요. TDMAP이라는 인 재료와 TMA라는 알루미늄 재료, 그리고 산소 플라즈마를 순서대로 반응시켜서 막을 만들었어요. 이렇게 만든 막은 배터리를 코팅하는 재료로 쓸 수 있고, 인의 양이 많을수록 성능이 좋아진다는 것을 발견했어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 탄소섬유 표면에 티타늄과 인산 성분이 섞인 얇은 막을 입히는 실험을 다룹니다. 원료 물질을 넣는 순서를 바꿔가며 막의 두께와 성분비를 조사했고, 이렇게 코팅된 섬유가 뜨거운 공기에서 더 잘 견디는지 확인했습니다. 결과적으로 코팅을 하면 섬유가 산화에 좀 더 강해진다는 것을 알아냈습니다.
탄소섬유로 만든 다공성 소재(FiberForm) 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 Al2O3(알루미나) 얇은 막을 균일하게 코팅했습니다. 이 코팅 덕분에 탄소가 산화되기 시작하는 온도가 500도에서 700도로 크게 높아져 내산화성이 좋아졌습니다. 코팅 두께와 상관없이 산화 속도가 일정한 것을 확인해 산화 원리도 함께 연구했습니다.
3D 프린터로 만든 플라스틱(ABS, PVA)에 알루미나(Al2O3)를 원자층증착(ALD) 방법으로 스며들게 해서 성질을 바꾸는 연구입니다. 이렇게 처리하면 플라스틱이 물러지는 온도(유리전이온도)가 변하는데, 한번 열을 가하면 다시 원래대로 돌아갈 수 있다는 것을 발견했습니다. 이 결과는 3D 프린팅 플라스틱의 물성을 조절하는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 곡면 렌즈 위에도 얇고 고른 반사방지막을 입히는 연구입니다. MgF2, SiO2, Al2O3, HfO2 등 여러 재료를 7층으로 쌓아 빛 반사를 줄이는 코팅을 만들었습니다. 실험 결과, 휘어진 렌즈에도 균일하게 코팅이 잘 되어 안경, 광학기기 등에 활용할 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 마그네슘 합금 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 검은 빛 흡수막을 만드는 방법을 소개해요. 빛을 99% 이상 흡수하면서도 부식과 마모에 강한 특수 코팅을 만들었어요. 이 기술은 정밀 광학 기기에 사용될 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 티타늄산화물과 알루미늄산화물의 층층이 쌓인 얇은 막의 굴절률을 연구했어요. 층이 아주 얇으면(10나노미터보다 작으면) 두 물질을 섞은 것처럼 평균적인 굴절률을 가진다는 것을 실험과 계산으로 확인했습니다. 이를 이용하면 원하는 굴절률을 가진 코팅을 정밀하게 만들 수 있어요.
이 연구는 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 ZnO와 TiO2를 얇게 쌓아 두 겹짜리 필름을 만들었습니다. 이 필름은 빛을 받으면 물속의 오염물질(메틸렌 블루)을 분해하는 광촉매 역할을 합니다. ZnO와 TiO2를 함께 사용하면 각각의 장점을 살려서 오염물질을 잘 분해하면서도 여러 번 재사용해도 성능이 잘 유지되는 우수한 촉매를 만들 수 있었습니다.
이 논문은 빛을 내는 유로퓸 유기 박막을 물과 습기로부터 보호하기 위해 아주 얇은 산화이트륨(Y2O3) 보호막을 원자층 증착으로 씌우는 방법을 다룹니다. 3~4나노미터 정도의 얇은 막만으로도 물속에서나 공기 중에서 안정성이 크게 좋아졌습니다. 이 기술은 나중에 생체 이미징 같은 곳에 활용될 수 있습니다.
탄소 섬유 위에 알루미나와 실리카로 이루어진 얇은 막을 특수한 원자층 증착법(촉매 ALD)으로 씌우는 연구입니다. 낮은 온도에서도 균일하고 촘촘한 막을 만들 수 있었고, 이는 산소를 막아주는 보호막으로 활용될 수 있습니다. 실리콘 웨이퍼와 탄소 섬유 원단 모두에서 실험을 진행했습니다.
이 논문은 구멍이 많은 플라스틱(고분자) 표면에 아주 얇은 막을 씌우는 ALD 기술을 다룹니다. 막이 깨지거나 재료가 갇히거나 모양이 변하는 등 5가지 문제점을 설명하고 이를 해결하는 방법을 알려줍니다. 다양한 플라스틱 종류에 실험해서 실패를 줄이는 노하우를 정리한 안내서 같은 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 실리카 나노입자 표면에 아주 얇은 티타늄 산화물 막을 입히는 연구입니다. 코팅 두께에 따라 입자 표면의 전기적 성질(제타 전위)이 어떻게 변하는지 알아냈습니다. 1nm 이하 두께에서는 두께에 비례해 성질이 바뀌지만, 그 이상에서는 더 이상 변하지 않는다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 인공지능 언어모델(GPT-4o)이 원자층 증착(ALD)이라는 박막 기술에 대해 얼마나 잘 답하는지 시험해본 연구입니다. 전문가들이 어려운 질문들을 만들어 AI 답변을 평가했더니 대체로 통과 수준이었지만, 일부 답변에서 거짓 정보(환각)도 발견되었습니다. 이 연구는 실제 재료나 공정 자체보다는 AI 성능 평가에 초점을 맞추고 있습니다.
이 논문은 반도체 칩의 미세한 전선(인터커넥트)을 만들기 위해 코발트라는 금속을 얇게 쌓는 방법을 연구했어요. 플라즈마를 이용한 특수한 증착 방법(PEALD)의 최적 조건을 찾는 것이 목표예요. 반도체 제작에 중요한 공정 기술을 다루는 논문이에요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 지르코늄을 섞은 하프늄산화물(HZO) 박막을 만들어 메모리 소자에 적용한 연구입니다. 이 소자는 전기 저항이 잘 바뀌어서 데이터를 저장하는 RRAM(저항변화메모리)으로 사용할 수 있습니다. 실험 결과 성능이 좋아서 미래의 고밀도 메모리 소자에 활용될 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 얇고 균일한 금속 질화물 막을 만드는 연구들을 정리한 리뷰 논문입니다. 하프늄질화물, 알루미늄질화물, 티타늄질화물 등 여러 금속 질화물을 반도체와 전자소자에 활용하는 최근 연구 동향을 소개합니다. 특히 낮은 온도에서도 고품질의 얇은 막을 만들 수 있는 ALD 기술의 장점을 설명합니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 쓰이는 티타늄 질화물이라는 얇은 막을 아주 균일하게 입히는 새로운 방법을 소개합니다. tert-부틸 클로라이드라는 특별한 화학물질을 도와주는 재료로 사용해서 원자층 증착이라는 정밀한 방식으로 막을 만듭니다. 이렇게 하면 복잡한 모양의 표면에도 얇은 막을 고르게 씌울 수 있습니다.
이 논문은 아주 얇은(4나노미터 이하) 인듐산화물(In2O3) 반도체 박막을 원자층증착(ALD)으로 만들 때, 사용하는 전구체(원료 물질)가 어떤 역할을 하는지 연구했습니다. 전구체 종류에 따라 박막의 성질이 달라질 수 있음을 보여줍니다. 이는 차세대 반도체 소자 제작에 중요한 정보입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 InGaZnO라는 특수한 반도체 물질을 더 촘촘하고 결함이 적게 만드는 방법을 연구했습니다. 결함이 적으면 디스플레이나 반도체 소자의 성능이 더 좋아집니다. ALD 장비와 공정 조건을 이용해 물질의 품질을 개선한 연구입니다.
이 논문은 휘어지는 플라스틱(폴리이미드) 위에 산화인듐(In2O3) 얇은 막을 이용해 트랜지스터를 만드는 연구입니다. 공기 중에서도 빠르게 막을 쌓을 수 있는 '공간 원자층 증착' 기술을 사용해서 성능이 좋고 대량 생산에도 유리한 소자를 만들었습니다. 이 기술은 접히는 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)으로 이트륨 카바이드라는 새로운 박막을 만드는 연구입니다. 이 박막은 반도체 배선에서 구리(Cu)와 루테늄(Ru) 금속이 다른 물질로 섞여 들어가지 않도록 막아주는 장벽 역할을 합니다. 반도체 회로를 더 작고 안정적으로 만드는 데 도움을 줄 수 있는 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 알루미늄산화물(Al2O3)이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막을 태양전지의 옆면을 보호하는 데 사용해서 태양전지가 더 잘 작동하도록 도와줍니다. 태양전지 성능을 높이는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 실리콘 기판 위에 질화갈륨(GaN)이라는 반도체 물질을 얇게 쌓는 방법을 다룹니다. 원자층을 하나씩 쌓고 살짝 열처리하는 특별한 기술을 이용해서, 물질의 방향(극성)을 마음대로 조절할 수 있다는 내용입니다. 이는 반도체 소자를 더 잘 만들기 위한 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 실리콘 화합물(아미노실란, 실라놀) 재료를 이용해 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 ALD(원자층 증착) 공정을 연구했어요. 재료의 화학 구조가 달라지면 막이 어떻게 다르게 만들어지는지 살펴본 연구입니다. 반도체 칩을 만드는데 중요한 기초 기술이에요.
이 논문은 실리콘 산화막을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 방법에서 온도가 어떤 영향을 주는지 연구한 논문의 정정문입니다. 초록은 없지만 반도체용 박막 공정과 관련된 내용입니다. 온도에 따른 표면 반응 변화를 다루고 있습니다.
이 논문은 300mm 반도체 웨이퍼 위에 아주 작은 패턴으로 루테늄(Ru)이라는 금속을 정확히 원하는 곳에만 얇게 쌓는 기술(선택적 원자층 증착)을 다룹니다. 이렇게 만든 나노 패턴을 정밀하게 측정하고 검사하는 방법에 대한 사례 연구입니다. 반도체를 더 작고 정교하게 만드는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 실리콘 표면 위에 하프늄산화물(HfO2)이라는 얇은 막을 원자 단위로 쌓는 원자층증착(ALD) 과정을 컴퓨터로 계산해서 연구했어요. TEMAH와 물이라는 두 가지 물질을 번갈아 사용해서 막을 만드는 화학 반응을 이론적으로 분석했습니다. 이 기술은 반도체 칩을 만드는 데 아주 중요한 공정이에요.
이 논문은 InAs라는 반도체 위에 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 입히는 연구입니다. 이 막이 표면을 스스로 깨끗하게 하고 보호막(패시베이션) 역할을 해서 반도체 표면 결함을 줄여줍니다. 반도체 소자의 성능을 높이는 데 도움이 되는 기초 공정 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 2차원 주석 황화물(SnS) 재료의 상(phase)을 조절하는 연구에 대한 정정 공지입니다. 초록 내용이 없어 자세한 실험 결과는 알 수 없습니다. 반도체 소재로 쓰이는 물질의 결정 구조를 조절하는 공정과 관련이 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 정밀하게 쌓는 방법으로 2차원 주석 황화물(주석과 황으로 이루어진 화합물)을 만드는 연구입니다. 조건을 조절해서 이 화합물이 어떤 결정 형태(상)로 만들어지는지 조절하는 방법을 다룹니다. 반도체나 새로운 소재 연구에 활용될 수 있는 중요한 기초 연구입니다.
이 연구는 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술로 TiO2 위에 황이 조금 부족한 아주 얇은 ZnS 막을 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 소재는 빛을 받아 물을 수소와 산소로 분해하는 데 도움을 줄 수 있습니다. 즉, 태양빛으로 깨끗한 수소 에너지를 만드는 데 쓰일 수 있는 새로운 소재를 만드는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 ZnO(산화아연)라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. Et2Zn:NEtMe2라는 특별한 원료물질을 사용해서 전기적, 광학적 성질을 안정적으로 조절할 수 있는 막을 만들었습니다. 이런 기술은 반도체나 디스플레이 소자를 만드는데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 반도체 만들 때 쓰이는 실리콘질화막(SiN)을 플라즈마를 이용한 특별한 증착 방법(PEALD)으로 얇게 입히는 연구입니다. (tert-butylamino)dimethylsilane이라는 특수한 화학 재료를 사용해서 막을 만듭니다. 이렇게 만든 막은 반도체 트랜지스터의 스페이서라는 부분에 쓰입니다.
이 논문은 니오븀 산화막을 아주 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 과정에서 표면에서 어떤 화학 반응이 일어나는지 연구했습니다. 실시간 관찰과 컴퓨터 계산을 함께 사용해서 반응 원리를 밝혀냈습니다. 이는 반도체 소자를 만드는 정밀한 박막 공정을 이해하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 WS2라는 얇은 소재 위에 특별한 산화막(HfZrO2)을 원자 단위로 얇게 쌓는 방법(원자층증착, ALD)을 다룹니다. 이 과정에서 오존 가스와 열처리를 사용할 때 WS2가 얼마나 산화되어 손상되는지를 살펴봅니다. 반도체 소자를 만들 때 재료가 손상되지 않게 하는 것이 중요해서 이 연구가 의미가 있습니다.
이 논문은 낮은 온도에서 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 구리 얇은 막을 폴리이미드라는 특별한 플라스틱 위에 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 구리막은 전기가 잘 통하도록(저항이 낮게) 성장시키는 방법을 다룹니다. 반도체나 전자부품을 만들 때 필요한 얇은 금속막 기술입니다.
이 논문은 금 위에 있는 아주 얇은 MoS2라는 물질 위에 산화알루미늄(Al2O3)과 산화하프늄(HfO2)을 아주 얇게 코팅하는 방법(ALD)을 연구했습니다. 이런 얇은 막은 반도체 소자를 만드는 데 중요합니다. 특별한 표면에 직접 얇은 막을 잘 입히는 방법을 알아본 연구입니다.
이 논문은 실리콘 위에 특수한 화학 물질(자기조립 단분자막)을 발라서 특정 부분에만 SiO2라는 얇은 막을 원자 단위로 쌓는 방법을 연구했습니다. 이렇게 하면 원하는 곳에만 정확하게 막을 만들 수 있어서 반도체 만들 때 유용합니다. ALD라는 정밀 증착 장비와 공정 조건을 다룹니다.
이 논문은 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD)으로 아연과 알루미늄의 비율을 다르게 하여 항균 및 수분 차단 기능을 가진 얇은 막을 만든 연구입니다. 이 막은 세균을 막아주고 습기가 통과하지 못하게 하는 두 가지 기능을 동시에 가집니다. 이런 막은 디스플레이나 전자기기 보호에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 반도체 공정에서 실리콘질화막을 만들 때 사용하는 디클로로실란이라는 가스가 분해되면서 염화암모늄이라는 소금 같은 물질이 생기는 현상을 다룹니다. 이 소금이 생기면 원자층증착(ALD) 공정에 문제를 일으킬 수 있다는 내용입니다. 반도체 제조 공정의 안정성과 관련된 중요한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 루테늄과 알루미늄 산화물이 섞인 특별한 박막을 만드는 방법을 연구했어요. 이 박막이 어떻게 자라는지와 어떤 특징을 가지는지 알아봤답니다. 반도체 소자에 쓰일 수 있는 재료를 연구한 논문이에요.
이 논문은 ZrO2라는 얇은 막을 만드는 원자층 증착(ALD) 공정을 반응기 전체 크기에서 예측하는 모델을 다룹니다. 실험으로 얻은 반응 속도 데이터를 이용해서 큰 장비 안에서 막이 어떻게 쌓이는지 계산합니다. 이는 ALD 장비 설계와 공정 조건을 이해하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 실리콘 위에 갈륨과 인이 결합된 결정질 갈륨인화물(GaP) 박막을 특수 화학물질(트리에틸갈륨, 트리터트뷰틸포스핀)을 이용해 플라즈마 원자층 증착(PEALD)으로 만드는 방법을 다룹니다. PEALD는 반도체 소자 제작에 많이 쓰이는 정밀한 박막 증착 기술로, 이 논문은 이 장비와 공정 조건을 핵심적으로 연구했습니다. 반도체 재료와 공정, 장비 설계를 모두 포함하는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 특별한 방법으로 CuO와 TiO2라는 두 물질을 아주 얇게 쌓아서 접합면(헤테로접합)을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 구조는 SERS라는 기술로 아주 작은 물질도 잘 감지할 수 있게 도와줍니다. 즉, 반도체 재료를 이용해 더 민감한 센서를 만드는 방법을 소개한 논문입니다.
이 논문은 반도체 재료인 갈륨비소(GaAs) 표면에 산화알루미늄(Al2O3)을 아주 얇게 입히는 원자층증착(ALD) 공정을 다룹니다. 두 물질이 만나는 경계면에서 어떤 화학반응이 일어나는지 살펴보고, 이것이 전자와 정공이 만나 사라지는 현상(재결합)과 전기적 특성에 미치는 영향을 연구했습니다. 반도체 소자 성능 향상에 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 산화갈륨(Ga2O3) 얇은 막을 낮은 온도에서 플라즈마를 이용해 쌓는 방법을 다룹니다. N2O라는 가스로 만든 플라즈마를 사용해서 실리콘 표면을 보호하는 막을 만듭니다. 이렇게 하면 태양전지나 반도체 소자의 성능을 높이는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 산화인듐 얇은 막을 원자층 증착(ALD)으로 만들 때 사용하는 산소 반응물 종류를 바꿔서 막의 특성을 조절하는 연구입니다. 반응성이 높은 액체 전구체를 사용해 더 균일한 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 기술은 반도체나 디스플레이용 투명 전극 재료를 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 실리콘 위에 어븀을 넣은 게르마늄 산화막을 아주 얇게 쌓는 방법(원자층증착법)에 대한 연구입니다. 이 막을 만들 때 열처리 온도를 다르게 하면 막의 성질과 빛을 내는 정도가 어떻게 달라지는지 알아봤습니다. 반도체 소자에서 빛을 내는 기술과 관련이 있어 중요한 연구입니다.
이 논문은 산화인듐(인듐 산화물) 박막을 원자층증착(ALD) 방법으로 더 빨리 만드는 새로운 방법을 소개해요. 반응물을 나눠서 넣는 방식과 새로운 전구체(재료)를 사용해서 성장 속도를 높였어요. 이는 반도체나 디스플레이용 투명 전극 등에 활용될 수 있어요.
이 논문은 탄소나노튜브 위에 HfO2라는 얇은 막을 원자층 증착(ALD) 방법으로 입히는 연구입니다. 어떤 조건에서 막이 잘 만들어지는지 확인하고, 나노튜브가 그물처럼 얽혀있을 때와 가지런히 정렬되어 있을 때의 차이를 비교했습니다. 이는 반도체 소자에 쓰일 수 있는 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 특정 화학물질을 이용해 원하는 부분에만 루테늄(Ru)이라는 금속 얇은 막을 선택적으로 입히는 방법을 연구했습니다. 원자층 증착이라는 정밀한 방법으로 반도체 회로에 필요한 아주 얇은 금속층을 정확한 위치에만 만들 수 있습니다. 이 기술은 반도체 칩을 더 정밀하게 만드는데 도움을 줍니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 알루미늄 화합물 막을 만들 때 생기는 힘(스트레스)을 측정한 연구입니다. 웨이퍼가 얼마나 휘어지는지를 실시간으로 관찰해서 막이 만들어질 때의 압력을 알아냈습니다. 이는 반도체나 첨단 소재를 만들 때 얇은 막의 품질을 좋게 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 산화막과 금속막 위에서 SiO2를 다르게 쌓는 원자층증착(ALD) 기술을 다룹니다. 포스폰산이라는 억제제 물질을 증기로 뿌려서 원하는 곳에만 SiO2가 붙게 만드는 방법을 연구했습니다. 이는 반도체 칩을 만들 때 정밀하게 원하는 부분에만 얇은 막을 씌우는데 중요한 기술입니다.
이 논문은 하프늄과 실리콘이 함께 들어있는 얇은 막을 하나의 원료 물질만 사용해서 만드는 방법을 연구했어요. 이 방법을 원자층 증착(ALD)이라고 부르는데, 아주 얇고 균일한 막을 한 층씩 쌓는 기술이에요. 이런 막은 반도체 칩을 만들 때 중요한 절연막으로 쓰일 수 있어요.
이 논문은 원하는 곳에만 얇은 막을 쌓는 특별한 기술(영역선택 원자층증착)을 더 잘 되게 하는 방법을 연구했습니다. 표면에 붙이는 작은 분자들의 꼬리 부분 모양을 조절해서 막이 원하지 않는 곳에는 안 붙게 만드는 것이 핵심입니다. 이 기술은 반도체 칩을 더 정밀하게 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 기술로 게르마늄 기판 위에 SnSx라는 얇은 2차원 물질을 크게(웨이퍼 크기로) 키우는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 박막은 넓은 범위의 빛을 감지하는 광검출기에 사용될 수 있습니다. 반도체 소자 제작에 중요한 새로운 재료 성장 기술을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 강유전체 성질을 가진 하프늄-지르코늄 산화물(HfZrO2) 박막을 만드는 연구입니다. 어떤 원료 물질(전구체)과 산소 공급원을 쓰느냐에 따라 박막의 성질이 어떻게 달라지는지 알아봅니다. 이는 반도체 메모리 소자에 활용될 수 있는 중요한 재료 연구입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 산화알루미늄(Al2O3) 절연막을 만들 때 산소를 공급하는 방식을 바꿔서, SnO라는 특별한 반도체 소자의 성능과 안정성을 좋게 만드는 연구입니다. 산소 공급 방식이 절연막과 반도체 사이의 경계면 특성에 영향을 준다는 것을 밝혔습니다. 이를 통해 더 좋은 트랜지스터를 만들 수 있는 방법을 제시합니다.
이 논문은 특수한 화학 물질(SAM)을 이용해 원하는 부분에만 얇은 코발트 막을 낮은 온도(300도)에서 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 하면 반도체 칩을 만들 때 필요한 곳에만 정확하게 금속막을 입힐 수 있습니다.
이 논문은 태양전지에 쓰이는 실리콘 표면을 보호하기 위해 산화알루미늄이라는 얇은 막을 플라즈마를 이용한 특별한 방법(PEALD)으로 입힐 때, 막 속에 숨어있는 수소에 대해 연구한 것입니다. 수소는 실리콘 표면을 잘 보호하는 데 중요한 역할을 할 수 있습니다. 즉, 더 좋은 태양전지를 만들기 위한 재료와 공정을 연구한 논문입니다.
이 논문은 비싸고 희귀한 인듐 없이 아연과 주석 산화물로 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD)이라는 정밀한 방법으로 막을 쌓았습니다. 이 막은 얇은 필름 트랜지스터(디스플레이 화면을 움직이게 하는 작은 스위치)에 사용될 수 있습니다.
이 논문은 SiNx와 GaN 사이에 얇은 SiOxNy 막을 플라즈마 원자층 증착(ALD)으로 넣어서 반도체 소자의 결함을 줄이는 방법을 연구했어요. 이렇게 하면 전기 신호가 새는 것을 막아서 반도체 소자가 더 잘 작동하게 도와줍니다. 반도체(GaN) 소재와 관련된 공정 기술을 다루는 중요한 연구예요.
이 논문은 탄소나노튜브로 만든 얇은 막(펠리클)을 수소 플라즈마로부터 보호하기 위해 SiNx라는 물질을 얇게 코팅하는 방법을 다룹니다. 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 이 보호막을 입혔습니다. 이는 반도체를 만드는 노광 공정에서 중요한 부품을 더 오래 사용할 수 있게 도와줍니다.
이 논문은 티타늄 산화물(TiO2)이라는 얇은 막을 두 가지 방법(열을 이용한 방법과 플라즈마를 이용한 방법)으로 만드는 원자층 증착 기술을 다룹니다. 원자층 증착은 아주 얇고 균일한 막을 한 층씩 쌓는 정밀한 기술입니다. 이 연구는 반도체나 다른 전자소자에 쓰일 수 있는 얇은 막을 만드는 공정 방법을 비교하고 설명합니다.
이 논문은 원자층 증착법(ALD)으로 주석과 황이 합쳐진 박막(SnS)을 만들 때, 재료를 넣기 전에 미리 처리하는 방법이 박막에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵지만, 반도체용 박막 제작 공정과 관련된 연구로 보입니다. 특정 처리 방법이 박막의 품질을 좋게 만드는지 확인하는 실험으로 추정됩니다.
이 논문은 이산화티타늄(TiO2)이라는 얇은 막을 두 가지 방법(열 원자층 증착과 플라즈마 원자층 증착)으로 만든 뒤, 열처리를 했을 때 막의 미세한 구조가 어떻게 변하는지 연구했습니다. ALD라는 정밀한 증착 장비를 사용해 막을 만들고 공정 조건을 비교한 것이 특징입니다. 이 연구는 반도체나 코팅 분야에서 얇은 막의 성질을 이해하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 특별한 화학물질(Sn(dmamp)2와 H2O2)을 사용해서 전기가 통하는 아주 얇은 산화주석(SnO2) 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 막은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 한 층씩 쌓아 만들며, 나중에 루타일 TiO2라는 물질이 잘 자라도록 도와주는 바탕이 됩니다. 얇은 막을 만드는 새로운 화학 재료와 방법을 연구한 논문입니다.
이 논문은 MgO라는 물질 표면에서 물(수분)이 특정 위치에만 달라붙게 만들어, 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 공정을 더 정밀하게 조절하는 방법을 연구했습니다. 표면의 어느 부분이 물과 잘 반응하는지 알아내면 원하는 곳에만 얇은 막을 쌓을 수 있습니다. 이는 반도체 등 작은 부품을 만드는 데 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 루테늄산화물(RuO2)이라는 특별한 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 새로운 방법에 대한 연구입니다. 원자층 하나하나를 쌓는 원자층증착(ALD) 기술에 쓰이는 새로운 화학물질(전구체)을 설계했습니다. 이 화학물질이 어떻게 순서대로 반응해서 막을 만드는지 그 과정도 자세히 밝혔습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 산화인듐(In2O3) 위에 산화주석(SnO2)을 아주 얇게 입혀서 실온에서도 이산화질소(NO2) 가스를 매우 민감하게 감지하는 센서를 만들었습니다. 또한 컴퓨터 계산(DFT)을 통해 왜 이 센서가 잘 작동하는지 원리를 밝혔습니다. 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술이 좋은 가스 센서를 만드는 데 도움이 된다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 탄소 막을 만드는 새로운 방법을 연구했어요. 특수한 화학물질과 질소·수소 플라즈마를 반복해서 사용하는 원자층 증착(ALD) 방식을 썼습니다. 이렇게 하면 아주 얇고 균일한 탄소 필름을 만들 수 있어요.
이 논문은 산화바나듐이라는 특별한 물질을 실리콘 기판 위에 아주 얇게 쌓는 방법을 다룹니다. 원자층 증착이라는 정밀한 기술을 사용해서 저항이 바뀌는 메모리 소자를 만들었습니다. 이 소자는 전기가 통하는 정도를 바꿔서 정보를 저장할 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 방법으로 바나듐 산화물(VOx) 박막을 만들어 열을 감지하는 센서(마이크로볼로미터)에 적용한 연구입니다. 이 방법으로 만든 VOx 필름은 온도에 따라 저항이 더 잘 변하는 특성을 가져서 열 감지 성능이 좋아졌습니다. 즉, 더 정밀하게 열을 감지할 수 있는 비냉각 적외선 센서를 만드는 기술에 대한 논문입니다.
은(Ag)으로 만든 나뭇가지 모양 구조물 표면에 원자층증착(ALD)으로 아주 얇은 보호막을 입혔습니다. 이렇게 하면 특정 물질을 감지하는 센서 성능(SERS 민감도)이 좋아지고 열에도 더 강해집니다. 즉, 얇은 코팅으로 센서를 더 튼튼하고 정확하게 만든 연구입니다.
이 논문은 알루미늄을 아주 얇게 도핑한 산화아연(ZnO) 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 연구입니다. 만든 막에 빠르게 빛을 쬐어 열처리하는 '플래시램프 어닐링'을 적용해 성질을 개선했습니다. 이렇게 만든 막은 열을 반사해 에너지를 절약하는 저방사 코팅 유리에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착법(ALD)으로 알루미늄 수소화물(AlH3) 얇은 막을 만드는 방법을 연구했어요. 이 막은 수소를 저장하는 데 사용될 수 있어요. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없어요.
이 논문은 금(Au) 표면 위에 CdS라는 아주 얇은 막을 전기화학적 방법으로 한 층씩 쌓는 과정을 연구했습니다. 막이 자라면서 구조와 뒤틀림(strain)이 어떻게 변하는지 살펴봤습니다. 반도체 재료의 얇은 막 성장 원리를 이해하는 데 도움이 되는 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 보호막을 만들어, 연료전지에 쓰이는 금속판이 녹슬지 않도록 도와주는 연구입니다. 이 보호막은 여러 층으로 이루어진 복합 코팅으로, 부식을 막는 역할을 합니다. 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 얇은 막을 아주 균일하게 입히는 원자층증착(ALD) 기술로 니켈산화물(NiO) 표면을 울퉁불퉁하게 만들어 전극으로 사용했습니다. 이렇게 만든 전극으로 투명하고 휘어지는 튼튼한 축전지(슈퍼커패시터)를 만들었습니다. 투명하고 유연한 에너지 저장 장치를 만드는 새로운 방법을 보여줍니다.
이 논문은 이산화탄소를 메탄올로 바꾸는 화학반응에 쓰이는 특별한 촉매 재료를 연구했어요. 이 재료는 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 지르코늄산화막을 아주 얇게 입혀서 만들었어요. 반응이 일어나는 동안 생기는 중간 물질들을 조사해서 촉매가 어떻게 작동하는지 알아냈어요.
이 논문은 상온에서 얇은 SiO2 막을 원자층증착(ALD)으로 만들어서 당뇨약인 메트포르민이 천천히 방출되도록 코팅하는 방법을 연구했습니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 약물 전달용 코팅 기술에 초점을 맞춘 논문입니다. 온도 같은 공정 조건을 조절해 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다.
이 논문은 ALD라는 얇은 막을 쌓는 기술로 NiO를 MoOx/감마-알루미나 위에 선택적으로 올려서 촉매를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 디벤조티오펜이라는 황 성분을 없애는 화학 반응(수소첨가탈황)을 더 잘 도와줍니다. 즉, 더 좋은 촉매를 만들기 위한 코팅 방법에 대한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 은(銀) 나뭇가지 모양 구조를 만들어 특수 화학 센서(SERS 기판)를 제작하는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 구조는 표면에 잘 붙어서 오래 사용할 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 제목만으로 추정했습니다.
이 논문은 아주 얇은 티타늄산화물(TiO2) 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만드는 연구입니다. 2차원 산화물을 바닥에 깔아서 TiO2가 특정 결정 모양(아나타제)으로 잘 자라도록 유도했습니다. 이를 통해 얇은 막의 결정 구조를 원하는 대로 조절할 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 이산화티타늄(TiO2) 얇은 막을 이용해 신경 세포와 연결되는 장치를 만드는 연구입니다. 자외선을 쬐어 활성화시킨 TiO2 막이 신경 신호를 감지하거나 자극하는 데 쓰일 수 있음을 보여줍니다. 초록이 없어 자세한 내용은 확인할 수 없습니다.
이 논문은 아주 작은 배터리(마이크로배터리)에 쓰이는 니켈이 많이 들어간 얇은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만들어서 성능을 좋게 만드는 방법을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다. 제목만으로는 재료와 공정을 함께 다룬 것으로 보입니다.
이 논문은 뼈 임플란트에 사용되는 PEEK 플라스틱 표면에 아주 얇은 나노 세라믹 막을 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 뼈와 임플란트가 더 잘 붙도록 도와줄 수 있습니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 의료용 임플란트 표면처리에 관한 내용입니다.
이 논문은 반도체 칩의 좁고 깊은 홈(트렌치) 안쪽에만 원하는 물질(TiO2)을 정확하게 쌓는 새로운 방법을 소개합니다. 홈 위쪽 표면에는 탄소막을 씌워서 물질이 붙지 못하게 막고, 안쪽에만 계속 쌓이도록 하는 반복 과정을 사용합니다. 이 기술은 미래의 3D 구조 반도체를 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 질화갈륨(GaN) 반도체 박막에 실리콘을 도핑해서 전기적 성질을 좋게 만드는 연구입니다. 실리콘을 넣는 순서와 방법을 바꿔서 전기가 훨씬 잘 흐르게 만들었어요. 표면도 깨끗하게 유지되었습니다.
이 논문은 얇은 산화물 반도체(IGZO)를 낮은 온도에서도 잘 만들 수 있는 새로운 원료(전구체)를 이용한 증착 방법을 연구했어요. 트리에틸갈륨이라는 원료를 쓰면 250도의 낮은 온도에서도 성능 좋은 트랜지스터를 만들 수 있었대요. 이 방법은 디스플레이에 들어가는 반도체 소자를 더 쉽게 만드는 데 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 대기압에서 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PE-s-ALD) 방법으로 SiO2와 TiO2 얇은 막을 아주 좁고 깊은 홈에도 균일하게 입힐 수 있다는 것을 보여줍니다. 짧은 플라즈마 노출 시간(0.73초)으로도 매우 좁은 구조 속까지 골고루 막이 덮이는 것을 확인했습니다. 이 기술은 빠르고 저렴하게 3차원 구조물에 막을 입히는 데 유용합니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PE-ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 WS2 반도체 막을 만들어 트랜지스터를 만든 연구입니다. 막이 얇을수록 스위치 성능(켜짐/꺼짐 비율)이 더 좋아졌고, 특수한 층을 추가하면 성능이 더욱 좋아진다는 것을 발견했습니다. 이는 아주 작은 반도체 소자를 만드는데 중요한 발견입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 질화알루미늄(AlN) 박막을 낮은 온도(300도)에서 매우 깨끗하게 만드는 방법을 보여줍니다. 만들어진 박막은 결정 품질이 뛰어나고 표면도 매끄러워서 반도체 소자에 활용하기 좋습니다. 특히 열에 약한 실리콘 공정에도 적용할 수 있다는 장점이 있습니다.
이 논문은 반도체 표면에 얇은 산화막(TiOx)을 씌울 때 플라즈마 세기를 아주 약하게(5W) 줄이면 표면이 산화되는 것을 막을 수 있다는 것을 보여줍니다. 이렇게 만든 막은 강한 플라즈마로 만든 것과 성능이 비슷하면서도 결함이 적고 태양전지 같은 소자의 성능을 더 좋게 만들어줍니다. 즉, 약한 플라즈마 공정이 반도체와 태양전지 재료를 더 깨끗하게 코팅하는 좋은 방법이라는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)으로 두 개의 얇은 산화물 반도체 층을 쌓아 만든 트랜지스터를 연구했어요. IGO와 IGZO를 겹쳐 만든 채널이 기존보다 전자가 더 잘 흐르고 안정성도 좋다는 것을 확인했어요. 이 방법은 디스플레이 산업에서 쓰이는 실제 공정과도 잘 맞아서 고성능 트랜지스터를 만드는 데 유용해요.
이 논문은 열을 많이 가하지 않고도(300도 이하) 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 IGZO 박막트랜지스터에 대한 연구입니다. 오존을 살짝 더 넣어주는 방법으로 산소 빈자리 문제를 줄여서 성능이 좋고 안정적인 트랜지스터를 만들었습니다. 이 기술은 반도체와 디스플레이 소자에 활용될 수 있는 중요한 공정 기법입니다.
이 논문은 그래핀을 얇은 중간층으로 사용해서 사파이어 위에 갈륨나이트라이드(GaN)라는 반도체 물질을 낮은 온도(300도)에서 플라즈마 원자층증착(PEALD) 방법으로 키우는 연구입니다. 결과적으로 거의 완벽한 단결정 GaN 박막을 만들 수 있었고, 이는 GaN 반도체 소자를 더 낮은 온도에서 만들 수 있는 새로운 방법을 제시합니다. 표면 구조와 결정 특성을 정밀 분석해 성공적인 성장을 확인했습니다.
이 논문은 실리콘 기판 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 리튬 나이오베이트라는 특수한 얇은 막을 만들고, 그 위에 그래핀을 결합해서 적외선을 감지하는 센서를 만든 연구입니다. 이 센서는 냉각 장치 없이도 적외선 빛을 잘 감지할 수 있었습니다. 이 기술은 반도체 칩에 바로 붙일 수 있어서 미래의 적외선 카메라 개발에 도움이 될 것으로 기대됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 백금(Pt) 얇은 막의 특별한 전기적 성질(스핀홀 효과)을 연구했습니다. 막이 얇을 때는 섬처럼 뭉쳐있어 효과가 약하지만, 두꺼워지면 매끈해지면서 효과가 훨씬 커진다는 것을 발견했습니다. 이 결과는 미래의 스핀 기반 전자소자를 만드는 데 중요한 정보를 줍니다.
이 연구는 질화티타늄(TiN)이라는 물질을 특수한 코팅 방법(플라즈마 원자층 증착)으로 얇게 입혀서 초전도체 성질을 알아본 실험입니다. 평평한 표면과 입체(3D) 구조에서 얼마나 균일하게 잘 입혀지는지, 그리고 온도를 낮췄을 때 전기 저항이 사라지는 초전도 현상이 어떻게 나타나는지 살펴봤습니다. 이 결과는 앞으로 초전도 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기초 자료가 됩니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 순수한 니오븀(Nb) 초박막을 만드는 연구입니다. 증착 온도와 수소 플라즈마 조건을 조절해서 초전도 성질(임계온도)을 높이는 데 성공했습니다. 온도를 400도로 올리고 수소 플라즈마 노출 시간을 늘리면 산소가 줄어들어 임계온도가 5.7K까지 올라갔습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PE-ALD) 방법으로 스칸듐-알루미늄-질소(ScAlN) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 스칸듐 비율을 최대 25%까지 조절하면서 온도와 시간 같은 공정 조건을 찾아냈고, 막의 표면이 매우 매끄럽다는 것을 확인했습니다. 또한 만든 막이 압전 성질(전기를 가하면 모양이 변하는 성질)을 가지며, 스칸듐 비율이 높을수록 그 효과가 커진다는 것을 밝혔습니다.
이 연구는 특수한 방법(플라즈마 원자층증착)으로 아주 얇은 WS2라는 물질을 실리콘 위에 얇게 입혔어요. 반도체 소자를 만들기 전과 후에 이 물질의 전기적 성질이 어떻게 변하는지 자세히 살펴봤어요. 소자 제작 과정에서 사용하는 화학물질과 열처리가 물질의 전기적 특성을 변화시킨다는 것을 밝혀냈어요.
이 논문은 HfO2라는 얇은 막에 Al2O3를 조금씩 섞어서 강유전체 성질(전기를 저장하는 성질)이 어떻게 변하는지 알아본 연구예요. Al2O3를 HfO2의 아래쪽에 넣으면 성능이 좋아지고, 너무 많이 넣거나 위쪽에 넣으면 오히려 성능이 나빠진다는 것을 발견했어요. 이는 미래의 메모리 반도체를 더 잘 만드는 데 도움을 줄 수 있어요.
이 논문은 이전에 발표된 논문의 오류를 정정한 정오표입니다. 원 논문은 대기압 플라즈마를 이용한 공간 원자층 증착(ALD) 기술에서 아주 짧은 플라즈마 노출 시간으로도 우수한 표면 덮임 성능을 얻는 방법을 다룹니다. 초록이 제공되지 않아 구체적인 정정 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 ALD로 산화니켈(NiO)을 산화갈륨(Ga2O3) 위에 증착해 만든 다이오드를 연구했습니다. 결정 방향에 따라 전기가 견딜 수 있는 세기가 달라진다는 것을 발견했고, 특히 한 방향에서는 매우 높은 전기장(7.5 MV/cm)까지 견뎌서 기존 연구 중 최고 수준이었습니다. 이는 전력 반도체 소자 성능 향상에 중요한 결과입니다.
이 논문은 반도체로 만든 작은 광학 공진기(원형 브래그 격자)를 만든 후에도 그 성능을 미세하게 조절하는 방법을 소개합니다. 원자층 증착(ALD)이라는 기술로 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 씌워서 공진기의 색깔(파장)을 원하는 대로 바꿀 수 있다는 것을 보여줍니다. 이 방법은 양자점을 이용한 광소자 성능을 더 정밀하게 맞추는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 낮은 온도(270도)에서도 매우 매끈하고 결정성이 좋은 티타늄 질화막(TiN)을 만드는 방법을 보여줍니다. 이 막은 아주 낮은 온도에서 전기 저항이 사라지는 초전도 현상을 보이며, 반도체 칩 제작 후공정에도 사용할 수 있는 장점이 있습니다. 다만 산소가 조금 섞여서 기존 스퍼터링 방식보다 성능이 약간 낮아진다는 점도 밝혀졌습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD)에서 기판에 전기적 바이어스를 주는 방법으로 아주 얇은 초전도 탄탈 탄화질화막을 만드는 연구입니다. 이온의 에너지를 조절하면 막의 저항이 100배나 줄고, 산소 불순물이 줄어들며 결정 알갱이가 커지고, 초전도가 시작되는 온도(Tc)도 높게 유지됩니다. 이 기술은 손실이 적은 초전도 양자 소자를 만드는 데 유용할 것으로 기대됩니다.
이 논문은 얇고 유연한 PET 필름 위에 알루미늄이 섞인 산화아연(ZnO) 막을 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 막은 열을 전기로 바꾸는 열전 센서로 쓸 수 있어서, 몸에 붙이는 전자기기나 웨어러블 센서에 활용될 수 있습니다. 앞으로 롤투롤 방식으로 대량 생산할 가능성도 함께 논의합니다.
MXene이라는 신소재를 가스 센서로 쓸 때 산화되기 쉬운 문제를 해결하기 위해, 원자층증착(ALD) 방법으로 SnO2라는 얇은 막을 코팅했습니다. 이렇게 코팅한 MXene은 NO2 가스를 감지하는 능력이 3배 더 좋아졌고, 반응 속도도 빠르고 원래 상태로 잘 돌아왔습니다. 이 연구는 ALD 기술이 새로운 가스 센서 개발에 유용함을 보여줍니다.
이 논문은 나노임프린트와 원자층증착(ALD)을 이용해 편광에 상관없이 두 개의 초점을 만드는 아주 작은 렌즈(메타렌즈)를 만드는 방법을 소개합니다. 값싸고 빠르게 큰 면적에 렌즈를 만들 수 있는 새로운 제작 기술을 보여줍니다. TiO2라는 물질을 얇게 코팅해서 렌즈의 굴절률을 높였습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술을 소개하는 리뷰입니다. ALD는 반도체의 고성능 절연막, 태양전지, 연료전지, 광촉매 등 다양한 곳에 쓰입니다. 특히 광촉매 재료를 만드는 데 ALD가 어떻게 활용되는지 자세히 다루고 있습니다.
이 논문은 리튬이온 배터리의 성능을 높이기 위해 원자층증착(ALD) 기술로 배터리 전극 표면에 얇은 코팅막을 입히는 연구입니다. 이 코팅을 하면 배터리가 더 오래, 더 안전하게 사용될 수 있습니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 배터리 소재 분야 연구입니다.
탄소나노튜브에 그래핀을 붙이고 그 위에 원자층증착(ALD)으로 이산화티타늄(TiO2)을 얇게 코팅해서 새로운 전극 재료를 만들었어요. 이렇게 만든 전극은 전기를 더 오래, 더 많이 저장할 수 있게 됐답니다. 그래핀 두께와 TiO2 두께를 조절하면 성능을 최적화할 수 있다는 것도 알아냈어요.
이 논문은 태양전지의 일종인 페로브스카이트 태양전지를 더 오래 튼튼하게 쓸 수 있도록, 원자층증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 금속산화물 얇은 막을 입히는 기술을 정리한 리뷰입니다. 이 얇은 막은 전하를 잘 이동시키고 수분, 산소, 자외선 같은 외부 요인으로부터 태양전지를 보호해줍니다. 앞으로 이 기술을 실제 산업에 적용하기 위한 과제와 전망도 함께 다룹니다.
실리콘에 불순물을 직접 넣지 않고도 전기적 특성을 바꾸는 새로운 도핑 방법을 안정적으로 보호하기 위해 하프늄산화막(HfO2)을 얇게 씌우는 연구입니다. 원자층증착(ALD) 방법으로 다양한 조건을 실험해 가장 좋은 보호막 조건을 찾았습니다. 그 결과 진공을 깨지 않고 바로 이어서 씌운 막이 더 좋은 성능을 보였습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 산화인듐 투명 전도막을 만드는 연구입니다. 주석, 티타늄, 몰리브덴을 각각 섞어서 전기가 잘 통하면서도 빛이 잘 투과되는 막을 만들었습니다. 열처리를 하면 전기저항이 크게 줄어들고 빛 투과 특성도 달라지는 것을 확인했습니다.
이 논문은 GaN 반도체 위에 Al2O3라는 얇은 절연막을 원자층증착(ALD) 방식으로 입히는 세 가지 방법을 비교했습니다. 플라즈마로 표면을 미리 처리하면 불순물이 잘 제거되고 전기적 성능이 좋아진다는 것을 발견했습니다. 두 가지 방법을 합친 새로운 방식이 가장 좋은 결과를 보였습니다.
이 연구는 태양전지에 쓰이는 CdTe/MgCdTe 반도체 표면에 아주 얇은 질화막(SiNx, AlN, TiN)을 원자층증착(ALD)으로 씌워 표면 결함을 줄이는 실험입니다. 그 결과 전자가 더 오래 살아남고 빛을 더 잘 내는 것을 확인했습니다. 특히 SiNx가 태양전지 효율을 높이는 데 가장 좋은 재료로 나타났습니다.
이 연구는 아주 낮은 온도(3K)에서 반도체용 절연막(Al2O3, HfO2)의 성능이 어떻게 변하는지 알아봤어요. ALD로 막을 만들 때 온도와 패턴을 그리는 방법(리소그래피)이 절연막 성질에 영향을 준다는 것을 발견했어요. 특히 HfO2는 만드는 온도에 민감하지만 Al2O3는 덜 민감하다는 것을 알아냈습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD)으로 백금(Pt) 박막을 만들 때 전기장을 걸어주면 어떤 변화가 생기는지 연구했습니다. 전기장을 주면 백금 원자가 표면에 더 잘 달라붙고, 특정 방향(111 방향)으로 자라며, 얇고 균일한 막을 만드는 데 도움이 된다는 것을 밝혔습니다. 다양한 기판(실리콘, 산화알루미늄, 금, 니켈)에서 실험하여 전기장이 박막 성장에 미치는 영향을 자세히 분석했습니다.
이 논문은 태양전지에 카드뮴이 없는 ZnSnO(ZTO) 물질을 버퍼층으로 사용해서 CIGS 태양전지 성능을 높이는 연구입니다. 원자층증착법으로 ZTO를 얇게 입혀서 계면 특성을 개선했고, CIGS 성분을 조절해서 전류와 효율을 더 좋게 만들었습니다. 결과적으로 13.5%의 효율을 달성해서 기존 카드뮴 버퍼층보다 더 좋은 성능을 보였습니다.
이 논문은 진공 상태에서 원자층 증착(ALD)으로 아주 얇은 산화갈륨(Ga2O3)과 산화알루미늄(Al2O3) 층을 쌓아 만든 특수한 박막을 연구했어요. Ga와 Al의 비율을 조절하면 전자 구조(밴드갭)와 유전율을 원하는 대로 바꿀 수 있다는 것을 알아냈습니다. 이 박막은 결함이 거의 없는 매우 얇고 성능 좋은 절연막(high-K 유전체)으로 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(ALD)으로 만든 초전도 니오븀 티타늄 질화물(NbTiN) 박막을 열처리했을 때 어떤 변화가 생기는지 연구한 논문의 정정문입니다. 원래 논문의 오류를 바로잡는 짧은 정오표(Erratum)라서 구체적인 내용은 없습니다. 반도체 소자에 쓰이는 얇은 막을 다루는 공정 연구입니다.
이 논문은 CdTe/MgCdTe 반도체 표면에 여러 종류의 얇은 절연막(HfO2, TiO2, Al2O3, TiN)을 원자층증착(ALD) 방법으로 씌워 표면을 보호하는 연구입니다. 이렇게 막을 씌우면 빛을 받아 생긴 전자들이 오래 살아남고, 빛을 더 잘 내는 효과가 있음을 확인했습니다. 즉, 얇은 막으로 반도체 표면을 잘 보호하면 태양전지나 센서 성능이 좋아질 수 있다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 방법으로 니오븀-티타늄-질소(NbTiN) 얇은 막을 만들고 열처리하는 연구입니다. 열처리를 통해 이 막이 매우 낮은 온도에서 전기 저항이 사라지는 초전도 현상을 더 잘 보이게 만들었습니다. 이 기술은 미래에 더 효율적인 입자 가속기를 만드는 데 사용될 수 있습니다.
이 논문은 콜로이드 양자점을 이용해 GaAs 태양전지의 빛 반응을 향상시키는 연구입니다. 원자층 증착(ALD)으로 만든 보호막(패시베이션 층)을 사용해 전지의 성능을 높였습니다. 태양전지 효율을 개선하는 새로운 방법을 제시합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 아주 얇은 산화물 막(징크틴옥사이드)을 만드는 연구입니다. 이 막은 태양전지에서 중요한 완충 역할을 하며, 전자가 잘 흐르도록 도와주는 에너지 특성을 분석했습니다. CISe와 CIGSe라는 태양전지 재료에 적용해서 성능을 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 비정질 몰리브덴 이황화물(MoS2) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 우주에서 사용할 수 있는 태양전지에 쓰일 수 있습니다. 태양전지는 태양 에너지를 전기로 바꾸는 중요한 소자입니다.
이 논문은 반도체 메모리에 쓰이는 이산화몰리브덴(MoO2) 박막을 원자층증착(ALD)으로 만들 때 미리 환원제를 넣어주는 새로운 방법을 소개합니다. 이렇게 하면 열처리 과정에서 표면이 울퉁불퉁해지는 문제를 막을 수 있고, 이를 이용해 만든 축전기(MIM 커패시터)의 성능이 더 좋아집니다. 이 연구는 차세대 메모리 소자 발전에 도움이 되는 중요한 발견입니다.
이 연구는 반도체의 좁고 깊은 홈(트렌치) 안쪽까지 얇은 막을 고르게 입히기 위해 새로운 원자층 증착(ALD) 방법을 개발했습니다. 특별한 억제제(TBC)를 사용해서 질화규소 막이 위쪽뿐 아니라 아래쪽까지 균일하게 쌓이도록 만들었습니다. 이 기술은 미래 반도체 제조에 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 그래핀 위에 자외선(UV)을 함께 쬐면서 산화알루미늄 박막을 얇게 입히는 새로운 방법을 소개합니다. UV를 적절히 쬐면 더 촘촘하고 매끈한 절연막이 만들어져 그래핀 트랜지스터의 성능이 크게 좋아집니다. 이 방법은 기존 방식보다 전자 이동 속도를 2배 이상 높여주는 효과적인 기술입니다.
이 연구는 원자층증착(ALD) 방법으로 원자 단위로 정렬된 IGZO 반도체 박막을 만들어 트랜지스터를 제작했습니다. 낮은 온도(250도 이하)에서도 전자 이동 속도가 매우 빠르고 성능이 좋은 트랜지스터를 만들 수 있었습니다. 이는 실리콘 반도체의 한계를 뛰어넘을 수 있는 새로운 소재 가능성을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 란타넘(La)을 섞은 산화인듐 박막 트랜지스터를 만들었습니다. La을 많이 넣을수록 전자가 잘 흐르는 정도(이동도)는 떨어지지만, 트랜지스터가 더 안정적으로 오래 작동한다는 것을 발견했습니다. 이는 La과 산소가 강하게 결합해서 결함을 줄여주기 때문입니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(PEALD) 방법으로 붕소를 첨가한 질화알루미늄(AlBN) 얇은 막을 아주 얇게 만드는 방법을 연구했습니다. 붕소의 양을 조절해서 이 막이 강유전체(전기적으로 방향을 바꿀 수 있는 성질)가 되도록 만들었고, 반복 사용해도 잘 견디는 것을 확인했습니다. 이는 미래의 메모리 반도체 소자에 사용할 수 있는 새로운 재료로 기대됩니다.
이 논문은 인듐(In) 비율을 조절한 IGZO 박막을 플라즈마 원자층 증착(PEALD)으로 만들어 트랜지스터 성능을 높이는 연구입니다. 인듐 비율을 높이고 350도로 열처리하면 전자가 더 잘 움직여서(이동도 증가) 트랜지스터가 더 빨리 동작합니다. 이렇게 만든 트랜지스터로 인버터 회로도 만들어서 반도체 칩에 활용할 수 있음을 보여줍니다.
그래핀이라는 얇은 탄소 재료 위에 자외선을 이용한 특별한 방법(ALD)으로 절연막을 아주 잘 붙이는 기술을 소개해요. 이렇게 만든 그래핀 트랜지스터는 성능이 훨씬 좋아진대요. 반도체 소자를 만드는데 중요한 공정 기술이에요.
은(Ag) 전극과 아주 얇은 산화주석(SnO2), 산화알루미늄(Al2O3) 절연막을 이용해 초정밀 프린팅과 원자층증착(ALD)으로 새로운 다이오드를 만들었어요. 이 다이오드는 전자가 얇은 막을 통과하는 터널링 현상을 이용해 빠르게 전류를 흐르게 할 수 있어요. 기존의 복잡한 리소그래피 방식보다 더 저렴하고 대량 생산이 가능한 방법이라는 점이 중요해요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 자성 필름을 만드는 기술을 정리한 리뷰 논문입니다. 반도체와 스핀 소자에 쓰일 고품질 자성 박막을 ALD로 만드는 다양한 공정과 구조를 소개합니다. 앞으로 이 기술이 어떻게 발전할지에 대한 전망도 함께 다룹니다.
이 논문은 태양전지 표면을 보호하고 전기 손실을 줄여주는 산화막(Al2O3, TiO2 등)을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇게 입히는 기술을 정리한 리뷰입니다. 373개의 연구를 분석해서 어떤 재료가 많이 쓰였는지, 앞으로 어떤 방향으로 발전할지 소개합니다. 태양전지 효율을 높이는 데 중요한 코팅 기술에 관한 내용입니다.
이 논문은 공기 중에서도 산화물 반도체 박막을 얇게 쌓을 수 있는 '공간형 원자층 증착법'을 다룹니다. 이 방법으로 휘어지는 얇은 트랜지스터를 만드는 데 사용할 수 있습니다. 유연한 디스플레이나 전자기기에 활용될 수 있는 중요한 공정 기술입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 정밀한 방법으로 산화물 반도체 박막을 만들어 트랜지스터에 사용하는 연구입니다. 전자가 잘 흐르는 정도(이동도)와 오래 안정적으로 작동하는 성능(신뢰성) 사이의 트레이드오프를 뛰어넘는 방법을 다룹니다. ALD 공정 조건이 트랜지스터 성능에 미치는 영향을 살펴본 것으로 보입니다.
이 논문은 플라즈마 강화 원자층 증착(ALD) 방법으로 HfO2와 IGZO 박막을 쌓아서 만든 트랜지스터의 안정성을 개선한 연구입니다. IGZO는 화면(디스플레이)에 쓰이는 특별한 반도체 재료이고, HfO2는 절연막 역할을 합니다. 이 기술로 더 오래 잘 작동하는 트랜지스터를 만들 수 있습니다.
이 논문은 아주 얇은 산화인듬(In2O3) 막을 플라즈마를 이용한 원자층증착법(PEALD)으로 만들어 트랜지스터를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 얇은 막은 디스플레이나 반도체 소자에 쓰일 수 있습니다. 다만 초록이 없어 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 OLED를 보호하는 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 대기압에서 빠르게 만드는 특수한 증착 방법을 연구합니다. 성장 속도를 조절해서 더 좋은 보호막을 만드는 방법을 찾았습니다. 이 기술은 OLED 디스플레이가 오래 사용될 수 있도록 도와줍니다.
이 논문은 여러 금속 재료를 순서대로 넣어서 아주 얇은 반도체 막을 만드는 방법(원자층증착법)을 설명해요. 이렇게 만든 막은 결정이 없는 특이한 산화물 반도체예요. 반도체를 만드는 새로운 방법을 연구한 것입니다.
이 연구는 스테인리스강 위에 특수한 원자층 증착 방법으로 알루미늄산화물(Al2O3) 버퍼층을 만들고, 그 위에 질화갈륨(GaN)이라는 반도체 재료를 잘 자라게 하는 방법을 다룹니다. 플라즈마를 이용한 정밀한 증착 기술(PEALD)을 사용해서 품질 좋은 GaN 막을 만들었습니다. 이는 반도체 소자를 다양한 재료 위에도 만들 수 있게 도와주는 중요한 기술입니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 원하는 곳에만 얇은 막을 쌓는 '영역 선택적 원자층 증착' 기술을 다룹니다. 알데하이드라는 화학물질 증기를 이용해 질화막 표면을 미리 코팅해서 특정 부분에는 막이 쌓이지 않도록 막는 방법을 연구했습니다. 이렇게 하면 반도체를 더 정밀하게 만들 수 있습니다.
이 논문은 GaAs라는 반도체 기판 위에 AlN이라는 얇은 막을 더 좋은 품질로 만드는 방법을 연구했어요. 플라즈마를 이용한 특수 증착법(PEALD)을 쓰기 전에 미리 플라즈마로 표면을 처리하는 방법을 사용했습니다. 이렇게 하면 막의 품질이 좋아져서 반도체 소자를 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 리튬 금속 배터리 전극에서 리튬이 뾰족하게 자라는 것을 막기 위해 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 표면을 얇게 코팅하는 기술을 다룹니다. 이렇게 하면 리튬이 3차원 구조에 고르게 쌓여서 배터리가 더 안전하고 오래 쓸 수 있게 됩니다. 초록이 없어서 자세한 공정 조건은 알 수 없지만, ALD 공정과 표면 개질이 핵심 주제입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 알루미늄 산화막(Al2O3)이라는 얇은 막을 스테인리스 스틸 316L 표면에 입히는 연구입니다. 이 막은 3D 프린팅으로 만든 금속과 일반적으로 만든 금속 모두를 녹슬지 않게 보호해주는 역할을 합니다. 재료 보호막의 효과를 알아보는 내용입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 아주 얇고 잘 휘어지는 보호막을 만들어 유기 태양전지 같은 전자기기를 물과 습기로부터 지키는 방법을 소개하는 리뷰 논문입니다. 이런 보호막은 접거나 구부릴 수 있는 웨어러블 전자제품을 만드는 데 매우 중요합니다. 논문은 지금까지의 기술 발전과 앞으로의 방향을 정리했습니다.
이산화티타늄(TiO2) 얇은 막에 갈륨을 조금씩 섞어서 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 만들었어요. 갈륨을 넣으면 전기가 덜 통하게 되어서, 순수한 TiO2는 트랜지스터의 통로 재료로, 갈륨을 넣은 TiO2는 절연체로 쓰기 좋다는 것을 발견했어요. 이 재료는 나중에 메모리 반도체 같은 전자 기기에 사용될 수 있어요.
이 논문은 코발트 금속을 얇게 쌓는 새로운 액체 전구체(DIPRoBA-Co)를 만들었어요. 이 물질을 이용해 원자층 증착(ALD) 방법으로 5~6나노미터 두께의 코발트 금속막을 실리콘 기판 위에 성공적으로 만들었습니다. 액체 형태라서 기존 고체 전구체보다 다루기 쉽다는 장점이 있어요.
이 논문은 상온에서 원자층증착(ALD) 기술로 아연-티타늄 산화물 박막을 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 두 가지 화학 물질(DMZ와 TDMAT)을 순서대로 표면에 붙이고 플라즈마로 산화시켜서 얇은 막을 만듭니다. 적외선 관찰을 통해 두 물질의 비율을 조절하는 방법과 반응 원리를 알아냈습니다.
이 논문은 초박막 산화인듐(InOx) 트랜지스터를 아주 얇게 만드는 특수 증착 방법(PEALD)으로 만들었을 때 생기는 문제를 연구했습니다. 채널이 너무 얇으면 산소가 많이 들어가서 전기적으로 불안정해지지만, 채널을 조금 더 두껍게 만들면 이 문제가 줄어든다는 것을 발견했습니다. 이 연구는 반도체 칩을 여러 층으로 쌓는 3차원 반도체 기술에 도움이 되는 설계 지침을 제공합니다.
이 논문은 3D 메모리 반도체 안에 전기가 잘 통하도록 얇은 티타늄 질화물(TiN) 막을 원자층 증착(ALD)으로 만드는 방법을 연구했습니다. 온도와 가스 넣는 방식 등을 조절해서 표면을 더 매끄럽고 전기가 잘 통하게 만드는 법을 찾았습니다. 이를 통해 더 촘촘하고 성능 좋은 메모리 반도체를 만들 수 있게 되었습니다.
이 논문은 태양전지에 쓰이는 실리콘 표면을 보호하면서 전기가 잘 통하게 하는 새로운 투명한 산화물 재료를 만든 연구입니다. 니오븀과 티타늄, 실리콘 산화물을 원자층 증착이라는 방법으로 아주 얇게 쌓아서 기존 재료보다 빛을 덜 흡수하면서도 성능이 좋다는 것을 확인했습니다. 이를 통해 더 효율적인 태양전지를 만들 수 있는 가능성을 보여주었습니다.
이 논문은 저온(120도 이하) 원자층 증착으로 In2O3와 ZnO를 쌓아 만든 얇은 반도체 소자(TFT)를 연구했어요. ZnO 두께를 조절하고 Ga2O3라는 얇은 층을 추가하니 전자가 더 잘 흐르면서도 성능이 안정적으로 좋아졌어요. 이 기술은 휘어지는 디스플레이나 3D 메모리 만드는데 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 반도체를 아주 작게 만드는 데 쓰이는 EUV(초미세 빛) 노광 기술에서 사용하는 감광액(포토레지스트)을 새로운 방법인 원자층 증착(ALD)으로 만드는 연구를 정리한 리뷰입니다. 기존에는 액체를 발라서 감광액을 만들었지만, ALD를 이용하면 기체로 얇고 정밀하게 층을 쌓을 수 있어 더 작은 반도체를 만들 수 있습니다. 아직 초기 연구 단계지만 앞으로 반도체를 더 작고 정밀하게 만드는 데 큰 도움이 될 것으로 기대됩니다.
이 논문은 갈륨산화물(Ga2O3) 기판 위에 하프늄지르코늄산화물(HZO) 박막을 원자층증착법으로 만들어 강유전체 성질을 연구했어요. 금속 전극을 올린 후 열처리하면 특정 결정 구조(사방정계)가 더 잘 생겨서 강유전성이 강해진다는 것을 밝혔습니다. 전기적 측정을 통해 이 박막이 실제로 강유전체 성질을 가진다는 것을 증명했어요.
이 논문은 반도체 만들 때 쓰는 실리콘질화막(SiN)을 얇게 쌀는 특별한 방법(PEALD)을 다뤄요. 컴퓨터 시뮬레이션으로 수소 라디칼이 표면의 염소를 없애는 데 가장 중요한 역할을 한다는 것을 밝혀냈어요. 이는 더 좋은 반도체 칩을 만드는 데 도움이 되는 연구예요.
이 논문은 ALD(원자층증착)로 아주 얇은 SiO2 막을 만들어서, 그 위에 있는 지질막에서 나오는 형광빛이 그래핀 산화물에 의해 얼마나 흡수되는지를 조절하는 실험입니다. SiO2 막의 두께를 조절하면 형광이 사라지는 정도가 달라지는 것을 발견했습니다. 이를 이용해 아주 작은 분자 하나하나의 움직임도 관찰할 수 있었습니다.
이 논문은 실온에서 아연과 알루미늄 산화물을 얇게 쌓는 새로운 방법을 연구했어요. 두 가지 화학물질을 순서대로 표면에 붙이고 산소로 처리해서 얇은 막을 만들었어요. 이렇게 만든 막은 염산으로부터 금속을 보호하는 코팅재로 사용할 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 NiO라는 물질을 얇게 코팅해서 태양전지에 사용하는 연구입니다. 산소를 넣어주는 두 가지 방법(오존, 과산화수소)을 비교해서 어떤 것이 더 좋은 태양전지를 만드는지 확인했습니다. 그 결과 19%가 넘는 효율의 태양전지를 만들었습니다.
이 논문은 태양전지에 산화주석(SnOx)을 얇게 입히면 오히려 습기 때문에 태양전지가 더 빨리 망가진다는 것을 발견했습니다. 그래서 SnOx 대신 산화알루미늄(AlOx)을 원자층증착(ALD)으로 입혔더니 효율은 그대로이면서 습기와 열에 훨씬 강해졌습니다. 이렇게 만든 태양전지는 효율 24.61%를 기록했고, 65도에서 1350시간 동안 작동해도 원래 효율의 88%를 유지했습니다.
이 논문은 페로브스카이트 태양전지의 전자수송층으로 쓰이는 산화주석(SnO2)을 원자층증착(ALD)과 용액공정을 함께 사용해 만드는 방법을 소개합니다. 두 방법을 겹쳐 쌓으면 표면이 더 매끄럽고 결함이 줄어들어 태양전지 성능이 좋아진다는 내용입니다. 앞으로 남은 문제와 해결 방법도 함께 설명합니다.
이 논문은 태양전지 표면을 보호하는 산화알루미늄 막을 만드는 두 가지 방법(PECVD와 PEALD)을 비교했습니다. 자외선을 오래 쬐었을 때 PEALD로 만든 막이 훨씬 덜 손상되고 태양전지 효율도 잘 유지되었습니다. 특별한 추가 장비 없이도 튜브형 PEALD 기술로 자외선에 강한 태양전지를 만들 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 반도체 재료 위에 원하는 부분에만 얇은 막을 잘 쌓이게 하는 새로운 방법을 연구했습니다. 암모니아 가스를 플라즈마로 만들어 처리하면 실리콘과 티타늄질화물(TiN) 표면에서 선택적으로 증착이 더 잘 되게 할 수 있다는 것을 보여줍니다. 이는 정밀한 반도체 칩을 만드는 데 도움이 되는 기술입니다.
이 연구는 얇은 MoS2 위에 산화알루미늄(Al2O3) 막을 원자층증착(ALD)으로 씌우는 방법을 다룹니다. 작은 분자 억제제를 사용해서 막이 특정 위치에서만 자라도록 조절했습니다. 이를 통해 반도체 소재 표면을 정밀하게 코팅하는 기술을 발전시켰습니다.
인듐 산화물을 여러 층으로 쌓은 나노라미네이트 구조를 플라즈마 원자층 증착(PEALD)으로 만들어 성능 좋은 트랜지스터를 만든 연구입니다. 여러 채널층을 쌓아서 전기적 특성을 개선했습니다. 이 기술은 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 아주 낮은 전자 온도를 가진 플라즈마를 이용해 티타늄나이트라이드(TiN)라는 얇은 막을 만드는 방법을 연구했어요. TiN은 반도체 칩에서 중요한 역할을 하는 재료예요. 새로운 플라즈마 장비와 공정 조건을 사용해서 더 좋은 품질의 막을 만드는 방법을 알아봤어요.
이 논문은 반도체를 만들 때 아주 작은 홈을 SiO2라는 물질로 빈틈없이 채우는 방법을 연구했습니다. 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD)에서 바이어스 주파수를 바꾸면 아래에서부터 균일하게 채워지는 정도가 달라진다는 것을 알아냈습니다. 이는 반도체 칩을 더 정교하게 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 SiO2와 Al2O3를 번갈아 쌓는 특수한 방법을 이용해, IZO라는 반도체 박막 안의 수소 양을 정밀하게 조절하는 기술을 소개합니다. 이렇게 만든 박막은 전자가 더 빠르게 움직여서 디스플레이용 트랜지스터 성능이 좋아집니다. 즉, 더 선명하고 빠른 화면을 만들 수 있는 새로운 반도체 제작 기술입니다.
이 논문은 산화인듐(In2O3) 박막을 만들 때 사용하는 여러 인듐 전구체를 비교한 연구입니다. 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 얇은 막을 만들고, 이를 이용해 성능 좋은 트랜지스터를 만드는 방법을 설명합니다. 어떤 전구체가 더 좋은 트랜지스터를 만드는지 비교했습니다.
이 논문은 TiN이라는 얇은 막을 아주 낮은 전자 온도를 가진 플라즈마를 이용해 만드는 방법(PEALD)에 대한 이전 논문의 오류를 바로잡는 정정문입니다. 실제 실험 내용보다는 앞서 발표된 내용 중 잘못된 부분을 수정하는 짧은 안내글입니다. 초록이 없어 구체적인 수정 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 산화알루미늄과 산화티타늄 층을 번갈아 쌓아 만든 박막을 연구했습니다. 층이 서로 붙어있는 상태에서 끊어진 상태로 바뀔 때 계면과 전기적 특성이 어떻게 변하는지 살펴봤습니다. 이는 반도체 소자에 쓰이는 얇은 절연막 개발에 중요한 정보를 줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 TiO2와 TiON이라는 얇은 막을 SiN과 SiO2라는 두 재료 위에 서로 다르게 쌓는 기술을 연구했습니다. 특정 위치에만 선택적으로 막을 입히는 어려운 공정을 자세히 알아내는 것이 목표입니다. 이는 반도체 칩을 더 정교하게 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 금속 표면에 산화물을 얇게 입힐 때 사용하는 다양한 반응 재료(공반응물)가 금속 표면을 산화시키는 정도에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 이는 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술의 계면 특성을 이해하는 데 도움을 줍니다. 반도체 소자 제작에서 얇은 산화막 품질을 조절하는 데 중요한 정보입니다.
이 논문은 스스로 정렬되는 두 가지 고분자(PS-b-PMMA)를 틀로 사용해서 산화물을 아주 작은 무늬로 만드는 방법을 설명해요. 원자층 증착(ALD)이라는 아주 정밀한 코팅 기술을 사용해요. 이렇게 만든 무늬는 반도체 칩을 만드는 데 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 알루미늄이 포함된 특수한 원료(디메틸 알루미늄 이소프로폭사이드)를 이용해 아주 얇은 막을 쌓는 원자층증착(ALD) 과정을 연구했습니다. 이 원료가 표면에서 반응할 때 생기는 부산물이 막이 처음 자라나는 방식에 어떤 영향을 주는지 알아보았습니다. 반도체 등 정밀한 소자를 만들 때 필요한 얇은 막 기술을 더 잘 이해하는데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 금속과 절연체(유전체) 층을 번갈아 쌓아 새로운 구조를 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 초박막 구조는 반도체나 전자소자에 활용될 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 제목만으로 추정했습니다.
이 논문은 금속과 절연체가 섞인 패턴 위에 원하는 부분에만 얇은 막을 쌓는 원자층 증착(ALD) 기술을 다룹니다. 물과 기름을 모두 밀어내는 특수 코팅과 증발 가능한 억제제를 사용해 정확한 위치에만 막이 자라도록 합니다. 또한 반복 사용해도 다시 처리할 수 있는 재생 공정도 함께 소개합니다.
이 논문은 티타늄과 이산화티타늄으로 이루어진 특별한 막을 레이저로 구멍을 뚫고 얇은 막을 입혀서 만드는 방법을 소개합니다. 이렇게 만든 막은 태양빛을 이용해 물을 수소와 산소로 나누는 실험에 더 효과적으로 쓰일 수 있습니다. 즉, 태양광으로 깨끗한 에너지를 만드는 데 도움이 되는 새로운 재료 제작법을 연구한 논문입니다.
이 논문은 태양전지에서 빛을 흡수하는 특별한 반도체(CuGaSe2 계열) 위에 얇은 산화물 막을 원자층증착(ALD)으로 입힐 때, 공정 조건이 그 계면의 화학 구조에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. ALD 조건을 바꾸면 아연-주석 산화물 막의 성분과 계면 특성이 달라져 태양전지 성능에 영향을 줄 수 있습니다. 태양전지의 효율을 높이기 위한 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 실리콘 질화막(SiN)을 아주 높은 주파수(162MHz)의 플라즈마를 이용해 얇게 쌓는 방법을 연구했어요. 두 가지 다른 재료(아미노실란)를 사용해서 어떻게 막이 만들어지는지 비교했습니다. 반도체를 만들 때 중요한 얇은 막 기술이에요.
이 논문은 얇은 2차원 반도체 재료 위에 아주 얇은 막을 씌울 때 플라즈마가 재료를 손상시키는 문제를 다룹니다. 플라즈마 원자층증착(PEALD) 공정 조건을 최적화해서 손상을 줄이는 방법을 연구했습니다. 이를 통해 더 좋은 성능의 반도체 소자를 만들 수 있습니다.
이 논문은 100도라는 낮은 온도에서 플라즈마를 이용한 원자층 증착법으로 실리콘 질화막을 만드는 연구입니다. 어떤 원료 물질을 쓰느냐에 따라 막의 결합 구조가 달라지고, 이것이 수분과 수소를 막아주는 성질에 어떻게 영향을 주는지 알아냈습니다. 반도체나 디스플레이를 보호하는 얇은 막을 더 잘 만드는 방법을 찾는 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 기술로 인듐아연산화물(InZnO)이라는 특별한 재료를 얇게 쌓아서 3차원 나노 반도체를 만드는 방법을 다룹니다. 이 재료는 특정 방향으로 결정이 잘 정렬되어 성능이 좋아진다고 합니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만 제목만으로도 반도체 소재 연구임을 알 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)으로 산화몰리브덴 얇은 막을 낮은 온도에서 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 막은 수소 가스를 감지하는 센서로 사용할 수 있습니다. 낮은 온도에서 만들 수 있어서 다양한 소재 위에 적용하기 쉽습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)으로 만든 산화알루미늄(Al2O3) 얇은 막이 전기화학적인 환경에서 얼마나 안정적인지 다시 살펴본 연구입니다. 이 막은 물질을 보호하는 방어막 역할을 하는데, 그 성능이 실제로 오래 유지되는지 확인하는 것이 목표입니다. 초록이 없어 자세한 실험 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 기술로 2차원 유리막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 유리막은 다른 물체에 붙지 않고 스스로 서 있을 수 있는 특이한 형태입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 기술로 아주 얇은 막(멤브레인)을 만들거나 개선하는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 막은 물을 깨끗하게 하거나 기체를 분리하는데 사용될 수 있습니다. 반도체나 디스플레이보다는 물 처리, 환경 기술 쪽에 가까운 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 빛을 이용해서 리튬 금속 배터리 성능을 좋게 만드는데 쓰입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 입히는 기술을 이용해서 플라스틱(폴리머) 표면을 처리하면 접착력이 얼마나 좋아지는지 연구한 것입니다. 표면을 특별하게 코팅하면 두 부품이 더 잘 붙는다는 내용을 다룹니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)과 기체상 실란화 공정을 이용해 표면에 티올기를 붙인 흡착제를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 흡착제는 중금속 이온을 제거하는 데 사용할 수 있습니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 환경정화용 소재에 관한 연구입니다.
이 논문은 TiN 전극 위에 HfO2라는 얇은 절연막을 특별한 방법(하이브리드 반응물)으로 쌓는 기술을 다룹니다. 이렇게 만든 막은 MIM 커패시터라는 작은 전자부품의 성능을 좋게 만들어줍니다. 반도체 메모리 소자에 쓰일 수 있는 중요한 공정 연구입니다.
이 논문은 산화주석(SnOx)이라는 물질을 얇게 쌓아서 트랜지스터를 만드는 연구예요. 열을 이용한 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 얇은 막을 만들었어요. 이렇게 만든 트랜지스터는 성능이 아주 좋았다고 해요.
이 논문은 스퍼터링 방식으로 원자층을 아주 얇게 쌓는 공정(스퍼터 기반 원자층 증착)의 조건들을 바꿔가며 모델로 연구한 것입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 제목으로 보아 장비 설정과 공정 변수를 다루는 연구로 보입니다. 반도체나 박막 코팅 기술에 활용될 수 있는 내용입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착법)라는 정밀한 방법으로 아주 얇은 지르코늄 산화물(ZrO2) 막을 만드는 실험을 다룹니다. 특별한 지르코늄 재료와 물을 사용해서 특이한 결정 구조(orthorhombic)를 가진 막을 만들었습니다. 이런 얇은 막은 반도체 칩을 만들 때 중요한 재료로 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 열에 강한 새로운 지르코늄(Zr) 원료 물질을 사용해서 고온에서도 안정적으로 ZrO2라는 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 막은 전기적 성질(절연 특성)이 더 좋아져서 반도체 부품에 활용될 수 있습니다. 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 공정 기술을 사용했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 알루미늄 산화막(Al2O3)을 만들 때, 산소를 공급하는 재료로 알코올을 사용하는 새로운 방법을 연구했습니다. 이렇게 하면 반도체 등 다양한 전자소자에 필요한 얇고 균일한 산화막을 더 효율적으로 만들 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만, 공정 방법 자체가 중요한 주제입니다.
이 논문은 은 나노선과 산화아연(ZnO) 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만들어 자외선을 감지하는 센서를 만드는 연구입니다. ALD는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓아 올리는 특별한 방법입니다. 이렇게 만든 막으로 자외선 빛을 잘 감지할 수 있는 센서를 개발했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇게 코팅하는 기술을 이용해 알루미나와 탄소나노튜브를 합쳐서 가볍고 전자파를 잘 흡수하는 재료를 만든 연구입니다. 이렇게 만든 재료는 가볍지만 마이크로파를 효율적으로 흡수할 수 있습니다. 반도체나 디스플레이보다는 전자파 차폐 재료 개발에 관련된 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 탄소 나노복합재료를 이용해 데칸산-테트라데칸올이라는 상변화 물질의 성질을 조절하고 개선하는 연구입니다. 상변화 물질은 열을 저장하고 방출하는 특수한 재료입니다. 이 연구는 반도체나 디스플레이 산업보다는 열 저장 재료 분야에 가깝습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 루테늄(Ru) 금속을 얇게 쌓는 방법을 연구했어요. 이 루테늄은 반도체 칩에서 구리 배선을 대체할 수 있는 새로운 재료로 주목받고 있어요. 어떻게 루테늄 막이 자라는지, 그 원리가 무엇인지 알아본 연구예요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 NiO(산화니켈)라는 물질의 얇은 막을 만들 때 온도를 최적화하는 연구입니다. NiO 막은 태양전지에서 전자를 잘 흐르게 도와주는 정공수송층 역할을 합니다. 적절한 온도를 찾아서 더 좋은 태양전지를 만드는 것이 목표입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 아주 얇은 황화주석(SnS) 막을 만드는 연구입니다. 주석 화합물(Sn(acac)2)과 황화수소(H2S) 가스를 사용해서 원자 단위로 얇게 쌓아 올립니다. 이 SnS 박막은 태양전지나 반도체 소자에 활용될 수 있는 재료입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 알루미늄 산화물(Al2O3) 절연 박막을 만들 때 산소를 공급하는 재료(산소 소스)를 어떻게 골라야 하는지 연구했습니다. 산소 소스 선택에 따라 박막의 품질과 성능이 달라질 수 있어 반도체 소자에 중요한 정보를 제공합니다. ALD 공정과 반응기 설계와 관련된 내용도 포함되어 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 낮은 온도에서 산화주석(SnOx) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 전기적으로 양쪽 성질(전자와 양공 모두 흐를 수 있는 특성)을 가질 수 있어 반도체 소자에 활용될 수 있습니다. 온도에 따라 막의 전기적 특성이 어떻게 변하는지 살펴봅니다.
이 논문은 컴퓨터 계산(DFT)을 이용해 게르마늄 텔루라이드라는 물질을 얇은 막으로 만들 때 어떤 게르마늄 원료 물질(전구체)을 쓰는 것이 좋은지 연구했습니다. 이 물질은 메모리 반도체에 사용될 수 있는 특별한 재료입니다. 실험 대신 컴퓨터 시뮬레이션으로 원료 물질의 반응을 미리 예측해본 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 기술로 InAlO(인듐-알루미늄 산화물) 박막을 만들어 트랜지스터를 만드는 연구입니다. ALD는 원자 하나씩 얇은 막을 쌓는 매우 정밀한 증착 방법입니다. 이 트랜지스터는 디스플레이나 반도체 소자에 쓰일 수 있는 얇은막 트랜지스터입니다.
이 논문은 열을 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 InHfZnO라는 특수한 산화물 박막을 만들어 트랜지스터를 제작한 연구입니다. 이렇게 만든 트랜지스터는 안정성이 매우 뛰어나다는 것을 보였습니다. 디스플레이 등에 쓰이는 반도체 소자 성능을 높이는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)으로 산화구리(CuO) 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 CuO 막이 빛과 전기적으로 어떤 특성을 가지는지 알아봤습니다. 반도체나 광전자 소자에 쓰일 수 있는 재료 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 산화하프늄(HfO2)이라는 얇은 막을 만들 때, 수증기를 뿌리는 시간(펄스 시간)이 막의 성질에 어떤 영향을 주는지 컴퓨터로 모델링한 연구입니다. 산화하프늄은 반도체 소자에서 매우 중요한 절연 물질로 쓰입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목만으로도 반도체 공정 연구임을 알 수 있습니다.
이 논문은 니켈옥사이드라는 얇은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만드는 연구입니다. NiCp2와 오존 가스를 재료로 사용해서 막을 어떻게 키우는지 살펴봤어요. 이 막은 색이 변하는 전기변색(스마트 창문 등) 기술에 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착) 방법으로 얇은 산화아연(ZnO)막과 알루미늄을 조금 넣은 산화아연(Al-doped ZnO)막을 만들어 투명한 발열체로 사용하는 연구입니다. 이 얇은 막은 전기가 통하면 열을 내는 히터 역할을 합니다. 반도체와 디스플레이 소자에 쓰일 수 있는 중요한 재료 기술입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)으로 GaN 위에 아주 순수한 AlN 결정 박막을 낮은 온도에서 만드는 방법을 다룹니다. AlN은 반도체 소자에 중요한 재료이고, 낮은 온도에서 깨끗하게 만드는 기술이 핵심입니다. 반도체 제작 공정에 활용될 수 있는 연구입니다.
이 논문은 TiO2라는 얇은 막을 ALD라는 방법으로 100도에서 300도까지 다양한 온도에서 만들어 보았습니다. 온도에 따라 막이 얼마나 빨리 자라는지, 불순물이 얼마나 섞이는지, 표면 모양이 어떻게 변하는지를 자세히 조사했습니다. 이를 통해 좋은 품질의 얇은 막을 만드는 최적의 온도 조건을 찾으려 했습니다.
이 논문은 사파이어 기판 위에 갈륨산화물(Ga2O3)이라는 반도체 재료를 플라즈마를 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 낮은 온도에서 만드는 연구입니다. 특히 순수한 엡실론 결정 구조를 얻는 성장 조건과 계면 특성을 분석했습니다. 반도체 소재 개발에 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 SiC라는 특별한 기판 위에 GaN이라는 반도체 물질을 얇게 쌓는 방법을 연구했어요. GaN 막이 어떤 방식으로 자라나는지(성장 모드) 알아보는 것이 핵심 내용이에요. 이는 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기초 연구예요.
이 논문은 열 원자층증착(ALD) 방법으로 코발트 얇은 막을 만드는 과정을 연구했습니다. 만들어진 코발트 막의 성질과, 이를 이용해 실리사이드라는 물질을 만드는 과정도 함께 살펴봤습니다. 반도체를 만드는 데 필요한 중요한 기술을 다룬 연구입니다.
이 논문은 쌀겨에서 얻은 다공성 탄소 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 막을 입혀서 전자파를 잘 흡수하도록 만드는 연구입니다. ALD라는 정밀한 코팅 기술을 이용해 재료 표면의 성질을 조절할 수 있음을 보여줍니다. 이를 통해 전자파를 효과적으로 없애는 새로운 재료를 만들 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)과 집속 이온빔(FIB) 기술을 이용해 X-ray 현미경에 쓰이는 특수 렌즈인 다층 프레넬 영역판을 만드는 방법을 다룹니다. 이 렌즈는 매우 가는 빛을 모아 작은 물체를 자세히 볼 수 있게 도와줍니다. 초록이 없어 구체적인 재료나 공정 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 상온에서 산화아연(ZnO) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 ZnO 막이 빛을 받아 오염물질을 분해하는 광촉매 성질을 가지는지 살펴봅니다. 반도체나 디스플레이보다는 재료의 기본 성질을 연구하는 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 만든 얇은 막을 이용해 저항변화메모리(RRAM)를 만드는 방법을 정리한 리뷰입니다. ALD는 아주 작은 크기(10nm 이하)의 메모리를 정밀하게 만들 수 있어서 중요하다고 설명합니다. 다양한 산화물과 질화물 재료, 전극 제작 방법, 그리고 앞으로의 발전 방향도 함께 소개합니다.
이 연구는 200mm 크기의 큰 유리판과 실리콘 웨이퍼 위에 아주 얇은 MoS2라는 특수한 물질을 균일하게 입히는 방법을 개발했습니다. 플라즈마를 이용한 원자층 증착이라는 정밀한 방법을 사용해서 낮은 온도에서도 좋은 품질의 막을 만들 수 있었습니다. 이 기술은 미래에 휘어지는 전자기기나 대량생산에 활용될 수 있는 중요한 발전입니다.
이 논문은 반도체 구리 배선의 접착층으로 쓰이는 탄탈럼(Ta) 얇은 막을 새로운 방법으로 만드는 연구입니다. 기존 방식은 부식되기 쉬웠는데, 유기금속 전구체와 플라즈마 원자층증착법을 이용해 할로겐 불순물 없는 무정형 탄탈럼 막을 만들었습니다. 이 막은 좁은 회로 구조에도 고르게 잘 덮여서 반도체 성능 향상에 도움이 됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 방법으로 만든 필름이 저항변화메모리(RRAM)라는 컴퓨터 기억장치에 어떻게 쓰이는지 다룹니다. ALD 공정으로 만든 재료의 특성이 메모리 소자 성능에 영향을 준다는 내용입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만 반도체 메모리 소자와 관련된 중요한 주제입니다.
이 논문은 대기압에서 얇은 막을 균일하게 쌓는 특별한 ALD 장비를 새로 만든 이야기입니다. 로봇 팔처럼 움직이는 부품과 센서로 간격과 기울기를 자동으로 맞춰서 막의 두께 차이를 8%에서 2%로 줄였습니다. TiO2라는 물질로 실험해서 이 장비가 잘 작동하는지 확인했습니다.
이 논문은 새로운 코발트 화합물을 이용해 원자층/분자층 증착(ALD/MLD)으로 코발트-유기물 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 세 가지 유기물 재료를 비교해서 어떤 것이 더 안정적인지 알아냈고, 그중 하나를 열처리해서 다공성 산화코발트(CoO) 박막을 만들었습니다. 이는 새로운 종류의 얇은 막 소재를 만드는 화학적 방법을 제시한 연구입니다.
이 논문은 빛에 약한 약을 보호하기 위해 유리병 표면에 TiO2와 SiO2를 얇게 겹겹이 쌀는 새로운 방법을 소개해요. 예전에는 유리에 무거운 금속을 섞어 색을 냈지만, 이 방법은 특정 빛만 막아주면서도 안이 잘 보이게 해줘요. 그래서 불순물 검사도 투명한 병처럼 잘 되었대요.
이 논문은 칼륨 이온 배터리의 성능을 높이기 위해 탄소나노튜브 전극 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 알루미늄 산화막(Al2O3)을 입히는 연구입니다. 이 얇은 막 덕분에 배터리의 초기 효율과 수명, 성능이 크게 좋아졌습니다. 배터리 소재 분야에 특화된 연구로 반도체나 디스플레이 등과는 직접적 관련이 적습니다.
이 논문은 특정 화학물질(알데하이드)을 이용해 원하는 곳에만 루테늄이라는 금속 얇은 막을 씌우는 새로운 방법을 연구했습니다. 이 기술은 원자층 증착이라는 아주 정밀한 방법으로 반도체를 만들 때 사용됩니다. 반도체 칩을 더 작고 정교하게 만드는 데 도움이 되는 중요한 연구입니다.
이 논문은 루테늄이라는 금속을 원하는 부분에만 얇게 쌓는 새로운 방법을 연구했습니다. 짧은 화학 물질을 이용해서 특정 표면에만 붙게 만들어 정밀하게 막을 만드는 기술입니다. 이 기술은 반도체를 더 작고 정밀하게 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 구리 배선(금속 배선) 공정을 개선하기 위해 루테늄(Ru)과 산화아연(ZnO)이라는 두 가지 얇은 막을 특정 부분에만 선택적으로 쌓는 방법(원자층 증착, ALD)을 연구했습니다. 이렇게 하면 반도체 칩 안에서 구리가 더 잘 붙고 성능이 좋아질 수 있습니다. 반도체 제작 공정에서 중요한 기술입니다.
이 논문은 반도체 회로를 만들 때 원하는 곳에만 루테늄(Ru) 금속 박막이 자라도록 하는 정밀한 증착 기술을 연구했어요. 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇고 매끈한 루테늄 막을 만들고, 원하지 않는 곳에 생기는 결함(불량 입자)을 줄이는 방법을 찾았습니다. 마지막으로 이 기술을 실제 3차원 반도체 구조에 적용해 성공적으로 시연했습니다.
이 논문은 태양전지의 한 종류인 페로브스카이트 태양전지를 만들 때 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술을 어떻게 활용하는지 정리한 리뷰 논문입니다. ALD를 이용하면 태양전지의 결함을 줄이고, 습기를 막아 오래 사용할 수 있게 하며, 효율을 높일 수 있다고 설명합니다. 앞으로 이 기술이 태양전지 발전에 어떻게 더 쓰일 수 있는지도 이야기합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 하프늄지르코늄산화물(HZO) 박막에 이트륨(Y)을 도핑해서 성질을 좋게 만드는 연구입니다. 열처리 없이도 강유전성이 잘 나타나고, 전기적 특성과 내구성이 좋아져서 메모리 반도체 소자에 쓸 수 있다는 것을 보여줬습니다. 특히 Y 도핑 횟수를 조절하면 원하는 성질을 얻을 수 있다는 것이 중요한 발견입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 HfO2라는 얇은 막을 여러 기판 위에 만들어 그 구조와 결함을 연구했습니다. 인듐을 조금 섞은 기판을 쓰면 막이 결정질로 바뀌는 것을 발견했고, 막 속의 전자를 가두는 결함(트랩)의 위치와 양을 조절하는 방법도 알아냈습니다. 이런 연구는 더 좋은 반도체 소자를 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 강유전체 메모리에 쓰일 수 있는 HZO(하프늄지르코늄산화물) 얇은 막을 두 가지 원자층증착(플라즈마) 방법으로 만들어 비교했습니다. 직접 플라즈마 방식은 처음엔 성능이 좋지만 온도가 오르면 빨리 나빠지고, 원격 플라즈마 방식은 낮은 온도에서 반복 사용해도 오래 견딘다는 것을 알아냈습니다. 이를 통해 차세대 메모리 소자에 적합한 제작 방법을 제안했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 산화아연(ZnO) 얇은 막을 태양전지에 씌우는 실험을 했어요. 증착 온도를 다르게 해봤더니 300도에서 만든 막이 가장 매끈하고 결정이 잘 자라서 태양전지 효율이 가장 좋았어요(4.63%). 즉, 온도 조절이 태양전지 성능을 높이는 중요한 열쇠라는 걸 보여줬어요.
이 연구는 반도체 제작 시 특정 부분에만 얇은 막을 쌓는 기술(선택적 원자층 증착)을 도와주는 화학물질을 찾는 실험입니다. 벤조산과 그 변형 물질들이 막이 쌓이지 않게 막아주는 역할을 잘 한다는 것을 밝혔습니다. 특수 적외선 현미경으로 분자들이 어떻게 배열되는지 자세히 관찰했습니다.
이 논문은 반도체 칩을 만들 때 특정 부분에만 얇은 막을 입히는 '영역선택 원자층증착(AS-ALD)' 기술을 연구했습니다. 스테아르산이라는 물질을 특수 코팅으로 사용해서 금속 위에 원치 않는 막이 자라는 것을 막을 수 있는지 확인했습니다. 특수 현미경(AFM-IR)으로 관찰한 결과, 이 코팅은 증착 과정에서 사라지지 않고 화학적 결합 방식만 바뀐다는 것을 발견했습니다.
원자층증착(ALD)으로 얇은 산화알루미늄과 산화이트륨을 번갈아 쌓고 에르븀을 넣어 빛을 내는 반도체 소자를 만들었습니다. 산화이트륨 얇은 층을 추가하면 빛의 효율이 훨씬 좋아졌습니다. 이 빛은 전자가 부딪혀서 에르븀을 흥분시켜 나오는 것입니다.
이 논문은 산화아연(ZnO)이라는 반도체 물질에 인이나 안티몬 같은 원소를 이온주입해서 p형(양전하 운반자) 반도체로 만드는 연구입니다. 인을 넣으면 안정적인 p형이 되지만 안티몬을 넣으면 n형이 되고 금속 덩어리가 생긴다는 것을 발견했습니다. 이는 다양한 광전자 소자 응용에 중요한 발견입니다.
이 논문은 그래핀 위에 얇은 알루미늄 질화물(AlN) 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 쌓는 연구입니다. 증착 횟수가 늘어날수록 막이 더 균일하고 결정처럼 잘 정렬되며, 그래핀에 있던 스트레스도 줄어드는 것을 확인했습니다. 또한 이 AlN 막이 그래핀 기반 전자소자에 좋은 절연막(게이트 유전체)이 될 수 있음을 보였습니다.
이 논문은 철 화합물을 이용해 산화철 얇은 막을 두 가지 방법(열 원자층증착과 플라즈마 원자층증착)으로 만들어 비교했습니다. 플라즈마를 이용한 방법으로 만든 막이 표면이 더 매끄럽고 결정 상태도 더 좋았습니다. 또한 좁고 깊은 홈 모양의 구조에서도 막이 얼마나 고르게 덮이는지도 확인했습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법으로 유리 표면에 반사를 줄여주는 불화알루미늄(AlF3) 코팅막을 만드는 연구입니다. 위험한 불산 대신 안전한 재료를 사용하고, 플라즈마를 쏘는 시간을 조절해서 불순물이 적고 매끄러운 막을 만들었습니다. 그 결과 유리의 빛 투과율이 97.6%까지 좋아졌습니다.
이 연구는 알루미늄 산화막(Al2O3)을 얇게 쌓는 ALD 공정에서 보통 쓰는 물 대신 '플라즈마로 활성화시킨 물(PAW)'을 사용해보았습니다. 그 결과 막이 더 빨리, 더 깨끗하게, 더 좋은 품질로 자라나는 것을 발견했습니다. 연구팀은 이 새로운 방법을 'PAW-ALD'라고 이름 붙였습니다.
이 연구는 원자층증착(ALD) 기술로 알루미늄이 조금 섞인 하프늄지르코늄 산화물 박막을 만들어 에너지를 잘 저장하는 커패시터를 만들었어요. 이 커패시터는 에너지를 많이 저장하면서도 효율이 매우 높고, 여러 번 반복 사용해도 성능이 잘 유지되며 뜨거운 온도에서도 잘 견뎌요. 반도체 칩에 바로 붙여 쓸 수 있어서 앞으로 전자기기에 유용하게 쓰일 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 TiO2와 Al2O3라는 두 가지 재료를 얇은 층으로 쌓아 벌집 모양 구조(역오팔)를 만든 연구입니다. 열을 이용한 방법과 플라즈마를 이용한 방법으로 각각 만들어서 어떤 방법이 빛을 이용해 오염물질을 분해하는 능력(광촉매)이 더 좋은지 비교했습니다. 결과적으로 열로 만든 방식이 더 질서있는 구조를 가져서 광촉매 성능이 더 좋았습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 새로운 니켈 전구체를 이용해 산화니켈 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 막은 물을 분해해 산소를 만드는 반응(산소 발생 반응)에서 좋은 촉매 성능을 보였습니다. 새로운 전구체와 오존을 사용해 넓은 온도 범위에서 일정하게 막을 만들 수 있음을 보여줬습니다.
이 논문은 신경 전극에 쓸 수 있는 IrO2라는 산화물 박막을 플라즈마를 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 새로운 공정을 소개합니다. 만들어진 IrO2 막의 구조와 전기화학적 특성을 분석해서, 신경 신호를 자극하고 기록하는 전극 소재로 뛰어나다는 것을 확인했습니다. 이 재료는 생체적합성이 좋고 전하를 잘 전달할 수 있어 뇌-기계 인터페이스 같은 분야에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 탄탈럼 기반의 얇은 막(TaN, TaOx 등)을 만들어 철 표면을 녹슬지 않게 보호하는 연구입니다. 여러 종류의 막을 만들어 표면 상태와 부식 저항성을 비교했습니다. 그 결과 TaOxNγ 막이 가장 부식에 강한 것으로 나타났습니다.
이 논문은 원자층 증착법(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 SnO2라는 물질을 얇게 쌓아서 태양전지의 전자를 잘 이동시키는 층을 만드는 연구입니다. 이 층을 잘 조절하면 태양전지의 성능이 더 좋아진다는 내용을 다룹니다. 페로브스카이트 태양전지 효율을 높이는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 주석-납 페로브스카이트 태양전지를 오래 쓸 수 있도록 보호막을 씌우는 연구입니다. 낮은 온도에서 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 Al2MgO4 막을 입혀서 태양전지가 더 안정적으로 작동하게 만들었습니다. 이렇게 하면 태양전지가 공기나 습기에 덜 상해서 오래 쓸 수 있습니다.
이 논문은 태양전지의 한 종류인 페로브스카이트 태양전지를 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 더 좋게 만드는 연구입니다. 표면을 보호하는 처리(패시베이션)를 함께 적용해서 태양전지의 구조를 개선했습니다. 태양전지 성능을 높이는 새로운 제작 방법을 다룬 논문입니다.
이 논문은 아주 작은 반도체 부품을 만들 때 원하는 곳에만 정확히 막을 씌우는 특별한 방법(선택적 원자층 증착)을 연구했어요. 표면의 화학적 성질을 조절해서 스스로 정렬되며 자라나게 만드는 기술이에요. 이렇게 하면 반도체를 더 작고 정밀하게 만들 수 있어서 무어의 법칙을 계속 이어갈 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술이 페로브스카이트 태양전지를 만드는 데 어떻게 도움이 되는지 설명합니다. ALD 장비와 공정 조건을 이용해 태양전지 성능을 높이는 방법을 다룹니다. 태양전지 분야에 속하고 공정과 장비가 핵심 주제입니다.
이 논문은 MoS2라는 얇은 반도체 물질 위에 표면 처리를 해서 금속 산화물을 원자층 단위로 아주 얇게 쌓는 방법을 연구했어요. 이렇게 하면 반도체 소자를 만들 때 필요한 얇고 균일한 막을 잘 만들 수 있어요. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술이 핵심이에요.
이 논문은 알루미늄 대신 쓸 수 있는 불화알루미늄(AlF3) 코팅을 원자층증착(ALD)으로 만드는 방법을 다룹니다. 작은 웨이퍼 크기와 큰 미터 크기 장비에서 만든 코팅을 비교해서, 먼 자외선 빛을 잘 반사하는 거울 보호막으로 얼마나 잘 작동하는지 살펴봤습니다. 우주 망원경 거울 같은 데 쓸 수 있는 코팅 기술을 연구한 내용입니다.
이 논문은 은거울을 보호하기 위해 산화알루미늄 코팅을 원자층증착(ALD)으로 얇게 입히는 연구입니다. 산소 공급원으로 물을 쓸 때와 고순도 오존을 쓸 때, 저온에서 만든 코팅이 오래 견디는지 비교했습니다. 어떤 방법이 은거울을 더 오래 보호하는지 알아보는 실험입니다.
이 논문은 산화물 반도체를 원자층 증착(ALD)으로 만들어 차세대 메모리 소자에 쓰는 방법을 정리한 리뷰입니다. ALD로 얇은 막을 잘 쌓는 원리와 재료 설계 방법(원소 선택, 결정성 조절 등)을 설명합니다. 또한 접촉저항, 수소 불안정성 같은 문제점과 해결 방향도 함께 다룹니다.
이 논문은 리튬이온 배터리의 실리콘 전극이 부피가 많이 변하고 불안정해지는 문제를 해결하기 위해 원자층증착(ALD)과 분자층증착(MLD) 기술을 사용하는 방법을 정리한 리뷰입니다. 실리콘 표면에 얇고 안정적인 막을 입혀서 구조를 튼튼하게 하고, 전기가 잘 통하도록 돕는 방법들을 설명합니다. 앞으로의 연구 방향도 제안합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 아주 얇은 TiO2 막을 트랜지스터(HEMT) 위에 입혀서 성능을 좋게 만드는 연구입니다. TiO2를 씌우면 전류가 새는 것을 줄이고 전기가 더 잘 흐르게 도와줍니다. 결과적으로 반도체 소자를 더 안전하고 효율적으로 만들 수 있음을 보여줍니다.
태양전지 안에 아주 얇은 MgO 막을 저온 원자층증착법으로 넣어서 습기에 강하게 만들었어요. 이 방법으로 전지가 물기를 잘 견디고 효율도 22.74%로 아주 높아졌어요. 오랫동안(7200시간) 습한 곳에 두어도 성능이 크게 떨어지지 않았습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 산화주석(SnO2) 보호막을 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 산소 전구체를 먼저 넣어주면 얇고 균일한 막이 만들어져서 태양전지의 효율과 안정성이 좋아집니다. 이 기술로 반투명 페로브스카이트 태양전지와 실리콘 탄뎀 태양전지의 성능을 크게 향상시켰습니다.
이 논문은 아연과 벤젠 다이싸이올이라는 재료를 원자층 증착 방법으로 아주 얇고 고르게 쌓는 새로운 기술을 소개합니다. 낮은 온도에서도 잘 붙고 안정적인 필름을 만들 수 있어서, 열에 약한 전자기기를 보호하는 막으로 쓸 수 있습니다. 특히 매우 깊고 좁은 구조에도 골고루 코팅되는 것을 실험으로 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 특이한 결정 구조나 산화 상태를 가진 물질을 만드는 방법을 정리한 리뷰입니다. 온도 조절, 기판 활용, 도핑 등 다양한 방법으로 불안정하지만 특별한 성질을 가진 물질을 안정적으로 만드는 전략을 설명합니다. 이런 기술은 반도체나 에너지 소자 등 다음 세대 기술 개발에 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 아주 작은 배터리를 만들기 위해 원자층증착(ALD) 기술로 리튬티타늄산화물(Li4Ti5O12) 얇은 막을 3D 구조 위에 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 배터리는 빠르게 충전해도 성능이 오래 유지되는 장점이 있습니다. 특히 얇은 산화알루미늄 막을 사이에 넣어서 결정화 시간을 줄이고 품질을 높였습니다.
이 논문은 3D 프린팅처럼 원하는 곳에만 산화아연(ZnO) 박막을 직접 그릴 수 있는 새로운 원자층 제조 기술을 소개합니다. 기존보다 안전하고 경제적인 재료(Zn(DMP)2)를 사용해서 200~250도에서 좋은 품질의 막을 만들었습니다. 이 기술로 실제 작동하는 트랜지스터도 만들어 성능을 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 이리듐(Ir)과 이리듐 산화물(IrO2) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 산소(O2)와 오존(O3)을 반응 재료로 써서 산화력에 따라 금속막이 되는지 산화막이 되는지가 달라지는 것을 보여줍니다. 반응 조건에 따라 막의 저항, 순도, 표면 성질이 어떻게 변하는지 설명하는 모델도 제안합니다.
이 논문은 게르마늄 산화막을 낮은 온도에서 얇고 균일하게 쌓을 수 있는 새로운 액체 원료 물질을 소개합니다. 이 물질은 안전하고 대량 생산이 가능하며, 온도와 플라즈마 시간을 조절해서 산화막의 성분을 원하는 대로 바꿀 수 있습니다. 반도체나 광학 소자 등에 활용될 수 있는 중요한 공정 기술입니다.
이 논문은 알루미늄 배터리의 부식을 막기 위해 플라즈마 원자층증착(PEALD) 방법으로 특수한 코팅막(AlPON)을 만드는 연구입니다. 온도에 따라 막의 성장 속도와 성분이 달라지는 것을 확인했습니다. 이 코팅막을 입히면 알루미늄이 물속에서 덜 부식되어 배터리 성능이 좋아진다는 것을 보여주었습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법을 이용해 텅스텐, 백금, 루테늄 세 금속을 원자 단위로 결합한 새로운 촉매를 만들었습니다. 이 촉매는 수소 연료전지에서 수소를 효율적으로 변환하면서도 일산화탄소에 의한 성능 저하를 잘 견디는 특징이 있습니다. 비싼 백금 사용량을 줄이면서도 성능을 크게 높인 것이 핵심입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 만든 산화물 반도체 트랜지스터를 다룹니다. 두 가지 ALD 공정을 섞어 만든 특수한 절연막을 사용해서 성능이 뛰어나고 수소에도 강한 트랜지스터를 만들었습니다. 이를 이용해 새로운 형태의 3차원 반도체 회로도 만들어 좋은 결과를 얻었습니다.
이 논문은 알루미늄 산화물로 만든 작은 구멍 모양 틀(AAO)과 원자층 증착(ALD) 기술을 함께 사용해서 아주 정교한 나노 구조물을 만드는 방법을 설명합니다. 구멍 모양, 표면 처리, 증착 조건을 조절하면 원하는 성질을 가진 재료를 만들 수 있다는 내용입니다. 에너지 저장, 촉매, 센서 등 다양한 분야에 활용될 수 있음을 소개합니다.
이 논문은 전고체 배터리에 쓰이는 황화물 고체전해질(LPSCl)을 보호하기 위해 원자층증착(ALD)으로 아주 얇은 알루미늄 산화막을 입히는 화학반응 원리를 밝혔습니다. 여러 분석 방법과 계산을 통해 코팅이 어떻게 표면과 반응하며 균일하게 자라는지 알아냈습니다. 이 연구 덕분에 배터리를 더 안정적으로 만들 수 있는 새로운 코팅 방법 개발에 도움이 됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 낮은 온도에서 바나듐 황화물이라는 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 얇은 막은 나노튜브 모양의 슈퍼커패시터(에너지를 저장하는 장치)를 만드는 데 사용됩니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목으로 봤을 때 새로운 재료 합성법을 소개하는 연구로 보입니다.
이 논문은 리튬이온배터리 양극재 표면에 아주 얇은 알루미늄 산화물(Al2O3) 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입힌 연구입니다. 이 막을 코팅하면 배터리가 더 오래 잘 작동하지만, 두께가 너무 두껍거나 얇으면 효과가 달라집니다. 다만 이 코팅막이 전해질과의 반응은 줄여도 양극재 내부의 열화까지는 막지 못한다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 바나듐황화물(VxSy) 얇은 막을 처음으로 만드는 방법을 소개합니다. 다양한 온도에서 막을 만들고 화학 성분을 자세히 분석했습니다. 이 막을 티타늄산화물 나노튜브에 입혀서 슈퍼커패시터(전기 저장 장치) 성능을 테스트했더니 성능이 더 좋아졌습니다.
이 논문은 특별한 코발트 화합물과 수소 가스를 이용해 원자층 하나씩 얇은 코발트 막을 쌓는 방법을 연구했습니다. 100도에서 코팅한 뒤 300도에서 다시 열을 가하면 불순물이 줄고 전기가 더 잘 통하는 좋은 코발트 막을 만들 수 있었습니다. 이는 컴퓨터 칩 속 구리 배선을 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 태양전지 성능을 높이기 위해 ALD(원자층 증착) 방법으로 아주 얇은 산화알루미늄과 산화주석 보호막을 만드는 연구입니다. 이 얇은 막이 실리콘과 투명전극 사이의 결함을 줄여서 전기가 더 잘 통하게 도와줍니다. 그 결과 태양전지의 효율을 22.95%까지 끌어올릴 수 있었습니다.
이 연구는 두 가지 방법(열 ALD와 플라즈마 ALD)으로 SiC 반도체 위에 산화알루미늄(Al2O3) 얇은 막을 만들어 성질을 비교했습니다. 플라즈마 방식으로 만든 막이 더 튼튼하고 전기가 덜 새며 절연 성능이 더 좋다는 것을 발견했습니다. 이는 반도체 소자를 더 잘 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 반도체 회로를 만들 때 원하는 곳에만 루테늄(Ru) 금속을 얇게 쌓는 새로운 방법을 연구했습니다. 실리콘 화합물로 만든 억제제를 이용해서 SiO2 표면에는 금속이 붙지 않게 막고, 텅스텐(W) 표면에만 정확하게 금속이 쌓이도록 했습니다. 그 결과 복잡한 사진 공정 없이도 정밀한 패턴을 만들 수 있음을 보여주었습니다.
이 논문은 니오븀 산화막을 얇게 코팅하는 원자층증착(ALD) 공정에서 서로 다른 두 가지 전구체(재료)를 비교했습니다. 리간드 구조에 따라 증착 속도와 열 안정성이 달라지며, 온도에 따른 막의 품질 차이를 분석했습니다. 결과적으로 빠른 성장과 넓은 공정 온도 범위 사이에는 트레이드오프가 있음을 밝혔습니다.
구멍이 많은 알루미늄 산화막(APA)에 원자층증착(ALD)으로 티타늄산화물(TiO2) 막을 얇게 코팅했습니다. 이렇게 하면 산성이나 염기성 용액에서도 막이 잘 녹지 않고 튼튼해집니다. 이 필터는 높은 온도로 굽지 않아도 되기 때문에 튼튼하면서도 화학적으로 안정한 여과막을 만들 수 있습니다.
이 논문은 GaN 반도체 위에 산화알루미늄(Al2O3)이라는 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 잘 입히는 방법을 연구했습니다. 이렇게 하면 GaN 반도체 소자의 전기적 성능이 더 좋아진다고 합니다. 반도체 소자를 만드는 중요한 공정 기술을 다루고 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 금속산화물 박막트랜지스터(TFT)를 만드는 최신 연구를 정리한 리뷰 논문입니다. ALD는 기존 스퍼터링 방식보다 더 정밀하게 반도체를 만들 수 있어 OLED TV 같은 디스플레이에 사용됩니다. 앞으로 더 좋은 디스플레이를 만들기 위한 두 가지 방법(조성비 조절, 새로운 구조 설계)을 소개합니다.
이 논문은 아주 작은 크기의 GaN 마이크로 LED 옆면을 ALD(원자층증착)로 보호막을 씌워서 빛을 더 잘 내도록 개선하는 방법을 연구했습니다. 옆면을 보호하면 전기적으로도, 빛을 내는 효율도 좋아지는 이유를 자세히 분석했습니다. 이는 디스플레이와 반도체 소자 성능 향상에 중요한 연구입니다.
이 논문은 아주 작은 마이크로 LED의 옆면 결함을 줄이는 방법을 연구했습니다. 수소와 암모니아 플라즈마로 표면을 먼저 처리한 뒤 산화알루미늄(Al2O3) 막을 얇게 입혀서, 전류 누설과 불량을 줄이는 데 성공했습니다. 이렇게 하면 작은 LED도 더 좋은 성능을 낼 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 기술로 InGaZnO라는 반도체 물질을 아주 잘 만드는 방법을 연구했어요. 이렇게 만든 트랜지스터는 전류가 잘 흐르고 성능이 뛰어났답니다. 앞으로 작은 3D 반도체를 만들 때 큰 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 인듐-갈륨 산화물(IGO)이라는 재료를 플라즈마 원자층 증착(PE-ALD) 방법으로 얇게 쌓아서 디스플레이용 트랜지스터를 만들었습니다. 갈륨과 인듐의 비율을 조절하면 전류가 잘 흐르고 안정적인 트랜지스터를 만들 수 있음을 보여줍니다. 특히 특정 비율에서는 전압을 계속 걸어도 성능이 거의 변하지 않는 매우 안정적인 소자를 얻었습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 기술로 산화물 반도체 트랜지스터를 만드는 방법을 소개해요. 금속 비율을 조절하고 층을 쌓는 구조를 새롭게 설계해서 성능과 안정성을 높였어요. 이렇게 만든 트랜지스터는 디스플레이에 사용될 수 있는 좋은 특성을 가지고 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 IGZO라는 특수 반도체 박막을 만들어 대형 OLED TV에 사용하는 트랜지스터 성능을 높이는 연구입니다. 공정 압력과 산소 비율을 조절해서 트랜지스터의 전기적 특성을 더 균일하고 안정적으로 만드는 방법을 찾았습니다. 이를 통해 디스플레이 제품의 품질과 생산성을 높일 수 있다고 설명합니다.
이 논문은 디스플레이 제조에 쓰이는 SiO2 박막을 원자층증착(ALD)으로 만들 때 속도가 느려서 생기는 문제를 해결한 연구입니다. 공정 조건과 원료물질(전구체)을 최적화해서 증착 속도를 29%나 빠르게 만들었습니다. 이를 통해 공장에서 더 빠르게 생산할 수 있게 되었습니다.
플라즈마를 이용한 원자층증착법(PEALD)으로 유리 위에 실리콘 산화막을 만들었습니다. 이 막은 튼튼해서 고성능 산화물 트랜지스터의 보호막으로 쓸 수 있습니다. 디스플레이용 트랜지스터 성능을 높이는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 GaN 반도체 트랜지스터(MOSFET)의 성능을 높이기 위해 AlN이라는 얇은 막을 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 만들어 끼워넣는 연구입니다. 이렇게 하면 전기적 분극 특성을 조절할 수 있어 반도체 소자 성능이 좋아집니다. 재료(AlSiO, AlN, GaN)와 공정(PEALD)이 핵심 주제입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술을 설명합니다. 여러 재료(알루미늄산화물, 티타늄산화물, 하프늄지르코늄산화물 등)를 ALD로 만드는 방법과 그 특징을 정리했습니다. 이런 기술은 앞으로 전자 소자를 더 잘 만드는 데 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다.
이 논문은 마이크로파 원격 플라즈마 장치를 이용해 인듐산화물(In2O3) 얇은 막을 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 이 방법으로 만든 막은 표면이 매끄럽고 전자가 잘 움직여서 트랜지스터 성능이 좋아졌습니다. 기존 방식보다 전자 이동 속도가 훨씬 빨라진 것을 확인했습니다.
이 논문은 다이아이오도실란이라는 재료를 이용해 실리콘 질화막이라는 얇은 막을 원자층 증착 방식으로 만드는 방법을 연구했습니다. 기판에 전기적인 힘(바이어스)을 다르게 주면서 막의 성질이 어떻게 변하는지 살펴봤습니다. 이는 반도체를 만드는 데 중요한 공정 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 루테늄(Ru)과 알루미늄이 섞인 산화티타늄(TiO2)을 얇게 쌓아 실리콘 커패시터를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 커패시터는 성능이 더 좋아진다고 합니다. 이는 컴퓨터 메모리 소자에 활용될 수 있는 중요한 기술입니다.
이 논문은 비싼 인듐을 사용하지 않고 아연, 주석, 알루미늄으로 만든 산화물 반도체 박막트랜지스터를 연구했습니다. 플라즈마 강화 원자층증착(PEALD)이라는 특수한 방법으로 얇은 막을 만들었습니다. 이는 디스플레이에 사용되는 반도체 소자를 더 저렴하게 만들 수 있는 기술입니다.
이 논문은 그래핀이라는 얇은 탄소막 위에 산화알루미늄(Al2O3)이라는 얇은 막을 잘 붙이는 방법을 연구했어요. 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법을 사용했고, 중간에 얇은 층을 미리 깔아서 접착력을 높였어요. 이는 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기술이에요.
이 논문은 마그네슘과 인듐으로 이루어진 특수한 산화물 막을 아주 얇게 쌓는 방법(원자층 증착)을 연구했어요. 재료의 성분 비율을 조절해서 결정 구조를 더 좋게 만들어 트랜지스터 성능을 높였답니다. 이는 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있는 중요한 기술이에요.
이 논문은 4H-SiC 반도체 위에 알루미늄 산화물과 알루미늄 질화물을 원자층 증착(ALD) 방법으로 얇게 쌓아 절연막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 절연막은 반도체 소자를 보호하고 전기가 새지 않도록 막아주는 역할을 합니다. 반도체용 절연막 제작 공정을 다루기 때문에 중요한 연구입니다.
이 논문은 페로브스카이트 광검출기에 쓰이는 전자수송층을 만들 때, 기존의 원자층증착(ALD) 대신 스퍼터링이라는 방법으로 산화주석(SnOx) 박막을 만드는 연구입니다. 스퍼터링은 더 빠르고 간단하게 얇은 막을 만들 수 있는 장점이 있습니다. 이를 통해 빛을 감지하는 센서 소자의 성능을 개선하려고 합니다.
이 논문은 특별한 실리콘 화합물과 질소 플라즈마를 이용해서 아주 얇은 산화질화규소 막을 만드는 방법을 연구했어요. 수소가 없는 재료를 써서 더 좋은 막을 만들 수 있는지 살펴봤어요. 이런 얇은 막은 반도체를 만드는 데 중요하게 쓰여요.
이 논문은 플라즈마를 이용해 실리콘 질화막(SiN)을 아주 얇게 쌓는 방법을 연구했어요. 특별한 원료 물질(BDEAS)과 질소 플라즈마를 사용해서 막을 만들었어요. 이런 기술은 반도체 칩을 만드는 데 중요하게 쓰여요.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 하프늄을 넣은 인듐아연산화물(InZnO) 얇은 막을 만들어 트랜지스터를 만든 연구입니다. 하프늄의 양을 조절해서 트랜지스터의 성능을 원하는 대로 바꿀 수 있다는 것을 보여줍니다. 디스플레이나 반도체 소자에 쓰일 수 있는 새로운 박막 트랜지스터 기술입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 VO2라는 특수한 얇은 막을 만드는 연구예요. 이 막은 전기 저항이 크게 바뀌는 특징(스위칭)이 있어서 센서나 전자소자에 쓸 수 있어요. 연구팀은 저항이 잘 바뀌는 비율을 높이는 방법을 찾았어요.
이 논문은 ALD(원자층 증착) 방법으로 SrTiO3 기판 위에 BaTiO3라는 특수한 물질을 얇게 쌓는 연구입니다. 증착하면서 동시에 결정 구조가 만들어지도록(in-situ 결정화) 했고, 그 결과 얇은 막에 변형(strain)이 생기게 됩니다. 이는 강유전체 등 기능성 재료 연구에 도움이 됩니다.
이 논문은 La을 넣은 특별한 산화물 박막을 아주 얇게 쌓는 방법(원자층 증착)을 다룹니다. 이 박막은 전기를 저장하는 능력이 아주 뛰어나서 메모리와 논리 반도체 소자에 쓰일 수 있습니다. 특히 유전율이 예상보다 훨씬 높아진 것이 특징입니다.
이 논문은 알루미늄과 몰리브덴이 섞인 산화막을 원자층 하나씩 쌓는 방법(ALD)으로 만드는 연구입니다. 특별한 화학물질 세 가지(트리메틸알루미늄, 몰리브덴 화합물, 물)를 사용해서 아주 얇고 균일한 막을 만듭니다. 이런 기술은 반도체 칩을 만드는 데 중요하게 쓰입니다.
이 논문은 CIGS 태양전지의 성능을 높이기 위해 K2S라는 재료를 원자층증착(ALD) 방식으로 얇게 입혀주는 새로운 방법을 소개합니다. 기존의 액체를 쓰는 방법 대신 모두 건식(드라이) 공정으로 처리해서 공장에서 대량 생산하기 쉽게 만든 것이 특징입니다. 이 기술은 태양전지를 더 잘, 더 많이 만들 수 있게 도와줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 인듐-갈륨 산화물(IGO)을 얇게 쌓아서 만드는 박막트랜지스터에 대한 리뷰입니다. ALD는 아주 얇고 균일한 막을 낮은 온도에서도 정밀하게 만들 수 있는 방법입니다. 이 기술로 전자이동도가 좋고 안정적인 고성능 트랜지스터를 만들 수 있다는 내용을 다룹니다.
이 논문은 아주 깊고 좁은 구멍(실리콘 관통 전극, TSV)에 구리 씨앗층을 아주 얇고 균일하게 입히는 원자층 증착(ALD) 기술을 다룹니다. 이 기술은 반도체 칩을 쌓아서 연결하는 3D 반도체 패키징에 꼭 필요합니다. 구리가 구멍 벽 전체에 골고루 덮이게 만드는 것이 핵심 목표입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 공정이 일어나는 화학 반응 과정을 수학 공식으로 설명하는 연구입니다. 복잡한 계산 없이 답을 구할 수 있는 간단한 수식(해석해)을 만들어 ALD 공정을 더 쉽게 이해하도록 돕습니다. 초록이 없어 구체적인 재료나 장비 정보는 알 수 없습니다.
이 논문은 얇은 HfTiO라는 특수한 절연막을 플라즈마 도움을 받는 원자층 증착(PEALD) 방법으로 만들어 트랜지스터(TFT)에 사용한 연구입니다. 이 절연막이 트랜지스터 성능을 얼마나 잘 내고 오래 안정적으로 작동하는지 평가했습니다. 반도체와 디스플레이에 쓰이는 중요한 소자 기술을 다룹니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(PEALD)이라는 특수한 방법으로 실리콘(Si) 표면 위에 갈륨인(GaP)이라는 반도체 물질을 얇게 입히는 연구입니다. 표면이 울퉁불퉁하고 깊은 홈이 있어도 GaP가 골고루 잘 덮이도록 하는 기술을 다룹니다. 이런 기술은 미래 반도체 소자를 만드는 데 중요하게 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)로 만든 TiO2 얇은 막을 사용한 축전기의 전기적 성질을 좋게 만드는 방법을 연구했습니다. Ar과 O2 플라즈마를 이용한 특별한 처리(원자층 어닐링)를 해서 성능을 조절했습니다. 이 방법은 반도체 부품을 더 잘 만들기 위한 공정 기술입니다.
이 논문은 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 기술을 이용해 ZnGaO와 실리콘을 붙여 만든 자가발전형 자외선 센서의 성능을 높이는 연구입니다. 이 센서는 외부 전원 없이도 자외선을 감지할 수 있습니다. ALD 장비와 공정 조건을 활용해 소자의 성능을 개선했습니다.
이 논문은 낮은 온도에서 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미늄 산화막(Al2O3)을 얇게 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 코팅막이 탄소 찌꺼기가 잘 안 생기고 여러 번 재사용해도 성능이 유지되도록 조절하는 방법을 다룹니다. 코팅의 조건을 바꿔서 더 오래 쓸 수 있는 막을 만드는 것이 목표입니다.
이 논문은 인공지능을 이용해 TiO2 박막을 만드는 원자층 증착(ALD) 공정에서 성장 속도를 예측하는 방법을 다룹니다. TDMAT와 오존이라는 재료를 사용해 얇은 막을 쌓는 과정을 컴퓨터로 미리 계산해보는 연구입니다. 실제 실험 없이도 결과를 예측할 수 있게 도와줍니다.
이 논문은 3D 프린팅으로 만든 구멍이 많은 플라스틱 위에 얇은 무기물 막을 씌워서 공기나 습기를 막아주는 기술(원자층 증착, ALD)에 대한 연구입니다. 진공 상태에서 이 코팅이 어떻게 여러 단계로 작용하는지 이해하려는 내용입니다. 구체적인 재료 이름이나 실험 조건은 초록이 없어 알 수 없습니다.
이 논문은 원하는 곳에만 얇은 SiO2 막을 정확하게 쌓는 area-selective ALD 기술을 다룹니다. NH3 플라즈마로 표면을 미리 처리해서 SiNx에는 막이 자라지 않고 SiO2에만 잘 자라도록 만들었고, 층마다 반복 처리해서 막 품질도 좋게 만들었습니다. 이렇게 만든 SiO2는 불순물 없이 치밀하고 전기적 성질도 좋아서 반도체 소자에 유용합니다.
이 논문은 얇은 산화물 막(InSnZnO)을 이용해 트랜지스터를 만드는 연구입니다. 막의 두께를 바꾸면서 성능이 어떻게 달라지는지 실험했고, 두께 16nm일 때 가장 좋은 성능을 보였습니다. 이 재료는 투명 전자소자나 디스플레이에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 강유전체 물질인 HfZrO2 박막을 두 가지 다른 방법(열 ALD와 플라즈마 ALD)으로 만들었을 때 어떤 차이가 있는지 비교했어요. 전기 자극을 계속 주면 플라즈마로 만든 막이 더 빨리 성능이 나빠지고 산소 빈자리도 더 빨리 생긴다는 것을 발견했어요. 이는 메모리 소자를 만들 때 어떤 증착 방법이 더 오래 견디는지 알려주는 중요한 연구예요.
이 논문은 반도체 미세 패턴을 만들 때 쓰이는 특수한 산화막(주석-실리콘 산화물)을 얇게 쌓는 새로운 방법을 연구했습니다. 기존에 쓰던 오존 대신 물을 산화제로 사용해서, 패턴을 만드는 탄소막이 손상되지 않도록 했습니다. 그 결과 탄소막은 멀쩡했지만 산화막이 쌓이는 방식이 예상과 다르게 독특했다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 물에 잘 안 녹는 당뇨병 약(글리클라짓) 표면에 ALD 기술로 아주 얇은 실리콘산화막(SiO2)을 입히는 연구입니다. 코팅을 하면 약이 물을 잘 흡수하게 되어 훨씬 빨리 녹게 됩니다. 코팅 두께를 조절하면 약이 녹는 속도도 원하는 대로 조절할 수 있습니다.
이 글은 예전 논문의 잘못된 부분을 고치는 정정 안내문입니다. 초록이 없어서 구체적인 내용은 알 수 없습니다. 원래 논문은 원자층 증착(ALD)의 화학·물리적 원리를 설명한 논문이었습니다.
이 논문은 특정 화학 물질(유기황 억제제)을 이용해 원하는 곳에만 얇은 막이 쌓이도록 조절하는 기술을 연구했습니다. HfO2라는 물질을 여러 표면 중 원하는 부분에만 선택적으로 증착하는 방법을 설명합니다. 이는 반도체를 더 정교하게 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 WF6라는 화학물질을 이용해 티타늄산화물(TiO2)을 깎아내는 것과 동시에 텅스텐(W) 박막을 쌓는 방법을 연구했습니다. 한 가지 물질로 깎기와 쌓기를 동시에 할 수 있어서 반도체를 만들 때 매우 유용합니다. 이 기술은 아주 얇고 정밀한 반도체 부품을 만드는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 액체 상태의 새로운 루테늄(Ru) 재료를 이용해 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 얇은 금속 막을 만드는 연구입니다. 200~300도 온도에서 막을 만들었더니 전기가 잘 통하고 순수한 루테늄 막이 만들어졌습니다. 이 기술은 미래의 반도체 칩을 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 검은색 TiO2 박막을 만드는 연구입니다. 사용하는 반응 가스 종류에 따라 박막의 전기 전도도가 1억 배까지 크게 달라진다는 것을 보여줍니다. 이는 새로운 반도체나 태양전지 소재 개발에 중요한 실마리가 됩니다.
이 논문은 니오븀 카바이드(NbC)라는 아주 얇은 막을 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 이 막은 반도체 칩 속 구리(Cu)와 루테늄(Ru) 배선이 서로 섞이지 않도록 막아주는 역할을 합니다. 전기도 잘 통하면서 얇게 만들 수 있어 차세대 반도체 배선 기술에 중요합니다.
이 논문은 SnI2와 CsSnI3라는 특수한 물질을 아주 얇은 막으로 만드는 두 가지 방법(원자층 증착, 펄스 화학 기상 증착)을 연구했습니다. CsSnI3는 태양전지에 쓰일 수 있는 페로브스카이트 물질입니다. 새로운 증착 공정과 장비 조건을 다루는 중요한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술에 인공지능(머신러닝)을 활용하는 방법을 다룹니다. ALD 공정을 더 잘 이해하고 예측하는 데 머신러닝이 어떤 도움을 줄 수 있는지, 그리고 어떤 어려움이 있는지 설명합니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목으로 볼 때 반도체 공정 기술과 관련이 깊습니다.
이 논문은 아주 작은 패턴 위에 GeTe라는 특별한 물질을 원자층증착(ALD) 방법으로 얇게 쌓는 실험을 다룹니다. 패턴 근처에서는 물질이 예상과 다르게 두께가 변하는 현상(근접 효과)이 생기는 것을 연구했습니다. 이는 반도체 칩을 더 작고 정교하게 만드는 데 중요한 정보입니다.
이 논문은 백금(플래티넘)을 아주 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법을 다룹니다. 특별히 수소 원자를 반응물로 사용해서 더 쉽게 백금을 만드는 방법을 연구했어요. 이 기술은 반도체 등 다양한 첨단 소자를 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 실리콘 산화막 위에 구리(Cu) 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 원리를 연구했습니다. 수소 원자를 이용해 표면을 활성화시켜 구리가 잘 자라도록 하는 방법과, 구리가 3차원으로 뭉쳐 자라는 성장 방식을 설명합니다. 이는 반도체 제조 공정에서 중요한 기술입니다.
이 논문은 특정 위치에만 얇은 막을 쌓는 '영역선택 원자층증착(ALD)' 기술을 컴퓨터 계산으로 연구하는 방법들을 소개합니다. 반도체를 만들 때 정확한 자리에만 재료를 붙이는 방법을 이해하는 데 도움을 줍니다. 실제 실험 데이터보다는 이론과 계산 방법을 정리한 리뷰 논문입니다.
이 논문은 원하는 부분에만 얇은 막을 쌓는 '영역선택적 원자층 증착(ALD)' 기술을 더 잘 만들기 위한 이론적인 설계 방법을 연구합니다. 반도체를 만들 때 아주 정밀하게 원하는 곳에만 재료를 붙이는 방법을 컴퓨터 이론으로 알아내는 내용입니다. 실험 데이터보다는 원리와 전략을 설명하는 논문입니다.
이 논문은 HfO2라는 얇은 막을 원하는 곳에만 정확하게 쌓는 새로운 방법을 연구했어요. 탄소가 없는 특별한 억제층을 사용해서 더 깨끗하고 정밀하게 막을 만들 수 있어요. 이런 기술은 작은 반도체 칩을 만드는데 매우 중요해요.
이 논문은 원자층 하나씩 얇은 막을 쌓는 ALD 기술에서, 원하는 특정 위치에만 막이 자라도록 하는 방법(선택적 증착)에 대한 원리를 다룹니다. 반도체 칩을 만들 때 정밀하게 원하는 곳에만 재료를 쌓을 수 있어 매우 중요한 기술입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목상 화학적 메커니즘 연구로 보입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 얇은 막을 쌓는 공정에서, 작은 억제제 분자를 이용해 특정 부분에만 막이 쌓이도록 하는 방법을 원자 단위로 자세히 분석했습니다. 막이 잘 쌓이는 과정과 억제제가 시간이 지나면서 효과가 떨어지는 이유를 컴퓨터 계산으로 알아냈습니다. 이는 반도체를 더 정밀하게 만드는 데 도움을 줄 수 있는 연구입니다.
이 논문은 피리딘이라는 촉매를 이용해서 실리콘 화합물과 물로 얇은 이산화규소(SiO2) 막을 만드는 방법을 연구했어요. 원자 단위로 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 과정에서 화학반응이 어떻게 일어나는지 자세히 살펴봤습니다. 이는 반도체를 만드는 데 중요한 기초 연구예요.
이 논문은 특정 위치에만 얇은 막을 쌓는 원자층 증착(ALD) 기술에서 사용하는 억제제와 전구체 분자를 어떻게 설계하는지 설명합니다. 반도체를 만들 때 필요한 곳에만 정밀하게 막을 입히는 방법을 연구한 것입니다. 실험 데이터보다는 분자 설계 원리에 대한 개념적인 내용을 다룹니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 공정에 쓰이는 화학물질(전구체)들이 서로 뭉치는(이합체화) 정도를 정확하게 계산한 연구입니다. 이 뭉침 현상이 특정 부분에만 얇은 막을 쌓는 '선택적 증착' 기술의 표면 반응에 어떤 영향을 주는지 알아봅니다. 반도체를 더 정밀하게 만드는 데 도움이 되는 기초 연구입니다.
이 논문은 상온과 보통 공기 압력에서 실리콘산화막(SiO2) 얇은 막을 만드는 새로운 방법을 다룹니다. 물 분자층을 이용해서 원자층 하나씩 쌓는 원자층증착(ALD) 기술을 사용했습니다. 이렇게 하면 특별히 뜨겁거나 진공인 장비 없이도 얇고 균일한 막을 만들 수 있습니다.
이 논문은 루테늄이라는 금속을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 표면에서 원자들이 잘 움직이고 잘 붙는 자리(핵생성 자리)가 있으면 금속층이 더 잘 자란다는 것을 밝혔습니다. 이는 반도체 칩을 만들 때 매우 얇은 금속막을 잘 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 이리듐이라는 금속을 아주 얇게, 특정한 곳에만 저절로 잘 붙게 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법을 연구합니다. 진공 속에서 이 과정을 직접 관찰해서 왜 특정 부분에만 잘 쌓이는지 그 원리를 알아냈습니다. 이는 반도체 칩을 더 정밀하게 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 원하는 부분에만 알루미늄 산화막(Al2O3)을 얇게 쌓는 새로운 방법을 다룹니다. 메탄술폰산이라는 물질을 이용해 특정 부분에는 막이 자라지 않도록 막아주는 원리를 연구했습니다. 이런 기술은 반도체 칩을 더 정밀하게 만드는 데 사용될 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법을 이용해 낮은 온도에서 특별한 결정 구조를 가진 인듐-아연 산화물 박막을 만드는 연구입니다. 이 산화물은 c축 방향으로 정렬된 육각형 구조를 가지고 있어서 반도체나 디스플레이 소재로 쓰일 수 있습니다. 새로운 저온 공정으로 특이한 결정 구조를 만드는 방법을 제시한 점이 중요합니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술을 다룹니다. 이 기술이 촉매, 빛과 전기를 다루는 소자, 양자 정보 기술 등 여러 첨단 분야에서 어떻게 쓰이는지를 설명합니다. 초록이 없어 구체적인 실험 내용은 알 수 없지만 제목만으로도 중요한 공정 기술을 다룸을 알 수 있습니다.
이 논문은 아주 얇은 반도체 물질인 WS2 결정을 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 만들고, 이후 황 가스로 열처리해서 더 큰 결정으로 키우는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 WS2는 나중에 작은 전자소자나 센서에 활용될 수 있습니다. 반도체 재료를 만드는 새로운 공정 기술을 소개하는 연구입니다.
이 논문은 자외선을 쬐어서 이황화몰리브덴(MoS2)이라는 얇은 재료 표면에 특별한 화학기를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 화학기 위에만 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 방법으로 원하는 모양대로 얇은 막을 입힐 수 있습니다. 이는 반도체 칩을 더 정밀하게 만드는 데 도움을 줄 수 있는 기술입니다.
이 논문은 루타일 티타늄산화물(TiO2) 표면에서 열로 만들어진 산소 빈자리 위치에만 선택적으로 얇은 막을 쌓는 원자층증착(ALD) 기술을 다룹니다. 특정 위치에만 물질을 쌓는 정밀한 기술이라 반도체 미세공정에 활용될 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 확인이 어렵습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 리튬 인산염과 리튬 인 산질화물이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 플라즈마에서 어떤 반응 가스를 쓰느냐에 따라 막의 성질이 어떻게 달라지는지 알아봅니다. 이 막들은 배터리 안에서 전기를 잘 통과시키는 전해질 역할을 할 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 과정에서 특정 부분에만 얇은 막을 쌓이게 하는 '선택적 증착' 기술을 다룹니다. 작은 분자 억제제가 특정 위치에서 증착을 막는 원리를 컴퓨터 시뮬레이션(킨네틱 몬테카를로)으로 분석했습니다. 이는 반도체를 더 정밀하게 만드는 데 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 특정 분자 방향(모양이 놓이는 각도)이 반도체 부품을 만들 때 원하는 곳에만 얇은 막을 씌우는 데 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 질소가 들어간 작은 분자들을 억제제로 써서 특정 자리에만 막이 붙지 않게 만드는 실험을 비교했습니다. 이는 원자층 증착(ALD)이라는 첨단 반도체 제조 공정과 관련이 깊습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 아주 얇은 루테늄(Ru) 금속막을 만드는 방법을 다룹니다. 공정 압력을 바꾸면 처음 막이 자라는 모습과 저항 값이 어떻게 달라지는지 알아봤습니다. 반도체 배선 등에 쓰일 수 있는 저저항 얇은 금속막 제작에 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 방법으로 루테늄(Ru)이라는 금속을 원하는 부분에만 선택적으로 붙이는 기술을 다룹니다. 계면에서 산화가 일어나는 것을 줄여서 더 정확하게 원하는 곳에만 금속이 쌓이도록 하는 방법을 연구했습니다. 이런 기술은 반도체 칩을 만들 때 매우 중요하게 쓰입니다.
이 논문은 전자빔을 이용한 특별한 원자층증착(ALD) 방법으로 티타늄 탄질화물(TiCN) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 티타늄 화합물과 암모니아 가스를 사용해서 원하는 비율로 성분을 조절할 수 있습니다. 이 기술은 반도체 소자 만들 때 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 안티모니 텔루라이드(Sb2Te3) 막을 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 저마늄 텔루라이드(GeTe)라는 임시 재료를 이용해 위에서 아래로 결정이 잘 정렬된 2차원 박막을 키우는 기술입니다. 이 기술은 차세대 메모리 반도체 소재 개발에 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 붕소가 들어간 아주 얇은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만드는 연구입니다. 트리메틸보레이트라는 물질과 물, 그리고 플라즈마를 함께 사용해서 막을 쌓습니다. 이는 반도체를 만들 때 중요한 얇은 막 기술입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD) 방법으로 텅스텐 카바이드라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 얇아져도 전기가 잘 통하는 특성을 가져서 반도체 회로의 미세 배선에 유용할 수 있습니다. 크기가 작아질수록 전도성이 떨어지는 문제를 줄인 것이 핵심입니다.
이 논문은 구멍이 많은 재료 속까지 얇은 막을 잘 입히기 위해 'static ALD'라는 새로운 방법을 연구했어요. 밸브를 잠깐 닫아두는 단계를 추가해서 화학물질이 더 오래 머물게 하면 깊은 곳까지 코팅이 잘 되는 것을 실험과 컴퓨터 모델로 확인했습니다. 반응성이 낮은 물질일수록 이 방법이 더 오래 걸리지만 효과가 좋다는 것도 알아냈어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)에서 유동층 반응기를 사용할 때 질량분광기로 정확하게 측정하는 방법을 설명합니다. 유동층 반응기는 작은 입자들에 얇은 막을 균일하게 입히는 장치입니다. 이 방법을 통해 공정이 잘 진행되고 있는지 정밀하게 확인할 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 Sb2Te3와 SnSe2를 번갈아 쌓은 얇은 막을 만드는 연구입니다. SnSe2 층을 넣으면 Sb2Te3가 훨씬 잘 자라고, 그 결과 열이 잘 통하지 않는 특별한 나노구조가 만들어진다는 것을 밝혔습니다. 이는 열전소재 등 새로운 재료 설계에 도움이 되는 원리를 알아낸 연구입니다.
이 논문은 은(Ag) 금속을 아주 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법을 소개합니다. 은 알콕사이드라는 특별한 재료와 수소화붕소 화합물을 함께 사용해서 열로 반응시켜 은 박막을 만듭니다. 반도체 등 작은 부품을 만드는 데 쓰일 수 있는 새로운 코팅 기술입니다.
이 논문은 백금(Pt)이라는 금속을 아주 얇은 층으로 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법에 대해 다룹니다. 표면에서 일어나는 화학 반응을 이해해서 백금 나노구조의 크기와 모양을 조절하는 방법을 설명합니다. 이렇게 만든 백금 나노구조는 다양한 곳에 응용될 수 있습니다.
이 논문은 초전도 고주파 공동(SRF cavity)에 알루미나(Al2O3) 박막을 원자층증착(ALD)으로 입힐 때 생기는 열 문제를 줄이는 방법을 연구했습니다. 실험과 수치 시뮬레이션을 함께 사용해서 코팅 과정에서 열이 어떻게 퍼지는지 분석했습니다. 이를 통해 더 안정적으로 얇은 막을 입히는 방법을 찾으려고 했습니다.
이 논문은 리튬 이온 배터리에 쓰일 수 있는 리튬 붕산염과 리튬 붕인산염이라는 특별한 재료를 아주 얇게 쌓는 방법(원자층 증착, ALD)을 연구한 것입니다. 이 재료들은 배터리 성능을 높이는 데 도움을 줄 수 있습니다. 다만 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 물을 거르는 다공성 플라스틱 필터(멤브레인) 표면에 원자층 증착(ALD) 기술을 이용해 얇은 막을 씌우는 방법을 다룹니다. 표면과 코팅 재료 사이의 상호작용을 조절해서 오염이 덜 되는 필터를 만드는 것이 목표입니다. 구체적인 재료 성분이나 장비 구조는 초록에 나와 있지 않습니다.
이 글은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 입히는 기술을 만든 과학자 스티븐 조지와 나눈 인터뷰입니다. ALD가 실리콘 반도체뿐 아니라 콜라병 같은 물건에도 쓰일 수 있게 발전한 이야기를 다룹니다. 실험 데이터보다는 사람과 역사에 대한 이야기 중심의 글입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 과정에서 나오는 열을 측정하는 방법에 대한 이전 논문의 정정 사항을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다. 원래 연구는 초전(pyroelectric) 센서를 이용해 ALD 반응열을 정밀하게 재는 방법에 관한 것이었습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착 방법으로 낮은 온도에서 질화갈륨(GaN) 얇은 막을 만드는 방법을 소개합니다. 이 막을 이용해서 아주 작은 트랜지스터와 발진기를 만들었는데, 성능이 아주 좋았습니다. 이 기술은 미래 반도체 전자기기를 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)로 만든 아주 얇은 TiO2(이산화티타늄) 막이 온도에 따라 어떻게 결정화되는지를 실시간 전자현미경으로 관찰했습니다. 140도 이상에서 결정이 생기기 시작하며, 그 전에 원자들이 미리 규칙적으로 배열되는 '중간범위 질서'가 생겨야 결정이 만들어진다는 것을 발견했습니다. 이 연구는 얇은 막을 더 잘 만들기 위한 기초 지식을 제공합니다.
이 논문은 니켈산화물(NiO)이라는 물질을 플라즈마 원자층증착법(PEALD)으로 사파이어 기판 위에 아주 깨끗하고 잘 정렬된 얇은 막으로 만드는 방법을 다룹니다. 낮은 온도(250도)에서도 결정이 잘 자란 매끈한 막을 만들 수 있었고, 이 막이 자석 성질(반강자성)을 가진다는 것을 처음으로 밝혀냈습니다. 온도에 따라 막의 결정 상태와 표면 모양이 어떻게 변하는지도 자세히 살펴봤습니다.
이 논문은 강유전체 메모리 소자에 쓰이는 HZO(하프늄-지르코늄 산화물) 얇은 막을 만들 때 산소를 넣는 방법(수증기 또는 산소 플라즈마)에 따라 성질이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 산소 플라즈마를 쓰면 더 좋은 강유전체 성질과 안정성을 얻을 수 있었습니다. 이는 산화물 경계층이 산소 부족 결함을 막아주기 때문입니다.
이 논문은 ALD로 만든 아주 얇은 ZrO2 층을 이용해서 강유전체 HZO 박막을 더 잘 만드는 방법을 연구했습니다. 이 층을 넣으면 전기적 성질(분극, 유전율)이 훨씬 좋아지고 누설 전류도 줄어듭니다. 이는 미래의 강유전체 메모리 소자를 만드는데 유망한 기술입니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 쓰이는 원자층증착(ALD) 공정에서 MoCl5라는 가스가 어떻게 흘러가는지를 컴퓨터로 흉내내는 '디지털 트윈' 모델을 만든 연구입니다. 실제 실험 장비와 비슷하게 컴퓨터 시뮬레이션(CFD)을 사용해서 가스의 움직임을 예측했습니다. 이를 통해 실제 공정을 더 정확하게 이해하고 개선할 수 있습니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 특정 부분에만 얇은 막을 쌀 수 있게 도와주는 원자층증착(ALD) 공정을 컴퓨터로 시뮬레이션한 연구입니다. 가스를 조금씩 나눠서 넣는 방법(디스크리트 피드)을 사용했을 때 가스 흐름이 어떻게 되는지 여러 크기 단위로 계산했습니다. 이를 통해 장비 설계와 공정 조건을 더 잘 이해하고 개선할 수 있습니다.
이 논문은 실리콘 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 20나노미터 두께의 산화티타늄 얇은 막을 만들어 전자가 어떻게 이동하는지 연구했습니다. 이 구조는 태양전지에서 전기를 잘 만들도록 도와주는 중요한 부분입니다. ALD라는 정밀한 증착 장비와 공정 조건이 핵심적으로 다뤄집니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 AZO(알루미늄 도핑 산화아연) 얇은 막의 특성을 연구했습니다. 증착 전에 먼저 처리하는 과정(사전 증착)이 이 막이 빛을 얼마나 잘 통과시키고 전기를 얼마나 잘 흐르게 하는지에 어떤 영향을 주는지 살펴봤습니다. 이 막은 투명한 전기가 통하는 유리 같은 곳에 쓰일 수 있는 재료입니다.
이 논문은 In-Si-O라는 반도체 채널 재료와 Al2O3라는 절연막을 사용해 얇은 트랜지스터(TFT)를 만드는 연구입니다. Al2O3는 원자층 증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 얇게 쌓아 올렸습니다. 이 기술은 디스플레이 화면을 만드는 반도체 소자에 사용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 실리콘 태양전지 표면에 아주 얇은 산화알루미늄(AlOx) 막을 입혀 표면을 보호하는 연구입니다. 이렇게 하면 태양전지의 성능 저하를 막아주는 효과가 좋아집니다. 열 ALD 공정을 이용한 실험 결과를 다룹니다.
이 연구는 원자층증착(ALD) 방법으로 유리 섬유 위에 산화아연(ZnO) 얇은 막을 입혀 광촉매 성능을 알아본 논문입니다. 막의 두께에 따라 표면 결함, 젖음성, 전기적 성질이 달라지는데, 15나노미터 두께일 때 광촉매 효과가 가장 좋았습니다. 이는 태양광으로 오염물질을 분해하는 촉매를 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 아주 작은 IGZO(인듐갈륨아연산화물) 트랜지스터를 만드는 연구입니다. 이 트랜지스터는 반도체 칩을 만드는 뒷공정(BEOL)에서도 사용할 수 있도록 설계되었습니다. 작은 크기로도 잘 작동하는 새로운 반도체 소자를 만드는 기술을 보여줍니다.
이 논문은 게르마늄 반도체 위에 이트륨을 처리해서 산화막 경계층을 개선하는 방법을 다룹니다. 특수한 원자층 증착(ALD) 장비 안에서 플라즈마를 이용해 얇은 막을 만들었습니다. 이렇게 하면 반도체 트랜지스터의 성능이 더 좋아질 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 IGZO라는 특수한 반도체 재료를 아주 얇게 쌓아서 트랜지스터를 만드는 연구입니다. 열만 이용해서(플라즈마 없이) 완전히 만든 트랜지스터가 성능이 좋다는 것을 보여줍니다. 이 기술은 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 아몰퍼스 IGZO 박막 트랜지스터의 성능과 안정성을 높이기 위해 게이트 절연막 구조를 개선한 연구입니다. PECVD로 만든 SiO2 위에 ALD로 얇은 SiO2 계면층을 추가해서 소자의 전기적 특성과 신뢰성을 향상시켰습니다. 이는 디스플레이용 반도체 소자 제작에 중요한 기술입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 만든 HfO2와 IGZO 박막 트랜지스터가 외부 힘(스트레스)을 받을 때 왜 불안정해지는지 원인을 연구했습니다. 반도체 소자를 만들 때 어떤 재료와 어떤 공정 장비를 썼는지가 성능에 큰 영향을 준다는 것을 보여줍니다. 디스플레이나 반도체 소자의 안정성을 높이는데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 오존을 이용한 원자층증착(ALD)으로 만든 투명 ZnO 박막트랜지스터에 SiAlOx라는 절연막을 사용해 안정성을 높이는 연구입니다. 이렇게 하면 트랜지스터가 더 오래, 더 안정적으로 작동할 수 있습니다. 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있는 기술입니다.
이 논문은 인듐을 살짝 넣은 산화갈륨(Ga2O3)이라는 특수 반도체 재료로 자외선만 감지하는 센서를 만든 연구입니다. 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD)이라는 정밀한 코팅 기술로 이 재료를 만들었습니다. 이렇게 만든 센서는 태양빛에는 반응하지 않고 특정 자외선만 검출할 수 있습니다.
이 논문은 InCp라는 새로운 원료 물질을 사용해서 플라즈마로 도와주는 원자층 증착(PEALD) 방법으로 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 IZO 박막은 디스플레이에 쓰이는 트랜지스터(TFT) 성능을 높이는 데 사용됩니다. 반도체와 디스플레이 산업에 중요한 공정 기술을 다루고 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 트렌치 구조의 산화물 박막 트랜지스터를 만드는 방법을 다룹니다. 선택적 건식 식각 공정을 사용해서 더 큰 전류를 흘릴 수 있는 트랜지스터를 만들었습니다. 이는 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있는 기술입니다.
이 논문은 특수한 플라즈마 발생 장치(할로우 캐소드)를 이용해 니켈산화물(NiO)이라는 얇은 막을 만드는 방법을 연구했어요. 이렇게 만든 막의 성질과, 이를 이용해 만든 반도체 소자의 성능을 살펴봤습니다. 새로운 장비와 공정으로 더 좋은 반도체 재료를 만드는 방법을 찾은 연구예요.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 얇은 산화갈륨(Ga2O3) 막을 만들고, 여러 다른 분위기(공기 종류)에서 열처리해서 태양광 중 자외선만 감지하는 센서를 만드는 연구입니다. 이 센서는 태양광의 다른 빛은 무시하고 특정 자외선만 잘 감지해서 성능이 뛰어납니다. 반도체 제작 장비와 공정 조건이 센서 성능에 미치는 영향을 다룹니다.
이 논문은 AlN과 GaN을 번갈아 쌓는 특별한 원자층증착(ALD) 방법으로 AlGaN이라는 반도체 박막을 만드는 연구입니다. AlN과 GaN을 쌓는 비율을 바꾸면 박막의 성질이 어떻게 달라지는지 알아봤습니다. 이런 박막은 반도체 소자를 만드는데 중요하게 쓰입니다.
이 논문은 색이 변하는 전기변색 유리에 쓰이는 산화텅스텐(WO3) 박막의 내구성을 높이는 방법을 연구했습니다. 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 덧씌워서 오래 써도 성능이 떨어지지 않게 만들었습니다. 이렇게 하면 스마트 윈도우 같은 제품을 더 오래 사용할 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 하프늄 산질화물이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 만들어진 막의 구조, 빛의 성질, 진동(포논) 특성을 자세히 조사했습니다. 이 물질은 반도체 소자에 쓰일 수 있는 중요한 재료입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 In2O3와 V2O5를 층층이 쌓은 특수한 전극 재료를 만드는 방법을 다룹니다. 이 전극은 태양전지와 축전기(커패시터) 같은 전자소자에 활용될 수 있습니다. 즉, 더 좋은 태양전지와 전자부품을 만들기 위한 새로운 재료와 제조법을 연구한 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 이트륨 산화물(Y2O3)이라는 특수한 재료를 아주 얇게 쌓는 방법을 다룹니다. 이 재료는 반도체에서 전기를 잘 막아주는 절연막(고유전율 물질)으로 쓰일 수 있습니다. 새로운 이트륨 원료 물질과 물을 이용해서 더 좋은 막을 만드는 방법을 연구했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 게르마늄-황-셀레늄(Ge-S-Se) 합금 박막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 박막은 메모리 소자에서 신호를 선택하는 스위치(OTS 셀렉터) 역할을 합니다. 미래의 3차원 메모리 칩을 만드는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 만든 IGZO 박막 트랜지스터의 온도 안정성을 높이는 연구입니다. 인듐, 갈륨, 아연, 산소의 비율을 조절해서 온도 변화에도 성능이 잘 유지되도록 만들었습니다. 이는 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있는 중요한 기술입니다.
이 논문은 In2O3라는 얇은 씨앗층을 먼저 깔아서 그 위에 SnS(주석과 황이 결합한 물질)라는 특별한 결정 구조의 박막을 원자층 증착(ALD) 방법으로 잘 자라게 하는 연구입니다. ALD는 아주 얇고 균일한 막을 한 층 한 층 쌓는 정밀한 증착 기술입니다. 이 방법으로 반도체나 태양전지 등에 쓸 수 있는 새로운 박막 소재를 만들 수 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술을 소개합니다. 이 기술로 만든 촉매가 화학 반응(광촉매 반응)을 돕는데 어떻게 쓰이는지 설명합니다. 초록이 없어서 구체적인 재료나 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 티타늄을 조금 섞은 산화크롬(Cr2O3) 얇은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 막이 얼마나 단단한지, 빛을 어떻게 반사하고 투과하는지 등 성질을 알아봤습니다. 새로운 코팅 재료를 개발하는데 도움이 되는 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 티타늄 산화물(TiOx) 박막을 만들고 여기에 코발트-니켈 소재를 결합해서 새로운 광촉매를 만든 연구입니다. 이렇게 만든 물질은 빛을 이용해 물에서 수소를 더 잘 만들어낼 수 있습니다. 두 물질을 접합해서 전자가 잘 이동하도록 만든 것이 핵심입니다.
이 논문은 원자층 증착법(ALD)을 이용해 MoO3와 ZnO라는 두 물질을 겹겹이 쌓아 특별한 구조를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 구조는 트리에틸아민이라는 가스를 아주 잘 감지할 수 있는 센서로 사용될 수 있습니다. 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술로 성능이 더 좋은 가스 센서를 만드는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법을 이용해 열을 저장하는 아주 작은 캡슐(마이크로캡슐) 표면에 무기물 껍질을 얇게 입혀 유기-무기 이중 껍질 구조를 만드는 연구입니다. 이렇게 하면 캡슐이 열을 전달하는 정도(열전도율)를 조절할 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 공정 조건은 알 수 없지만, ALD 공정과 재료 구조가 핵심 주제입니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 만든 HfO2(하프늄산화물) 얇은 막에 열처리(어닐링)를 하면 어떻게 성질이 바뀌는지 연구했습니다. 이 막은 자외선 레이저에 사용하기 위한 코팅으로 만들어졌습니다. 열처리 온도에 따라 막의 특성이 달라지는 것을 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 활성탄소나노섬유 표면에 니켈산화물(NiO) 얇은 막을 입힌 연구입니다. 이렇게 만든 재료는 슈퍼커패시터(에너지 저장 장치)에 사용될 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 아주 작은 자석 가루들을 특수한 코팅 방법(원자층 증착)으로 얇게 감싸서 성능이 더 좋은 자석 재료를 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 재료는 에너지를 덜 낭비하고 녹슬지 않아서 오래 사용할 수 있습니다. 전기 부품에 쓰일 수 있는 새로운 자석 소재를 개발한 내용입니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)으로 만든 ZnO-SiO2 박막을 이용해 이산화질소 가스를 매우 잘 감지하는 자외선 센서를 만든 연구입니다. 얇은 막을 특별한 방법으로 쌓아서 가스 냄새를 잘 맡는 센서를 만든 것입니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 가스 센서 분야에 속하는 연구입니다.
이 논문은 이전에 발표된 티타늄 산화막(TiO2)을 원자층 증착법(ALD)으로 만드는 연구의 정정문입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다. 원래 논문의 오류를 수정한 짧은 공지 글입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 이트륨 탄화물이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 컴퓨터 칩 안에서 구리와 루테늄 금속이 다른 곳으로 퍼지지 않도록 막아주는 역할을 합니다. 반도체를 더 작고 똑똑하게 만드는 데 도움을 주는 중요한 기술입니다.
이 논문은 실리콘 산화막(SiO2)을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 과정을 컴퓨터로 계산해서 연구한 것입니다. TDMAS라는 원료 물질과 물, 과산화수소를 반응시켜 막을 만드는 화학 반응을 이론적으로 분석했습니다. 반도체 만들 때 쓰이는 중요한 공정 원리를 알아보는 연구입니다.
이 논문은 루테늄이라는 금속 얇은 막을 만드는 방법에 관한 연구입니다. 온도에 따라 원자층증착(ALD)과 원자층식각(ALE)이 어떻게 다르게 일어나는지 살펴봅니다. 이는 반도체 칩 만들 때 중요한 기술입니다.
이 논문은 DRAM 반도체에 쓰기 위해 특별한 화학물질과 산소, 과산화수소를 이용해 아주 얇은 몰리브덴 산화막을 만드는 방법을 연구했습니다. 원자층증착이라는 정밀한 방법으로 한 층씩 쌓아서 막을 만듭니다. 이 기술은 컴퓨터 메모리를 더 작고 좋게 만드는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 얇은 막을 한 층씩 쌓는 ALD라는 방법으로 IGZO라는 반도체 재료를 만드는 순서(슈퍼사이클)를 다룹니다. 이 순서를 어떻게 설계하느냐에 따라 디스플레이에 쓰이는 트랜지스터(TFT)가 얼마나 오래 잘 작동하는지가 달라진다는 것을 보여줍니다. 즉, 만드는 방법의 디테일이 소자의 신뢰성에 큰 영향을 준다는 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 알루미늄 산화막(Al2O3)이라는 얇은 막을 만드는 최적의 방법을 연구했어요. 이 막은 반쪼갠 태양전지의 가장자리를 보호해서 전기가 새지 않게 막아주는 역할을 해요. 태양전지를 더 효율적으로 만드는데 도움을 주는 연구예요.
이 논문은 실리콘 산화막을 만드는 원자층증착(ALD) 방법을 다룹니다. 트리스(디메틸아미노)실란이라는 재료와 오존 가스를 이용해서 높은 온도에서 얇은 막을 쌓는 과정을 연구했습니다. 반도체를 만드는 데 사용되는 중요한 박막 기술입니다.
이 논문은 산화갈륨(Ga2O3)이라는 반도체 재료를 원자층증착(ALD) 방법으로 얇게 만든 뒤, 질소 가스로 열처리했을 때 결정 구조와 에너지 밴드 정렬이 어떻게 변하는지 연구했습니다. 이 재료는 차세대 반도체 소자에 활용될 수 있어 중요합니다. 열처리 조건에 따라 물질의 성질이 달라지는 것을 확인한 연구입니다.
이 논문은 BeO(산화베릴륨)라는 특별한 재료를 아주 얇은 막으로 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 재료를 조금씩 나누어 넣어 더 좋은 품질의 막을 만들었습니다. 이 기술은 반도체 등 첨단 전자소자를 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)으로 몰리브덴 탄질화물이라는 특별한 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 막은 전기가 잘 통하고(저저항) 매우 촘촘한(고밀도) 특징을 가집니다. 이 기술은 반도체 칩을 만드는 데 유용하게 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 DRAM에 사용하기 위해 몰리브데넘 산화물(MoO2) 얇은 막을 원자층증착법(ALD)으로 만드는 방법을 소개합니다. Mo(IV) 전구체와 산소 가스를 이용해서 아주 얇고 균일한 막을 쌓는 과정입니다. 이 기술은 반도체 메모리 소자를 더 작고 좋은 성능으로 만드는데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 컴퓨터 메모리에 쓰이는 아주 작은 축전기(커패시터)를 만들 때 생기는 원하지 않는 얇은 층을 원자층 증착법으로 줄이는 방법을 연구했습니다. ZrO2라는 절연 물질과 TiN이라는 전극 물질을 겹겹이 쌓아서 성능을 좋게 만드는 것이 목표입니다. 이는 반도체 메모리 소자를 더 잘 만들기 위한 공정 기술입니다.
이 논문은 원자층 증착법(ALD)을 이용해 알루미늄을 넣은 산화아연 박막을 만드는 연구입니다. 알루미늄을 얼마나 넣는지에 따라 박막의 전기적 성질이 어떻게 바뀌는지 살펴봅니다. 이런 박막은 투명 전극 등 반도체나 디스플레이 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 백색 LED에 쓰이는 형광체(BaSi2O2N2:Eu2+)가 열 때문에 성능이 떨어지는 문제를 해결하기 위해 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 얇은 보호막을 씌우면 형광체가 열에 더 강해져서 오래 밝게 빛날 수 있습니다. ALD라는 정밀한 증착 장비와 공정을 사용해 재료를 코팅한 것이 핵심입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 ZrO2(지르코니아) 얇은 막을 산소를 감지하는 센서로 사용하는 연구입니다. 막을 만든 후 열처리(어닐링)를 해주면 산소를 더 잘 감지할 수 있게 된다는 내용을 다룹니다. 즉, 후처리 공정을 통해 센서 성능을 향상시키는 방법을 보여줍니다.
이 논문은 크롬(Cr)과 알루미늄(Al)이 섞인 산화물 박막을 실리콘 위에 아주 얇게 쌓는 방법(원자층 증착)을 연구했어요. 이 막이 얼마나 단단하고 잘 안 닳는지, 그리고 빛을 어떻게 반사하는지도 살펴봤어요. 코팅 재료의 성질을 알아보는 기초 연구예요.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 산화아연(ZnO) 막을 만드는 연구입니다. 막의 구조가 어떻게 생겼는지와 빛을 이용해 화학반응을 돕는 광촉매 성질이 서로 어떤 관련이 있는지 살펴봅니다. ZnO 박막을 만드는 장비와 공정 조건이 결과에 영향을 준다는 것을 보여줍니다.
이 연구는 세라믹 공진기와 금속 코팅(니켈/구리/은) 사이의 접착력을 높이기 위해 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 알루미나 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 알루미나 막이 세라믹과 금속을 더 잘 붙게 해주는 역할을 합니다. 전자 부품의 내구성을 높이는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 아주 작은 나노 기둥과 나노 관 모양으로 알루미늄산화물과 아연산화물을 얇게 층층이 쌓아서 새로운 물질(징크알루미네이트)이 만들어지는 과정을 연구했어요. 원자를 하나씩 쌓는 특별한 방법(원자층 증착법)을 사용했습니다. 이 연구는 아주 작은 나노 구조물을 만드는 기술과 관련이 있습니다.
이 논문은 철-니켈-몰리브덴 가루에 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 코팅막을 여러 번 입혀 자석 성질이 어떻게 변하는지 연구했습니다. 코팅 횟수가 늘어날수록 가루가 얼마나 잘 덮이는지와 자석 성질 사이의 관계를 알아보았습니다. 이를 통해 더 좋은 연자성 재료를 만드는 방법을 찾으려 했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 지르코늄산화물(ZrO2) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 산소가 빠진 빈자리(산소 공석)를 줄이고 표면을 더 매끄럽게 만들어 금속이 녹스는 것을 막는 코팅막을 개발했습니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 알루미늄 합금 표면에 아주 얇은 보호막을 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 입혀서 녹슬지 않게 하는 연구입니다. 코팅이 얼마나 잘 부식을 막아주는지, 그리고 그 구조가 어떤지 전기화학적으로 분석했습니다. 금속을 보호하는 얇은 막의 성능을 알아보는 실험입니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)으로 산화마그네슘(MgO)과 산화게르마늄(GeO2)을 번갈아 쌓아 아주 얇은 막을 만드는 연구입니다. 쌓는 두께 비율을 조절해서 두 가지 다른 결정 구조(올리빈과 페로브스카이트)를 가진 새로운 화합물 박막을 만들었습니다. 이는 새로운 산화물 재료를 얇은 막 형태로 만드는 기초 재료 연구입니다.
이 논문은 아주 작은 팔라듐(Pd) 입자를 특수한 방법(ALD)으로 TiO2와 SnO2로 만든 실 모양 소재 위에 붙이는 연구예요. 이렇게 만든 소재는 빛을 받으면 물속의 해열제 성분(아세트아미노펜)을 분해하는 데 더 효과적이에요. 즉, 오염된 물을 깨끗하게 만드는 데 도움을 주는 새로운 촉매를 만든 연구입니다.
이 논문은 얇은 철 입자 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 알루미늄 산화물(Al2O3) 막을 입히는 연구입니다. 이 코팅으로 전자파를 더 잘 흡수하고 녹도 덜 스는 효과를 얻었습니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 전자파 차폐 재료에 관한 연구입니다.
이 논문은 그래핀 산화물을 줄여 만든 재료 위에 원자층증착법(ALD)으로 알루미나(산화알루미늄)를 아주 얇게 입혀 전자파를 잘 흡수하는 물질을 만드는 연구입니다. ALD라는 정밀한 코팅 기술을 사용해 재료의 성능을 높였습니다. 이 물질은 전자파를 막는 특수한 재료로 활용될 수 있습니다.
이 논문은 이전에 발표된 논문을 철회한다는 공지입니다. 원래 논문은 ZrO2 기반 금속-유기 골격체에 백금 나노입자를 원자층 증착으로 만든 광촉매에 관한 것이었습니다. 하지만 이 글 자체는 그 논문을 취소한다는 내용만 담고 있어 실제 연구 내용은 없습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착法으로 AlN 위에 GaN 단결정을 성장시키는 방법을 다룹니다. GaN과 AlN은 반도체 소자에 많이 쓰이는 재료입니다. 이 기술로 더 좋은 품질의 반도체 박막을 만들 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만든 작은 구멍이 많은 유리막(SiO2)의 표면을 희귀한 흙 원소 산화물로 코팅해서 성질을 바꾸는 연구입니다. ALD는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술이라 반도체 만들 때 많이 쓰입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵지만, 제목만으로도 재료와 공정, 장비가 모두 중요하게 다뤄질 것으로 보입니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 기술로 InHfZnO와 Ga2O3라는 두 재료를 붙여서 투명한 인공 시냅스 소자를 만들었어요. 이 소자는 빛과 전기 신호를 동시에 기억할 수 있어서 사람 뇌처럼 정보를 처리하는 컴퓨터에 쓰일 수 있어요. 온도에 따라 소자의 성능이 어떻게 변하는지도 산소 빈자리 농도 변화로 설명했어요.
이 논문은 SiO2를 원하는 곳에만 선택적으로 얇게 쌓는 새로운 공정을 개발했어요. 작은 분자 억제제와 뒤에서 살짝 깎아내는 보정 단계를 함께 사용해서 더 정확하고 깨끗하게 막을 만들었어요. 반도체 제조에서 아주 정밀한 패턴을 만드는 데 도움이 되는 연구예요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 만든 산화주석(SnO2) 얇은 막을 태양전지의 전자 이동층으로 사용했습니다. 이 방법으로 만든 태양전지는 효율이 17.26%로 매우 높고, 기존 재료보다 성능과 안정성이 더 좋았습니다. ALD 기술은 공장에서도 대량 생산할 수 있어 실용적입니다.
이 논문은 아주 얇고 균일한 안티모니(Sb) 박막을 만드는 새로운 원자층 증착 방법을 소개합니다. 이 방법은 미리 쌓아둔 Sb2Te3 물질을 이용해 화학적으로 치환시켜 매끄럽고 순수한 Sb 막을 만듭니다. 이렇게 만든 얇은 막으로 상변화 메모리 소자를 만들면 매우 빠르고 안정적으로 작동한다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 반도체 나노구조를 만들 때 원하는 곳에만 얇은 막(산화알루미늄)을 씌우는 '선택적 원자층증착' 기술을 연구했습니다. 4가지 재료(전구체)를 비교한 결과, DMAI라는 재료를 쓰면 구리 표면에는 거의 안 씌워지고 원하는 부분에만 99.9% 정확하게 씌워지는 것을 발견했습니다. 재료의 화학적 구조에 따라 선택적 증착이 잘 되거나 안 되는 이유도 설명했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 산화막을 페로브스카이트 산소 전극 위에 씌우는 연구입니다. 이렇게 얇은 막을 씌우면 전극이 더 오래 튼튼하게 작동하고 화학반응도 잘 조절된다는 것을 보여줍니다. 에너지 변환 장치의 성능과 수명을 높이는 데 도움이 되는 기술입니다.
이 논문은 산소를 이용해 에너지를 만드는 전극(페로브스카이트) 표면에 아주 얇은 산화물 막(HfO2, Al2O3)을 원자층증착(ALD)으로 입혀 성능 저하를 막는 방법을 연구했어요. 코팅을 하면 표면의 산소 빈자리와 스트론튬 성분 문제를 줄여서 전극이 더 오래 튼튼하게 작동할 수 있게 도와줘요. 이 연구는 앞으로 더 오래가는 에너지 전극을 만드는 데 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 산화갈륨(Ga2O3)이라는 특별한 반도체 재료를 플라즈마 원자층 증착(PEALD)이라는 방법으로 아주 얇게 쌓아서 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 재료로 빛을 감지하는 트랜지스터, 즉 광트랜지스터를 만들었습니다. 이 소자는 반도체와 센서 분야에서 중요하게 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 산화인듐(In2O3) 박막을 만들어 성능 좋고 안정적인 트랜지스터를 만드는 연구입니다. 트랜지스터는 컴퓨터나 디스플레이 화면에서 전기 신호를 조절하는 아주 작은 스위치 역할을 합니다. ALD라는 정밀한 증착 공정을 사용해서 더 좋은 반도체 소자를 만들 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 없이 산화주석(SnO2) 전자수송층을 만드는 방법을 다룹니다. 이를 태양전지의 넓은 밴드갭 페로브스카이트와 탠덤 태양전지에 적용해 효율을 높였습니다. 즉, 더 간단한 방법으로 좋은 성능의 태양전지를 만드는 연구입니다.
이 논문은 루테늄이라는 금속을 원하는 곳에만 얇게 쌓는 방법을 연구했어요. CFx 플라즈마라는 특수한 가스를 이용해서 특정 부분에는 금속이 붙지 않도록 막아주는 기술이에요. 이렇게 하면 반도체 칩을 더 정밀하게 만들 수 있어요.
이 논문은 WSe2라는 반도체 재료 위에 아주 얇은 특수 분자막(F6-TCNNQ)을 깔아서 원자층 증착(ALD)을 더 잘 되게 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 얇은 막을 이용해 듀얼 게이트 트랜지스터(FET)를 만들고 성능을 확인했습니다. 반도체 소자를 더 작고 정교하게 만드는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 IGZO라는 특수한 반도체 재료를 만드는 연구입니다. 인듐의 양을 조절해서 성능 좋은 트랜지스터(TFT)를 만들었고, 이는 컴퓨터 칩(CMOS) 제작 공정 뒷부분에 적용할 수 있습니다. 반도체와 디스플레이 기술 발전에 도움이 되는 중요한 연구입니다.
이 논문은 ALD라는 얇은 막을 쌓는 방법으로 3차원으로 쌓은 반도체 칩에 쓰이는 고성능 트랜지스터를 만드는 이야기입니다. 전자가 잘 움직이게 만들어서 더 빠르고 똑똑한 반도체를 만들 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 실험 내용은 알 수 없지만 제목만으로도 반도체 공정과 관련이 깊음을 알 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 특수 산화물 막(HZO)을 만들 때 산소를 얼마나 넣는지 조절하는 연구입니다. 산소량을 잘 맞추면 이 막이 전기를 더 잘 저장하고 오래 안정적으로 작동해서 메모리 소자에 유용해집니다. 반도체 메모리 기술 발전에 중요한 공정 연구입니다.
이 논문은 게르마늄(Ge)이라는 반도체 재료 위에 아주 얇은 막을 낮은 온도에서 입히는 방법을 연구했어요. 보통은 뜨겁게 가열해서 막을 만드는데, 여기서는 가열하지 않고도 막을 만드는 새로운 방법(원자층 증착)을 사용했어요. 이렇게 하면 반도체 칩을 만들 때 더 낮은 온도에서도 좋은 부품을 만들 수 있어요.
이 논문은 대기압에서 공간분리형 원자층증착(ALD) 방법으로 인듐아연산화물(InZnO) 박막을 만들어 트랜지스터를 제작한 연구입니다. 재료의 성분 비율을 조절해서 전자가 더 잘 흐르고 오래 안정적으로 작동하는 반도체를 만들었습니다. 이 기술은 디스플레이 화면을 만드는 데 사용될 수 있습니다.
이 논문은 낮은 온도(100도)에서 원자층증착법(ALD)으로 니오븀(Nb)을 아주 조금 넣은 투명한 산화주석(SnO2) 박막을 만드는 연구입니다. Nb을 정밀하게 넣는 방법을 찾아서 빛은 잘 통과시키면서 전기는 잘 흐르게 만들었습니다. 이렇게 만든 얇은 막은 열에 약한 전자기기에도 사용할 수 있습니다.
이 논문은 반도체 만들 때 쓰는 얇은 질화규소(SiNx) 막을 더 잘 만드는 방법을 연구했어요. 자석을 이용해 플라즈마를 더 세게 만들면 막이 더 튼튼하고 좁은 홈에도 골고루 잘 발라진다는 것을 발견했어요. 이 방법은 트랜지스터 같은 작은 반도체 부품을 만드는 데 도움이 됩니다.
이 연구는 플라즈마 원자층증착(ALD) 방법으로 주석이 섞인 산화인듐(ITO) 얇은 막을 만들었습니다. 이 막으로 만든 트랜지스터는 전기가 잘 흐르고 안정성도 뛰어났습니다. 디스플레이나 반도체 소자에 쓸 수 있는 좋은 재료를 개발한 연구입니다.
이 논문은 새로운 메모리 구조인 2T0C DRAM을 ALD로 만든 ITZO 박막트랜지스터로 만들어 성능을 평가했어요. 데이터를 얼마나 오래 저장할 수 있는지, 몇 번이나 쓰고 지울 수 있는지 등을 측정했습니다. 이를 통해 기존 1T1C DRAM보다 더 작고 집적도 높은 메모리를 만들 가능성을 보여줬어요.
이 논문은 빛을 감지하는 반도체 소자인 MoS2 광트랜지스터에 하프늄알루미늄산화물(HfAlO)이라는 절연막을 플라즈마 원자층증착법으로 만들어 붙였어요. 이렇게 만든 소자는 빛을 아주 잘 감지하고 성능이 매우 뛰어났답니다. 앞으로 빛 센서 기술에 도움이 될 수 있는 연구예요.
이 논문은 얇은 막을 아주 정밀하게 입히는 ALD/MLD라는 기술을 배터리, 촉매, 막 같은 특이한 표면에 적용할 때 생기는 어려움을 설명하는 리뷰 논문입니다. 실리콘 같은 평평한 표면과 달리 나뭇가지 모양이나 구멍이 많은 표면에서는 막이 고르게 자라지 않을 수 있다는 점을 다룹니다. 에너지 저장 장치를 더 효율적으로 만들기 위해 이런 문제를 어떻게 해결할지 고민하는 내용입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)로 만든 얇은 SnS2 막을 황화수소 가스로 열처리할 때, 가스 농도에 따라 막의 결정성과 전기적 성질이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 황화수소 농도가 99.99%이고 350도로 열처리했을 때 가장 좋은 결정 구조와 전기적 특성을 얻었습니다. 이 방법으로 만든 막은 넓은 웨이퍼와 복잡한 홈 구조에서도 매끄럽고 균일하게 잘 덮였습니다.
이 논문은 얇은 반도체 재료인 SnS2 박막을 ALD(원자층증착) 방법으로 만드는 새로운 방법을 연구했습니다. 증착 전에 기판에 원료 물질을 미리 여러 번 뿌려주면 막이 더 잘 자라고 결정 품질도 좋아진다는 것을 발견했습니다. 이 기술은 미래의 저온 공정 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 글은 원자층 증착(ALD)과 분자층 증착(MLD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 기술을 다룬 특집호를 소개하는 편집자의 글입니다. 새로운 재료, 새로운 공정 방법, 새로운 활용 사례를 담은 10편의 연구 논문과 2편의 리뷰 논문을 모았습니다. 이 기술은 유연한 전자기기 등 다양한 분야에 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 금속 얇은 막을 만드는 원자층 증착(ALD)이라는 방법의 표면 화학을 자세히 설명합니다. 어떤 화학 물질(전구체)이 표면에서 어떻게 반응하고 분해되는지, 그리고 짝이 되는 반응 물질을 어떻게 고르는지를 다룹니다. 앞으로 이 기술을 더 잘 사용하기 위한 생각도 함께 이야기합니다.
이 논문은 원자층을 아주 빠르게 쌓는 '공간 원자층 증착(SALD)' 기술에서 원치 않는 화학기상증착(CVD) 반응을 줄이는 방법을 연구했습니다. 기판과 노즐 사이의 좁은 간격, 가스 확산 속도 등 장비 설계 요소가 ZnO, SnO2 박막의 균일한 성장에 큰 영향을 준다는 것을 실험과 모델로 보였습니다. 이를 바탕으로 노즐(주입 헤드) 구조를 조정해 더 좋은 막을 만드는 방법을 제안했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 알루미늄을 살짝 섞은 산화아연 얇은 막(AZO)을 만드는 과정을 실시간으로 관찰한 연구입니다. 특수 장비(분광 타원계)를 이용해 막이 만들어지는 과정과 온도 영향을 정밀하게 살펴봤습니다. 그 결과 아주 얇고 균일하며 투명하면서도 전기가 잘 통하는 막을 만들 수 있었고, 이는 광전자 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 In2O3라는 산화물 얇은 막을 원자층증착(ALD)으로 만들 때, InCp라는 재료와 물(H2O)·산소(O2)가 표면에서 어떻게 반응하는지를 컴퓨터 계산으로 알아본 연구입니다. 산소는 인듐과 잘 결합하지만 남아있는 탄소고리를 없애지 못하고, 물은 탄소고리는 없애지만 인듐 산화는 못한다는 것을 밝혔습니다. 두 가지를 함께 사용하면 서로 부족한 점을 보완해서 더 좋은 막을 만들 수 있다는 것을 알아냈습니다.
이 논문은 산소 플라즈마로 폴리이미드 표면을 처리해서 원자층증착(ALD)으로 산화티타늄 얇은 막을 더 잘 씌우는 방법을 연구했습니다. 표면을 미리 활성화시키면 산화티타늄 막이 더 촘촘하고 고르게 자란다는 것을 발견했습니다. 이렇게 만든 막은 우주 환경의 원자산소로부터 폴리이미드를 잘 보호해주는 것으로 나타났습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)과 기계적 롤링을 이용해 아주 작은 은(Ag) 나노 틈을 넓은 면적에 만드는 방법을 제안합니다. 이 틈의 크기는 ALD로 쌓은 산화알루미늄(Al2O3) 두께로 정밀하게 조절할 수 있습니다. 이렇게 만든 나노 틈은 라만 분광법에서 신호를 크게 증폭시켜 미세한 물질 검출에 활용될 수 있습니다.
물에 잘 견디는 페인트(수성 에폭시 코팅) 위에 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 원자층증착법으로 입혀서 코팅의 작은 틈과 구멍을 막았습니다. 이렇게 하면 물이 스며들기 어려워지고 금속이 녹스는 것을 훨씬 잘 막아줍니다. 실험 결과, 이 방법으로 만든 코팅은 부식을 막는 효과가 99.81%나 되어 바닷가처럼 험한 환경에서도 금속을 잘 보호할 수 있음을 보여줬습니다.
이 연구는 스테인리스 스틸 표면에 산화아연(ZnO) 나노막대를 코팅해서 물을 잘 튕기거나 잘 흡수하는 표면을 만드는 방법을 다룹니다. 원자층 증착(ALD)으로 만든 씨앗층의 온도를 다르게 하면 나노막대가 서 있거나 기울어지게 자라서 표면의 젖음성과 단단함이 달라진다는 것을 발견했습니다. 이를 통해 의료용 코팅 표면의 특성을 조절할 수 있다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 PbO2라는 물질의 얇은 막을 낮은 온도에서 만드는 방법을 연구했습니다. 이 막은 전기가 잘 통하고, 배터리 전극 재료로 쓸 수 있다는 것을 실험으로 보여주었습니다. 특히 산소와 납의 화학 반응 과정을 자세히 밝혀냈습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(PE-ALD) 방법으로 니켈과 철이 섞인 인산염 얇은막을 만들어 물을 산소로 바꾸는 촉매로 사용했습니다. 철과 니켈을 넣는 순서와 막 두께를 조절하면 촉매 성능이 달라진다는 것을 발견했습니다. 이는 알칼리 전기분해 장치의 효율을 높이는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 연구는 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 기술로 산화철을 탄소천 위에 입힌 뒤 산화코발트 나노시트를 성장시켜 특별한 촉매 소재를 만들었습니다. 이 소재는 물을 분해해서 산소를 만드는 반응(산소발생반응)에서 기존 촉매보다 더 적은 에너지로 잘 작동합니다. 산화철을 얼마나 많이 증착하는지(증착 횟수)가 성능에 큰 영향을 준다는 것을 밝혔습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 마스크에 사용되는 폴리프로필렌 부직포 표면에 산화아연(ZnO) 얇은 막을 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 코팅된 마스크는 미세먼지 차단 성능은 그대로 유지하면서 빛을 쬐면 세균을 죽이는 항균 효과가 생깁니다. 대장균과 포도상구균 모두에 효과가 있어 감염 예방에 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 ALD라는 방법으로 촉매 표면에 아주 얇은 지르코늄 산화막을 씌워서 이산화탄소를 다이메틸에테르로 바꾸는 화학 반응을 더 잘 되게 만드는 연구입니다. 이 코팅을 하면 반응이 더 오래, 더 안정적으로 잘 일어난다는 것을 실험으로 보여줬습니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 화학 촉매 분야 연구입니다.
이 논문은 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 원자층증착(ALD) 기술을 화학적 관점에서 설명하는 리뷰입니다. 표면에서 일어나는 화학 반응과 사용되는 원료 물질(전구체)들을 비교하고, 반도체 소자에 어떻게 활용되는지 소개합니다. ALD 기술의 원리와 미래 발전 방향도 함께 다룹니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 얇은 산화물 반도체 막을 만드는 방법을 소개하는 리뷰 논문입니다. 기존 방법보다 더 균일하고 두께 조절이 잘 되는 장점을 설명하고, 디스플레이와 메모리 소자에 적용할 때의 이점과 어려운 점을 정리했습니다. 반도체 재료를 연구하는 사람들에게 유용한 정보를 제공합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 디스플레이에 쓰이는 발광 물질(퀀텀닷, 형광체 등)을 더 튼튼하게 만드는 방법을 설명합니다. 표면 처리와 봉지(캡슐화) 기술을 통해 유연한 디스플레이를 만들 수 있고, 새로운 ALD 장비도 개발되었습니다. 이를 통해 더 밝고 오래가는 LED와 디스플레이를 만들 수 있게 됩니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술을 이용해서 촉매나 에너지 저장에 쓰이는 재료를 더 좋게 만드는 방법을 정리한 글입니다. 친환경 자동차에 쓸 수 있는 촉매와 배터리 관련 재료의 성능을 어떻게 높였는지 설명합니다. 또한 이 기술을 대량 생산에 적용하기 위한 장비와 앞으로의 과제도 함께 다룹니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 두 가지 물질층(헤테로구조)을 정밀하게 만드는 기술을 소개합니다. 이렇게 만든 물질이 가스를 감지하는 센서로 얼마나 잘 작동하는지 살펴봅니다. 앞으로 이 기술이 더 발전하기 위해 해결해야 할 문제들도 함께 이야기합니다.
이 논문은 실리콘 표면을 여러 방법으로 미리 처리한 뒤 원자층증착(ALD)으로 산화알루미늄(AlOx) 박막을 입혔을 때 표면 처리 방법이 계면 구조와 표면 보호(패시베이션) 성능에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 이는 태양전지 효율을 높이는 데 중요한 실리콘 표면 처리 기술과 관련이 있습니다. 표면을 어떻게 준비하느냐에 따라 박막이 실리콘을 얼마나 잘 보호하는지가 달라진다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)을 이용해 NiO라는 물질의 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 막은 페로브스카이트 태양전지와 PERC 태양전지를 하나로 합친 탠덤 태양전지에 사용됩니다. 즉, 더 효율적인 태양전지를 만들기 위한 재료와 공정 기술을 연구한 논문입니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 만든 하프늄산질화물 박막에서 전자가 어떻게 움직이는지를 연구했습니다. 이 박막은 반도체나 메모리 소자에 쓰일 수 있는 중요한 재료입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목으로 보아 재료의 전기적 특성을 살펴본 연구로 보입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 HfO2라는 물질을 여러 층으로 쌓아서 전하를 잘 저장하는 메모리를 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 메모리는 데이터를 더 오래 기억할 수 있습니다. 반도체 메모리 소자 성능을 개선하는 중요한 기술입니다.
이 논문은 GaN이라는 반도체 재료로 만든 트랜지스터(MIS-HEMT)에 대한 연구입니다. 플라즈마를 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 SiN이라는 얇은 막을 입혀서 성능을 개선했습니다. 그 결과 10 GHz의 높은 주파수에서 잡음이 아주 적은(0.18 dB) 훌륭한 소자를 만들었습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)로 만든 산화인듐(In2O3) 박막으로 컴퓨터 칩처럼 작동하는 트랜지스터를 만드는 방법을 다룹니다. 표면 에너지를 조절해서 소자가 더 안정적으로 오래 작동하도록 개선했습니다. 디스플레이나 반도체에 쓰일 수 있는 중요한 기술입니다.
이 논문은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO)이라는 투명한 반도체 물질을 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 이 물질로 얇은 막을 만들어 투명한 트랜지스터(전자소자)를 만들고 그 성능을 알아봅니다. 디스플레이나 반도체에 쓰일 수 있는 중요한 기술입니다.
이 논문은 열을 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 IGZO라는 특수 물질을 얇게 입혀서 성능이 좋은 트랜지스터를 만드는 방법을 연구했어요. IGZO는 디스플레이 화면을 작동시키는 반도체 소재예요. 이 기술을 잘 다루면 더 좋은 화면을 만들 수 있어요.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 인듐-갈륨 산화물(InGaO) 막을 만들어 트랜지스터를 만드는 연구입니다. 이 트랜지스터는 디스플레이나 반도체 소자에 쓰일 수 있습니다. 얇고 균일한 막을 만드는 기술이 핵심입니다.
산화아연(ZnO)이라는 재료로 아주 얇은 막을 특수한 방법(원자층증착)으로 만들어 전류가 잘 새지 않는 트랜지스터를 만들었어요. 이 트랜지스터는 반도체 소자에 쓰일 수 있어요. 자세한 실험 내용은 요약이 없어서 알 수 없어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 산화티타늄(TiO2) 보호막을 만들어 태양전지 성능을 높이는 연구입니다. 이 보호막이 표면을 매끄럽게 덮어서 전류 누설을 막고 전지의 효율과 안정성을 크게 향상시켰습니다. 그 결과 넓은 면적의 페로브스카이트 태양전지에서도 24.8%의 매우 높은 효율을 얻었습니다.
이 논문은 탄탈럼(Ta)을 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 방법으로 흑연 위에 입힐 때, 낮은 압력에서도 흑연이 다이아몬드로 변하는 현상을 연구합니다. 즉, 특별한 코팅 공정을 통해 값싼 탄소 재료를 아주 단단한 다이아몬드로 바꾸는 방법을 찾는 실험입니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없지만, 재료와 증착 공정을 함께 다루는 연구로 보입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 금속성 성질을 가진 이산화몰리브덴(MoO2) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 전기가 잘 통하면서도 유전율이 높은 특성을 가져서, 반도체 메모리 소자의 축전기(커패시터)를 만드는 데 사용될 수 있습니다. 새로운 재료와 정교한 증착 기술을 결합해 더 좋은 전자부품을 만들 수 있다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 산화물 반도체 트랜지스터의 신뢰성을 높이기 위해 원자층증착(ALD)으로 두 가지 절연막(Al2O3와 SiO2)을 쌓는 방법을 소개합니다. 두 물질이 서로 반대 효과를 내서 전압이 거의 변하지 않게 만들어 트랜지스터가 더 안정적으로 작동하게 됩니다. 이 방법은 이동도가 높은 IGZO 소자에도 성공적으로 적용되었습니다.
새로운 루테늄(Ru) 화합물을 이용해 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 루테늄 박막을 만드는 연구입니다. 온도와 시간을 조절해서 원하는 두께의 균일한 막을 만들 수 있었고, 저항도 낮게 나왔습니다. 기판 종류(백금, 질화티타늄, 이산화규소)에 따라 막이 자라는 속도와 특성이 다르다는 것도 알아냈습니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)으로 이산화몰리브덴(MoO2) 얇은 막을 처음으로 직접 만드는 방법을 소개합니다. 이렇게 만든 막은 전기가 잘 통하고 순도가 매우 높아서 DRAM 같은 메모리 장치의 전극으로 쓸 수 있습니다. 또한 이 전극 위에 티타늄산화물 절연막을 쌓아 실제 커패시터를 만드는 데 성공했습니다.
이 논문은 얇은 2차원 반도체인 몰리브데넘황화물(MoS2) 위에 아주 얇은 알루미나(AlOx) 막을 낮은 온도(40도)에서 원자층증착(ALD)으로 씌우는 방법을 연구했습니다. 막을 씌우는 동안 빛을 이용한 측정(분광 타원계)으로 실시간으로 물질의 성질 변화를 관찰해서, 알루미나가 MoS2의 전기적 특성(도핑)을 어떻게 바꾸는지 알아냈습니다. 이 알루미나는 화학적으로 붙지 않고 물리적으로 얹혀 있어서 다시 떼어내면 원래 상태로 되돌릴 수 있다는 것도 보여주었습니다.
이 연구는 극자외선(EUV) 리소그래피용 얇은 보호막(SiNx)을 특별한 플라즈마 순서로 아주 얇게 원자층 증착(ALD)하는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 막은 흑연을 손상시키지 않으면서도 강한 플라즈마와 화학물질에 잘 견디는 성질을 가집니다. 결과적으로 반도체 제조에 쓰이는 EUV 펠리클의 성능을 높이는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)과 분자층증착(MLD)이라는 기술로 아주 얇은 막을 여러 층으로 쌓아 새로운 성질을 가진 재료를 만드는 방법을 정리한 리뷰입니다. 무기물과 유기물을 자유롭게 조합해서 지금까지 없던 특별한 재료를 만들 수 있다는 점을 설명합니다. 앞으로 이 기술이 어떤 분야에 활용될 수 있는지도 함께 이야기합니다.
이 논문은 아주 얇은 막을 입히는 ALD 공정을 빠르게 최적화하는 새로운 방법을 소개합니다. 아주 가느다란 나노와이어를 전자현미경(TEM) 판에 놓고 코팅한 뒤 바로 관찰해서 두께, 성분, 결정구조를 빨리 알아낼 수 있습니다. 이렇게 하면 새로운 증착 공정을 훨씬 빠르게 개선할 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 티타늄다이옥사이드(TiO2) 얇은 막을 만들 때 온도를 바꾸면 막 속에 산소질소 결합이 얼마나 생기는지 알아봤어요. 온도가 높을수록 이 결합이 더 많이 생기고, 이는 빛을 흡수하는 정도와 전기가 통하는 정도에도 영향을 줘요. 이런 결과는 반도체나 광전자 소자를 만들 때 온도 조건을 잘 조절하면 원하는 성질의 막을 만들 수 있다는 것을 보여줘요.
이 논문은 원자층 증착(ALD)과 분자층 증착(MLD) 기술로 희토류 원소가 들어간 아주 얇은 막을 만드는 방법을 정리한 리뷰 논문입니다. 이런 막은 반도체, 디스플레이, 에너지 저장 장치 등에 쓰일 수 있는 특별한 성질을 가지고 있습니다. 1990년대부터 최근까지의 연구 발전 과정과 다양한 응용 가능성을 소개합니다.
이 논문은 ALD(원자층증착법)로 붕소를 넣은 알루미늄산화막(Al2O3)을 만드는 방법을 연구했습니다. 온도를 바꿔가며 실험해서 200도에서 가장 잘 만들어졌고, 얇은 막이지만 전기가 잘 새지 않는 좋은 절연막을 만들었습니다. 이 막은 반도체 소자에서 절연체로 쓰일 수 있는 중요한 재료입니다.
이 논문은 니켈과 황을 이용해 얇은 NiS2 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 이 방법으로 만든 막은 전기가 잘 통하고 표면적이 넓어서 수소를 만드는 화학반응(촉매)에 유용하게 쓰일 수 있습니다. 220~270도 사이의 온도에서 안전하고 간단하게 만들 수 있다는 점이 특징입니다.
이 논문은 특수한 원자층증착(ALD) 기술로 루테늄산화물(RuO2)이라는 물질을 필요한 곳에만 얇게 쌓는 방법을 연구했어요. 고분자 물질을 마스크처럼 사용해서, 원하지 않는 곳에는 RuO2가 붙지 않도록 막았어요. 이렇게 하면 아주 작은 반도체 부품을 만들 때 정밀하게 원하는 패턴을 만들 수 있어요.
이 논문은 HfS2라는 얇은 막을 코발트산화물 표면 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 쌓는 과정을 연구했습니다. 표면에 수소 이온이 거의 없는 경우에도 다른 화학반응(루이스 산-염기 반응)을 통해 막이 잘 자라날 수 있다는 새로운 원리를 발견했습니다. 이는 앞으로 다양한 표면에서 얇은 막을 만드는 기술을 이해하는 데 도움을 줍니다.
이 연구는 유기 결정(글루타티온, 히스티딘)을 틀로 사용해서 원자층증착(ALD)으로 알루미나 얇은 막을 3D 모양으로 만드는 방법을 소개해요. 유기 틀을 없애면 그 모양을 그대로 간직한 산화알루미늄 구조물이 남습니다. 이렇게 만든 특이한 모양의 재료는 촉매, 센서, 광학 소자 등에 쓰일 수 있어요.
이 논문은 퀀텀닷(작은 반도체 알갱이) 필름을 손상 없이 원하는 모양으로 만드는 방법을 연구했습니다. ZnO라는 물질을 아주 얇게 코팅하는 원자층증착(ALD) 기술을 이용해서, 빛으로 패턴을 그리는 포토리소그래피 공정을 개발했습니다. 이렇게 하면 디스플레이 같은 곳에 쓰이는 퀀텀닷 필름을 더 정교하게 만들 수 있습니다.
이 논문은 열전 소재의 성능을 높이기 위해 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 코팅막을 입히는 기술을 다룹니다. 이 얇은 막이 소재 안에 결함과 경계면을 만들어 열전 성능을 조절할 수 있다는 것을 설명합니다. ALD를 이용한 다양한 코팅 전략과 그 원리를 정리한 리뷰 논문입니다.
이 연구는 TiO2 얇은 막을 만들 때 산화제 종류(H2O, H2O2, O3, O2-플라즈마)를 다르게 사용해 빛을 흡수하는 성질이 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 물을 산화제로 쓰면 검은색 TiO2처럼 빛을 더 많이 흡수하지만, 다른 산화제를 쓰면 더 깨끗하고 결함이 적은 막이 만들어집니다. 이 결과는 태양전지나 환경 정화 등에 쓰일 TiO2 막의 성질을 조절하는 데 중요한 정보를 줍니다.
이 논문은 몸속에서 서서히 녹는 철(Fe) 합금 위에 산화아연(ZnO)이라는 얇은 막을 원자층 증착(ALD) 방법으로 입히는 연구입니다. ALD는 아주 얇고 균일한 막을 한 층씩 쌓는 특별한 공정 기술입니다. 이렇게 코팅하면 금속이 몸속에서 분해되는 속도를 조절할 수 있습니다.
이 논문은 용액 속에서 원자층증착(sALD)이라는 방법으로 실리카 나노입자 위에 티타니아(TiO2) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 물과 티타늄 화합물을 번갈아 반응시켜 막을 만들고, NMR이라는 특수 분석법으로 원자들이 어떻게 결합하는지 자세히 알아냈습니다. 특히 실리콘과 티타늄이 어떻게 연결되는지 화학적 증거를 찾아냈습니다.
이 논문은 탄소 템플릿 위에 알루미나 등 산화물을 얇게 입혀서 고온에서도 표면적이 넓은 다공성 물질을 만드는 방법을 연구했습니다. 액체 원자층 증착(ALD)이라는 기술로 층을 여러 번 쌓아 6, 9, 12, 15층으로 만들었고, 고온 처리 후에도 구멍 구조가 유지되면서 표면적이 컸습니다. ZnO, TiO2, ZrO2, Ga2O3 같은 다른 산화물에도 이 방법을 적용할 수 있음을 보여주었습니다.
이 논문은 용액 기반 원자층증착(sALD)이라는 새로운 방법으로 SnS2라는 얇은 막을 실리콘 표면에 만드는 연구입니다. 특별한 화학 처리를 한 표면 위에서 SnS2가 어떻게 자라나는지 다양한 분석 방법으로 관찰했습니다. 처음에는 얇은 막이 생기고, 그 다음에는 섬처럼 자라면서 점점 커진다는 것을 알아냈습니다.
이 논문은 몸속에서 서서히 녹는 철 합금 임플란트에 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 씌워서 세균을 막는 연구입니다. ZnO 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 두께를 다르게 입혀서 표면 성질과 부식, 항균 효과를 실험했습니다. 그 결과 ZnO 코팅이 포도상구균을 99% 넘게 억제하는 효과가 있었습니다.
키토산이라는 천연 재료로 만든 스펀지 표면에 원자층증착법(ALD)으로 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 입혔습니다. 이 코팅된 스펀지는 물속의 오염된 염료와 약물 성분을 잘 흡수하고 분해할 수 있습니다. 이 기술은 값싸고 친환경적인 물 정화 소재를 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 복잡한 3D 모양 물체에 원자층증착(ALD)으로 균일한 알루미늄 산화막(Al2O3)을 입히는 방법을 연구했습니다. 챔버 안에 특별한 칸막이(배플)를 넣어서 가스가 골고루 퍼지도록 설계해서 막 두께의 불균일함을 크게 줄였습니다. 이렇게 만든 막은 플라즈마에 훨씬 강해서 코팅 보호막으로 좋다는 것을 보여줬습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 TiN이라는 전극 막을 만들 때 공정 조건을 바꾸면 어떻게 되는지 연구했습니다. 최적의 조건으로 만든 TiN 전극을 사용하면 HZO라는 특별한 재료의 강유전체 성질이 더 좋아진다는 것을 발견했습니다. 이는 반도체 메모리 소자 성능을 높이는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 만든 이산화티타늄(TiO2) 얇은 막을 실리콘과 실리콘카바이드(SiC) 기판 위에 각각 올려서 두 재료가 만나는 경계면의 성질을 비교했어요. 실험 결과, TiO2와 두 기판 사이에는 화학적으로 비슷한 상태가 나타났고, 산소가 부족한 부분(산소 공공)이 많이 있었어요. 이 연구는 TiO2가 SiC 반도체 소자에 완전히 적합하진 않지만 다른 반도체 제품에는 활용될 가능성이 있다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 코발트 전구체를 이용해 반도체 나노 배선(인터커넥트)의 특정 표면에만 얇은 막이 자라도록 막는 기술을 다룹니다. 이 방법은 원하는 곳에만 막을 입히는 '영역 선택적 원자층 증착(ALD)' 기술로, 반도체 초미세 회로 제작에 중요합니다. 제목만 있고 초록은 없어 세부 공정 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 몰리브덴 질화막을 만들 때 수소와 질소 가스의 비율이 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 이 박막은 차세대 반도체 배선 재료로 사용될 수 있습니다. 가스 비율을 조절해서 더 좋은 성질의 박막을 만드는 방법을 찾는 것이 핵심입니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 아주 작은 틈을 SiO2(산화규소)로 채우는 새로운 방법에 관한 것이었어요. 플라즈마와 특수 가스를 이용한 원자층 증착(ALD) 기술을 다뤘습니다. 하지만 이 논문은 문제가 있어서 철회(취소)되었어요.
이 논문은 반도체 회로의 작은 틈을 산화규소(SiO2)로 채우는 새로운 증착 방법을 연구했어요. 질소와 수소 플라즈마를 이용한 원자층 증착 기술을 사용했습니다. 다만 이 논문은 나중에 철회(취소)된 논문입니다.
이 논문은 아주 얇은 이황화몰리브덴(MoS2) 위에 원자층 증착(ALD) 방법으로 고유전율 절연막을 만들 때, 함께 쓰이는 반응 물질(코-반응물)이 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 이는 미래의 얇고 성능 좋은 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기초 연구입니다. 반도체 재료와 공정 조건이 핵심 주제입니다.
이 논문은 새로운 몰리브덴 원료 물질을 사용해서 낮은 온도에서 아주 얇은 MoS2(이황화몰리브덴) 막을 만드는 방법(플라즈마 원자층 증착법)을 연구했습니다. 이렇게 만든 얇은 막이 가스를 감지하는 센서로 사용할 수 있는지도 확인했습니다. 반도체 재료와 공정 조건, 장비 활용을 모두 다루는 중요한 연구입니다.
이 논문은 질화갈륨(GaN) LED를 보호하는 얇은 질화알루미늄(AlN) 막을 낮은 온도에서 만드는 방법을 다룹니다. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술을 사용해 LED 표면을 보호하는 층을 만드는 연구입니다. 반도체 소자의 성능과 수명을 높이는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 아주 작은 나노 구조물 사이에 10나노미터보다 작은 틈을 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 틈은 빛을 이용한 센서나 광학 소자에 활용될 수 있습니다. 정밀한 증착 공정과 장비를 사용해 나노 크기의 간격을 정확하게 조절하는 것이 핵심입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)과 순차침투합성(SIS) 기술을 이용해 폴리카보네이트 막의 미세한 구멍 크기와 벽 성분을 조절하는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 막은 물이 잘 통과하도록 만들어서 정수 필터 같은 곳에 쓸 수 있습니다. 구멍 크기를 조절하면 물이 더 잘 빠져나가는지 실험한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 티타늄 산화물(TiO2) 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 얇은 막이 자석 성질을 가지는지 살펴봤습니다. ALD 공정과 장비를 이용해 재료의 특성을 연구한 기초 과학 논문입니다.
이 논문은 태양빛으로 물을 분해해 수소를 만드는 실리콘 전극을 보호하기 위해 니켈 산화물(NiO) 얇은 막을 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 입히는 방법을 연구했습니다. 증착된 막의 성장 과정, 열처리와 아르곤 이온 처리 효과를 분석하고, 실제로 물 분해 실험에서 안정성과 전류 출력이 좋아지는 것을 확인했습니다. 이는 실리콘 태양전지 소재의 부식 문제를 해결하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 두 가지 방법(ALD와 RF 스퍼터링)으로 IGZO라는 산화물 반도체를 두 층으로 쌓아 만든 트랜지스터를 소개합니다. 이렇게 만들면 전자가 잘 흐르면서도 온도 변화에 안정적인 성능을 얻을 수 있습니다. 이는 초고해상도 디스플레이에 사용될 수 있는 좋은 해결책입니다.
이 논문은 대기압 공간 원자층 증착법으로 만든 아주 얇은 산화주석(SnO2) 필름을 연구했습니다. 필름이 얇아질수록 표면과 입자 경계에서 산소 빈자리가 많이 생겨 전자가 늘어나는 현상을 발견했습니다. 이는 도핑 없이도 전기적 성질을 조절할 수 있어 투명 전극 소재 개발에 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 미세채널판(MCP) 내부에 루테늄과 산화알루미늄 막을 얇게 입혀 전자를 잘 증폭시키는 방법을 연구했습니다. 막의 두께와 비율을 조절해서 전기 저항과 전자 방출 성능을 최적화했고, 이렇게 만든 MCP는 야간에도 잘 보이는 이미지 증강 장치에 활용될 수 있습니다. 결과적으로 기존보다 성능이 좋고 균일한 전자 증폭 소자를 만드는 데 성공했습니다.
이 논문은 DRAM 커패시터에 쓰이는 Ru와 RuO2 전극 위에 TiO2 얇은 막을 오존을 이용한 원자층 증착(ALD)으로 만드는 과정을 연구했어요. 전극 종류에 따라 계면에서 일어나는 화학반응이 다르고, 이로 인해 Ru가 손실되는 정도도 달라진다는 것을 밝혀냈어요. 이 결과는 더 좋은 메모리 소자를 만드는 데 도움을 줄 수 있어요.
이 논문은 안티몬과 텔루륨으로 만든 얇은 막(Sb2Te3)을 더 잘 만드는 새로운 방법을 소개해요. NH3라는 가스를 두 가지 원료물질과 함께 넣어주면 150도보다 높은 온도에서도 막을 쉽게 만들 수 있대요. 이 막은 메모리 반도체 소자에 쓰이는 중요한 재료예요.
이 논문은 컴퓨터 메모리(DRAM)에 들어가는 아주 작은 부품을 만들 때, 원자층증착이라는 방법으로 재료를 조금씩 나눠서 뿌리는 새로운 방식을 연구했어요. 이렇게 하면 전극과 절연막 사이에 원하지 않는 얇은 층이 생기는 것을 막을 수 있어요. 그 결과 TiN과 ZrO2로 만든 막이 더 좋은 성능을 가지게 됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 얇은 주석산화물(SnO) 막을 2차원처럼 평평하게 자라게 만드는 기술을 소개합니다. 이 방법으로 만든 트랜지스터는 안정성이 뛰어나고, 휘어지는 소자에 적용해도 10,000번 구부려도 고장나지 않았습니다. 유연한 전자기기에 활용될 수 있는 중요한 연구입니다.
이 논문은 게르마늄과 텔루르(GeTe)로 이루어진 얇은 막을 낮은 온도에서 원하는 비율로 만드는 새로운 방법을 소개해요. 이 방법은 원자층증착과 화학기상증착을 합쳐서 3D 메모리 칩에 쓰일 수 있는 스위치 소자를 만드는데 도움을 줘요. 실험 결과 10만번 넘게 반복해도 잘 작동하는 튼튼한 소자를 만들 수 있었어요.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 아주 얇은 막을 쌓는 기술을 이용해 산화물 박막 다이오드의 성능을 좋게 만드는 방법을 연구했습니다. 다이오드 안에서 전기가 어떻게 흐르는지 원리도 자세히 밝혔습니다. 계면(경계면)을 잘 다듬어서 더 좋은 반도체 소자를 만들 수 있음을 보여줍니다.
이 연구는 아주 높은 주파수(100MHz)의 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 얇은 하프늄-지르코늄 산화막을 만들었습니다. 이 막은 전기를 잘 저장할 수 있는 성질(유전율)이 매우 높아서 컴퓨터 메모리인 DRAM에 사용하기 좋습니다. 새로운 방법으로 더 얇고 성능 좋은 메모리 소자를 만들 수 있다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 알루미늄 질화물(AlN) 박막을 만들 때 사용하는 트리메틸알루미늄이라는 원료가 표면에서 어떻게 분해되는지 컴퓨터로 계산해서 알아낸 연구입니다. 두 가지 분해 경로가 있는데, 각각 다르게 반응해서 한 번에 자라는 막의 두께가 달라진다는 것을 밝혔습니다. 이는 반도체 소재 제조 공정을 더 잘 이해하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 몰리브덴 탄화물을 아주 얇게 쌓는 새로운 증착 방법(ALD)을 개발했어요. 이 물질을 특정 기판 위에서 처리하면 탄소가 빠져나가면서 순수한 금속 몰리브덴 박막으로 바뀐다는 것을 보여줍니다. 반도체 소자 제작에 쓰일 수 있는 고품질 금속막을 만드는 방법을 제시한 연구입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 산화갈륨(Ga2O3)이라는 얇은 막을 Ru와 TiN이라는 전극 위에 만드는 연구입니다. 이 막이 어떤 구조를 가지고 있고 전기가 어떻게 통하는지 살펴보았습니다. 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 갈륨과 산소로 이루어진 얇은 막(Ga2O3)을 원자층 증착이라는 방법으로 만든 연구입니다. 이 막의 빛을 흡수하는 정도, 에너지 특성, 빛 반사를 줄이는 성질 등을 조사했습니다. 반도체 재료로 쓰일 수 있는 물질의 광학적 성질을 분석한 연구입니다.
이 논문은 전기 전위를 이용해 원자층증착(ALD) 방법을 발전시킨 연구입니다. 루테늄(Ru) 금속 얇은 막을 만들 때 전기 신호로 표면 반응을 조절해서 막이 더 잘 만들어지도록 했습니다. 그 결과 막의 여러 성질이 좋아졌습니다.
이 논문은 ALD라는 방법으로 아주 얇은 산화스트론튬(SrO) 박막을 만드는 연구입니다. 박막 안에 남아있는 탄소가 어떻게 없어지고, 물질의 결정 구조가 어떻게 변하는지를 알아봤습니다. 이런 결과는 미래의 전자 소자를 만드는 데 중요한 기초 자료가 됩니다.
ALD라는 방법으로 사파이어 기판 위에 갈륨산화물(κ-Ga2O3) 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 연구입니다. 막의 두께와 열처리(어닐링)가 결정 구조와 성질에 어떤 영향을 주는지 살펴봤습니다. 이 물질은 전자기기와 전력반도체에 쓰일 수 있는 중요한 재료입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)과 분자층증착(MLD) 기술을 이용해 여러 종류의 란탄족 금속과 유기물질을 얇은 막으로 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 박막은 따뜻한 흰색 빛을 낼 수 있어서 조명이나 디스플레이에 활용될 수 있습니다. 여러 란탄족 원소를 잘 조합하면 원하는 색의 빛을 만들 수 있다는 것이 핵심입니다.
이 논문은 강유전체 성질을 가진 알루미늄-스칸듐 질화물(AlScN) 박막을 아주 깨끗한 환경에서 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 불순물을 최소화한 초고순도 조건에서 박막을 만들어 성능을 높이는 것이 핵심입니다. 이 재료는 메모리 소자 등 반도체 분야에 활용될 수 있습니다.
태양전지가 습기에 약해지는 문제를 해결하기 위해 아주 낮은 온도에서 얇은 보호막 두 겹을 씌우는 방법을 개발했어요. 이 보호막은 물기가 스며드는 것을 막아주면서도 전기가 잘 통하게 해줘요. 그 결과 태양전지의 효율도 높아지고, 오랫동안 성능이 유지되는 것을 확인했어요.
에르븀(Er)을 넣은 MgAl2O4라는 특수 물질을 원자층증착(ALD)으로 아주 얇게 쌓아서 실리콘 반도체 위에 빛을 내는 소자를 만들었어요. 이 소자는 적외선 빛을 매우 효율적으로 내서 광학 기기에 사용할 수 있어요. 온도와 재료 비율을 조절해서 가장 좋은 성능을 찾아냈답니다.
이 논문은 빛을 내는 페로브스카이트 가루를 용매 없이 얇은 알루미늄 산화막(Al2O3)으로 감싸서 습기와 열에 강하게 만드는 방법을 소개해요. 이렇게 코팅하면 빛을 더 밝게 내고, 자외선 종류에 따라 초록색, 하늘색, 진한 파란색으로 서로 다르게 빛나는 필름을 만들 수 있어요. 이는 파우더 원자층증착(PALD)이라는 새로운 코팅 기술을 이용한 것입니다.
아주 얇은 루테늄(Ru) 금속 막을 만들기 위해 원자층을 쌓는 방법(ALD)과 깎아내는 방법(ALE)을 함께 사용했습니다. 이렇게 하면 3nm보다 얇고 표면도 매끈한 막을 만들 수 있었어요. 이 기술은 반도체 같은 첨단 전자기기를 만드는 데 아주 정밀하게 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 특수한 원자층 증착 기술(PEALD)을 이용해 매우 규칙적인 결정 구조를 가진 인듐-갈륨 산화물 얇은 막을 만드는 방법을 소개합니다. 이 방법으로 만든 반도체는 전자가 더 잘 움직여서 트랜지스터 성능이 좋아집니다. 앞으로 디스플레이뿐 아니라 메모리, 인공지능 반도체 칩에도 활용될 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착 방법으로 매우 얇고 결정처럼 정렬된 IGZO 반도체 박막을 만드는 연구입니다. 플라즈마의 힘을 조절해서 불순물을 줄이고 전자가 잘 움직이게 만들어 초고속 트랜지스터를 만들었습니다. 이는 미래의 3차원 반도체 칩을 만드는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 태양전지를 습기로부터 보호하는 아연-알루미늄 산화물 얇은 막을 빠르게 만드는 방법을 연구했습니다. 아연과 알루미늄의 비율을 조절하면 물이 스며드는 것을 더 잘 막을 수 있다는 것을 발견했습니다. 이 보호막 덕분에 태양전지가 더 오래 성능을 유지할 수 있게 되었습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법을 정교하게 조절해서 아주 균일한 GeTe라는 얇은 막을 만드는 방법을 소개해요. 이 막은 메모리 소자에 쓰이는 스위치(OTS)를 아주 잘 작동하게 만들어줘요. 앞으로 3차원으로 쌓는 반도체 기술에도 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 초전도 얇은 막을 만드는 최신 기술들을 정리한 리뷰 논문입니다. 초전도 필름은 전기가 저항 없이 흐를 수 있게 해주는 특별한 재료입니다. 이 논문은 이런 막을 잘 만드는 방법과 활용 분야를 소개합니다.
이 연구는 GaN이라는 반도체 위에 원하는 부분에만 얇은 산화막(Al2O3)을 정확히 쌓는 새로운 방법을 개발했습니다. 도장처럼 특수 물질(ODPA)을 찍어 원하지 않는 부분에는 막이 자라지 않게 막았습니다. 이 방법은 기존처럼 플라즈마로 깎아내는 방식보다 표면을 덜 손상시켜서 더 좋은 반도체 소자를 만들 수 있습니다.
이 연구는 태양전지 표면을 보호하는 티타늄 산화막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇게 만드는 실험입니다. 두 가지 재료(전구체)를 비교하고, 열처리와 알루미늄 산화막을 함께 쓰면 전기적 성질이 더 좋아진다는 것을 밝혔습니다. 이 기술은 태양전지의 효율을 높이는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 반도체 재료인 SiC 위에 AlON이라는 얇은 막을 특수한 방법(PEALD)으로 입혀서 성능을 좋게 만든 연구예요. 막이 아주 고르고 매끄럽게 만들어졌고, 전기적으로도 안정적인 결과를 얻었어요. 이런 기술은 높은 전압에서도 잘 견디는 반도체 소자를 만드는 데 도움이 돼요.
이 논문은 플라즈마 원자층증착으로 만든 강유전체 메모리 소자에 ZrO2 씨앗층을 넣으면 성능이 좋아지는지 연구했습니다. 열처리 온도와 씨앗층 유무에 따라 전기적 특성과 내구성을 비교했습니다. 그 결과 씨앗층을 넣은 소자가 더 우수한 잔류 분극과 내구성을 보였습니다.
이 논문은 컴퓨터 프로그램(베이지안 최적화)을 이용해서 실리콘 표면을 잘 보호하는 이산화티타늄 얇은 막을 만드는 최적의 조건을 빠르게 찾는 방법을 소개합니다. 기존 방식보다 실험을 훨씬 적게 하면서도 좋은 결과를 얻을 수 있었습니다. 이 기술은 태양전지나 반도체 표면 처리에 유용하게 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 HfO2라는 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 온도와 사용하는 물질(물 또는 암모니아수)에 따라 막의 두께, 결정 구조, 전기적 성질이 어떻게 달라지는지 알아봤습니다. 반도체 소자에서 중요한 절연막 성능을 개선할 수 있는 방법을 제시합니다.
이 논문은 값싼 구리를 아주 얇게 코팅해서 비싼 귀금속(은, 금, 팔라듐) 대신 무전해 구리 도금의 씨앗층으로 쓰는 방법을 소개해요. 원자층 증착이라는 정밀한 방법으로 구리를 입히고, 최적의 온도와 횟수를 찾아서 전기가 잘 통하는 얇은 구리막을 만들었어요. 이 기술로 휘어지는 회로기판이나 LED 장치를 튼튼하고 성능 좋게 만들 수 있어요.
이 논문은 ZnO라는 물질에 니켈이나 철을 섞어서 원자층증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 얇은 막을 만든 연구입니다. 만든 막의 전기적, 유전적 성질을 다양한 온도에서 측정했습니다. 니켈과 철 중 무엇을 넣었는지에 따라 전기적 성질이 다르게 나타난다는 것을 발견했습니다.
실리콘 웨이퍼 표면을 특별한 분자(TDMAMS)로 코팅해서 ZnO가 원하는 곳에만 얇게 쌓이도록 만드는 실험입니다. 이 코팅막이 열에 강한지도 확인했는데, 공기 중에서 가열하면 코팅이 더 쉽게 손상된다는 것을 발견했습니다. 이 방법은 반도체 제작에서 특정 부분에만 물질을 정확하게 쌓는 기술(선택적 증착)에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 Al2O3라는 얇은 막을 만드는 ALD 공정에서 온도, 가스 유량, 펄스·퍼지 시간 같은 조건들이 막이 자라는 속도에 어떤 영향을 주는지 통계적으로 분석했습니다. 그 결과 온도가 성장 속도에 가장 큰 영향을 주는 요인이라는 것을 밝혀냈습니다. 이를 바탕으로 더 빠르게 막을 만들 수 있는 최적의 공정 조건을 찾아냈습니다.
이 논문은 CsPbBr3라는 특수한 물질과 ZnO를 낮은 온도에서 얇게 쌓아서 빛을 감지하고 기억할 수 있는 인공 신경세포 같은 소자를 만들었습니다. 이 소자는 아주 약한 초록색 빛에도 반응해서 전류를 만들고, 사람의 뇌처럼 학습하는 것을 흉내낼 수 있습니다. 저온 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 두 물질 사이의 틈을 잘 채워서 성능을 좋게 만든 것이 특징입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 작은 5나노미터 이하 구멍이 있는 실리카 틀 안에 산화아연을 채워 넣는 연구입니다. 이렇게 만든 나노 구조물을 X선 분석 등으로 관찰했습니다. 작은 구멍 속에 물질을 정교하게 넣는 새로운 기술을 보여준 연구입니다.
아주 작은 구멍이 많이 뚫린 알루미나 구조물 위에 ZnO라는 얇은 막을 원자층 증착 방법으로 입혔습니다. 이 막을 입히면 빛을 반사하거나 흡수하는 성질과 전기적 성질이 달라지는 것을 확인했습니다. 이런 특성은 앞으로 다양한 기술에 활용될 수 있습니다.
알루미늄과 세라믹(SiC) 복합재료는 부식이 잘 되는 문제가 있습니다. 이 연구에서는 ALD 기술로 아주 얇은 산화막(HfO2 등)을 코팅해서 부식을 막는 방법을 실험했습니다. 그 중 HfO2 코팅이 부식을 가장 잘 막아주는 것으로 나타났습니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착)로 만든 니켈이 섞인 산화아연 박막에서 빛의 반사 성질이 어떻게 변하는지 연구했습니다. 니켈을 넣은 산화아연은 그냥 산화아연보다 자기광학 효과(빛의 회전 각도)가 훨씬 크고 불균일하게 나타났습니다. 이는 앞으로 자기광학 소재를 개발하는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 아주 얇은 MoS2라는 물질 위에 특수한 절연막(Al2O3, HfO2)을 원자층 단위로 쌓는 방법을 연구했습니다. 얇은 막이 어떻게 처음 생기고 자라나는지를 관찰했습니다. 이는 미래의 작은 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기초 연구입니다.
이 연구는 컴퓨터 계산(DFT)으로 실리콘 표면에 수소를 붙이면 백금, 구리, 금 같은 금속을 원하는 곳에만 골라서 얇게 입힐 수 있다는 것을 보여줍니다. 금은 수소가 있을 때 반응이 가장 어려워지고, 백금은 가장 안정적인 방식으로 붙는다는 것을 발견했습니다. 이는 반도체 만들 때 원자층을 정밀하게 쌓는 기술(ALD)을 더 잘 조절하는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 여러 개의 헤드를 가진 특수한 증착 장비로 얇은 막을 겹겹이 쌓는 새로운 방법을 소개해요. 공기 중에서도 재료들이 섞이지 않고 깨끗하게 층을 만들 수 있어요. 이 방법으로 두께를 정확하게 조절하고 대량으로 빠르게 만들 수 있어요.
실리콘 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 디스프로슘을 넣은 특수한 세라믹 얇은 막을 만들었어요. 이 막에 전기를 흘리면 밝은 흰색 빛이 나와요. 빛을 만드는 효율이 꽤 좋아서 조명이나 디스플레이에 쓸 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 비정질 TiO2 얇은 막의 원자 배열을 특수 전자현미경(4D-STEM)과 컴퓨터 계산으로 자세히 분석했습니다. 이를 통해 얼핏 무질서해 보이는 막 안에도 중간 범위의 규칙적인 구조가 있다는 것을 밝혀냈습니다. 이 방법은 다른 비정질 재료의 구조를 이해하는 데도 활용될 수 있습니다.
이 논문은 금 나노입자가 뭉치는 것을 막기 위해 알루미나(산화알루미늄) 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 씌우는 연구입니다. 금 나노입자를 이산화티타늄 표면 위에 만들고 그 위에 보호막을 입혀 특성이 잘 유지되는지 살펴봤습니다. 이는 촉매 연구를 위한 기초 물성 실험입니다.
이 논문은 전기방사로 만든 PVDF 섬유 표면에 얇은 TiO2 막을 공간형 원자층증착(ALD)으로 균일하게 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 섬유막은 습기에 민감하게 반응해 마찰전기 발전 효율을 높여줍니다. 즉, 습도를 이용해 전기를 더 잘 만들어내는 센서 같은 발전소재를 개발한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)을 이용해 아주 작은 백금 알갱이를 Fe2(MoO4)3라는 속이 빈 작은 공 모양 재료 표면에 붙였습니다. 이렇게 만든 재료는 자일렌이라는 냄새나는 화학물질을 아주 적은 양까지 감지할 수 있는 센서로 사용됩니다. 백금 알갱이 덕분에 센서의 감지 능력이 더 좋아졌습니다.
이 논문은 블록공중합체 막(멤브레인)의 3D 구조를 전자현미경으로 잘 보기 위해 원자층증착(ALD) 방법을 사용했습니다. 특정 부분에만 알루미늄 산화물(AlOx)을 선택적으로 자라게 해서 대비를 뚜렷하게 만들었습니다. 이를 통해 눈에 잘 보이지 않던 막의 3차원 모습을 정확히 관찰할 수 있게 되었습니다.
이 논문은 유로퓸(Eu)과 유기물을 원자층으로 아주 얇게 쌓는 새로운 증착 방법을 소개합니다. 이 박막은 나노 구조물 위에 만들어져서 에너지가 옮겨가는 특별한 현상(FRET)을 이용한 센서 등에 쓰일 수 있습니다. 특정 화학물질(Eu(thd)3와 HQA)을 이용해 얇은 막을 만드는 공정을 다룹니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정교하게 쌓는 기술로 트랜지스터와 3차원으로 쌓은 반도체 칩을 만드는 방법을 설명합니다. ALD로 만든 여러 재료들이 미래의 메모리, 인공지능 반도체, 유연한 전자기기에 어떻게 쓰이는지 정리했습니다. 앞으로의 발전 방향과 해결해야 할 문제도 함께 소개합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 IGZO 반도체 박막의 성능을 헬륨 플라즈마를 이용해 개선하는 새로운 공정을 소개합니다. 인듐 전구체의 큰 리간드 때문에 생기는 '가림 효과'를 헬륨 플라즈마로 없애서 박막의 산소 결함을 줄이고 트랜지스터 성능을 크게 높였습니다. 이 기술은 차세대 메모리(DRAM)용 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 연구는 알루미늄과 갈륨이 섞인 특수한 얇은 막(AlGaN)을 원자층 하나씩 쌓는 방법으로 만드는 새로운 기술을 소개합니다. 이 기술을 사용하면 알루미늄 비율을 0%부터 100%까지 자유롭게 조절할 수 있고, 표면이 매우 매끈하며 물질이 고르게 섞여 있습니다. 반도체 소자에 중요한 이 박막 제조 기술은 다른 여러 재료에도 적용될 수 있습니다.
이 연구는 뇌에 넣는 신경 전극 표면에 아주 얇은 산화아연 막을 특수한 방법(플라즈마 원자층 증착)으로 입혀서 세균을 막아주는 기능을 더했어요. 산소만 사용하면 세균은 잘 막지만 전기 성능이 떨어지고, 산소와 수소를 함께 쓰면 세균도 막고 전기 성능도 좋아진다는 것을 발견했어요. 이렇게 하면 항생제 없이도 감염을 막는 더 좋은 신경 전극을 만들 수 있어요.
이 논문은 배터리 양극 재료를 고온에서 만들 때 표면이 손상되지 않도록 얇은 보호막(ALD 코팅)을 씌우는 방법을 소개합니다. 이 방법으로 배터리가 더 빨리 충전되고 오래 사용할 수 있게 됩니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 배터리 소재 연구에 해당합니다.
이 논문은 전기화학적 방법으로 아주 얇은 구리 금속막을 원자 단위로 쌓는 기술을 소개해요. 실리카라는 물질이 구리 촉매의 성능을 도와주는 역할을 한다고 설명해요. 이를 통해 화학 반응을 더 잘 일으키는 촉매를 만드는 연구예요.
마그네슘 기반 열전소자는 시간이 지나면 성능이 나빠지는데, 이는 원자 이동과 산화물 생성 때문입니다. 원자층증착(ALD)으로 HfO2 얇은 막을 코팅하면 이런 손상을 막아 소자를 더 튼튼하게 만들 수 있습니다. 또한 다시 납땜하면 성능을 회복시킬 수 있다는 것도 발견했습니다.
이 논문은 값싼 구리(Cu)를 이용해 귀금속 대신 쓸 수 있는 촉매를 만드는 연구입니다. 아주 얇은 구리막을 실리카(유리 비슷한 물질) 안에 감싸서 특별한 화학 반응 환경을 만들었습니다. 이렇게 하면 반응성이 없던 구리가 유용한 촉매로 변한다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 특별한 산화물 막을 원하는 부분에만 정확하게 만드는 기술을 다룹니다. 촉매를 이용해 특정 부분만 활성화시켜서 그 자리에만 막이 자라도록 하는 것이 핵심 아이디어입니다. 이렇게 만든 막은 반도체 소자에 쓸 수 있을 만큼 품질이 좋습니다.
이 논문은 OLED(화면 소자)를 보호하는 얇은 막을 대기압에서 빠르게 만드는 새로운 증착 기술을 다룹니다. 막이 자라는 과정을 잘 조절해서 더 좋은 품질의 보호막을 만드는 방법을 연구했습니다. 이 기술은 디스플레이를 만드는 공정에 중요한 역할을 합니다.
이 논문은 Li3PS4라는 고체 전해질 필름을 눌러서(압축) 물과 만나도 잘 안 상하게 만드는 방법을 다룹니다. 그 표면에 원자층증착(ALD) 기술로 얇고 고르게 코팅막을 씌워서 표면의 수산기(OH)를 없애는 실험을 했습니다. 이렇게 하면 배터리에 쓰이는 고체 전해질을 더 안정적으로 만들 수 있습니다.
이 논문은 매우 좁고 깊은 구멍 모양의 나노 구조물에 얇은 막을 고르게 입히는 원자층증착(ALD) 공정을 컴퓨터로 시뮬레이션하는 방법을 다룹니다. 크기가 다른 여러 단계를 동시에 계산하는 다중 스케일 방식을 사용해 반도체 공정 설계에 도움을 줍니다. 실험 없이도 최적의 공정 조건을 예측할 수 있게 해줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 방법으로 로듐(Rh) 원자 하나하나를 산화주석(SnO2) 표면에 붙인 센서를 만들었습니다. 이렇게 만든 센서는 포름알데히드라는 나쁜 냄새 가스를 더 잘 찾아낼 수 있습니다. 이 기술은 공기 중 위험한 가스를 감지하는 센서 성능을 높이는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 분말 원자층증착(ALD) 방법으로 리튬 티타네이트라는 얇은 보호막을 배터리 재료 표면에 고르게 입히는 연구입니다. 이 보호막이 황화물 기반 전고체 배터리의 성능을 어떻게 향상시키는지 알아봤습니다. 특수한 분말용 ALD 장비를 사용해 작은 입자에도 균일하게 코팅했습니다.
이 논문은 얇은 막을 씌우는 ALD라는 방법을 쓸 때, 구멍이 많은 재료의 온도가 어떻게 변하는지 컴퓨터로 계산한 연구입니다. 실제 실험 대신 시뮬레이션으로 온도 변화를 예측했습니다. 특정 재료나 소자를 다루기보다는 공정 중 온도 변화 원리를 이해하는 데 초점을 맞췄습니다.
이 논문은 대기압 상태에서 원자층 증착(ALD)이라는 방법을 이용해 미세유체 칩(작은 관이 있는 플라스틱 판) 내부를 코팅하는 기술을 다룹니다. PDMS라는 부드러운 플라스틱 소재의 좁은 통로 안쪽 표면을 얇은 막으로 바꾸는 공정입니다. 특정 재료나 소자보다는 공정과 장비 방식에 초점을 맞춘 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 니켈/알루미나 촉매 위에 산소 빈자리가 많은 산화세륨(CeOx) 얇은 막을 코팅하는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 메탄을 이용한 화학 반응(바이리포밍)에서 더 좋은 성능을 낼 수 있습니다. 반도체나 디스플레이 소재가 아니라 촉매 화학 분야에 초점을 맞춘 연구입니다.
이 논문은 13X 제올라이트라는 작은 알갱이에 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 얇은 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 하면 공장 연기 속의 이산화탄소를 더 잘 잡아낼 수 있게 됩니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 환경 정화 기술에 관한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 구리 금속을 아주 얇게 쌓는 기술을 다룹니다. 이렇게 만든 구리 박막을 리튬이온배터리의 양극재료로 사용할 수 있는 가능성을 연구했습니다. 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 MoS2라는 물질을 폼(foam) 소재의 전기 네트워크 층에 입혀서 성능이 좋고 조절 가능한 흡수체를 만드는 연구입니다. 계층적 구조를 가진 복합 폼에 MoS2 코팅을 적용해 전자파나 소리를 잘 흡수하도록 만들었습니다. ALD라는 정밀한 코팅 공정 기술이 사용되었습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 니켈(Ni)과 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 촉매를 만드는 방법을 다룹니다. 이 촉매는 이산화탄소를 메탄으로 바꾸는 화학 반응을 더 잘 일어나게 도와줍니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 화학 촉매 분야에 쓰이는 재료 연구입니다.
이 논문은 질화몰리브덴(MoN)을 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 얇게 쌓은 뒤, 수소가 통과할 수 있는 특별한 덮개막을 씌워서 몰리브덴 금속 박막으로 바꾸는 방법을 연구했습니다. 이 방법은 반도체 회로를 만들 때 필요한 얇고 균일한 금속막을 만드는 새로운 기술입니다. 장비(ALD 반응기, 플라즈마 소스)와 공정 조건을 함께 다루는 연구입니다.
이 논문은 산소 함유량을 조절해 IATO라는 특수한 산화물 반도체 박막을 만들고 이를 이용한 트랜지스터를 연구했습니다. 또한 트랜지스터의 성능을 높이기 위해 ALD라는 방법으로 얇은 절연막(Al2O3)을 만들어 사용했습니다. 이 기술은 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있는 중요한 연구입니다.
이 논문은 하프늄산화물(하프니아)이라는 특수한 재료를 반도체 메모리에 쓰기 위해 연구했어요. 아주 높은 주파수의 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 막을 더 튼튼하고 믄음직하게 만드는 방법을 찾았습니다. 이렇게 하면 미래의 메모리 소자가 더 오래 잘 작동할 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 하프늄산화물(하프니아) 기반의 강유전체 박막을 낮은 열처리 온도로 만드는 방법을 연구합니다. 낮은 온도로 만들면 반도체 메모리 소자에 더 쉽게 적용할 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목으로 보아 반도체 공정과 재료를 함께 다루는 연구로 보입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 NdNiO3라는 특별한 산화물 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막이 어떻게 자라는지와 전기적인 성질을 살펴보았습니다. 반도체 소자 등에 활용될 수 있는 새로운 재료를 만드는 방법을 연구한 것입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 니켈 산화물이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 특별한 화학물질(아미디네이트 전구체)을 사용해서 p형 반도체 성질을 가진 산화막을 만들었습니다. 이 기술은 반도체 소자를 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 BiVO4라는 특수한 재료를 얇은 막으로 만드는 방법을 연구했어요. 펄스 레이저, 마그네트론 스퍼터링, 원자층 증착이라는 세 가지 다른 기계를 사용해서 막을 만들고 비교했답니다. 만든 막이 빛을 받아 화학반응을 돕는 능력(광촉매 성능)이 어떻게 달라지는지 살펴봤어요.
이 논문은 200mm 크기의 큰 웨이퍼 위에 아주 얇은 LiPON이라는 특별한 막을 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 입히는 연구입니다. LiPON은 배터리 안에서 이온을 잘 통과시키는 고체 전해질 재료로 쓰입니다. 큰 웨이퍼에서도 균일하게 얇은 막을 만드는 공정 기술을 다룹니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 만든 산화주석(SnO) 박막을 이용해 p형 트랜지스터를 만든 연구입니다. 이 트랜지스터는 전자가 잘 흐르는 정도(이동도)와 켜짐/꺼짐 전류 비율이 높다는 특징이 있습니다. 반도체 소자 성능 향상에 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)으로 티타늄 산질화물(TiOxNy) 박막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 박막은 사람 뇌처럼 정보를 처리하는 뉴로모픽 소자에 활용될 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목만으로도 반도체 소자 응용과 관련이 큽니다.
이 논문은 실리콘 화합물(메틸트리클로로실란)을 이용해 아주 높은 온도에서 이산화규소(SiO2) 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 막은 열산화막처럼 품질이 좋습니다. 반도체 공정에서 중요한 절연막을 더 잘 만드는 방법을 연구한 논문입니다.
이 논문은 리튬이온 배터리에 쓰이는 고체 전해질을 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 좁고 깊은 구조에도 얇고 균일하게 입히는 기술을 다룹니다. ALD는 원자 단위로 한 층씩 쌓는 정밀한 코팅 방법입니다. 이 기술로 더 안전하고 성능 좋은 배터리를 만들 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 특별한 산화물과 질화물을 아주 얇게 쌓는 과정에서 일어나는 화학 반응을 연구합니다. 재료들이 서로 원소를 바꾸는 '교환 반응'이 어떻게 일어나는지 살펴봅니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 특별한 방법(ALD)으로 만들어 적외선을 감지하는 작은 센서(마이크로볼로미터)를 더 잘 만들 수 있는지 연구했습니다. 이 막을 어떻게 만들고 설계하면 성능이 좋아지는지 시뮬레이션으로 확인했습니다. 결과적으로 더 좋은 적외선 카메라 센서를 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 구리와 산화막이 함께 있는 표면에서 산화탄탈럼만 선택적으로 자라게 하는 새로운 원자층증착(ALD) 방법을 소개합니다. '환원-흡착-산화' 단계를 반복하는 방식으로 구리 위에는 막이 생기지 않게 하고, 산화막 위에는 정확하게 막을 쌓을 수 있습니다. 이는 앞으로 더 작고 정밀한 반도체 회로를 만드는 데 큰 도움이 됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 특별한 순서에 따라 불순물(도판트)을 넣어서 산화물 반도체가 결정으로 굳지 않고 비정질 상태를 유지하게 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 인듐아연주석산화물은 전자가 더 잘 움직여서 성능이 좋아집니다. 이는 디스플레이나 반도체 소자에 사용될 수 있는 중요한 기술입니다.
이 논문은 페로브스카이트-페로브스카이트-실리콘 세 층을 쌓아 만든 태양전지를 소개합니다. 특히 원자층증착(ALD) 장비 없이도 만들 수 있는 새로운 제작 방법을 다룹니다. 이는 태양전지 효율을 높이면서도 제조 과정을 더 간단하게 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 태양전지를 만들 때 얇고 균일한 NiO 막을 ALD(원자층 증착)라는 방법으로 입혀서 태양전지를 크게 만들어도 성능이 잘 유지되도록 하는 연구입니다. 예전에는 액체로 코팅하는 방법을 써서 크게 만들면 성능이 많이 떨어졌는데, ALD를 쓰면 이 문제를 줄일 수 있다는 것을 보여줍니다. 이는 태양전지를 실제로 크게 만들어 쓸 수 있게 하는 중요한 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 주석(Sn)을 넣은 게르마늄셀레나이드(GeSe2) 박막을 만들어 비소(As) 없는 오보닉 문턱 스위치(OTS) 소자를 개발한 연구입니다. 이 소자는 메모리 반도체에서 신호를 선택하는 스위치 역할을 하며, 꺼짐 상태에서 전류가 적게 흐르는 장점이 있습니다. 실험을 통해 전기적 특성을 자세히 분석했습니다.
이 논문은 대기압 공간 원자층증착(SALD) 방법으로 산화구리(CuO) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 구리 아세틸아세토네이트와 오존 가스를 이용해 CuO 반도체 막을 만들고, 이것이 자외선(UV)을 감지하는 센서에 쓰일 수 있음을 보였습니다. p형 반도체 산화물 특성을 활용한 UV 검출 소자 응용 연구입니다.
이 논문은 ZnS라는 물질을 원하는 곳에만 저절로 얇게 쌓이게 하는 원자층증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 어떤 표면에서는 바로 잘 쌓이고 다른 표면에서는 잘 안 쌓이는 성질을 이용해서 따로 마스크를 만들지 않아도 특정 부분에만 막을 만들 수 있습니다. 이런 기술은 반도체 칩을 더 정교하게 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 금(Gold)을 아주 얇게 코팅하는 새로운 화학 재료(전구체)를 연구했습니다. 인과 결합된 금 화합물을 이용해서 원자층 하나씩 쌓는 방식(ALD)으로 금 박막을 만드는 방법을 실험했습니다. 반도체나 코팅 산업에서 얇은 금속막을 만들 때 사용할 수 있는 새로운 재료 후보를 제시한 연구입니다.
이 논문은 대기압에서 원자층을 아주 얇게 쌓는 특별한 기술(대기압 ALD)을 소개해요. 이 기술은 넓은 면적이나 구멍이 많은 3D 재료에도 얇은 막을 잘 입힐 수 있어요. 앞으로 여러 산업에서 새롭게 쓰일 수 있는 방법이라고 설명해요.
이 논문은 얇은 루테늄 막을 만드는 원자층 증착(ALD) 공정에 쓸 수 있는 새로운 재료(전구체)를 소개합니다. 이 재료는 액체 상태로 쉽게 증발되고, 산소나 암모니아 가스와 잘 반응하도록 설계되었습니다. 반도체 등 미래 전자 부품 제작에 활용될 수 있는 기초 화학 연구입니다.
이 논문은 산화아연(ZnO)이라는 얇은 막을 만들 때 쓰는 4가지 재료(전구체)를 비교했어요. 가장 많이 쓰는 재료 말고도 다른 좋은 재료들이 있다는 것을 보여줬습니다. 모든 재료로 좋은 품질의 산화아연 막을 만들 수 있었습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 아주 얇은 특수 유리막을 만드는 연구입니다. 알루미늄과 갈륨의 비율을 조절해서 막이 결정으로 변하는 온도와 빛을 내는 성질을 조절할 수 있었습니다. 이를 통해 디스플레이 같은 곳에 쓸 수 있는 발광 소재를 더 정밀하게 만들 수 있게 되었습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 알루미늄, 인, 산소가 섞인 얇은 막을 만드는 두 가지 방법을 비교합니다. 하나는 새로운 원료 물질을 써서 인이 조금 섞인 산화알루미늄을 만들고, 다른 하나는 두 원료를 번갈아 사용해 인과 산소 비율을 마음대로 조절할 수 있는 막을 만듭니다. 이를 통해 막의 성분을 원하는 대로 조절하는 방법을 연구했습니다.
이 논문은 배터리 양극재 표면에 얇은 보호막(Al2O3, MoO3)을 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 입힌 연구입니다. 이 보호막은 리튬과 니켈이 섞이는 문제를 줄여줍니다. 두 가지 보호막의 전기화학적 성능을 비교했습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)과 분자층 증착(MLD) 기술을 이용해 배터리 내부에 매끄럽고 얇은 보호막을 만드는 방법을 설명합니다. 이 막은 아주 얇으면서도 구멍이 없어 복잡한 모양의 표면에도 고르게 입혀질 수 있습니다. 이를 통해 배터리의 성능과 안정성을 높이는 인공 계면을 만들 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 코발트, 니켈, 홀뮴의 불화물 박막을 처음으로 만든 연구입니다. 이 물질들은 얇은 막 형태로 표면에 매우 균일하게 쌓입니다. 새로운 재료를 얇은 막으로 만드는 방법을 알아낸 것이 이 연구의 핵심입니다.
이 논문은 리튬 배터리에 쓰이는 얇은 전해질 막(LiPON)에 알루미늄산화물(Al2O3)을 아주 정밀하게 넣는 방법(ALD)을 연구했어요. 이렇게 하면 막의 구조와 전기적 성질이 어떻게 변하는지 알아봤어요. 결과적으로 더 좋은 배터리 재료를 만드는 데 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 구리와 유기물을 이용해 얇은 박막 형태의 특수한 다공성 물질(MOF)을 기체 상태에서 증착하는 방법을 연구했습니다. 여러 종류의 표면(결정질, 비결정질)에 이 박막을 입혀서 특정 방향으로 잘 자라나는지 확인했습니다. 특히 DMOF-1이라는 결정 표면 위에서는 방향성 있게 잘 자라서 새로운 층 구조를 만들 수 있음을 보여주었습니다.
이 논문은 MIL-100(Fe)라는 다공성 물질에 TiO2와 CoOx를 원자층증착(ALD)으로 얇게 입혀 새로운 광촉매를 만들었습니다. 이 물질은 빛을 이용해 물에서 산소를 만드는 능력이 뛰어납니다. 재료 조합을 통해 광촉매 성능을 크게 높인 연구입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)으로 몰리브덴 산화물(α-MoO3) 얇은 막을 더 빠르게 만드는 새로운 방법을 개발했습니다. 이렇게 만든 막은 얇게 벗겨내기 좋은 고품질 막입니다. 몰리브덴 전구체를 다르게 공급하는 방식들을 비교해서 시간을 절약하는 공정을 찾았습니다.
이 논문은 리튬 금속 배터리의 리튬 표면에 산화이트륨(Y2O3)이라는 얇은 보호막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입히는 연구입니다. 이 코팅막은 리튬이 뾰족하게 자라나는 것(덴드라이트)을 막아줘서 배터리가 더 안전하고 오래 쓸 수 있게 해줍니다. 배터리 성능을 좋게 만드는 재료와 공정을 다룬 논문입니다.
이 논문은 얇은 5나노미터 두께의 산화알루미늄(Al2O3) 절연막을 새로운 원자층 증착(ALD) 방법으로 만들어 인듐갈륨아연산화물(IGZO) 박막트랜지스터(TFT)의 성능을 높인 연구입니다. 이 기술은 디스플레이에 쓰이는 반도체 소자를 더 얇고 효율적으로 만드는 데 도움을 줍니다. 새로운 증착 방법이 소자 성능 향상의 핵심입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 기술로 강유전체 트랜지스터를 만드는 방법을 다룹니다. 강유전체 트랜지스터는 메모리 소자로 사용될 수 있는 반도체 부품입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목상 반도체 공정 기술이 핵심 주제입니다.
이 논문은 갈륨질화물(GaN) 같은 3족 질화물 반도체를 아주 낮은 온도에서 원자 단위로 얇게 쌓는 플라즈마 원자층증착(PEALD) 기술을 정리한 리뷰입니다. 여러 기판 위에서 어떻게 결정이 자라나는지와, 태양전지·트랜지스터·센서 등 다양한 소자에 활용하는 방법을 설명합니다. 앞으로 넘어야 할 기술적 과제와 미래 응용 방향도 함께 소개합니다.
이 논문은 물을 분해해 수소를 만드는 태양광 반응에 쓰이는 헤마타이트(산화철) 얇은 막을 특별한 원자층 증착법(플라즈마 이용)으로 만드는 방법을 연구했습니다. 온도와 반응 조건을 조절해서 얇고 균일한 막을 만들었고, 이 막이 실제로 태양빛을 이용해 물을 분해하는 성능을 확인했습니다. 새로운 재료 전구체를 이용해 정밀하게 막 두께를 조절할 수 있음을 보여줬습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착으로 만든 주석(Sn) 도핑 산화갈륨(Ga2O3) 박막을 열처리(RTA)했을 때 어떤 변화가 생기는지 연구했습니다. 열처리와 주석 함량에 따라 막의 두께, 표면 거칠기, 전기적 특성이 달라지는 것을 확인했습니다. 이는 좋은 반도체 소자를 만드는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 페로브스카이트 태양전지의 수명을 늘리기 위해 원자층증착(ALD) 방법으로 산화주석(SnOx) 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 전자를 잘 이동시키면서도 튼튼해서 태양전지가 오래 사용해도 성능이 잘 유지됩니다. 실험 결과 25% 이상의 높은 효율과 2000시간 이상의 뛰어난 안정성을 보였습니다.
이 연구는 원자층증착(ALD) 방법으로 산화아연(ZnO) 얇은 막을 태양전지 위에 입혀서 금색, 보라색, 초록색 같은 다양한 색을 낼 수 있게 만들었어요. 색을 낼 수 있지만 태양전지의 발전 효율은 15.2%에서 13.5%로 조금 떨어졌어요. 그래도 예쁜 색이 필요한 건물에 태양전지를 사용할 수 있는 가능성을 보여줬어요.
이 논문은 ALD라는 방법으로 알루미늄산화물, 산화아연, 이산화티타늄이라는 얇은 막을 만들어서 태양전지 표면에 발라 빛 반사를 줄이는 실험을 했어요. 여러 막 조합 중에서 알루미늄산화물과 이산화티타늄을 함께 쓴 태양전지가 전기를 가장 잘 만들었어요(효율 18.74%). 이 연구는 태양전지를 더 효율적으로 만드는 방법을 찾은 것이에요.
이 논문은 낮은 온도에서 원자층증착(ALD) 방법으로 HfO2와 Al2O3를 층층이 쌓아서 만든 절연막을 사용해 인듐-징크 옥사이드 박막트랜지스터의 전기적 성능을 높이는 연구입니다. 트랜지스터는 디스플레이 화면을 움직이게 하는 작은 전자 스위치인데, 이 연구는 그 스위치를 더 좋게 만드는 방법을 찾은 것입니다. 낮은 온도에서 공정을 할 수 있어서 다양한 재료에 적용하기 좋다는 장점이 있습니다.
이 논문은 얇은 막 트랜지스터(TFT)의 신뢰성을 높이기 위해 ZrAlOx라는 절연막을 사용했습니다. ALD라는 방법으로 AlOx와 ZrOx를 쌓는 순서를 바꿔가며 성능을 비교했습니다. 이를 통해 디스플레이용 반도체 소자의 안정성을 개선하는 방법을 찾았습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PE-ALD)으로 질소 함량을 조절할 수 있는 알루미늄 산질화물(AlOxNy) 박막을 만드는 연구입니다. AlN을 얇게 쌓고 산소 플라즈마로 산화시키는 과정을 반복해서 질소 비율을 정밀하게 조절했습니다. 이 박막은 GaN 반도체 트랜지스터의 절연막으로 활용될 수 있습니다.
이 논문은 붕소, 탄소, 질소, 알루미늄을 포함하는 아주 얇은 막을 원자층증착과 비슷한 방법으로 만드는 연구입니다. 온도와 압력을 바꾸면서 막의 성분이 어떻게 변하는지 살펴봤어요. 특히 압력을 조절하면 알루미늄이 많거나 적은 막을 만들 수 있다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 알루미늄 산화막, 질화막, 산질화막을 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 방법으로 만드는 과정을 컴퓨터 계산으로 자세히 연구했습니다. TMA와 AlCl3라는 두 가지 재료를 비교해서 어떤 것이 더 좋은 막을 만드는지, 왜 그런 반응이 일어나는지 원리를 밝혔습니다. 특히 산소가 질소보다 표면에 더 잘 붙는 이유도 설명했습니다.
작은 구멍이 뚫린 실리콘 판 위에 몰리브덴과 황을 이용해 아주 얇은 MoS2 막을 특수한 증착 방법(플라즈마 원자층 증착)으로 만들었습니다. 구멍 벽 부분에서는 육각형 모양의 구조가 더 잘 만들어졌고, 800~900도로 가열하면 결정 구조가 더 잘 생겼습니다. 이 연구는 반도체용 나노 소재를 만드는 새로운 방법을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 티타늄산화물(TiO2) 얇은 막에 질소, 산소, 아르곤 이온을 쏘아서 성질을 바꾸는 연구예요. 이렇게 하면 빛을 더 잘 흡수하게 되어 태양전지의 반사방지막으로 쓸 수 있어요. 실험 결과 질소를 넣었을 때 반사율이 줄고 태양전지의 전류를 7.3% 더 늘릴 수 있다는 것을 알아냈어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 몰리브덴 산화막을 만들었어요. 온도를 다르게 해서 만들어보니 150도에서 만든 막이 자외선 빛을 감지하는 소자에 가장 좋았어요. 또한 이 막은 빛의 성질을 바꾸는 특별한 광학 특성도 가지고 있다는 것을 알아냈어요.
이 연구는 원자층증착(ALD) 방법으로 하프늄산화막(HfO2)에 란탄(La)을 넣는 두 가지 방식을 비교했습니다. La를 고르게 넣는 방법(MDO)이 한쪽에 몰리게 넣는 방법(MODO)보다 강유전체 성질(전기적으로 특별한 성질)이 두 배나 더 좋았습니다. 이 결과는 메모리 소자를 만들 때 어떤 증착 방법이 더 좋은지 알려줍니다.
이 연구는 산화이트륨(Y2O3)이라는 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만들 때 물의 양과 온도가 얼마나 중요한지 알아본 것입니다. 온도가 너무 높으면 막이 두께가 고르지 않게 만들어지고, 200도 근처에서는 훨씬 균일하게 만들어진다는 것을 발견했습니다. 또한 성장 속도 그래프만 보고 판단하면 안 되고, 실제 막의 균일성도 같이 확인해야 한다는 점을 보여주었습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)로 만든 TiO2 박막에 이온을 주입해서 밴드갭(에너지 차이)이 어떻게 변하는지 연구했습니다. 이온을 넣는 방법으로 얇은 산화티타늄 필름의 성질을 바꿀 수 있다는 내용입니다. 초록이 없어 자세한 실험 결과는 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)으로 SnO라는 얇은 막을 만들어 트랜지스터에 사용하는 연구입니다. SnO막 아래에 SiO2로 얇게 코팅한 HfO2라는 절연체를 깔아서 전자가 더 잘 움직이고 전력도 적게 쓰는 트랜지스터를 만들었습니다. 이 기술은 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 만든 산화아연(ZnO) 나노 물질에 대한 리뷰 논문입니다. ZnO는 빛을 이용해 오염물질을 분해하는 광촉매 기능이 있어서 이를 어떻게 얇은 막으로 잘 만드는지 다룹니다. 초록은 없지만 제목만으로도 반도체 재료와 증착 공정을 다루는 중요한 리뷰임을 알 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)과 원자층식각(ALE)으로 아주 얇은 지르코늄산화물(ZrO2) 막을 만들고 그 전기적 성질(유전상수)을 빠르게 측정하는 방법을 다룹니다. 반도체 소자에서 매우 얇은 절연막의 성질을 정확히 아는 것이 중요하기 때문에 의미 있는 연구입니다. ALD/ALE 공정과 장비가 핵심적으로 사용되었습니다.
이 논문은 저온에서 질화규소 박막을 아주 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 과정에서, 헥사클로로디실레인이라는 화학물질이 표면에 어떻게 달라붙는지를 연구했습니다. 이는 반도체를 만드는 중요한 공정 중 하나를 더 잘 이해하기 위한 연구입니다. 이러한 지식은 더 좋은 반도체 소자를 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 알루미늄 산화물(Al2O3) 얇은 막을 금속과 절연체 표면 중 원하는 곳에만 골라서 입히는 방법을 연구했어요. 알칸싸이올이라는 화학물질을 증기 형태로 먼저 뿌려서 특정 표면을 보호하는 방식으로 선택적 증착을 했어요. 이런 기술은 반도체 칩을 더 정밀하게 만드는 데 사용될 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 HfO2라는 특수한 얇은 막을 만드는 연구입니다. 새로운 원료물질(전구체)을 사용해서 열에 더 강하고 성능이 좋은 막을 만들었습니다. 이렇게 만든 막은 반도체 소자에 사용될 수 있습니다.
이 논문은 아주 낮은 온도에서 트리메틸알루미늄이라는 화학물질이 실리콘산화물 표면에서 어떻게 반응하는지 연구했습니다. 이를 통해 얇은 산화알루미늄 막을 원자층 단위로 정밀하게 쌓는 방법(ALD)을 더 잘 이해할 수 있습니다. 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기초 공정 연구입니다.
이 논문은 컴퓨터 계산(제일원리 계산)을 이용해 티타늄산화물(TiO2) 표면 위에서 실리콘 원료가스(SiCl4)와 물(H2O)이 어떻게 반응하여 SiO2 얇은 막을 만드는지 원자 단위로 분석했습니다. 이는 원자층증착(ALD)이라는 초미세 박막 제조 기술의 화학반응 원리를 이해하는 데 도움을 줍니다. 반도체 소자 제작에 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 플라즈마 세기를 조절하면서 HfO2와 ZrO2를 얇게 겹겹이 쌓아 만든 특수한 필름의 전기적 성질을 연구했습니다. PEALD라는 특별한 증착 방법(플라즈마를 이용한 원자층 증착)을 사용해서 반도체 메모리에 쓰일 수 있는 강유전체 물질을 만들었습니다. 플라즈마 파워가 이 물질의 성능에 어떤 영향을 주는지 알아본 것이 핵심입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 만든 SnO2 박막 트랜지스터의 성능을 높이는 방법을 연구했습니다. 오존 농도를 조절하고 알루미늄(Al)을 특별한 방식으로 살짝 넣어서 전기적 특성을 좋게 만들었습니다. 이는 반도체와 디스플레이에 쓰이는 트랜지스터를 더 잘 만들기 위한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 Ge2Sb2Te5라는 특수한 박막을 만드는 방법을 연구했어요. GeTe와 SbTe를 번갈아 쌓는 방식으로 얇은 막이 어떻게 자라는지 알아냈습니다. 이 물질은 메모리 소자에 사용될 수 있는 중요한 재료예요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 팔라듬(Pd) 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 팔라듬 막은 수소 가스를 분리하는 막(멤브레인)으로 쓰일 수 있습니다. 논문에는 어떻게 이 막을 잘 만드는지에 대한 공정과 장비 이야기가 담겨 있습니다.
이 논문은 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 장비로 아연-실리콘 산화물 박막을 만드는 연구입니다. 이 박막은 물이 통과하지 못하게 막아주면서 세균도 죽이는 두 가지 기능을 가진 필름을 만드는 데 사용됩니다. 즉 방수와 살균 기능을 동시에 가진 특별한 코팅막을 만드는 방법을 연구한 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 WO3와 ZnO 두 물질을 붙여 만든 헤테로접합을 연구했습니다. 이렇게 만든 구조는 가스를 감지하는 센서 성능이 더 좋아졌다고 합니다. 즉, 두 물질을 잘 조합해서 더 똑똑한 가스 센서를 만든 연구입니다.
이 논문은 에틸렌디아민이라는 화학물질을 이용해 얇은 팔라듐(Pd) 금속막을 원자 단위로 쌓는 새로운 전기화학적 방법을 다룹니다. 특별한 한 개의 셀(one-cell) 장치를 사용해서 빈틈없이 깔끔한 금속막을 만드는 것이 핵심입니다. 이는 나노 기술이나 촉매 연구에 활용될 수 있는 기초 재료 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 활성탄소섬유 위에 아주 얇은 HfO2(산화하프늄) 필름을 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 유연한 필름은 몸속의 요산(유리카산)을 검출하는 센서로 사용될 수 있습니다. 얇고 휘어지는 특성을 가진 새로운 센서 재료를 만드는 것이 목표입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착법)라는 방법으로 벡트란 섬유에 아주 얇은 TiO2 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 자외선을 잘 막아주고 예쁜 구조색도 나타납니다. 반도체 재료가 아닌 특수 섬유 코팅에 관한 내용입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 이산화하프늄(HfO2) 박막이 뼈를 이루는 물질인 아파타이트 형성을 돕는지 연구했습니다. 즉, 인공 뼈나 임플란트 표면 코팅에 쓸 수 있는지 살펴본 연구입니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 이산화하프늄(HfO2)을 은으로 덮인 실리콘 나노기둥 위에 얇게 입히는 연구입니다. 이렇게 하면 표면증강라만분광(SERS)이라는 센서 기술에서 시간이 지나도 성능이 잘 유지되도록 도와줍니다. 즉, 얇은 보호막을 씌워서 센서를 더 오래 안정적으로 쓸 수 있게 만드는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 이산화티타늄(TiO2) 막을 치과용 티타늄 기둥(어버트먼트) 표면에 입히는 연구입니다. 이 코팅이 세균을 잘 막아주는지, 그리고 우리 몸에 잘 맞는지를 확인했습니다. 치과 재료를 더 안전하고 깨끗하게 만들기 위한 연구입니다.
이 논문은 아주 작은 반도체 트랜지스터(FinFET)를 만들 때 사용하는 얇고 고른 보호막을 낮은 온도에서 플라즈마로 입히는 방법을 연구했습니다. 실리콘질화막, 산화하프늄, 탄화붕소 같은 물질을 이용해 좁고 복잡한 구조에도 균일하게 코팅할 수 있음을 보였습니다. 그 결과 매우 가파른 구조(종횡비 20:1 이상)에서도 90% 이상의 코팅 균일도를 얻었고, 실제 반도체 소자 성능도 개선되었습니다.
이 논문은 낮은 온도에서 플라즈마를 이용해 ZnMgO라는 얇은 막을 만드는 방법을 연구했어요. 이 막을 CZTS라는 태양전지에 사용하면 태양광을 더 효율적으로 전기로 바꿀 수 있어요. 플라즈마 원자층 증착 장비와 공정 조건을 조절해서 성능을 높이는 것이 핵심이에요.
이 논문은 MgO(산화마그네슘)라는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법에서 일어나는 화학 반응의 에너지 변화를 연구했습니다. 이를 통해 어떤 조건에서 반응이 잘 일어나는지 알 수 있습니다. 반도체나 여러 첨단 소재를 만드는 데 도움이 되는 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 산화인듐(In2O3) 박막 트랜지스터의 성능을 산소 플라즈마 처리로 개선하는 연구입니다. 산소 플라즈마를 이용해 박막 속 결함을 줄여서 트랜지스터가 더 잘 작동하도록 만드는 방법을 다룹니다. 이는 반도체와 디스플레이용 트랜지스터 소자 개발에 중요한 기술입니다.
이 논문은 실리콘카바이드(SiC) 반도체 위에 질화알루미늄(AlN)이라는 얇은 막을 특수한 방법(플라즈마 원자층 증착)으로 만드는 연구입니다. 이 얇은 막의 구조와 전기적 성질이 어떻게 서로 연관되는지 살펴봅니다. 반도체 소자의 절연층으로 활용하기 위한 기초 연구입니다.
이 논문은 반도체 회로에 쓰이는 구리(Cu) 배선을 만들 때, ALD로 만든 루테늄(Ru) 확산 방지막 위에 특수 첨가제 없이 구리를 전기도금하는 방법을 연구했습니다. 구리가 어떻게 씨앗처럼 시작해서 얇은 막으로 자라는지를 조절하는 것이 핵심입니다. 이는 반도체 칩 안의 미세한 전선을 더 잘 만들기 위한 연구입니다.
이 논문은 얇은 질화알루미늄(AlN) 막을 GaN 반도체 위에 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 만들어 전기적 안정성을 높이는 연구입니다. 450도의 높은 온도로 만든 AlN 막이 낮은 온도로 만든 것보다 훨씬 안정적이고 결함이 적다는 것을 발견했습니다. 이 기술은 더 좋고 믿을 수 있는 GaN 트랜지스터를 만드는 데 중요한 역할을 할 수 있습니다.
이 논문은 Al2O3를 ALD(원자층증착)로 만들 때 온도를 다르게 하면 Ga2O3 반도체 소자의 전기적 안정성이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 온도가 높을수록(450도) Al2O3 안의 불량한 결함(트랩)이 줄어들어 전압을 오래 걸어도 소자 특성이 덜 변하는 것을 발견했습니다. 이를 설명하는 새로운 이론 모델도 제시해 실험 결과와 잘 맞았습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 티타늄나이트라이드(TiN) 박막에 산소를 얼마나, 언제 넣는지에 따라 결정 방향과 전기·광학 성질이 어떻게 변하는지 연구했습니다. 산소를 섞는 방법에 따라 막의 결정 구조와 전기 저항이 달라진다는 것을 발견했습니다. 이 결과는 반도체 소자에서 TiN 박막 성질을 더 잘 조절하는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 특수한 플라즈마 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미늄산질화물(AlON)이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 전기를 걸었을 때 자석처럼 성질이 남아있는 '강유전성'을 보여서 컴퓨터 메모리 소재로 유망합니다. 기존 스퍼터링 방식보다 더 좋은 품질의 막을 만들 수 있다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 하프늄산화물과 티타늄산화물을 얇게 번갈아 쌓은 특수한 막을 플라즈마를 이용한 원자층 증착법으로 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 막은 전기를 이용해 정보를 저장할 수 있는 강유전체 성질을 가지며, 매우 안정적으로 작동합니다. 이 기술은 차세대 메모리 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 SiC라는 반도체 재료 위에 알루미늄 산화막(Al2O3)을 플라즈마 원자층증착(PEALD)이라는 특수한 방법으로 얇게 입히는 실험을 다룹니다. 그 다음 급속열처리(빠르게 가열하는 방법)를 해서 막의 성질이 어떻게 바뀌는지 살펴봤습니다. 반도체를 만들 때 중요한 코팅 기술과 공정 조건을 연구한 논문입니다.
이 논문은 원자층 하나하나를 조절해서 IGZO라는 특수한 반도체 재료로 만든 트랜지스터를 소개해요. 컴퓨터로 미리 계산한 결과와 실제 원자층 증착 기술을 함께 사용해서 열에 강하고 안정적인 트랜지스터를 만들었어요. 이 트랜지스터는 스위치처럼 빠르고 정확하게 작동해서 미래의 반도체 칩에 쓰일 수 있어요.
이 논문은 낮은 온도에서 실리콘 질화막(SiNx)을 빠르게 만드는 새로운 대기압 플라즈마 원자층 증착 방법을 소개합니다. 플라즈마 노출 시간과 공정 조건을 조절해 산소와 탄소 불순물을 줄이는 방법을 연구했습니다. 이 방법은 빠르면서도 품질 좋은 박막을 만들 수 있어 반도체 및 코팅 분야에 유용할 수 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)로 만든 TiO2 얇은 막을 낮은 온도에서 열처리했을 때 결정 구조가 어떻게 변하는지 연구했습니다. 증착 온도가 낮을수록 결정이 생기는 속도가 느려져 더 큰 결정 알갱이가 만들어진다는 것을 발견했습니다. 이 결과는 재료의 미세구조를 조절하는 데 중요한 정보를 제공합니다.
이 논문은 대기압 플라즈마를 이용해 낮은 온도에서 실리콘 질화막(SiN)을 얇게 쌓는 새로운 방법(공간적 원자층 증착)을 연구했습니다. 진공 장비가 필요 없어서 더 쉽고 빠르게 얇은 막을 만들 수 있는 장점이 있습니다. 이 기술은 반도체나 코팅 산업에서 활용될 수 있습니다.
이 논문은 PDMS라는 부드러운 재료 표면에 대기압 원자층증착(AP-ALD)으로 얇은 티타늄 산화막을 입혀서, 유기용매에 강하고 물과 잘 섞이는 표면으로 바꾸는 방법을 연구했습니다. 실험 결과 처리한 표면은 친수성이 생기고, 그 위에 금 나노입자도 잘 붙일 수 있음을 확인했습니다. 이 기술은 미세유체칩이나 촉매, 바이오센서 등에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 TDMAT와 물, 공기를 이용해 원자층증착(ALD)으로 결정질 TiO2(아나타제) 박막을 낮은 온도에서 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 증착 중간중간 공기에 노출시키면 티타늄이 완전히 산화되어 결정화가 잘 일어난다는 것을 발견했습니다. 이 방법은 나중에 열처리하는 것보다 더 빠르고 효과적으로 결정질 막을 만들 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 SnO2라는 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. SnO2 막의 특성과 여러 분야에서의 활용 가능성을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 원자층을 아주 얇게 한 층씩 쌓는 '원자층 증착(ALD)' 기술에 대한 내용입니다. 초록이 없어 자세한 실험 내용은 알 수 없지만, ALD는 반도체 등 첨단 소자를 만들 때 중요한 박막 제조 방법입니다. 제목만으로도 반도체 공정 분야에서 중요하게 다뤄지는 주제임을 알 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 얇은 막을 만드는 기술에 대한 것입니다. 초록이 없어서 구체적인 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 질화갈륨(GaN)이라는 반도체 재료를 화학기상증착(CVD)과 원자층증착(ALD) 방법으로 만들 때 환경에 얼마나 영향을 주는지 분석했습니다. 두 가지 제조 방법 중 어느 것이 환경에 더 안 좋은 영향을 주는지 찾아냈습니다. 그림 설명은 컴퓨터 프로그램으로 만들었습니다.
아주 작은 루테늄(Ru) 알갱이를 특수 코팅 기술(원자층 증착)로 지지체 위에 균일하게 만들었어요. 이 재료는 암모니아를 쉽게 만드는 촉매로 매우 효율이 좋았어요. 반도체나 디스플레이가 아니라 화학 촉매 연구에 해당해요.
이 논문은 상온에서 진행하는 원자층증착(ALD) 기술을 정리한 리뷰 논문입니다. ALD는 얇은 막을 아주 정밀하게 한 층씩 쌓는 방법인데, 뜨겁지 않은 상태에서도 할 수 있는 기술들을 소개합니다. 장비나 공정 조건 같은 방법론적인 내용을 다루는 것으로 보입니다.
이 논문은 컴퓨터 계산을 이용해서 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 방법을 연구했어요. 13족 질화물이라는 특별한 재료가 어떻게 원자 단위로 붙는지 알아보는 내용이에요. 반도체를 만드는 데 중요한 기초 연구예요.
이 논문은 반도체 만들 때 쓰는 마스크(포토마스크)나 레티클을 보호하기 위해 원자층증착(ALD)이라는 방법을 쓰는 것에 대한 내용입니다. 아주 얇은 보호막을 입혀서 마스크가 오염되거나 손상되지 않도록 도와줍니다. 자세한 내용(초록)이 없어서 정확한 재료나 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 한 층씩 쌓는 방법과 디지털 CVD 기술에 대해 설명합니다. 이 기술은 반도체를 만들 때 매우 중요합니다. 또한 화학물질을 안전하게 다루는 방법도 함께 다룹니다.
이 논문은 화학기상증착(CVD) 공정에서 일어나는 화학반응을 분석하고, 이를 잘 조절하는 방법을 설명합니다. 반도체를 만들 때 얇은 막을 정확하게 쌓는 과정과 관련된 공정 관리 방법을 다룹니다. 화학물질 안전관리 내용도 함께 소개합니다.
이 논문은 CVD와 ALD라는 얇은 막을 만드는 방법의 기본 원리를 설명하는 강의 자료입니다. 또한 화학 물질을 안전하게 다루는 방법도 함께 알려줍니다. 실험 결과보다는 개념 설명과 안전 관리에 초점을 둔 글입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용해서 얇은 막을 만드는 PECVD라는 방법에 대해 설명하는 강의나 리뷰 자료입니다. 화학물질을 이용해 표면에 막을 입히는 CVD와 ALD 기술의 기본 원리를 다루는 시리즈의 일부입니다. 구체적인 실험 데이터나 재료보다는 공정 방법과 안전관리에 대한 개념 설명에 초점을 맞추고 있습니다.
이 논문은 화학기상증착(CVD)과 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 만드는 방법의 기본 원리를 설명합니다. 또한 이 과정에서 사용하는 화학물질을 안전하게 관리하는 방법도 다룹니다. 구체적인 재료나 실험 결과보다는 개념과 안전관리에 초점을 맞춘 글입니다.
이 논문은 화학기상증착(CVD)과 원자층증착(ALD)의 기본 원리 중 화학 반응 속도론을 설명하는 강의 자료입니다. 특정 재료나 장비보다는 반응이 일어나는 기본 이론을 다룹니다. 화학물질 안전관리에 대한 내용도 포함되어 있습니다.
이 논문은 초전도 양자 소자에 쓰이는 NbN과 TiN이라는 얇은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 빠르고 품질 좋게 만드는 연구입니다. 원자층증착은 원자 단위로 아주 얇게 물질을 쌓는 정밀한 공정 기술입니다. 이 기술은 미래의 양자 컴퓨터를 만드는 데 중요한 재료를 만드는 방법을 다룹니다.
이 논문은 넓은 면적의 판에 아주 얇은 막을 균일하게 입히는 새로운 장비 방식을 소개합니다. 플라즈마를 공간적으로 나눠서 사용하는 방법을 통해 대형 기판에도 빠르고 고르게 코팅할 수 있게 합니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 장비와 공정이 핵심 주제로 보입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 기술을 더 빠르게 만드는 방법을 연구했어요. 화학물질을 낭비하지 않으면서도 속도를 높이는 것이 목표예요. ALD 공정과 장비 설계에 관한 중요한 내용을 다루고 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 세균을 막아주는 금속 산화물 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 신경자극 장치에 사용하기 위해 개발되었습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 구리산화물 얇은 막을 만들어 세균을 막는 항균 코팅을 개발한 연구입니다. 이 코팅은 뇌나 신경과 연결하는 의료 장치에 사용하기 위한 것입니다. 초록이 없어 자세한 실험 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 전자기기를 부식으로부터 보호하기 위해 아주 얇은 원자층증착(ALD) 코팅과 파릴린 코팅을 함께 사용하는 방법을 소개합니다. 상온에서 코팅할 수 있어서 회로기판 같은 전자부품에 사용하기 좋고, 여러 유해가스 실험에서 오랫동안 부식을 잘 막아준다는 것을 확인했습니다. 특히 ALD를 파릴린과 함께 쓰면 수분 차단 성능이 63배나 좋아졌습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 얇은 산화알루미늄 막을 만들 때, 온도를 다르게 하면 빛의 성질이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 온도 조절이라는 공정 조건과 ALD 장비를 함께 다루고 있습니다. 재료의 광학적 특성 변화를 살펴본 기초 연구입니다.
이 논문은 여러 종류의 재료를 여러 번 반복해서 아주 얇게 쌓는 '공간형 원자층 증착(ALD)' 방법에 대한 연구입니다. 얇은 막을 정밀하게 쌓기 위한 장비와 공정 방식을 다룹니다. 초록이 없어 세부 내용은 알 수 없지만 반도체 제작에 쓰이는 중요한 증착 기술입니다.
이 연구는 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 하프늄옥사이드(HfO2) 막을 만들면서 두께에 따라 막의 성질이 어떻게 변하는지 살펴보았습니다. 막이 얇을 때는 밀도가 낮고 불균일하지만 두께가 늘어나면서 점점 안정적으로 자란다는 것을 알아냈습니다. 또한 이 막의 두께에 따라 전기 저항이 변하는 방식(저항 스위칭)도 다르게 나타난다는 것을 보였습니다.
이 논문은 아주 작은 LED인 마이크로 LED의 옆면이 손상된 것을 원자층 식각과 원자층 증착 기술을 함께 사용해 고치는 방법을 다룹니다. GaN이라는 반도체 재료로 만든 마이크로 LED의 성능을 더 좋게 만들기 위한 연구입니다. 디스플레이와 반도체 분야에 중요한 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 방법을 이용해서 에너지와 관련된 좋은 재료를 만드는 방법을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 태양전지나 배터리 같은 에너지 소자에 쓰일 수 있는 재료 설계에 관한 연구로 보입니다. 장비와 공정 조건이 함께 중요하게 다뤄질 가능성이 높습니다.
이 논문은 태양전지에 쓰이는 특별한 물질(CH3NH3PbI3)을 원자층증착(ALD)이라는 새로운 방법으로 얇게 입히는 방법을 소개합니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 태양전지 재료를 만드는 새로운 기술에 관한 논문입니다.
이 논문은 전자기기를 녹이나 부식으로부터 보호하기 위해 아주 얇은 막을 균일하게 씌우는 방법을 연구합니다. 원자층증착(ALD)과 파릴렌이라는 물질을 함께 사용해 표면을 완벽하게 덮는 코팅을 만듭니다. 이렇게 하면 미래의 전자제품이 더 오래, 더 튼튼하게 사용될 수 있습니다.
이 논문은 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 원자층증착(ALD) 장비를 새로 만든 이야기입니다. 이 장비는 얇은 막의 두께와 무게를 아주 정확하게 측정할 수 있고, 수입 부품을 줄여서 더 싸게 만들 수 있습니다. 반도체 연구를 하는 학교나 기관에서 쉽게 쓸 수 있도록 설계되었습니다.
이 논문은 아주 얇은 실리콘 산화막(SiO2)을 만드는 원자층 증착(ALD) 공정을 더 좋게 개선하는 방법을 다룹니다. 원자층 증착은 원자 한 층씩 쌓아 매우 얇고 균일한 막을 만드는 반도체 제조 기술입니다. 이 기술은 반도체 칩을 만드는 데 아주 중요합니다.
이 연구는 ALD(원자층 증착) 방법으로 니켈을 실리콘 웨이퍼 위에 쌓는 실험을 했어요. 먼저 ZnO라는 접착층을 만들고 그 위에 니켈을 얇게 입혔습니다. 온도를 220도에서 300도까지 바꿔가며 니켈이 얼마나 잘, 얼마나 균일하게 쌓이는지 현미경과 X선으로 확인했어요.
이 논문은 반도체를 만들 때 사용하는 ALD라는 얇은 막 쌓기 기술을 더 잘 조절하는 방법을 연구했어요. 온도, 시간, 재료 화학 반응 등을 조절해서 더 좋은 반도체를 만드는 방법을 찾았어요. 막의 특성을 측정하는 방법도 함께 살펴봤어요.
이 연구는 원자층증착(ALD)으로 만든 아주 얇은 알루미나(Al2O3) 막을 이용해 두 개의 실리콘 웨이퍼를 상온에서 붙이는 방법을 실험했습니다. 표면활성화 접합(SAB)이라는 기술로 강하게 붙였고, 접합 강도도 측정해 충분히 튼튼하다는 것을 확인했습니다. 이 기술은 앞으로 반도체 칩을 여러 층으로 쌓는 패키징 기술에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 200mm 크기의 큰 판에 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 MoS₂ 필름을 만드는 연구입니다. 필름의 층 두께에 따라 라만 분광법으로 빛의 편광 특성이 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 이는 반도체용 초박막 재료를 대량으로 만드는 데 중요한 정보를 줍니다.
이 논문은 아주 얇은 절연체(유전체) 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만든 뒤, 물에 녹는 폴리비닐알코올(PVA) 판을 이용해 다른 곳으로 옮기는 기술을 소개합니다. 이렇게 하면 막을 만들 때 쓴 기판을 없애고 원하는 곳에 얇은 막만 붙일 수 있습니다. 이는 반도체 소자 제작에 유용하게 쓰일 수 있는 방법입니다.
이 논문은 얇은 반도체 소자(트랜지스터)에 쓰이는 절연막인 지르코늄 산화물(ZrO2)을 원자층 증착이라는 아주 정밀한 방법으로 만들 때, 온도를 조절해서 막의 결정 상태를 좋게 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 절연막은 인듐갈륨아연산화물(IGZO)이라는 반도체 재료로 만든 트랜지스터의 성능을 높이는 데 사용됩니다. 즉, 디스플레이나 반도체 소자를 더 잘 만들기 위한 증착 공정 연구입니다.
이 논문은 ZrO2라는 얇은 막을 만드는 ALD(원자층증착) 공정에서, 사용하는 원료 물질(전구체)에 따라 화학 반응이 어떻게 달라지는지 컴퓨터 계산으로 알아낸 연구입니다. 실험 없이 이론 계산만으로 반응 원리를 분석했습니다. 이는 반도체 소자에 쓰이는 얇은 산화막을 더 잘 만드는 방법을 찾는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 신경 자극용 전극에 세균이 붙지 않도록 항균 기능을 넣는 연구입니다. 레이저로 전극 표면을 울퉁불퉁하게 만든 뒤, 원자층증착이라는 방법으로 구리산화물 얇은 막을 씌워서 세균을 죽이는 효과를 확인했습니다. 이렇게 하면 전극 성능은 거의 그대로 유지하면서 감염을 막을 수 있습니다.
이 논문은 리튬이온 배터리의 전극 재료 표면에 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 원자층증착이라는 방법으로 입히는 실험을 다룹니다. 이렇게 코팅을 하면 배터리 성능이 더 좋아지는지 확인했습니다. 배터리 재료를 보호하는 얇은 막에 관한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 아주 작은 결정 알갱이(나노결정) 산화아연(ZnO) 얇은 막에 이온 빔을 쏘아서 어떻게 변하는지 연구했습니다. ZnO는 반도체 재료로 많이 쓰이며, 이온 빔 처리로 물질의 성질을 바꾸는 실험입니다. 제목만으로도 반도체 재료 분야의 기초 연구임을 알 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 루테늄, 레늄, 알루미늄 같은 금속 얇은 막을 만드는 새로운 화학 물질(전구체)을 개발한 이야기를 다룹니다. 금속 이온을 순수한 금속으로 바꾸는 것이 어려운데, 이를 해결하는 방법을 설명합니다. 반도체 제조에 중요한 기술입니다.
이 연구는 원자층증착(ALD) 방법으로 지르코늄을 섞은 하프늄산화물(HZO) 박막을 만들어 메모리 소자(RRAM)를 제작했습니다. 이 소자는 저항 상태를 잘 바꿀 수 있고 오래 기억을 유지하는 성능이 우수했습니다. 앞으로 대용량 메모리 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 HfO2라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 특히 울퉁불퉁한 표면에도 골고루 얇은 막이 잘 덮이도록(스텝 커버리지) 만드는 방법을 다룹니다. 이런 기술은 반도체 소자를 만드는 데 중요하게 쓰입니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)이라는 아주 얇은 막을 한 층씩 쌓는 기술로 특별한 소재(할라이드 페로브스카이트와 금속 요오드화물)를 만드는 방법을 다룹니다. 이런 재료는 태양전지 같은 곳에 쓰일 수 있어서 중요합니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만 제목만으로도 태양전지 및 재료 연구와 관련이 깊습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 이산화탄소를 다른 물질로 바꾸는 전극을 만드는 기술을 다룹니다. ALD는 아주 얇은 막을 한 층씩 정밀하게 쌓는 공정 기술입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 '물리적 원자층 증착(PALD)'이라는 새로운 방법으로 아주 작은 나노 물질을 만드는 기술을 설명해요. 금속과 실리콘을 이용해 새로운 나노 구조를 만든 실험 결과도 보여줘요. 다른 원자층 증착 방법과 비교도 했어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 아주 얇은 산화물 반도체 나노시트를 만들어 트랜지스터(FET)를 만드는 연구입니다. 이를 통해 3차원으로 쌓은 반도체 칩(3D LSI)을 만드는 데 활용할 수 있습니다. 자세한 실험 내용은 초록이 없어 알 수 없습니다.
이 논문은 공간 원자층증착(ALD)이라는 빠른 방법과 뜨거운 물 처리를 이용해 아주 얇은 다공성 알루미나 막을 만들어 빛 반사를 크게 줄이는 코팅을 개발했습니다. 이렇게 하면 유리나 화면 표면에서 빛이 거의 반사되지 않아 더 선명하게 보이게 됩니다. 태양전지나 디스플레이 등에 활용할 수 있는 기술입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 기술로 빛 반사를 아주 적게 만드는 특수 코팅을 만든 연구입니다. Beneq이라는 회사의 장비를 사용해서 400~700나노미터 파장에서 반사율이 0.1%보다 낮은 코팅을 만들었습니다. 이 코팅은 넓은 각도에서도 반사를 잘 막아주는 특징이 있습니다.
이 논문은 새로운 방식의 원자층 증착(ALD) 기술을 소개합니다. 이 기술은 기존보다 최대 100배 빠르게 얇은 막을 만들 수 있습니다. 이렇게 만든 막은 표면이 고르고 튼튼하며 빛을 잘 반사하는 광학 코팅에 사용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층 하나씩 얇은 막을 쌓는 ALD 공정을 더 잘 만들기 위해 여러 인공지능(머신러닝) 방법을 섞어서 최적화하는 방법을 연구했어요. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 공정 조건을 자동으로 찾아주는 기술로 보여요. 반도체를 만드는 중요한 공정에 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 태양전지에 쓰이는 페로브스카이트라는 물질이 흐트러지는 것을 막기 위해 얇은 알루미나 막을 아주 정밀하게 씌우는 방법을 연구했어요. 이 막은 원자층 증착이라는 특별한 방법으로 아주 얇게 만들어요. 이렇게 하면 태양전지가 더 오래 튼튼하게 작동할 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 그래핀 위에 Al2O3라는 얇은 절연막을 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 막을 이용해서 투명한 커패시터(전기를 저장하는 소자)를 만들었습니다. ALD라는 특별한 증착 장비와 공정을 사용해 얇고 균일한 막을 만드는 것이 핵심입니다.
이 논문은 TiO2라는 얇은 막을 만드는 ALD(원자층증착)라는 방법에서 온도, 시간 같은 여러 조건을 바꿔가며 실험을 했어요. 통계 분석을 통해 어떤 조건이 막이 쌓이는 속도에 가장 큰 영향을 주는지 알아냈어요. 이를 통해 더 좋은 조건으로 얇은 막을 만드는 방법을 찾을 수 있어요.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 공정에서 좁고 깊은 홈(트렌치) 구조 안에서 열이 어떻게 퍼지는지를 컴퓨터로 계산하는 방법을 다룹니다. 반도체 칩을 만들 때 아주 작은 구조에 얇은 막을 균일하게 입히는 것이 중요한데, 이 연구는 그 과정에서 온도 변화가 미치는 영향을 이해하는 데 도움을 줍니다. 초록이 없어서 자세한 실험 결과는 알 수 없지만 제목만으로 반도체 공정과 관련된 것으로 보입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 방법을 컴퓨터로 시뮬레이션한 연구입니다. 원통형과 평판형처럼 모양이 다른 장비 안에서 가스가 어떻게 흐르는지를 계산하여 비교했습니다. 이를 통해 장비 구조에 따라 막이 얼마나 잘, 균일하게 만들어지는지 알아볼 수 있습니다.
이 논문은 SiO2를 원하는 자리에만 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법을 컴퓨터 모델로 연구했습니다. Al2O3와 SiO2 표면에서 중간에 식각 단계를 넣어 선택적으로 SiO2를 쌓는 과정을 여러 크기 단위(작은 원자부터 큰 구조까지)로 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 반도체 만들 때 필요한 정밀한 박막 형성 방법을 더 잘 이해할 수 있습니다.
이 논문은 아주 작은 나노 입자들이 뭉쳐있을 때 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 코팅이 어떻게 이루어지는지 컴퓨터 시뮬레이션으로 알아본 연구입니다. 입자 사이로 화학물질(전구체)이 이동하는 과정을 CFD-DEM이라는 방법으로 계산했습니다. 간단한 입자에서 복잡한 입자 뭉치까지 코팅되는 과정을 예측하려고 했습니다.
이 논문은 물을 분해해 수소를 만드는 장치(알칼리 수전해)에 쓰이는 얇은 막(PTFE 분리막)을 물과 잘 섞이도록 표면 처리하는 방법을 다룹니다. 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 코팅하는 기술을 사용했습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만, 제목으로 볼 때 공정과 장비, 재료가 모두 관련되어 있습니다.
이 논문은 속이 빈 니켈 규산염 나노시트 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미나(산화알루미늄)를 얇게 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 이산화탄소를 수소와 반응시켜 다른 물질로 바꾸는 촉매 성능이 좋아집니다. ALD라는 정밀한 코팅 기술과 촉매 재료를 함께 다룬 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)을 특정 위치에만 선택적으로 할 수 있게 하는 방법을 연구합니다. 표면의 결함(defect)을 화학적으로 다루고, 유기물을 이용해 원치 않는 곳에는 막이 쌓이지 않도록 조절하는 전략을 소개합니다. 반도체 소자를 더 정밀하게 만드는 데 도움이 되는 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 기술을 특정 부분에만 정밀하게 적용하는 방법을 다룹니다. 이 기술을 이용하면 반도체 칩에 매우 정확한 패턴을 만들 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목으로 보아 반도체 공정 기술에 관한 연구로 보입니다.
이 논문은 ITO(투명 전도성 필름) 위에 얇은 Al2O3 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 쌓는 연구입니다. ALD는 아주 얇고 균일한 막을 한 층씩 정밀하게 쌓는 특별한 코팅 기술입니다. 이 기술은 디스플레이나 반도체 소자를 만드는 데 중요하게 쓰입니다.
이 논문은 실리콘 웨이퍼 표면을 어떻게 처리하는지에 따라 그 위에 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 만든 갈륨인(GaP) 얇은 막의 모양이 달라진다는 것을 연구했습니다. 표면 처리 방법이 막의 매끄러움이나 모양에 큰 영향을 준다는 것을 보여줍니다. 반도체 재료를 얇게 쌓는 공정 조건이 중요하다는 것을 알려주는 연구입니다.
이 논문은 실리콘 기판 위에 InP와 GaP라는 특수한 반도체 물질을 아주 얇게 쌓는 방법(플라즈마를 이용한 원자층 증착법)을 연구했어요. 이 물질들을 층층이 번갈아 쌓아서 여러 겹의 구조도 만들었답니다. 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기술이에요.
이 논문은 산화탄탈럼(Ta2O5)이라는 물질을 원자층 증착(ALD) 방법으로 아주 얇게 쌓는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 얇은 막은 전기 신호로 무언가를 감지하는 센서(전계효과 센서)에 사용될 수 있습니다. ALD 공정과 장비 조건이 핵심 주제입니다.
이 논문은 얇은 산화알루미늄 막을 만드는 두 가지 방법인 일반 원자층증착법과 공간 원자층증착법이 환경에 미치는 영향을 비교했습니다. 두 공정 방식의 장비 구조와 조건 차이가 친환경성에 어떤 영향을 주는지 살펴본 연구입니다. 반도체 재료를 만드는 공정에 관한 내용이라 산업적으로 중요합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 만드는 과정을 예측하고 평가하는 연구입니다. 반도체 등에 쓰이는 얇은 막을 어떻게 잘 만들 수 있는지 알아보는 내용입니다. 다만 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 하프늄 산화물이라는 얇은 절연막을 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 더 잘 만드는 새로운 방법을 개발한 연구입니다. 반도체 소자에서 중요한 절연 재료의 품질을 높이는 것이 목표입니다. 구체적인 실험 결과는 초록이 없어 알 수 없습니다.
이 논문은 아주 좁고 깊은 구멍(비아)을 정확하게 연결하는 반도체 기술에 대해 다룹니다. 원자층증착(ALD)이라는 매우 정밀한 방법으로 얇은 막을 쌓아 이 문제를 해결하는 방법을 설명합니다. 반도체를 더 작고 정밀하게 만드는 데 도움을 주는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 특수 물질(TMDs)을 만드는 연구입니다. 반도체를 만드는 데 중요한 기술이라서 점수가 높습니다. 자세한 내용은 초록이 없어서 알 수 없지만 제목만으로도 중요한 분야임을 알 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술을 이용해서, 실리콘 위에 고성능·고해상도 디스플레이를 만드는 방법을 연구했습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 제목으로 보아 반도체와 디스플레이 제작 공정을 다루는 것으로 보입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 만든 하프늄 산화막에 생기는 산소 결함을 빛을 이용해 분석했습니다. 하프늄 산화막은 반도체 소자에 쓰이는 중요한 절연 물질입니다. 결함이 빛을 내는 방식을 자세히 분석해서 물질의 특성을 더 잘 이해할 수 있게 되었습니다.
이 논문은 BiVO4라는 물질 위에 TiO2 얇은 막을 원자층증착법(ALD)으로 입혀서 태양광으로 물을 분해하는 효율을 높이는 연구입니다. TiO2 층이 표면 상태를 조절해서 성능을 개선한다는 내용입니다. 태양광 에너지 변환 소자에 관한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만든 GZO라는 투명한 산화물 박막을 다룹니다. 이 박막을 아르곤 가스로 열처리하면 빛과 전기적 성질이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. GZO는 태양전지나 디스플레이에 쓰이는 투명 전극 재료로 중요합니다.
이 논문은 원하는 곳에만 얇은 막을 쌓는 '영역선택 원자층증착(ALD)' 기술의 원리를 설명합니다. 이 기술이 반도체 부품의 크기와 모양에 어떤 영향을 주는지 살펴봅니다. 반도체를 더 작고 정밀하게 만드는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 백금(Pt) 박막을 만들 때 사용하는 원자층증착(ALD) 공정에서, 기존 반응물 대신 반응성이 아주 강한 수소 원자를 사용하는 새로운 방법을 연구했습니다. 이렇게 하면 더 깨끗하고 좋은 백금 박막을 만들 수 있습니다. 백금은 반도체 소자에서 중요한 전극 재료로 쓰입니다.
이 논문은 실리콘 옥사이드 표면 위에 얇은 막을 씌우는 원자층 증착(ALD)을 특정 부분에서 막기 위한 방법을 연구했어요. 가스 상태와 액체 상태로 표면을 코팅하는 두 가지 방법을 비교했답니다. 이렇게 하면 반도체를 만들 때 원하는 곳에만 막을 씌울 수 있어요.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 기술에서 사용되는 재료 전구체가 어떻게 반응하는지 컴퓨터 계산으로 알아본 연구입니다. GeAsSe라는 특수한 물질을 예로 들어서 화학 반응 과정을 이론적으로 분석했습니다. 실제 실험보다는 컴퓨터 시뮬레이션을 통한 기초 연구입니다.
이 논문은 알루미늄 질화물(AlN)이라는 얇은 막을 원하는 곳에만 선택적으로 쌓는 새로운 방법을 연구했습니다. 열을 이용한 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술을 저압 상태에서 사용했습니다. 반도체 부품을 더 정밀하게 만드는 데 도움이 되는 기술입니다.
이 논문은 컴퓨터 계산을 이용해 TiO2라는 물질을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 과정에서 왜 특정 부분에만 잘 붙는지를 알아본 연구입니다. 어떤 힘이 이런 선택적 증착을 일으키는지 원리를 밝히려고 했습니다. 반도체를 만들 때 정확한 위치에만 물질을 쌓는 기술에 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착법으로 만든 산화갈륨(Ga2O3) 박막을 질소 가스 속에서 열처리했을 때 어떻게 변하는지 연구했습니다. 열처리 후 막의 빛 성질, 미세 구조, 화학적 성분이 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 이런 산화갈륨 박막은 반도체 소자에 쓰일 수 있는 중요한 재료입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 기술로 하프늄을 살짝 섞은 산화아연 필름을 만들었어요. 기판 온도를 바꾸면서 필름의 전기적 성질이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 반도체 재료를 더 잘 만들기 위한 기초 연구예요.
이 논문은 산화티타늄(TiO2) 표면에서 원자층증착(ALD)을 특정 위치에만 선택적으로 일으키는 방법을 연구했습니다. 표면의 결함 부위를 물로 미리 적셔서(수화) 그 자리에만 원자층이 쌓이도록 유도하는 기술을 소개합니다. 이를 통해 재료 표면의 작은 결함을 정밀하게 찾아내고 조절할 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 공간형 원자층증착(ALD) 방법으로 티타늄산화물(TiO2) 박막을 만드는 연구입니다. 평평한 표면과 울퉁불퉁한 3차원 표면 모두에 얇은 막을 균일하게 입히는 방법을 다룹니다. 비정질과 결정질 TiO2를 만드는 조건 차이도 살펴봅니다.
이 논문은 그래핀 표면을 산소로 미리 처리한 뒤 백금을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 산소 처리를 통해 백금이 그래핀 위에 더 잘 붙도록 만드는 것이 핵심입니다. 이는 나노 소재를 만드는 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 코발트 산화물과 니켈 산화물을 아주 얇게 겹쳐 쌓은 재료를 만들었습니다. 이 재료의 두께에 따라 물을 분해해서 산소를 만드는 반응(산소발생반응) 성능이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 반도체나 디스플레이보다는 에너지/촉매 분야에 가까운 기초 연구입니다.
이 논문은 휴대할 수 있게 잘 구부러지는 유기발광소자(OLED)를 보호하는 얇은 보호막을 만드는 방법을 정리한 리뷰 논문입니다. PEALD와 MLD라는 특수한 증착 기술로 유기물과 무기물을 섞어 만든 보호막이 소자를 물과 산소로부터 얼마나 잘 지켜주는지를 설명합니다. 앞으로 이 기술이 어떻게 발전할지에 대한 전망도 담고 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 아주 얇은 TiO2(이산화티타늄) 막을 만들어서 산소 가스를 얼마나 잘 감지하는지 연구했어요. 온도를 30도부터 700도까지 바꿔가며 실험했는데, 500도일 때 산소를 가장 잘 감지했답니다. 산소가 막 표면에 붙으면 전기가 흐르는 통로가 좁아져서 저항이 커지는 원리를 이용한 거예요.
이 연구는 마그네슘-칼슘 합금을 특수 가공(ECAP)하면 표면 산화막의 성질이 바뀌고, 그 위에 ALD로 입힌 지르코니아(ZrO2) 얇은 막의 성질도 함께 달라진다는 것을 보여줍니다. 그 결과 부식을 막는 능력은 좋아졌지만 긁힘에 견디는 힘은 약해졌습니다. 즉, 금속을 가공하는 방법이 그 위에 입히는 얇은 막의 품질에도 영향을 준다는 것을 밝힌 연구입니다.
이 논문은 태양전지의 성능을 높이기 위해 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 기술을 사용해서 보호막과 전자를 잘 통하게 하는 층을 만드는 방법을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 태양전지 성능 향상과 관련된 중요한 공정 기술 연구로 보입니다.
이 논문은 아주 좁고 깊은 구멍(고종횡비 구조) 안에 얇은 막을 균일하게 입히는 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 공정을 인공지능으로 더 빠르게 최적화하는 방법을 연구했습니다. 실험 데이터 대신 컴퓨터 시뮬레이션으로 만든 자료로 인공신경망을 학습시켜, 적은 실험만으로도 얼마나 오래 가스를 노출시켜야 완전히 코팅되는지 예측할 수 있었습니다. 이 방법은 반도체 미세구조 공정을 더 빠르고 효율적으로 개발하는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 낮은 온도에서 원자층증착(ALD) 방법으로 절연막(유전체)을 얇게 쌓는 기술을 다룹니다. 이 막이 전기를 얼마나 잘 통제하는지와 원하는 부분에만 선택적으로 코팅하는 방법을 연구했습니다. 반도체 소자를 만들 때 매우 정밀한 막을 입히는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 낮은 온도에서 반도체 고분자 재료를 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 기술을 소개해요. ALD는 원자 하나하나를 정밀하게 쌓아 올려서 아주 얇고 균일한 막을 만들 수 있는 방법이에요. 이 기술은 반도체 부품을 만드는 데 중요한 첨단 제작 기법으로 사용될 수 있어요.
이 논문은 주석 산화물(SnO2) 얇은 막을 원자층 증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. SnI4와 O3라는 두 가지 재료를 사용해서 온도에 따라 막이 어떻게 자라는지 살펴봤습니다. 온도가 300도 이상일 때 순수한 산화물 막이 잘 만들어진다는 것을 알아냈습니다.
이 논문은 낮은 온도에서 금속 코발트를 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 공정을 개발한 연구입니다. 특별한 코발트 화합물과 수소 플라즈마를 이용해 50~110도 사이에서 일정한 속도로 코발트막을 만들 수 있음을 보여줍니다. 만들어진 코발트막은 순수한 금속 상태였고 웨이퍼 전체에 고르게 입혀졌습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 실리콘 기판 위에 Ga2O3라는 특수한 막을 더 잘 만드는 방법을 연구했어요. Al2O3나 HfO2라는 얇은 보호막을 먼저 깔아서 실리콘 기판의 방향이 달라도 Ga2O3 막이 더 좋아지도록 도와줬어요. 이렇게 만든 막은 반도체 부품을 만드는데 활용될 수 있어요.
이 논문은 플라즈마를 이용한 얇은 막을 입히는 공정(PEALD)에서 빛을 분석해 플라즈마 상태가 고른지 미리 예측하는 방법을 연구했습니다. 이를 통해 반도체 제조 공정을 더 정확하고 안정적으로 관리할 수 있습니다. 장비의 플라즈마 균일성 진단이 핵심 주제입니다.
이 논문은 반도체 칩 안에 아주 작고 성능 좋은 축전기를 만드는 방법을 소개합니다. 깊은 구멍을 파는 식각 기술과 얇은 막을 아주 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 기술을 함께 사용합니다. 이렇게 하면 좁은 공간에 더 많은 에너지를 저장할 수 있는 부품을 만들 수 있습니다.
이 논문은 컴퓨터로 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 과정을 모방하여 HfO2와 ZrO2라는 얇은 막을 만드는 방법을 연구했어요. 실제 실험 대신 컴퓨터 모델을 사용해서 증착 과정이 어떻게 일어나는지 예측해보는 연구예요. 반도체 소자를 만들 때 중요한 얇은 막을 더 잘 만들 수 있도록 도와주는 연구입니다.
이 논문은 아주 작은 반도체 재료를 만들기 위한 원자층증착(ALD) 장비 플랫폼을 개발하고 테스트한 내용을 다룹니다. ALD는 원자 단위로 아주 얇은 막을 쌓는 특별한 기술입니다. 이 연구는 미래의 작은 전자부품을 만드는 데 사용할 수 있는 장비를 만드는 것이 목표입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 얇은 막에 탄소 오염물질이 어떻게 퍼지는지 그 원리를 연구했습니다. 반도체 제작 공정에서 막의 순도를 유지하는데 중요한 내용입니다. 실험 조건에 따라 탄소가 막 안에서 어떻게 재배치되는지 설명합니다.
이 논문은 특정 부분에만 얇은 막을 정확하게 쌓는 '영역 선택적 원자층 증착(ALD)' 기술에 대한 연구 현황과 앞으로의 발전 방향을 정리한 글입니다. 반도체를 더 작고 정밀하게 만들 때 꼭 필요한 최신 증착 기술을 소개합니다. 실험 데이터보다는 기술 동향과 전망을 다루는 리뷰 성격의 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 루테늄(Ru)이라는 금속의 아주 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 이 얇은 막이 전기를 얼마나 잘 통하는지도 함께 살펴보았습니다. 반도체 부품을 만드는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 아주 얇은 막을 한 층씩 쌓는 원자층증착(ALD) 기술을 가스 센서에 활용하는 방법을 다루는 리뷰 논문입니다. 특정 재료보다는 ALD 공정과 장비를 가스 센서에 적용한 여러 연구들을 소개합니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 기술을 이용해 산화물 나노막을 만들고, 그 위에 MOF라는 특별한 다공성 물질 필름을 키우는 방법을 설명합니다. 기본 원리부터 실제 활용 예시까지 소개하는 내용입니다. 다만 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 산화하프늄 박막을 만들 때 원자층증착(ALD) 과정에서 생기는 탄소 오염물이 막 속에 어떻게 퍼지는지 연구했습니다. 탄소가 여러 상태로 존재하며 확산되는 원리를 수학 모델로 설명하고, 실험으로 이를 확인했습니다. 이를 통해 탄소 오염을 깊은 곳이나 표면 근처에서 조절할 수 있는 방법을 보여줍니다.
이 논문은 탄소나노튜브 위에 얇은 산화막(HfO2)을 잘 붙게 만드는 방법을 연구했어요. 탄소나노튜브는 표면이 미끄러워서 막이 잘 붙지 않는데, 두 가지 새로운 방법을 써서 더 균일하고 매끈한 막을 만들 수 있었어요. 이는 실리콘 대신 탄소나노튜브로 반도체를 만드는 데 중요한 기술이에요.
이 논문은 ZnO라는 물질에 니켈, 코발트, 철 같은 금속을 살짝 섞어서 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 막을 만든 연구입니다. 이렇게 만든 막의 전기적 성질(전압, 전류, 커패시턴스 등)을 측정해서 특성을 알아냈습니다. 이 물질은 나중에 특별한 반도체(자석 성질도 있는 반도체)를 만드는데 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 철가루 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 철가루가 녹슬지 않고 전기도 잘 통하지 않게 되며, 전자파를 더 잘 흡수할 수 있게 됩니다. 이는 레이더 전파 흡수 재료로 활용될 수 있습니다.
이 연구는 원자로에 쓰이는 탄화규소(SiC) 세라믹을 더 잘 뭉치게(소결) 만드는 방법을 연구했습니다. 스칸듐 산화물(Sc2O3)을 넣고 원자층증착(ALD)으로 표면을 코팅해서 더 낮은 온도와 압력으로도 단단한 재료를 만들 수 있었습니다. 이렇게 만든 재료는 밀도와 열전달 성능이 좋아져서 미래 원자력 연료에 도움이 될 수 있습니다.
이 글은 이전에 발표된 논문의 오류를 정정하는 짧은 정정문입니다. 실제 연구 내용은 원문 PDF에서 확인해야 합니다. 따라서 이 자체는 새로운 연구 정보를 담고 있지 않습니다.
이 논문은 초광대역갭(UWBG) 반도체에 쓰이는 얇은 절연막을 원자층증착(ALD) 방식으로 만드는 방법을 다룹니다. 대량 생산 환경에서도 막의 성능과 균일성을 유지하는 방법을 연구한 것으로 보입니다. 초록이 없어 구체적인 내용은 제한적으로 파악됩니다.
이 논문은 반도체 만들 때 특정 부분에만 얇은 막을 쌓는 '영역 선택적 원자층 증착(ALD)' 기술에서, 막이 쌓이지 않게 막아주는 얇은 분자막(알칸싸이올)의 사슬 길이별 성능을 연구했습니다. 사슬이 길수록, 그리고 반응 재료의 크기와 반응성에 따라 막아주는 능력이 달라진다는 것을 발견했습니다. 특히 긴 사슬(탄소 18개)이 특정 재료(TDMAH)를 가장 잘 막아준다는 결과를 얻었습니다.
이 논문은 실리콘 산화막(SiO2)을 원자층 증착(ALD)으로 만들 때 사용하는 아미노실란 전구체와 표면의 실라놀 밀도가 한 번의 증착 주기당 자라는 두께에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 표면 화학 상태에 따라 증착 속도가 달라진다는 것을 보여줍니다. 반도체 공정에서 얇은 산화막을 정밀하게 쌓는 데 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 티타늄 산화물(TiO2) 막을 만들어서 알루미늄 표면에 있는 작은 구멍들을 골라서 막는 방법을 연구했어요. 이렇게 하면 재료의 표면을 원하는 대로 조절할 수 있어요. 반도체나 디스플레이에 직접 쓰이지는 않지만 소재 표면처리 기술로서 의미가 있어요.
이 논문은 산화구리(CuO) 박막을 원자층증착(ALD) 방식으로 만들 때, 표면에 있는 수산화기(OH기)가 막 성장에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 표면 화학 반응이 박막의 두께와 품질에 중요한 역할을 한다는 것을 보여줍니다. 초록이 없어 자세한 내용은 제한적으로만 파악됩니다.
이 논문은 그래핀 위에 아주 작은 백금(Pt) 나노입자를 만드는 방법을 다룹니다. 온도를 변화시키는 원자층 증착(ALD) 기술을 사용해서 입자 크기를 3나노미터 이하로 조절하고 뭉치지 않게 만들었습니다. 이렇게 만든 입자는 열에 강해서 오래 사용할 수 있습니다.
이 논문은 백금(Pt) 나노 박막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만들 때, 기계학습(XGBoost)을 이용해 결과를 예측하는 방법을 연구했습니다. 실제 실험 대신 컴퓨터로 미리 좋은 조건을 찾는 데 도움을 줄 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 반도체 안에 있는 아주 작은 옆으로 난 구멍(비아)에 티타늄과 질소로 이루어진 얇은 막을 원자 단위로 쌓는 방법을 연구했어요. 질소를 넣어주는 재료로 하이드라진이라는 특별한 화학물질을 사용했습니다. 이렇게 하면 반도체를 만들 때 아주 얇고 균일한 막을 잘 입힐 수 있어요.
이 논문은 루테늄(Ru)이라는 금속을 아주 얇은 막으로 잘 입히기 위한 방법을 연구했어요. 화학 물질의 구조(리간드)를 조절하고 인공지능(머신러닝) 기술을 이용해서 더 좋은 방법을 찾으려고 했어요. 반도체를 만들 때 필요한 아주 얇고 균일한 금속막을 더 똑똑하게 만드는 연구예요.
이 논문은 원하는 곳에만 얇은 금속막을 쌓는 '영역 선택적 원자층 증착(ALD)' 기술을 소개합니다. 반도체 칩을 만들 때 정밀하게 금속을 얇게 입히는 최신 연구들을 정리한 내용입니다. 반도체 공정에서 중요한 첨단 증착 기술을 다루고 있습니다.
이 논문은 비스무트-텔루륨(Bi-Te) 알갱이를 눌러서 만든 재료의 전기 성질을 더 좋게 만드는 방법을 연구했어요. 회전식 원자층 증착(ALD)이라는 특별한 코팅 기계를 사용해서 재료 표면에 얇은 막을 입혔어요. 이렇게 하면 열을 전기로 바꾸는 성능이 더 좋아진대요.
이 논문은 ITO(주석이 섞인 산화인듐)라는 투명한 얇은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만드는 다양한 방식을 비교한 연구입니다. 막이 자라는 속도와 가장 좋은 온도 조건을 찾아보고, 플라즈마를 이용해 온도를 낮추는 방법도 살펴봤습니다. 여러 방법으로 만든 막들의 특징을 정리해서 비교했습니다.
이 논문은 Co(EtCp)2라는 물질을 이용해 코발트(Co) 얇은 막을 원하는 곳에만 골라서 쌓는 방법을 연구했습니다. 이런 기술은 반도체 칩을 만들 때 아주 얇고 정확한 금속층을 만드는 데 쓰입니다. 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없지만 제목만으로도 반도체 공정과 관련된 중요한 연구임을 알 수 있습니다.
이 논문은 태양전지에서 전자를 이동시키는 얇은 산화주석(SnO2) 막을 두 가지 방법(원자층 증착과 스핀 코팅)으로 만들어 성질을 비교했습니다. 페로브스카이트 태양전지의 성능을 높이기 위한 연구입니다. 어떤 방법이 더 좋은 막을 만드는지 알아보는 실험입니다.
이 논문은 태양전지를 보호하는 막을 저온 원자층증착(ALD) 방법으로 더 좋게 만드는 연구입니다. 낮은 온도에서 얇은 보호막을 입혀서 태양전지가 더 오래 잘 작동하도록 돕습니다. 자세한 초록이 없어 구체적인 재료나 장비 정보는 알 수 없습니다.
이 논문은 TiO2라는 물질로 커패시터(전기를 저장하는 부품)를 더 잘 만드는 방법을 연구했습니다. 플라즈마를 이용한 특별한 증착 방법(PEALD)과 미리 플라즈마로 처리하는 과정을 사용했습니다. 이렇게 하면 커패시터 성능이 더 좋아진다는 내용입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 루타일 구조의 이산화티타늄(TiO2) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 막은 전기가 새는 현상(누설 전류)을 줄이고, 절연 성질(유전 특성)을 더 좋게 만들었습니다. 반도체나 메모리 소자에 쓰일 수 있는 얇은 막을 더 잘 만드는 방법을 찾은 연구입니다.
이 논문은 실리콘 기판 위에 알루미늄 질화물(AlN)이라는 튼튼한 물질을 얇은 막으로 입히는 실험을 다룹니다. 온도를 높일수록 막이 더 빨리 자라고 산소가 덜 섞이며, 플라즈마 장치를 사용하는 방식에 따라 성질이 달라진다는 것을 알아냈습니다. 고온에서 잘 견디는 코팅막을 만드는 조건을 찾는 연구입니다.
이 논문은 SiO2라는 얇은 막을 아주 낮은 온도에서 쌓는 방법을 연구했어요. BDEAS라는 특별한 재료를 이용했고, 그 재료의 온도와 함께 들어가는 가스의 속도가 막을 만드는 데 어떤 영향을 주는지 알아봤어요. 이런 연구는 반도체를 만드는 데 아주 중요한 기술이에요.
이 논문은 알루미늄 산화막(Al2O3)을 아주 얇게 만드는 원자층증착(ALD) 방법에서, 산소 공급원으로 오존을 쓸 때와 물을 쓸 때 어떤 차이가 있는지 비교했어요. 두 방법으로 만든 얇은 막의 특성을 살펴보고 어떤 것이 더 좋은지 알아본 연구예요. 반도체 같은 작은 부품을 만들 때 이런 얇은 막 기술이 아주 중요해요.
이 논문은 ALD(원자층 증착) 없이 산화주석(SnO2)을 전자 이동층으로 사용해 태양전지를 만드는 방법을 다룹니다. 이 기술은 밴드갭이 넓은 페로브스카이트 태양전지와 실리콘-페로브스카이트 탄뎀 태양전지에 적용됩니다. 더 쉬운 공정으로 태양전지 효율을 높이는 것이 목표입니다.
이 논문은 특정 부분에만 몰리브덴 산화물(MoO2, MoO3)을 골라서 얇게 입히는 원자층증착(ALD) 기술을 다룹니다. 이 방법을 쓰면 전극을 만들 때 따로 분리 공정 없이 스스로 절연되는 구조를 만들 수 있습니다. 반도체 전극 제작에 활용될 수 있는 새로운 공정 기술입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 바나듐 산화물 막을 만드는 여러 방법을 정리한 리뷰 논문입니다. 바나듐 산화물은 온도나 빛에 따라 성질이 변해서 센서나 전자기기에 쓸 수 있는 특별한 재료입니다. 이 논문은 그동안 나온 여러 연구 결과들을 모아서 소개해줍니다.
이 논문은 새로운 화학물질(중수소가 든 지르코늄/하프늄 재료)을 이용해서 얇은 산화막을 만드는 방법을 연구했어요. 이 얇은 막은 반도체 칩을 만드는 데 사용될 수 있어요. 원자층증착이라는 정밀한 방법으로 매우 얇고 성능이 좋은 막을 만드는 것이 목표예요.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법을 이용해 수소만 골라서 통과시키는 특수한 얇은 막(TiOxNy-Pd)을 만드는 연구입니다. 이 막은 티타늄 산질화물과 팔라듐이라는 두 재료를 조합해서 만들어졌습니다. 이런 필름은 수소 가스를 분리하거나 감지하는 데 사용될 수 있습니다.
이 논문은 SiO2라는 얇은 막을 원하는 곳에만 빠르게 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 반도체를 만들 때 필요한 정밀한 코팅 기술을 다룹니다. 장비와 공정 조건을 함께 살펴본 연구입니다.
이 논문은 ALD라는 방법으로 산화아연(ZnO)과 산화인듐(In2O3)이라는 두 물질을 얇게 층층이 쌓아 만든 트랜지스터를 연구했습니다. 이 층의 두께를 바꾸면 전기가 얼마나 잘 흐르는지가 달라진다는 것을 알아냈습니다. 이런 트랜지스터는 반도체나 디스플레이 화면을 만드는데 사용될 수 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 장비 안에서 바로 RHEED라는 전자빔 분석을 할 수 있는 새로운 장치를 설계하고 만든 이야기입니다. 온도를 조절하면서 HfO2라는 얇은 막이 어떻게 결정 구조로 변하는지 실시간으로 관찰했습니다. 이 장비는 박막이 만들어지는 과정을 직접 눈으로 확인할 수 있게 도와줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 장비를 인공지능(AI)과 연결해서 사람이 명령을 내리면 AI가 알아서 증착 과정을 만들어 실행하는 시스템을 소개합니다. AI 대화 모델을 이용해 재료 이름만 알려주면 올바른 ALD 공정을 찾아내는 실험도 했습니다. 최신 AI 모델일수록 더 어려운 공정 찾기 문제도 잘 해결한다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 여러 개의 원료(전구체)를 자동으로 흘려보내며 얇은 막을 입히는 원자층 증착(ALD) 장비 두 가지를 새로 만든 이야기예요. 이 장비로 3D 프린팅한 금속 표면에 알루미나(Al2O3)라는 얇은 막을 아주 정밀하게 입힐 수 있음을 보여줬어요. 150번 반복해서 55나노미터 두께의 막을 만들었고, 이것이 정확히 원자 한 층씩 쌓인 것을 확인했어요.
이 논문은 구리와 은 얇은 막을 만들 때 쓰는 새로운 화학 재료(전구체)를 개발한 연구입니다. 기존 재료보다 불순물이 적고 안정적인 새로운 구리·은 화합물을 만들어서 반도체 박막 증착에 더 적합하게 만들었습니다. 특히 하나의 구리 화합물이 가장 좋은 후보로 확인되었습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 만든 산화하프늄 얇은 막을 아주 높은 온도에서 산소와 함께 열처리했을 때 어떤 변화가 생기는지 연구했습니다. 열처리 후 막의 성질이 어떻게 바뀌는지 살펴봐서 반도체 소자에 사용할 때 도움을 주는 연구입니다. 재료(산화하프늄)와 공정(고온 열처리) 모두를 다루고 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 특별한 방법으로 알루미늄과 몰리브덴이 섞인 아주 얇은 산화물 막을 만드는 방법을 연구했어요. 세 가지 화학 물질(트리메틸알루미늄, 몰리브덴옥시테트라클로라이드, 물)을 순서대로 뿌려서 막을 쌓는 방식이에요. 반도체를 만드는 데 쓰일 수 있는 중요한 재료와 공정 기술을 다루고 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 게르마늄(Ge) 위에 산화갈륨(Ga2O3)이라는 얇은 막을 매끄럽게 쌓은 연구입니다. 두 물질이 만나는 경계면에서 전자들이 어떻게 배치되는지(밴드 정렬)를 알아냈습니다. 이는 반도체 소자를 만들 때 중요한 기초 정보를 제공합니다.
이 논문은 자외선(UV) 빛을 감지해 정보를 저장하는 메모리 소자를 만든 연구입니다. 원자층증착(ALD) 방법으로 InGaZnO라는 얇은 막을 만들어 트랜지스터와 다이오드를 결합한 구조를 사용했습니다. 이 소자가 정보를 얼마나 잘 기억하는지와 작동 원리를 분석했습니다.
이 논문은 낮은 온도에서 ALD(원자층증착) 방법으로 만든 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 이용해 자외선을 감지하는 센서를 만든 연구입니다. 이 센서는 p-i-n 구조로 되어 있어서 빛에 반응하는 속도를 자세히 살펴봤습니다. 반도체 재료와 공정 조건이 중요하게 다뤄진 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 산화아연(ZnO)과 산화티타늄(TiO2) 막을 번갈아 쌓아 여러 층을 만들었어요. 그 다음 이 층들이 빛에 어떻게 반응하는지(광학적 특성)를 조사했어요. 이런 기술은 얇고 정교한 코팅막을 만드는 데 사용될 수 있어요.
이 논문은 낮은 온도에서 실리콘 산화막(SiO2)을 아주 얇게 코팅하는 원자층증착(ALD) 방법을 다룹니다. 이 방법을 이용해 부드러운 플라스틱 소재인 PDMS로 만든 작은 렌즈 표면에 막을 입히는 연구입니다. 열에 약한 재료에도 코팅이 가능하다는 점이 핵심입니다.
이 논문은 공기 중에서도 작동하는 특수한 원자층 증착법으로 아주 얇은 씨앗층을 만들고, 그 위에 화학 용액으로 ZnO 나노막대를 키운 연구입니다. 이렇게 만든 나노막대는 빛을 이용해 오염물질을 분해하는 광촉매 성능이 더 좋아졌습니다. 즉, 새로운 제조 방법으로 더 효율적인 나노 소재를 만든 실험입니다.
이 논문은 얇은 막을 쌓는 원자층증착법과 수열합성법을 이용해서 티타늄산화물과 산화아연으로 특별한 구조(역오팔 구조와 나노막대)를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 구조는 빛을 이용해 오염물질을 분해하는 광촉매 기술에 사용될 수 있습니다. 재료와 만드는 방법(공정), 장비 사용법을 함께 설명하고 있습니다.
이 논문은 플라스틱 같은 유기물 표면에 산화알루미늄(Al2O3)이라는 얇은 막을 잘 붙게 하기 위해, 표면에 수산기(OH)를 붙이는 처리 방법을 연구했습니다. 이렇게 처리하면 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술로 얇고 균일한 막을 만들 수 있습니다. 이는 반도체나 각종 코팅 제품을 만들 때 중요한 기초 기술입니다.
이 논문은 파란색 미니 LED의 옆면을 TiO2라는 물질로 얇게 코팅해서 성능을 개선하는 방법을 다룹니다. 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 아주 얇은 막을 입혀서 빛이 새는 것을 막아줍니다. 이렇게 하면 LED가 더 밝고 효율적으로 빛을 낼 수 있게 됩니다.
이 논문은 트리메틸갈륨과 물을 이용해 얇은 산화갈륨(Ga2O3) 막을 원자층증착(ALD) 방식으로 만드는 방법을 다룹니다. Ga2O3는 반도체 소자에 쓰일 수 있는 재료로, 이 공정으로 균일하고 정밀한 박막을 만들 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 실험 결과는 알 수 없지만 제목에서 재료와 공정 정보를 알 수 있습니다.
이 논문은 트리메틸알루미늄과 물을 이용해 원자층 증착(ALD)으로 알루미늄 산화막(α-Al2O3)을 만드는 방법을 다룹니다. 공정 조건과 플라즈마 사용 여부가 막의 결정 구조에 미치는 영향을 연구했습니다. 반도체나 코팅 재료로 쓰이는 얇은 막을 더 잘 만드는 방법을 찾는 실험입니다.
이 논문은 산화갈륨(Ga2O3)이라는 반도체 재료를 얇은 막으로 만드는 원자층 증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 원료 가스를 넣는 시간(펄스 시간)을 조절하면 막의 구조와 빛 특성이 어떻게 달라지는지 알아봤습니다. 이 결과는 더 좋은 반도체 소자를 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 알루미늄 산화막(Al2O3)을 만들 때 사용하는 특별한 아르곤 플라즈마 장치를 연구했어요. 플라즈마의 전기적 특성과 온도, 입자들을 조사해서 막이 잘 만들어지는 최적의 조건을 찾았습니다. 플라즈마에서 생긴 OH 라디칼이 막을 더 잘 결정화되게 도와준다는 것을 알아냈어요.
이 논문은 InP(인화인듐)라는 반도체로 만든 아주 작은 광학 공진기(빛을 가두는 구조)의 성능을 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 방법으로 높이는 연구입니다. ALD로 표면을 얇게 코팅해서 빛이 더 오래 갇혀있게 만드는 것이 목표입니다. 이는 반도체 광학소자 기술 발전에 도움이 됩니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 정밀한 코팅 방법으로 하프늄과 티타늄 산화물을 섞은 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 막이 빛을 어떻게 반사하고 통과시키는지 광학적 성질을 알아봤습니다. 이런 막은 반도체 부품을 만들 때 중요하게 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 특정 부분에만 얇은 막을 쌓는 '공간 선택적 원자층 증착(ALD)' 방법을 컴퓨터로 여러 크기 단위(원자 크기부터 큰 장비 크기까지)로 모델링한 연구입니다. ALD 공정이 어떻게 진행되는지 예측해서 반도체 제작에 더 정밀하게 활용할 수 있도록 돕습니다. 실험 결과 대신 이론적 시뮬레이션을 다루는 논문입니다.
이 논문은 지르코늄과 황을 이용해 아주 얇은 2차원 물질을 원자층 하나씩 쌓는 방법을 연구했어요. 이런 방식은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 기술로, 반도체 같은 첨단 소자를 만드는 데 중요해요. 아직 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없지만, 새로운 2차원 소재를 만드는 공정 기술 연구예요.
이 논문은 아주 작은 구멍이 많은 물질(SBA-15) 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 막은 세균을 죽이는 항균 효과가 있습니다. 재료와 증착 방법을 다루지만 장비 자체에 대한 설명은 없습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 유전율이 아주 높은 하프늄지르코늄산화물(HfZrO4) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 특별한 금속 전구체와 과산화수소(HOOH)를 사용해서 막을 쌓았습니다. 이 막은 반도체 소자에서 아주 얇으면서도 전기를 잘 막아주는 절연체로 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 InGaAs와 GaAsSb라는 특수한 반도체 층을 쌓아 만든 아주 작은 다이오드에 대해 연구했습니다. 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 ZnO를 얇게 입혀서 그 안의 Zn 원소가 반도체 속으로 퍼지는 과정을 살펴봤어요. 이 기술은 적외선을 감지하는 센서 같은 반도체 소자를 만드는 데 사용될 수 있습니다.
이 논문은 낮은 온도(125도)에서 원자층증착(ALD) 기술로 마그네슘 고체전해질(MgPON) 박막을 만드는 방법을 연구했습니다. 질소 플라즈마를 두 번 사용하는 특별한 공정으로 얇은 막을 만들었고, 이 막은 전기가 잘 통하도록 도와줍니다. 이 기술은 안전한 고체 배터리를 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 지르코늄 산화막(ZrO2)을 원자층증착(ALD)으로 만들 때 표면에서 나오는 열을 실시간으로 측정한 연구입니다. 온도에 따라 반응에서 나오는 열의 양과 화학반응 과정을 분석했고, 컴퓨터 계산(DFT)으로 표면에 물이 붙는 정도가 반응에 미치는 영향도 살펴봤습니다. 이를 통해 ALD 공정이 어떻게 일어나는지 더 깊게 이해할 수 있습니다.
이 논문은 리튬이 들어간 아주 얇은 막을 만들기 위한 새로운 재료(전구체)를 개발했어요. 이 재료는 리튬 원자를 하나만 가진 특별한 화합물로, 열에 강하고 증발이 잘 돼서 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법에 적합해요. 실제로 이 재료로 리튬-실리콘 산화물 박막을 만들어 성공적으로 확인했답니다.
이 논문은 리튬을 포함한 아주 얇은 막을 만들 때 쓰는 특별한 리튬-카벤 화합물을 소개해요. 이 화합물은 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 리튬이 들어간 얇은 막을 만드는 데 사용될 수 있어요. 리튬 배터리 같은 전자기기에 활용될 수 있는 새로운 재료 연구예요.
이 논문은 그래핀 위에 특수한 유기 분자층을 붙이고, 그 위에 원자층증착(ALD)으로 산화물 박막을 쌓아서 3차원 패턴 구조를 만드는 방법을 소개합니다. 그래핀에 리소그래피로 패턴을 그린 후 화학적으로 분자를 붙이고, 그 자리에 금속 산화물을 쌓아 복잡한 나노 구조를 만들었습니다. 이는 새로운 그래핀 기반 하이브리드 소재를 만드는 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 백금과 니켈, 철 같은 금속을 아주 작은 원자 단위로 섞어서 특별한 촉매를 만든 연구예요. 이 촉매는 메탄올에서 수소를 만드는 반응을 더 잘 도와줄 수 있어요. 금속들이 서로 어떻게 전자를 주고받는지 알아내서 더 좋은 촉매를 만드는 데 도움을 준대요.
이 연구는 원자층증착(ALD) 기술로 금속-유기 골격체(MOF)인 MIL-100(Fe) 위에 TiO2를 얇게 입혀서 물을 분해해 에너지를 만드는 광촉매를 개선했습니다. TiO2를 입히면 MOF의 표면 구멍이 좁아지지만, 오히려 물 분해 효율은 더 좋아졌습니다. 이는 ALD가 촉매 재료를 정밀하게 설계하는 데 매우 유용한 방법임을 보여줍니다.
이 연구는 ZnO 나노입자를 MIL-100(Fe)라는 특수 물질에 원자층증착(ALD) 기술로 붙여서 물을 분해해 수소를 만드는 촉매를 만들었습니다. 1번 ALD 처리한 샘플이 가장 수소를 잘 만들었고 오래 사용해도 성능이 잘 유지되었습니다. ZnO를 넣으면 빛을 더 잘 흡수하고 전자를 더 잘 활용할 수 있게 되어 촉매 성능이 좋아진다는 것을 발견했습니다.
이 연구는 원자층증착(ALD)으로 산화알루미늄을 촉매 표면에 얇게 입혀서 금속과 산 성질의 균형을 조절하는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 긴 사슬 탄화수소를 더 잘 변형시켜 좋은 연료를 만드는데 도움을 줍니다. Pt-10Al2O3/ZSM-23 촉매가 가장 좋은 성능을 보였습니다.
이 논문은 낮은 온도에서 원자층 증착(ALD)으로 산화하프늄 절연막을 여러 층 쌓아, 서로 겹치는 두 개의 게이트 전극을 만드는 방법을 소개합니다. 이 겹친 게이트 구조는 반도체 층에 원하는 대로 전자와 양공 영역을 나누어 다양한 양자 홀 상태를 연구할 수 있게 해줍니다. 텔루륨화 수은(HgTe) 소자에 적용해 실험적으로 그 효과를 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 얇은 막을 만드는 연구예요. Er과 Yb라는 특수한 원소를 넣어서 빛을 증폭시킬 수 있는 재료를 웨이퍼 전체에 고르게 만들었어요. 이 재료는 나중에 작은 레이저나 빛 증폭기를 만드는 데 쓰일 수 있어요.
이 논문은 컴퓨터 계산(DFT)을 이용해서 루테늄(Ru)이라는 금속을 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 과정을 연구한 것입니다. 이 기술은 아주 작은 반도체 회로에서 전기가 흐르는 통로(인터커넥트)를 만드는 데 사용됩니다. 미래의 더 작은 반도체 칩(EUV 기술)을 만들기 위해 꼭 필요한 연구입니다.
이 논문은 아연과 텔루륨으로 이루어진 얇은 막(ZnTe)을 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 만드는 연구입니다. 만들어진 막이 어떤 물리적 성질과 전기적 성질을 갖는지 조사했습니다. 반도체 재료로 쓰일 수 있는 박막을 다루는 연구입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(ALD)으로 산화갈륨 얇은 막에 실리콘을 살짝 섞어 넣는 연구입니다. 이렇게 만든 막은 절연체나 빛을 다루는 전자부품에 쓸 수 있습니다. 반도체 소재와 공정 장비를 함께 다루는 중요한 연구입니다.
이 논문은 CMOS-MEMS 기술로 만든 초음파 센서(CMUT)의 성능을 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 입히는 방법으로 더 좋게 만드는 연구입니다. 신호를 전달하는 효율을 높이기 위한 초기 실험 결과를 다룹니다. 자세한 초록이 없어 세부 내용은 제한적입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 매우 정밀하게 쌓는 방법으로 하프늄, 사마륨, 산소가 섞인 특별한 박막을 만들었어요. 이 막은 전기를 잘 저장할 수 있는 성질(고유전율)을 가지고 있어서 반도체 부품에 쓰일 수 있어요. 논문은 이 막의 구조와 전기적 성질을 알아본 연구예요.
이 논문은 열을 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 바나듐 산화물이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 만들어진 막의 구조와 전기적 특성을 조사했습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만, 새로운 재료를 정밀하게 만드는 공정 연구로 보입니다.
이 논문은 플라스틱(폴리카보네이트) 위에 아주 얇은 산화알루미늄 막을 만드는 온도를 다르게 해서 실험했습니다. 온도에 따라 막의 미세한 구조와 기체를 막는 성능이 어떻게 달라지는지 알아봤습니다. 이는 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD)이라는 특수한 코팅 방법을 사용한 연구입니다.
이 논문은 아이오딘을 넣은 새로운 하프늄 화합물을 만들어서 HfO2라는 얇은 막을 더 잘 만드는 방법을 연구했어요. 이 물질을 쓰면 막이 표면에 잘 붙고, 전기가 새는 문제도 줄어들어요. 반도체를 만들 때 아주 중요한 기술이에요.
이 논문은 새로운 액체 이트륨 전구체 Y(sBuCp)3와 물을 이용해 원자층증착(ALD) 방법으로 Y2O3(산화이트륨) 박막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 얇은 막은 순도가 높고 결정성이 좋으며 표면이 매끄럽고 전기적 성질도 우수합니다. 반도체 소자 등에 쓰일 수 있는 고품질 산화물 박막을 만드는 새로운 방법을 보여줍니다.
이 논문은 특수한 ALD(원자층증착) 장비로 탄소 위에 백금(Pt) 나노입자를 골고루 작게 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 연료전지에서 3만 번 이상 사용해도 백금이 잘 녹아 없어지지 않아 더 오래 버틸 수 있습니다. 이는 백금 입자 크기가 균일하고 잘 퍼져 있기 때문입니다.
이 논문은 얇은 막을 아주 정교하게 입히는 ALD라는 방법을 부드러운 플라스틱 재료 위에 사용하는 이야기입니다. 이렇게 하면 리튬이온 배터리를 더 좋게 만드는 데 도움이 됩니다. 플라스틱과 ALD 기술을 합치면 배터리 성능을 높일 수 있다는 내용입니다.
이 논문은 유동층 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 작은 가루 알갱이 표면에 얇은 막을 균일하게 입히는 기술을 다룹니다. 이 기술은 촉매나 약 만드는 분야에서 가루 입자의 표면을 정밀하게 조절하는 데 쓰입니다. 반도체나 디스플레이 같은 분야보다는 화학 및 재료 표면처리에 초점을 맞춘 연구입니다.
이 논문은 폴리이미드라는 플라스틱 표면에 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 알루미늄과 티타늄 산화물을 아주 얇게 입히는 실험을 했어요. 이렇게 코팅하면 우주에서 날아다니는 산소 원자가 표면을 갉아먹는 것을 잘 막아준다는 것을 보여줬어요. 우주선 재료를 보호하는 데 도움이 될 수 있는 연구예요.
이 논문은 '징콘'이라는 얇은 막을 만들 때 원자층 증착(ALD)과 분자층 증착(MLD)을 섞어서 쓰는 과정을 컴퓨터 계산(DFT)으로 연구했습니다. 특히 디에틸 아연이라는 재료가 반응하는 과정을 자세히 살펴봤습니다. 실험 장비보다는 이론적인 화학 반응 경로를 밝히는데 초점을 맞춘 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 입히는 기술을 설명하는 리뷰 논문입니다. 태양전지, 센서, 의료기기, 반도체 등 다양한 곳에 ALD 코팅이 어떻게 쓰이는지 소개합니다. 앞으로 ALD 기술이 더 발전하려면 무엇이 필요한지도 이야기합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 낮은 온도에서 HfO2라는 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 이 막은 적외선을 감지하는 HgCdTe 센서를 만드는데 사용됩니다. 반도체 공정과 장비를 다루는 중요한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)과 전자빔 리소그래피 기술을 이용해 아주 작은 무늬(나노구조)를 가진 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이런 막은 빛을 특별하게 다루는 메타옵틱스 장치나 표면을 개선하는 데 쓰입니다. 구체적인 재료나 초록 내용은 제공되지 않았습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 다공성 실리콘 위에 산화아연(ZnO) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 막이 어떻게 자라는지와 빛과 관련된 성질(광학적 특성)을 살펴봤습니다. ALD 공정과 반도체 재료를 함께 다루는 중요한 연구입니다.
이 논문은 질화갈륨(GaN)이라는 반도체 재료를 원자층증착(ALD) 방법으로 만들 때 표면에서 일어나는 화학반응을 컴퓨터 계산(DFT)으로 알아본 연구입니다. 트리메틸갈륨과 암모니아 가스가 표면에 붙는 과정과 에너지를 계산해서 어떤 표면이 더 반응을 잘 하는지 밝혔습니다. 이를 통해 공정 온도를 낮출 수 있는 방법도 제안했습니다.
이 논문은 물을 이용한 수열합성법과 원자층증착(ALD) 기술을 함께 사용해 여러 겹으로 겹쳐진 산화아연(ZnO) 나노구조를 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 겉과 속을 모두 가스에 노출시키기 위해 희생층(Al2O3)을 코팅했다가 선택적으로 제거하는 방식을 사용했습니다. 이렇게 만든 새로운 구조의 가스 센서는 기존 ZnO 나노막대 센서보다 낮은 온도에서 최대 150% 더 좋은 감지 성능을 보였습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)에 쓸 수 있는 새로운 알루미늄 화합물을 만들고 분석한 연구입니다. 아민과 이민이라는 작은 화학 조각을 알루미늄에 붙여서 가벼운 새로운 물질을 만들었습니다. 이 물질은 나중에 반도체 만들 때 얇은 막을 입히는 데 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 알루미늄과 탄탈럼 산화물 표면 위에 루테늄을 원자층 증착(ALD)으로 얇게 입히는 화학 반응을 연구했습니다. 표면에서 어떤 화학 반응이 일어나는지 자세히 분석했습니다. 이는 반도체 칩을 만드는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 AlScN이라는 특수한 얇은 막을 만드는 방법을 알려줍니다. AlScN은 메모리 소자 등에 쓰일 수 있는 중요한 재료입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목만으로도 반도체 관련 연구임을 알 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 장비 안에서 가스가 어떻게 흐르는지 컴퓨터로 계산해서 장비를 더 잘 설계하는 방법을 연구했어요. 특정 재료를 다루기보다는 장비의 구조와 작동 방식을 개선하는 데 초점을 맞췄습니다. 반도체를 만드는 중요한 기술과 관련된 연구예요.
지르코늄산화물(ZrO2)에 티타늄을 조금 섞어서 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 막을 만들었어요. 티타늄을 2.5% 정도 넣었을 때 결정이 잘 생겨서 전기적 성질(유전율)이 가장 좋아졌어요. 티타늄을 너무 많이 넣으면 결정이 잘 안 생겨서 오히려 성능이 나빠졌어요.
이 논문은 산화지르코늄(ZrO2)을 만드는 원자층증착(ALD) 과정에서 표면 반응이 일어날 때 나오는 열을 정밀하게 측정한 연구입니다. 특수한 열 측정 장치와 컴퓨터 계산(DFT)을 이용해 반응 온도에 따라 열이 어떻게 달라지는지 알아냈습니다. 이를 통해 ALD 공정의 화학반응 원리를 더 깊이 이해할 수 있게 되었습니다.
이 논문은 그래핀 위에 화학적으로 특별한 패턴을 만들고, 그 위에 원자층 증착(ALD)으로 여러 산화물 막을 쌓아 3차원 구조를 만드는 방법을 소개합니다. 이렇게 하면 그래핀, 유기물, 무기물이 정교하게 결합된 새로운 재료를 만들 수 있습니다. 이는 미래의 다기능 그래핀 소재 개발의 기초가 됩니다.
이 논문은 리튬이 들어간 아주 얇은 막을 만들기 위해 새로운 리튬 화합물을 개발한 연구예요. 이 화합물은 원자층 증착이라는 정밀한 방법으로 얇은 막을 쌓는데 사용될 수 있어요. 리튬 박막은 배터리 같은 전자 부품을 만드는데 중요하게 쓰일 수 있어요.
이 논문은 마그네슘 배터리에 쓰이는 고체 전해질 얇은 막을 만드는 새로운 방법을 소개해요. 질소 플라즈마를 이용해서 낮은 온도(125도)에서도 잘 만들어지는 MgPON이라는 특수한 재료를 원자층 증착법으로 쌓았어요. 이 방법은 배터리를 더 안전하고 성능 좋게 만드는데 도움을 줄 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 백금에 니켈이나 철 같은 다른 금속을 원자 단위로 아주 조금씩 붙여서 새로운 촉매를 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 촉매는 메탄올에서 수소를 뽑아내는 반응을 더 잘 일으키도록 도와줍니다. 연구팀은 이 촉매가 왜 더 잘 작동하는지 전자 구조 변화를 통해 알아냈습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 ZnO라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 블록공중합체라는 특수한 고분자 표면을 이용해서 ZnO가 원하는 곳에만 선택적으로 자라도록 만드는 방법을 개발했습니다. 이를 통해 아주 작은 크기의 나노 패턴을 쉽고 효율적으로 만들 수 있습니다.
이 논문은 백금, 이리듐, 팔라듐이라는 세 가지 귀한 금속을 섞어서 얇은 막을 만드는 연구예요. 원자층증착법(ALD)이라는 정밀한 방법을 사용했어요. 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없어요.
이 연구는 그래핀을 이용한 원자층증착법으로 티타늄이 조금 섞인 얇은 산화알루미늄 막을 만들었습니다. 이 막에 자외선을 쬐면 넓은 범위의 빛(자외선부터 적외선까지)을 낼 수 있다는 것을 발견했습니다. 이런 재료는 값싼 광전자소자나 빛 정화, 빛을 내는 광원 등에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 두 가지 방법(열 ALD와 플라즈마 ALD)으로 산화몰리브덴 얇은 막을 만들어 비교했습니다. 플라즈마 방법으로 만든 막은 탄소가 조금 섞여서 전기가 더 잘 통하고, 산소를 만드는 화학 반응에도 좋은 성능을 보였습니다. 이 막은 오랫동안 안정적으로 작동해서 촉매로 쓰기에 좋다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 태양전지에 쓰이는 페로브스카이트 물질과 SnO2 사이의 경계면을 연구합니다. SnO2는 원자층증착(ALD)과 펄스레이저증착(PLD)이라는 두 가지 방법으로 만들어졌습니다. A자리 양이온 종류가 이 경계면 형성에 어떤 영향을 주는지 살펴봅니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 정밀하게 입히는 방법을 사용해서, 전기화학 에너지 장치(예: 배터리)에 들어가는 귀한 원료 재료를 덜 쓰는 방법을 연구합니다. '공간적(spatial) ALD'라는 빠른 공정 방식을 다루는 것으로 보입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 막을 만들어서, 배터리 안에서 보호막 역할을 하도록 만드는 연구입니다. 이 보호막은 전고체 배터리를 더 안전하고 오래 쓸 수 있게 도와줍니다. 하지만 구체적인 재료나 실험 결과 요약은 제공되지 않았습니다.
이 논문은 원래 논문의 오류를 수정한 정정문입니다. MoS2라는 물질 표면에 알루미늄 재료를 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 과정에서 어떻게 알루미늄 성분이 붙는지 연구한 내용입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 알루미늄 원료 물질이 MoS2라는 특별한 물질 표면에 어떻게 붙는지를 연구했어요. 이는 아주 얇은 막을 한 층씩 쌓는 원자층 증착(ALD) 기술이 잘 시작되도록 돕는 연구예요. 반도체를 만드는 데 중요한 기초 원리를 밝혀내는 내용이에요.
이 논문은 갈륨 산화물(Ga2O3)이라는 반도체 재료를 아주 얇게 쌓는 새로운 방법을 소개합니다. 특별한 갈륨 화합물과 물을 번갈아 뿌려서 원자 단위로 얇은 막을 만드는 원자층증착법(ALD)을 사용했습니다. 이 방법은 반도체 부품을 정밀하게 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 지르코늄 산화물(ZrO2) 박막을 만드는 원자층증착(ALD) 공정에서 화학 반응이 어떻게 일어나는지 연구했습니다. 실험 장비(QCM)로 실제 반응을 측정하고, 컴퓨터 계산(DFT)으로 반응 원리를 분석했습니다. 이를 통해 새로운 전구체 물질이 어떻게 박막을 만드는지 자세히 알아냈습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 산화주석(SnO2) 선을 원하는 모양대로 직접 그리는 새로운 기술을 소개합니다. 특수한 화학 물질과 물을 사용해 아주 얇은 SnO2 층을 정밀하게 쌓아 올립니다. 이는 3D 프린팅처럼 미세한 패턴을 만드는 새로운 제조 방법입니다.
이 논문은 루테늄(Ru) 금속을 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 공정이 왜 100도 이상의 좁은 온도 범위에서만 잘 되는지를 컴퓨터 계산으로 설명합니다. RuO4와 수소 가스를 이용한 반응을 물리 법칙(진동 에너지 계산)으로 분석해서 실험 결과를 이해했습니다. 이를 통해 반도체 제작에 필요한 정확한 공정 조건을 찾는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 코발트라는 금속을 아주 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 과정을 연구했습니다. CCTBA라는 특수한 재료를 사용해서 실리콘 표면에 탄소가 쌓이는 것을 막는 방법을 알아냈습니다. 질량분석과 컴퓨터 계산을 함께 사용해서 그 원리를 밝혀냈습니다.
니켈 펄스 횟수를 바꿔가며 원자층증착(ALD)으로 산화니켈(NiOx) 박막을 만들었어요. 펄스 횟수가 박막의 성질에 어떤 영향을 주는지 알아본 연구예요. 이는 메모리나 반도체 소자에 쓰일 수 있는 얇은 막을 더 잘 만들기 위한 실험이에요.
이 논문은 산화바나듐(V2O5)이라는 얇은 막을 특수한 방법(플라즈마 원자층 증착)으로 아주 얇게 만들었습니다. 이 막은 전기 신호를 저장했다가 다르게 흘려보내는 '멤리스터'라는 소자로 쓸 수 있어요. 실험 결과 전기 신호가 켜지고 꺼지는 차이가 크게 나서 메모리 소자로 쓸 가능성을 보여주었습니다.
이 논문은 아주 작은 알갱이들이 뭉쳐 있는 다공성 재료 안에서 원자층증착(ALD)이라는 코팅 방법이 어떻게 퍼지고 반응하는지를 컴퓨터로 계산하는 모델을 만들었습니다. 알갱이 모양이 다르면 반응 물질이 얼마나 깊이 스며드는지도 달라진다는 것을 보여줍니다. 실제 재료나 장비보다는 이론적인 계산 방법에 초점을 맞춘 연구입니다.
이 논문은 아연(Zn)을 이용한 특수한 얇은 막(징콘)을 만드는 화학 반응을 컴퓨터로 계산해서 알아본 연구입니다. 실제 실험이 아니라 이론적인 계산(DFT)으로 원자들이 어떻게 결합해서 막이 자라는지 설명합니다. 장비나 공정 조건보다는 화학 반응의 원리를 밝히는 데 초점을 맞췄습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 철(Fe) 나노섬유 표면에 알루미늄 산화물(Al2O3) 껍질을 씌운 특별한 구조를 만들었습니다. 이렇게 만든 재료는 전자파(마이크로웨이브)를 잘 흡수하는 성능이 뛰어난 물질입니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 전자파 흡수 소재 연구에 해당합니다.
이 연구는 나무에서 나온 셀룰로오스를 이용해 탄소와 산화아연(ZnO)을 특별한 방법(ALD)으로 붙여서 새로운 물질을 만들었어요. 이 물질은 전자파를 아주 넓은 범위에서 잘 흡수할 수 있어요. 그래서 레이더 같은 것에 안 걸리게 하는 기술에 쓸 수 있어요.
이 논문은 이전에 발표된 ALD(원자층 증착) 확산-반응 모델 논문의 오류를 정정한 짧은 정정문입니다. 다공성 물질에서 입자 모양에 따라 ALD가 어떻게 이루어지는지 계산한 연구의 수정본입니다. 실제 새로운 실험 내용은 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술로 질화물 소재를 이용해 초전도 큐비트를 만드는 연구입니다. 큐비트는 미래의 양자컴퓨터를 만드는 핵심 부품입니다. 초록이 없어 자세한 실험 내용은 알 수 없지만, 반도체 공정과 관련된 중요한 주제입니다.
이 논문은 산화아연질화물(ZnON)이라는 특별한 반도체 물질을 아주 얇은 막으로 쌓는 방법(원자층증착법)에 대한 연구예요. 원자 하나하나가 표면에서 어떻게 화학반응을 일으키며 붙는지 알아봤어요. 이런 연구는 더 좋은 반도체 소자를 만드는 데 도움이 돼요.
이 논문은 태양전지에 쓰이는 페로브스카이트 표면을 얇은 산화알루미늄이나 산화지르코늄 막으로 코팅해서 보호하는 방법을 다룹니다. 이 코팅은 원자층증착(ALD)이라는 기술로 매우 얇게 만들어서 태양전지 성능과 수명을 늘려줍니다. 하지만 이 코팅 과정에서 페로브스카이트가 손상될 수도 있어서, 이를 해결하는 다양한 방법과 앞으로의 연구 방향을 소개합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 루테늄(Ru) 얇은 막을 황으로 처리해서 RuS2라는 물질로 바꾸는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 RuS2는 940nm 파장의 빛을 감지하는 광센서(포토디텍터)로 사용됩니다. ALD라는 정밀한 증착 장비와 공정을 이용해 새로운 반도체 소재를 만드는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 얇은 2차원 소재 위에 아주 작은 귀금속 나노입자를 붙이는 방법을 연구했어요. 이렇게 만든 소재는 아미노산을 감지하는 센서로 더 잘 작동한다고 해요. 즉, 새로운 화학 센서를 만드는 데 도움이 되는 연구예요.
이 논문은 아주 작은 LED인 마이크로 LED 디스플레이를 더 좋은 화질로 만들기 위해 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 매우 정밀하게 쌓는 기술을 사용하는 방법을 소개합니다. 이 기술은 화면의 색을 더 선명하고 균일하게 보이도록 도와줍니다. 초록이 없어 자세한 실험 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 실리콘 산화막을 만드는 연구입니다. 특히 반도체 공정에서 쓰이는 ICP 식각 장비를 활용해 박막을 만들었습니다. 이 장비와 공정 조건이 산화막의 특성에 어떤 영향을 주는지 살펴봅니다.
이 논문은 원하는 곳에만 아주 얇은 막을 씌우는 특별한 방법(면적 선택 원자층 증착)을 설명해요. 이때 특정 화학물질(자기조립단분자막)을 이용해 다른 곳에는 막이 안 생기게 막아주는데, 이 막을 나중에 없애는 게 어렵다는 문제가 있어요. 그래서 과학자들은 더 좋은 방법을 연구하고 있어요.
실리콘 기반 배터리 음극재의 부피 팽창 문제를 해결하기 위해, 분말 원자층 증착(PALD) 방법으로 얇은 산화알루미늄 코팅막을 입혔습니다. 이 코팅 덕분에 배터리 용량이 더 오래 유지되고 빠른 충방전에도 더 좋은 성능을 보였습니다. 결국 산화알루미늄 코팅이 리튬이온 배터리 성능을 향상시킨다는 것을 보여준 연구입니다.
이 연구는 열전 재료인 비스무트-안티모니-텔루르 가루에 얇은 알루미늄 산화막을 씌우는 실험을 했어요. 열을 이용한 방법과 자외선을 함께 쓰는 방법 두 가지로 코팅해서 표면을 비교했어요. 두 방법 모두 2~3나노미터의 얇고 고른 산화막을 만들 수 있다는 것을 확인했습니다.
이 논문은 여러 개의 빛 모드를 동시에 증폭할 수 있는 작은 칩 위의 광증폭기를 개발한 연구입니다. 원자층증착(ALD) 기술과 반도체 공정을 이용해서 빛의 세기를 고르게 키우면서도 손실을 줄이는 방법을 제안했습니다. 실험 결과, 6가지 빛 모드 모두 강하게 증폭되면서도 모드 간 차이는 아주 작게 유지되었습니다.
새로운 ALD 공정으로 갈륨클로라이드와 수증기를 이용해 매끈한 산화갈륨(Ga2O3) 얇은 막을 만들었어요. 이 막으로 만든 센서는 자외선을 아주 잘 감지하고, 전압을 조절하면 사람 뇌처럼 배우고 기억하는 기능도 흉내낼 수 있어요. 이는 미래의 똑똑한 광센서와 신경모방 컴퓨터에 활용될 수 있어요.
이 연구는 비스무트를 넣은 유리 섬유(광섬유)에 특별한 결함 구조를 만들어서 빛을 더 잘 내게 만드는 방법을 다룹니다. 원자층증착(ALD)과 화학기상증착(MCVD) 기술을 함께 사용해 섬유를 만들고, 여러 분석 장비로 그 구조와 빛나는 성질을 확인했습니다. 그 결과 특정 파장(1420nm)에서 빛을 증폭시키는 성능이 좋아진 것을 확인했습니다.
이 논문은 레이저 코팅에 쓰이는 Al2O3/HfO2 얇은 막 사이에 아주 얇은 SiO2 층을 끼워 넣는 방법을 연구했어요. 이렇게 하면 두 물질 사이 경계에 생기는 결함이 줄어들어서 레이저에 더 강한 코팅을 만들 수 있어요. 실험 결과 레이저에 견디는 힘이 1.5배 좋아졌다고 해요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 넓은 유리판 위에 아주 얇은 TiO2와 Al2O3 막을 고르게 입히는 실험을 했어요. 자체 제작한 ALD 장비를 이용해 온도와 재료 투입량을 조절하면서 두께가 균일한 지역을 찾아냈어요. 이렇게 만든 두 층 코팅은 빛 반사를 줄이는 성능을 보였고, 두께가 아주 고르게 유지되었어요.
이 연구는 원자층증착(ALD) 기술로 테르븀(Tb) 산화물 나노막을 만들었습니다. 증착 횟수를 늘리면 나노입자가 커지고, 산소 이온의 작용으로 3가 테르븀 이온의 비율이 늘어나 빛을 내는 성질과 磁性이 좋아짐을 밝혔습니다. 이를 통해 산소가 테르븀의 상태 변화에 중요한 역할을 한다는 것을 알아냈습니다.
이 연구는 원자층증착(ALD)과 화학기상증착(MCVD)을 이용해 비스무트와 인이 함께 들어간 특수 광섬유를 만들었습니다. 이 광섬유는 빛 신호를 증폭시키는 능력이 뛰어나서 광통신에서 사용하는 O밴드 영역에서 신호를 크게 키울 수 있습니다. 인을 추가하니 비스무트만 있을 때보다 신호 증폭 효과가 더 좋아졌습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미늄 산화막을 만들 때 사용하는 오존의 농도가 수분 차단 성능에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 오존은 산화막을 만드는 재료 중 하나인데, 그 양을 조절하면 막이 물을 얼마나 잘 막아주는지가 달라집니다. 이는 디스플레이 같은 제품을 습기로부터 보호하는 코팅 기술에 중요한 연구입니다.
이 논문은 백금과 루테늄을 섞은 얇은 막을 반도체 게이트 전극으로 만들고, 원자층증착법으로 코팅했을 때 산소와 만나 어떻게 변하는지 연구했습니다. 이는 반도체 소자의 성능을 높이는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 실리콘 산화막(SiO2)을 원하는 부분에만 얇게 쌓는 특별한 증착 방법을 연구했습니다. 반응 방지막 없이도 표면을 스스로 깨끗하게 만들어서 원하는 곳에만 막이 생기게 했습니다. 이는 반도체를 만드는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 산화아연(ZnO) 얇은 막을 사파이어(Al2O3) 기판 위에 낮은 온도에서 만드는 연구입니다. 재료의 배합 비율과 성장 온도가 막의 방향성에 어떤 영향을 주는지 살펴봅니다. ZnO는 반도체 재료로 많이 쓰이기 때문에 이 연구는 반도체 기술 발전에 중요합니다.
이 논문은 지르코니아(ZrO2)라는 얇은 막을 실리콘 위에는 잘 붙게 하고 구리 위에는 붙지 않게 만드는 특별한 증착 방법을 연구했습니다. 여러 조건을 동시에 잘 맞추기 위해 최적화 기법을 사용했습니다. 이는 반도체를 만들 때 필요한 곳에만 정확히 막을 씌우는 기술입니다.
이 논문은 반도체의 깊은 홈(트렌치)을 채우기 위한 선택적 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 공정을 다룹니다. 실험계획법(DoE)을 이용해 최적의 공정 조건을 찾는 방법을 연구했습니다. 특정 재료보다는 공정과 장비 조건 최적화에 초점을 맞춘 연구입니다.
이 논문은 태양전지에 쓰이는 페로브스카이트 소자에서 산화주석이라는 얇은 막을 특수한 방법(원자층증착)으로 만들었을 때 생기는 접촉면 문제를 설명합니다. 이 얇은 막은 전자를 잘 통과시키는 역할을 하는데, 만드는 과정에서 계면 문제가 태양전지 성능에 영향을 준다는 것을 연구했습니다. 결국 더 좋은 태양전지를 만들기 위한 힌트를 찾는 연구입니다.
이 논문은 태양전지 성능을 높이기 위해 니오븀(Nb)을 넣은 산화주석(SnO2) 얇은 막을 원자층 증착법(ALD)으로 만드는 방법을 다룹니다. 이 막은 전자를 잘 이동시키는 전자수송층으로 사용되어 페로브스카이트 태양전지의 효율을 높이는 역할을 합니다. 초록이 없어 자세한 실험 결과는 알 수 없지만 태양전지 분야의 중요한 소재 연구로 보입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 코발트 나노입자부터 얇은 막까지 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 코발트 물질은 화학 반응을 돕는 촉매로 사용될 수 있습니다. 증착 조건을 조절해서 성능이 좋은 촉매를 만드는 것이 핵심 내용입니다.
이 연구는 리튬 금속 배터리를 빠르게 충전할 수 있도록, 구리 집전체 위에 원자층 증착(ALD)으로 얇은 Al2O3 막을 코팅했습니다. 이 막은 전자 이동을 조절해서 리튬이 옆으로 넓게 퍼지며 쌓이게 하고, 더 안정적인 보호막을 만들어줍니다. 결과적으로 코팅된 배터리는 코팅하지 않은 것보다 더 오래, 더 효율적으로 충전과 방전을 반복할 수 있었습니다.
이 논문은 낮은 온도에서 플라즈마를 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 결정성 이황화주석(SnS2) 박막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 박막은 리튬이온배터리의 전극이나 이산화탄소를 다른 물질로 바꾸는 반응(전기환원)에 쓸 수 있습니다. 새로운 재료를 새로운 방식으로 얇게 입히는 기술을 소개하는 논문입니다.
이 논문은 리튬이온 배터리의 양극(NMC811) 전체에 아주 얇은 Ta2O5 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 고전압, 고온에서도 배터리가 덜 손상되고 오래 사용할 수 있게 됩니다. 표면 분석 결과 코팅이 화학반응으로 인한 손상을 줄이고 구조 변화도 막아준다는 것을 확인했습니다.
이 논문은 아주 높은 압력에서 원자층 증착(ALD) 방법을 사용해 텔루륨이라는 물질을 얇은 2차원 막으로 한 층씩 쌓는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 얇은 막은 p형 반도체로 사용할 수 있습니다. 반도체 소자에 활용될 수 있는 새로운 박막 제작 기술을 소개하는 연구입니다.
이 논문은 아주 작은 GaN 나노선 위에 ZnO를 얇게 입혀서 특별한 구조를 만드는 방법을 다룹니다. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 기술을 사용했고, 두 물질 사이의 미세한 뒤틀림(변형률)을 분석했습니다. 반도체 나노 소재 연구에 해당합니다.
이 논문은 실리콘카바이드(SiC) 위에 산화막(SiO2)을 만드는 여러 방법(ALD, LPCVD, 열산화)을 비교했습니다. 산화막을 만든 후 특정 가스로 열처리(FG 어닐링)하면 전기적으로 더 튼튼하고 오래 버티며, 전자가 더 잘 이동한다는 것을 발견했습니다. 이는 반도체 소자의 성능을 높이는 데 중요한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 하프늄-지르코늄 산화막을 만들 때 산소를 공급하는 가스 종류가 막의 결정 구조와 반복 사용 시 성능 저하(피로 현상)에 미치는 영향을 연구했습니다. 이 산화막은 메모리 소자에 쓰이는 강유전체 재료입니다. 어떤 산소 가스를 쓰느냐에 따라 메모리의 수명과 성능이 달라질 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 아주 좁고 깊은 구멍 같은 구조에 얇은 막을 골고루 입히는 '원자층 증착(ALD)' 기술을 다룹니다. 구멍이 너무 깊으면 막이 끝까지 완전히 덮이지 않는 문제가 생기는데, 이를 수학적으로 예측하는 모델을 만들었습니다. 이는 반도체 칩처럼 복잡한 미세 구조를 만들 때 매우 중요한 연구입니다.
이 논문은 반도체 얇은 막을 만드는 원자층 증착(ALD) 공정에 쓰이는 '테트라키스(디메틸아미도)지르코늄'이라는 재료의 열적 성질을 연구했습니다. 이 재료가 열에 얼마나 안정한지 알아야 반도체 공정에서 잘 사용할 수 있습니다. 즉, 좋은 반도체 부품을 만들기 위한 재료 특성을 살펴본 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 정교하게 쌓는 기술을 소개하는 리뷰 논문입니다. 반도체 분야에서 많이 쓰이던 ALD 기술이 이제는 퀀텀닷 디스플레이 같은 곳에도 활용될 수 있다는 내용을 다룹니다. 앞으로 디스플레이 기술에 ALD가 어떻게 쓰일 수 있을지 미래 전망도 함께 설명합니다.
이 논문은 코발트라는 금속을 원자 단위로 정밀하게 쌓는 특별한 방법(선택적 원자층 증착)을 연구합니다. 이 기술은 반도체 칩을 웨이퍼에 3차원으로 정교하게 연결하는 데 사용됩니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 반도체 공정 기술과 관련이 깊습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 기술을 이용해서 서로 다른 반도체 칩들을 하나로 잘 붙이는 방법을 연구했습니다. 특히 빛을 이용하는 광전자 집적회로 칩들을 붙이는 데 이 기술을 활용했습니다. 이렇게 하면 여러 종류의 반도체 부품을 하나의 칩처럼 합칠 수 있습니다.
이 연구는 OLED 디스플레이에 쓰이는 폴리플루오렌 발광층에 알루미나 나노입자를 섞고, 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 보호막을 씌워 성능을 높이는 실험입니다. 보호막 두께를 0~50nm까지 바꿔보니 30nm일 때 빛도 가장 잘 나오고 소자도 오래 갔습니다(312시간). 이는 OLED를 더 밝고 오래 쓸 수 있게 만드는 방법을 찾은 것입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 매우 정밀하게 쌓는 기술에서, 좁고 깊은 구조 안에 남은 가스를 씻어내는 '퍼지' 과정을 컴퓨터로 시뮬레이션한 연구입니다. 반도체처럼 아주 가늘고 깊은 구멍에 막을 고르게 입히려면 이 퍼지 과정이 매우 중요합니다. 이 연구는 그 과정을 더 잘 이해하고 개선하는 방법을 찾는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 원자층 증착법(ALD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 방법으로 산화주석(SnO2)이라는 물질을 만들었습니다. 막의 두께에 따라 전기적인 성질이 어떻게 변하는지 연구했습니다. 반도체 소자를 만드는데 중요한 기초 연구입니다.
이 연구는 몰리브덴과 텅스텐을 섞은 아주 얇은 반도체 막(MoWS2)을 특별한 원자층 증착법으로 만드는 방법을 다룹니다. 펄스 방식을 조절해서 두 금속 원자가 고르게 섞이거나 줄무늬처럼 특정 모양으로 배열되게 만들 수 있었습니다. 현미경과 빛을 이용한 분석으로 이 재료의 구조와 성질을 확인했고, 나중에 아주 작은 양자점이나 전선 같은 구조를 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 얇은 산화주석(SnO2) 막을 원자층증착법으로 만들어 색이 변하는 바나듐산화물/폴리아닐린 필름의 반응 속도를 빠르게 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 필름은 전기를 주면 색깔이 빨리 바뀌는 스마트 창문 같은 곳에 쓰일 수 있습니다. 원자층증착이라는 정밀한 코팅 기술이 핵심 공정으로 사용되었습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법을 개선해서 백금(플래티늄) 촉매를 더 얇고 효과적으로 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 백금 촉매는 산소를 이용한 화학 반응에서 더 좋은 성능을 보입니다. 촉매 하나하나의 효율을 높이는 것이 핵심 목표입니다.
이 연구는 플라즈마 없이 원자층증착법(ALD)을 이용해 니켈 박막을 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 먼저 ZnO라는 접착층을 만들고, 그 위에 니켈을 원자 단위로 얇게 쌓는 방식입니다. 다양한 분석 장비로 두께, 성분, 결정 구조를 확인해 우수한 품질의 박막을 얻었음을 보였습니다.
이 논문은 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 낮은 온도에서 원자층증착(ALD) 방법으로 만들어 메모리 소자인 멤리스터를 만든 연구입니다. 이 소자는 빛과 전기 신호를 함께 다룰 수 있어 미래의 똑똑한 전자기기에 쓰일 수 있습니다. 낮은 온도에서 만들 수 있어 다양한 재료 위에도 쉽게 적용할 수 있습니다.
이 논문은 얇은 2차원 반도체 물질(MoS2, WSe2) 위에 ALD 방식으로 TiO2 막을 씌웠을 때 어떤 변화가 생기는지 연구했습니다. TiO2를 씌우면 빛을 내는 성질(광발광)과 라만 신호가 달라지는데, 이는 도핑, 변형, 유전체 영향 때문임을 밝혔습니다. 이 결과는 ALD를 이용해 반도체 소자의 특성을 조절하는 새로운 방법이 될 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 MoS2와 WS2라는 얇은 물질을 ALD라는 방법으로 만들 때, 빨리 만드는 것과 천천히 만드는 것의 차이를 연구했습니다. 천천히 만들 때만 아주 얇은 한 층짜리 물질이 잘 만들어진다는 것을 발견했습니다. 여러 현미경과 분석 장비로 이 물질의 성질을 자세히 살펴보았습니다.
이 연구는 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 막을 2차원 물질 위에 쌓아서 나노 크기의 진동하는 소자(나노기계 공진기)를 만들었습니다. 그래핀/MoS2, NbS2 같은 물질로 만든 이 소자는 기존 방식보다 에너지 손실이 적어 더 좋은 성능을 보였습니다. 이는 앞으로 초소형 기계 장치를 대량으로 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 ALD 방법으로 니오븀 산화물(NbOx)을 이용해 뇌처럼 작동하는 뉴런 소자를 만든 연구입니다. 얇은 티타늄 층을 사용해 산화물의 성질을 조절하여 전류에 따라 진동하는 특성을 얻었습니다. 이렇게 만든 소자들을 모아 숫자 패턴을 인식하는 신경망 회로를 만드는 데 성공했습니다.
이 논문은 AlGaN/GaN 반도체 소자 위에 산화알루미늄(Al2O3)이라는 얇은 막을 특수한 방법(원자층 증착)으로 입혀 pH(산성도)를 측정하는 센서를 만드는 연구입니다. 이 막은 물질을 보호하는 역할과 동시에 산성도를 감지하는 역할을 합니다. 반도체와 센서 기술이 합쳐진 연구입니다.
이 논문은 폭발 위험이 적은 새로운 화학물질(Zn(DMP)2)을 이용해 산화아연(ZnO) 얇은 막을 빠르게 만드는 방법을 연구했습니다. 기존에 쓰던 위험한 물질(DEZ)과 성장 속도, 환경 영향, 성능을 비교했습니다. ZnO는 반도체나 태양전지, 코팅 재료로 널리 쓰입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 금속산화물 촉매를 이용해 플라즈마로 이산화탄소를 분해하는 실험을 다룹니다. 같은 구조를 가진 촉매들을 비교해서 촉매가 어떻게 작동하고 변하는지 알아봅니다. 이는 온실가스인 CO2를 줄이는 새로운 방법 연구에 도움이 됩니다.
이 논문은 특정 부분에만 얇은 막을 쌓는 '영역 선택적 원자층 증착(ALD)' 기술을 소개하는 리뷰 논문입니다. 표면 화학 원리와 현재 기술의 어려움, 앞으로의 발전 방향을 설명합니다. 반도체 제작에서 정밀하게 원하는 곳에만 물질을 쌓는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 만든 Ga2O3와 SiC라는 두 물질이 붙어있는 부분(헤테로접합)을 다룹니다. 이 물질을 어떤 공기(분위기)에서 열처리하는지에 따라 전자가 이동하는 특성(밴드 정렬)이 어떻게 바뀌는지 연구했습니다. 반도체 소자를 만들 때 중요한 기초 물성 연구입니다.
이 논문은 열전 재료(열을 전기로 바꾸는 재료)의 표면 성질을 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 얇은 막 코팅 기술로 개선하는 연구들을 정리한 리뷰입니다. ALD 공정 조건과 장비 특성을 이용해 재료 경계면을 조절하는 최신 방법들을 소개합니다. 반도체 등 특정 산업 분야를 특별히 강조하지는 않습니다.
이 연구는 원자층증착(ALD)으로 산화하프늄과 산화알루미늄 막을 씌워서 실리콘 질화물 광도파로 공진기의 빛 퍼짐 특성을 조절하는 방법을 보여줍니다. 어떤 막을 쓰느냐에 따라 빛이 퍼지는 정도를 세밀하게 바꿀 수 있습니다. 이를 통해 광학 소자의 성능을 더 정밀하게 설계할 수 있습니다.
이 논문은 반도체 트랜지스터의 신뢰성을 떨어뜨리는 음의 바이어스 열화 현상을 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 만든 실리콘질화막(SiN)을 이용해 개선하는 방법을 다룹니다. 스트레스 메모리제이션 기술과 결합해 소자 수명을 크게 늘릴 수 있음을 보여줍니다. 반도체 소자의 내구성을 높이는 공정 연구입니다.
이 논문은 머신러닝을 이용해 원자층증착(ALD) 공정의 최적 조건을 찾아내는 방법을 연구했습니다. 온도, 시간 같은 공정 변수들을 컴퓨터가 스스로 분석해서 가장 좋은 조합을 찾아줍니다. 이를 통해 실험을 덜 하고도 더 좋은 박막을 만들 수 있습니다.
이 논문은 실리콘 위에 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입힌 뒤, 열처리를 통해 실리콘을 p형으로 도핑하는 방법을 연구했습니다. 이렇게 하면 반도체 안에 아주 얕고 정교한 p형 영역을 만들 수 있습니다. 이는 반도체 소자를 더 작고 정밀하게 만드는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 ALD라는 정밀한 박막 쌓기 방법으로 태양전지 재료인 페로브스카이트를 낮은 온도에서 균일하게 만드는 방법을 설명해요. 원자 하나하나를 쌓듯이 조절해서 얇고 고른 막을 만들 수 있다는 내용이에요. 앞으로 태양전지 만들 때 유용하게 쓰일 수 있는 기술이에요.
이 논문은 티타늄 화합물과 유기물을 이용해서 아주 얇고 균일한 막을 만드는 방법을 연구했습니다. ALD와 MLD라는 특별한 증착 기술을 사용해서 복잡하고 좁은 구조에도 막을 고르게 씌울 수 있었습니다. 이 기술은 친환경 에너지 기술에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 백금(Pt)을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 방법의 최저 온도 한계를 연구했습니다. 상온·대기압 조건에서도 티타늄산화물(TiO2) 나노분말 표면에 아주 작은 백금 알갱이들을 골고루 붙일 수 있음을 보였습니다. 이는 촉매 등에 쓰일 수 있는 초미세 백금 입자를 만드는 새로운 저온 공정을 제안합니다.
이 논문은 원자층 증착이라는 얇은 막을 매우 정밀하게 쌓는 방법을 이용해서 두 가지 금속을 섞은 촉매를 만들었어요. 이 촉매는 이산화탄소를 다른 물질로 바꾸는 반응을 도와주는데, 어떤 물질이 만들어지는지를 조절할 수 있어요. 금속의 조합에 따라 화학적 상태가 달라지고 결과물도 달라진다는 것을 보여준 연구예요.
실리콘 나노입자 배터리 전극 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 산화티타늄(TiO2) 막을 인공적으로 씌웠습니다. 이렇게 만든 보호막 덕분에 배터리를 여러 번 충전하고 방전해도 성능이 잘 유지되었습니다. 특히 특정 첨가제가 없는 전해질에서도 효과가 좋았습니다.
이 논문은 아주 작은 백금(Pt) 알갱이를 Co/MoN이라는 특수한 재료 위에 얇게 입혀서 새로운 센서를 만든 연구입니다. 원자층증착법(ALD)이라는 정밀한 기술로 백금을 붙였습니다. 이 센서는 과산화수소(H2O2)를 몸속 세포나 실제 샘플에서도 잘 찾아낼 수 있습니다.
이 논문은 산화하프늄이라는 얇은 막을 원자층증착이라는 정밀한 방법으로 만든 뒤, 낮은 에너지의 제논 이온빔을 쏘아서 성질을 어떻게 바꾸는지 연구했습니다. 이온빔을 맞으면 막의 표면 모양, 구조, 빛과 관련된 성질이 달라진다는 것을 확인했습니다. 이는 반도체 소자를 만들 때 중요한 절연막 재료의 성능을 조절하는 방법을 알려줍니다.
이 논문은 ALD로 만든 HfO2라는 얇은 막에 강한 은(Ag) 이온을 쏘았을 때 물리적, 화학적 성질이 어떻게 변하는지 연구했습니다. HfO2는 반도체에서 많이 쓰이는 중요한 물질입니다. 이온을 쏘면 막의 특성이 바뀌는 것을 확인해서 응용 가능성을 살펴봤습니다.
이 논문은 금(Gold)을 아주 얇은 막으로 쌓는 새로운 화학적 방법(원자층 증착법)을 소개합니다. 열을 이용해 반응시키는 방식으로 금 원자를 한 층씩 정밀하게 쌓는 공정을 다룹니다. 반도체나 전자소자 제작에 활용될 수 있는 중요한 공정 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 실리콘 태양전지 표면에 풀잎 모양의 알루미나 나노구조를 만들어 빛 반사를 줄이는 방법을 연구했습니다. 이 구조 덕분에 태양전지가 더 많은 빛을 흡수해서 전류가 늘어났고, 표면 손상 없이 성능이 좋아졌습니다. 또한 다양한 각도에서 빛이 들어와도 반사가 적게 일어나는 것을 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 반도체 물질(전이금속 디칼코게나이드)을 만드는 방법을 다룹니다. 이 기술은 반도체를 만드는 데 중요한 공정 기술입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만 제목만으로도 반도체 공정과 관련된 중요한 주제임을 알 수 있습니다.
이 논문은 텔루륨이라는 물질을 상온에서 특별한 방법(용액 원자층 증착)으로 아주 얇게 만드는 방법을 소개합니다. 높은 온도가 필요 없어서 더 쉽고 안전하게 만들 수 있습니다. 텔루륨은 반도체 등 여러 분야에 쓰일 수 있는 재료입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 산화비스무트라는 물질을 얇게 쌓는 연구입니다. 정확한 화학 비율(화학양론)을 맞추면서도 빠르게 쌓는 방법을 찾으려고 했습니다. 초록이 없어서 자세한 실험 결과는 알 수 없습니다.
이 논문은 실리콘 산화막(SiO2)을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 공정을 다룹니다. 전구체를 한 번 뿌리는 방식과 두 번 나눠서 뿌리는 방식을 비교해서 더 좋은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 이를 통해 반도체 만드는 과정에서 산화막 품질을 높이는 방법을 찾으려는 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)으로 육방정 갈륨질화물(GaN)을 키울 때 표면에서 일어나는 성장 과정을 컴퓨터로 예측하는 연구입니다. 첫 원리 계산으로 표면 에너지를 구하고, 이를 이용해 여러 크기 규모에서 결정이 자라는 모습을 모델링했습니다. 이를 통해 실험 없이도 GaN 박막이 어떻게 성장하는지 이해할 수 있습니다.
이 논문은 산화주석(주석 산화물)이라는 재료를 아주 얇은 막으로 쌓는 ALD라는 특수한 방법을 연구합니다. 표면에서 어떤 화학 반응이 일어나는지, 에너지 관점에서 어떻게 변하는지를 이론적으로 분석했습니다. 이를 통해 ALD 장비를 더 잘 만들고 개선하는 데 도움을 주는 연구입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 산화아연과 구리를 겹겹이 쌓은 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 막이 전기가 잘 통하고 단단해지는 방법을 알아봤습니다. 투명한 디스플레이나 태양전지에 쓰일 수 있는 재료를 개선하는 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)에 쓰이는 옥심 성분을 포함한 4족 전이금속(티타늄, 지르코늄, 하프늄 등) 전구체 물질을 분자 수준에서 연구했습니다. 이런 전구체는 반도체 칩을 만들 때 아주 얇은 막을 균일하게 쌓는 데 사용됩니다. 새로운 전구체 물질의 특성을 이해하면 더 좋은 반도체 소자를 만들 수 있습니다.
이 논문은 상온에서 진행하는 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 만드는 기술을 간단히 소개합니다. 보통 ALD는 온도가 높아야 잘 되는데, 상온에서도 가능하게 하는 방법과 장비 조건을 설명합니다. 반도체 등 다양한 분야에서 활용될 수 있는 기초 공정 기술입니다.
이 논문은 액체 상태의 특수한 주석 화합물을 이용해 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 산화주석(SnO2) 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 막은 결정 구조를 가지고 있어 센서나 태양전지, 반도체 소자에 활용될 수 있습니다. 다만 초록이 없어 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 아주 얇은 막을 한 층씩 쌓는 원자층 증착(ALD)에 쓸 수 있는 갈륨이라는 재료의 새로운 화학물질(전구체)을 만드는 연구입니다. 이 새로운 물질을 이용하면 반도체 등에 필요한 갈륨 막을 더 잘 만들 수 있습니다. 반도체 공정에 쓰이는 재료 개발이라 중요도가 높게 평가됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 산화아연(ZnO)이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 막을 만들 때 생기는 작은 결함들이 스스로 회복되는 현상을 살펴봅니다. 반도체 재료의 품질을 이해하는 데 중요한 연구입니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 원하는 곳에만 얇은 막을 입히는 '선택적 원자층 증착' 기술을 다룹니다. 특정 화학 물질(억제제)을 어떻게 골라야 원치 않는 곳에는 막이 안 생기게 할 수 있는지 그 원리를 설명합니다. 표면 화학 반응을 기초부터 자세히 살펴본 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 방법으로 빛 반사를 줄여주는 코팅막을 만드는 방법에 대한 것입니다. 이런 코팅막은 태양전지 같은 곳에서 빛을 더 잘 받아들이게 도와줍니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만 ALD 공정과 장비를 다루는 것으로 보입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 아주 얇은 TiO2 막을 만들어 태양광으로 물을 분해하는 장치의 성능을 높이는 연구입니다. 이 얇은 막을 넣으면 전기가 더 잘 흐르고 전자와 정공이 다시 합쳐지는 것을 막아줘서 효율이 25%에서 85%까지 크게 좋아졌습니다. 결국 ALD 기술이 태양에너지로 물을 쪼개는 장치를 더 좋게 만드는 데 도움이 된다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 반도체 제조에 쓰이는 원자층증착(ALD) 기술 특허를 분석한 연구입니다. 40개 주요 기업의 5460개 특허를 조사해서 어느 나라, 어느 회사가 기술을 주도하는지 살펴봤습니다. 실제 재료나 공정 조건이 아니라 특허 경쟁과 경영 전략에 대한 분석입니다.
이 연구는 ALD(원자층 증착) 방법으로 ZrO2라는 특수한 절연막을 실리콘카바이드(SiC)와 실리콘(Si) 위에 얇게 입혔습니다. ZrO2막은 표면이 매끈하고 절연성이 좋아서 반도체 소자의 성능을 높이는데 도움이 됩니다. 특히 SiC 위에 만든 소자가 Si 위에 만든 소자보다 전기적 특성이 더 좋아서 앞으로 전력 반도체에 활용될 가능성이 큽니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 미세채널판(MCP)의 좁은 통로 안에 AZO(산화아연-산화알루미늄) 얇은 막을 균일하게 입히는 방법을 연구했습니다. 트리메틸알루미늄이라는 재료의 주입 시간을 500밀리초로 늘리면 막이 균일하게 잘 만들어진다는 것을 발견했습니다. 또한 막을 300도에서 열처리하면 전기저항이 안정적으로 변한다는 것도 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 플라스틱(PET) 위에 티타늄산화물(TiO2) 얇은 막을 입히는 연구입니다. PET 표면의 특정 화학 결합이 TiO2가 잘 붙도록 도와준다는 것을 알아냈습니다. 막이 자라는 두 가지 방식(퍼짐 성장과 직접 결합)이 동시에 일어난다는 것을 밝혔습니다.
이 논문은 반도체를 아주 작은 원자 단위로 깎거나 쌓는 공정(원자층 식각/증착)에서, 라만 산란이라는 빛을 이용한 방법으로 얇은 막을 관찰하는 기술을 정리한 리뷰 논문입니다. 이 기술은 반도체를 만들 때 재료가 잘 만들어졌는지 확인하는 데 도움을 줍니다. 앞으로 반도체 공장에서 품질을 확인하는 새로운 방법으로 쓰일 수 있다고 설명합니다.
이 논문은 물을 분해해서 친환경 수소를 만드는 데 필요한 산소 발생 반응 촉매에 대한 리뷰입니다. 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 전이금속 기반의 얇은 막을 만들면 두께와 성분을 정밀하게 조절할 수 있어 촉매 성능을 이해하고 개선하는 데 도움이 됩니다. 이 논문은 ALD가 촉매 연구에 어떻게 활용되는지 설명합니다.
이 논문은 나노 도장(나노임프린트)을 찍을 때 틀이 망가지거나 잘 안 떨어지는 문제를 해결하기 위해 얇은 코팅막을 씌우는 연구입니다. 그래핀, 산화알루미늄, 폴리우레아라는 세 가지 얇은 막을 원자층 증착으로 만들어 비교했고, 그중 그래핀이 힘도 덜 받고 마찰도 적어 가장 좋았습니다. 이 결과로 나노 도장 틀을 더 오래 쓰고 더 정확하게 찍을 수 있는 방법을 제시했습니다.
이 논문은 인듐(In)을 포함한 새로운 화합물을 만들어서 아주 얇은 막을 입히는 원자층 증착(ALD)에 사용할 수 있는 재료로 개발한 연구입니다. 이 화합물은 쉽게 기체로 변할 수 있어서 정밀한 코팅 공정에 적합합니다. 반도체 등 첨단 소자를 만드는 데 중요한 원료로 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 빛을 내는 작은 입자인 CsPbBr3 양자점 표면에 ZnS라는 보호막을 콜로이드 원자층 증착법으로 두껍게 씌우는 연구입니다. 이렇게 하면 양자점이 빛을 더 잘 내고 오래 안정적으로 유지될 수 있습니다. 디스플레이 등에 사용될 수 있는 발광 재료 기술입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)에 쓰이는 원격 유도결합 플라즈마 장치를 컴퓨터 모델로 분석했어요. 실험 측정값과 비교해서 모델이 정확하다는 것을 확인했고, 플라즈마의 특성이 어떻게 변하는지 알아냈어요. 이 결과는 반도체 만드는 공정을 더 잘 이해하는데 도움을 줘요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 이산화규소(SiO2) 막을 만드는 연구입니다. 막을 만들 때 온도를 다르게 하면 막의 성질이 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 반도체를 만드는 데 중요한 얇은 막 기술에 대한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 이산화티타늄이라는 얇은 막을 만드는 기술을 다룹니다. 이 기술은 증강현실(AR) 안경에 쓰이는 특수한 유리(웨이브가이드)를 대량으로 만들 때 쓰입니다. 즉, AR 안경을 공장에서 많이 만들 수 있도록 도와주는 연구입니다.
이 논문은 ALD로 만든 산화주석(SnO2) 박막을 자외선(UV)으로 빠르게 결정화시키는 저온 공정을 소개합니다. 이 방법으로 전기가 더 잘 통하는 SnO2를 만들어 태양전지의 전자 이동을 도와주었습니다. 그 결과 접는 태양전지도 효율이 높고 잘 견디는 성능을 보였습니다.
이 논문은 아주 얇은(3나노미터 이하) 강유전체 박막을 원자층증착(ALD)으로 만들고, 빠르게 냉각하는 공정을 통해 성능이 좋은 결정 구조를 더 많이 만드는 방법을 연구했어요. 이 기술은 미래의 초소형 메모리 반도체 소자에 활용될 수 있어요. 재료 이름은 하프늄-지르코늄 산화물(HfZrOx)이에요.
이 논문은 산화베릴륨(BeO)이라는 재료를 아주 낮은 온도에서 얇은 막으로 만드는 새로운 원자층증착(ALD) 방법을 연구했어요. '나누어 넣는 방식(discrete feeding)'이라는 특별한 공정 기술을 사용해서 재료를 조금씩 넣어주는 방법을 다루고 있어요. 이 기술은 반도체를 만들 때 필요한 정밀한 박막 공정 기술이에요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만든 특별한 절연 재료들(하이-k 물질)의 성능을 설명해요. 여기에 다른 원소를 조금 섞으면(도핑) 성능이 더 좋아진다는 것을 알려줍니다. 이런 재료들은 반도체를 더 좋게 만드는 데 아주 중요해요.
이 논문은 SnO2 나노 구조 위에 아주 얇은 TiOx 껍질을 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 입혀서 태양빛을 이용해 물을 분해하거나 전기를 만드는 성능을 높이는 연구입니다. TiOx 막을 씌우면 SnO2가 더 잘 작동하도록 도와줍니다. 이 기술은 태양전지나 친환경 에너지 생산에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 반도체 배선에 쓰이는 구리(Cu) 얇은 막을 씨앗층 없이 전기도금으로 만드는 방법을 다룹니다. 구리 아래에는 ALD로 만든 루테늄(Ru) 확산 방지막을 사용했고, 이 막의 전기적 성질이 다르면 구리 도금이 어떻게 달라지는지 살펴봅니다. 반도체 회로의 미세한 배선을 더 잘 만들기 위한 연구입니다.
이 논문은 반도체 배선(구리 배선)을 만들 때 사용하는 아주 얇은 루테늄(Ru) 막 위에 구리를 도금하는 방법을 연구했습니다. 특히 좁은 홈(트렌치)을 구리로 잘 채우는 기술을 다룹니다. 이는 반도체 칩 안의 전기 통로를 만드는 데 중요한 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 탄소 종이 위에 이리듐(Ir)이라는 금속의 아주 작은 구조물을 붙이는 실험을 다룹니다. 이렇게 만든 전극은 접착제 없이도 물에서 수소를 만드는 반응(알칼리 수소 발생 반응)에 쓸 수 있습니다. 즉, 더 간단하고 효율적인 수소 생산용 전극을 만드는 연구입니다.
이 논문은 알루미나와 하프니아라는 얇은 막을 원자층증착법으로 스테인리스 스틸과 티타늄 위에 다양한 온도로 입혀본 연구입니다. 의료용 금속 표면에 얇은 보호막을 만드는 방법을 알아본 것입니다. 온도 조건에 따라 막의 특성이 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다.
이 논문은 반도체를 만들 때 원하는 곳에만 얇은 막을 쌓는 특별한 증착 방법(선택적 원자층 증착)에 쓰이는 화학물질을 인공지능으로 찾아내는 연구입니다. 기계학습을 이용해 어떤 분자 특징이 좋은 재료를 만드는지 알아냈습니다. 이는 더 작고 정교한 반도체 칩을 만드는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 하이브리드 극자외선(EUV) 감광재(레지스트) 얇은 막을 다룹니다. 유기물 성분이 이 막의 특성에 어떤 역할을 하는지 연구했습니다. 반도체를 만들 때 아주 미세한 회로를 그리는 데 쓰이는 중요한 재료를 다루는 연구입니다.
이 연구는 같은 재료로 이루어진 표면에서도 특정 위치에만 얇은 막을 쌓는 새로운 방법을 개발했습니다. ZrO2라는 물질의 결정 경계 부분만 불소로 처리한 뒤 그 자리에만 Al2O3를 자라게 해서 전기가 새는 것을 막았습니다. 이 기술은 반도체 소자를 더 좋게 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 전고체 배터리의 양극(캐소드) 표면을 보호하는 얇은 막을 파우더 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 연구입니다. 막의 조성(성분 비율)을 조절해서 배터리 성능을 높이는 것이 목표입니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 연구는 전고체 배터리의 양극 재료를 보호하는 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 조성을 조절하며 만들었습니다. 이 보호막의 조성에 따라 이온과 전자가 얼마나 잘 통하는지가 달라지고, 이것이 배터리 성능에 큰 영향을 준다는 것을 밝혔습니다. 코팅을 하면 배터리의 효율과 수명이 크게 좋아졌습니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착)라는 기술을 이용해 수퍼커패시터(전기를 저장하는 장치)의 전극을 만드는 방법을 정리한 리뷰 논문입니다. ALD로 얇고 정밀한 막을 만들면 전극 성능이 좋아지는 원리를 설명합니다. 앞으로 어떤 연구를 하면 좋을지도 제안합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 아주 얇은 산화인듐(In2O3) 박막을 만들어 트랜지스터를 제작한 연구입니다. 채널 길이를 다르게 하면서 전자 이동 속도(이동도)가 어떻게 변하는지 살펴봤습니다. 채널이 짧을수록 저항 성분이 커져서 이동도에 큰 영향을 준다는 것을 밝혀냈습니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착) 방법으로 만든 게르마늄이 섞인 산화아연 얇은 막을 뜨거운 온도에서 구운 뒤 전기적 성질을 알아본 연구입니다. 산화아연 안에 생기는 산소 빈자리가 전자를 만들어내는 데 게르마늄보다 더 큰 영향을 준다는 것을 발견했습니다. 여러 장비로 막의 두께, 구조, 전기 흐름을 자세히 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 산화갈륨(Ga2O3) 막을 만들어 자외선을 감지하는 센서를 연구했습니다. 막의 두께가 두꺼울수록 결정 품질이 좋아지고 빛 감지 성능도 좋아진다는 것을 발견했습니다. 두께 58나노미터일 때 가장 성능이 좋은 자외선 센서를 만들 수 있었습니다.
인듐이 없는 GZO라는 재료를 특수한 방법(플라즈마 원자층 증착)으로 얇게 쌓아서 트랜지스터를 만드는 연구예요. GZO의 성분 비율을 조절해서 더 안정적인 디스플레이용 부품을 만들려고 했어요. 이 방법은 반도체와 디스플레이 기술에 중요해요.
이 논문은 잉크젯으로 특정 패턴을 찍어서 원하는 자리에만 산화알루미늄(Al2O3) 막을 얇게 쌓는 방법을 연구했습니다. 원하지 않는 부분은 나중에 벗겨내는 리프트오프 과정을 사용했습니다. 이는 반도체를 만들 때 정밀하게 원하는 위치에만 막을 입히는 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇고 균일한 알루미늄 질화물(AlN) 막을 만드는 연구입니다. 만든 막을 넓은 면적에서 빠르게 전자빔으로 열처리해서 품질을 더 좋게 만들었습니다. 이렇게 만든 AlN 박막은 반도체 부품을 만드는 데 사용될 수 있습니다.
이 논문은 ALD라는 방법으로 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 만들고, 여기에 알루미늄과 마그네슘을 조금씩 섞어 전기적 성질을 바꾸는 연구입니다. 열을 전기로 바꾸는 능력(열전 성질)이 도핑과 열처리에 따라 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 반도체 소재 개발에 도움이 되는 기초 연구입니다.
탄소나노월이라는 삐죽삐죽한 탄소 구조물 위에 산화망간이라는 얇은 막을 골고루 입히는 연구입니다. 원자층 증착(ALD)이라는 아주 세밀한 방법과 플라즈마 기술을 함께 사용했습니다. 복잡한 모양의 표면에도 균일하게 막을 씌우는 방법을 보여줍니다.
이 논문은 연료전지에 쓰이는 특수한 전극 표면에 아주 작은 루테늄(Ru) 알갱이를 붙이는 방법을 연구했습니다. 이때 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술을 사용했습니다. 이렇게 하면 연료전지가 더 잘 작동하도록 도와줄 수 있습니다.
이 논문은 두 개의 반응기가 있는 특별한 분자들이 원자층 증착(ALD)과 분자층 증착(MLD)에서 어떻게 다르게 반응하는지 연구했습니다. 즉, 얇은 막을 쌓을 때 재료가 어떤 방식으로 붙는지 그 원리를 알아보는 내용입니다. 초록이 없어 자세한 실험 결과는 알 수 없습니다.
이 논문은 어두운 곳에서 빛나는 인광체 물질(BaAl2O4)이 물에 약해서 잘 손상되는 문제를 다룹니다. 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 코팅하는 기술로 이 물질을 물로부터 보호하는 방법을 연구했습니다. 결과적으로 ALD 코팅을 하면 물속에서도 인광체가 잘 견딜 수 있게 됩니다.
이 논문은 칼슘 기반 물질에 알루미나(산화알루미늄) 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입혀서 이산화탄소(CO2)를 더 잘 흡수하게 만드는 연구입니다. 왜 이렇게 하면 CO2가 더 잘 붙는지 원리를 설명하고, 이 물질이 오래 안정적으로 사용될 수 있는지도 살펴봤습니다. 반도체나 디스플레이보다는 환경/화학 소재 분야에 가까운 연구입니다.
이 논문은 지르코니아 섬유 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 코발트 산화물 촉매를 만드는 연구입니다. 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술을 이용해 촉매 성능을 높이려는 시도입니다. 반도체나 디스플레이용 소재는 아니고, 화학 촉매 연구에 가깝습니다.
이 논문은 리튬이온 배터리의 니켈이 많은 양극재 표면에 산화아연(ZnO)을 아주 얇게 코팅하는 연구입니다. 공간 원자층 증착(ALD)이라는 특수한 방법을 사용해 코팅했습니다. 이렇게 코팅하면 배터리 성능이 더 좋아진다는 내용을 다룹니다.
이 논문은 아주 차가운 온도(영하 240도 정도)에서도 강유전체 박막(HZO)이 잘 작동하는지 연구했어요. 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만든 얇은 막이 저온에서도 안정적으로 전기적 성질을 유지한다는 것을 발견했습니다. 이 결과는 아주 추운 환경에서 사용하는 전자기기를 만드는 데 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 반도체 패키징에서 표면 처리를 위해 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 원자층 증착(ALD) 방법으로 입히는 새로운 기술을 소개합니다. 이 얇은 막이 반도체 칩을 연결하는 땜납(솔더) 접합의 성질에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 최신 반도체 패키징 기술 발전에 도움을 줄 수 있는 내용입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 알루미늄을 넣은 산화아연 박막과 알루미늄과 불소를 함께 넣은 산화아연 박막을 만들고 그 특성을 살펴본 연구입니다. ALD는 원자 단위로 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 특별한 증착 장비 기술입니다. 이렇게 만든 박막은 투명 전극이나 태양전지, 디스플레이 등에 사용될 수 있습니다.
이 논문은 마그네슘 산화물(MgO) 기판 위에 갈륨 산화물(Ga2O3) 얇은 막을 낮은 온도에서 원자층증착(ALD) 방법으로 잘 만드는 방법을 연구했습니다. Ga2O3는 반도체 소자에 쓰이는 중요한 재료입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 물을 산소로 바꾸는 촉매 반응에서 전자가 다시 결합해 효율이 떨어지는 문제를 해결하는 방법을 연구했습니다. 탄소가 적게 들어간 산화주석(SnO2) 얇은 막을 원자층증착(ALD)으로 만들어 더 좋은 촉매와 함께 사용하면 성능이 좋아진다는 것을 보였습니다. 이는 태양광을 이용해 물을 분해하는 태양전지 관련 기술에 도움이 됩니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착) 기술로 실리콘을 첨가한 ZnO 박막 트랜지스터를 만든 연구입니다. 산소 분위기에서 400도로 열처리하고 실리콘을 넣으니 전기적 성질이 좋아져서 전력을 적게 쓰는 전자 소자를 만들 수 있었습니다. 결정 구조와 전기적 특성을 분석해서 에너지 절약형 디스플레이 소재로 쓸 수 있음을 보였습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 PbS와 SnS2라는 두 물질을 얇게 번갈아 쌓아 특별한 구조(초격자)를 만든 연구입니다. 이렇게 만든 아주 얇은 층에서는 전자가 갇히는 '양자 구속 효과'가 나타나는데, 이는 반도체의 성질을 조절하는 데 중요합니다. 초록이 없어 자세한 내용은 제한적이지만 반도체 소재 연구로서 의미가 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 나무 표면에 산화아연(ZnO)이라는 특수한 물질을 아주 얇게 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 나무-산화아연 결합체는 누르면 전기가 생기고 빛을 받으면 전기가 잘 통하는 신기한 성질을 가지게 됩니다. 자연 재료인 나무를 활용해 센서나 에너지 소자를 만들 수 있는 가능성을 보여줍니다.
이 논문은 특정 위치에만 얇은 막을 입히는 '선택적 원자층 증착(ALD)' 기술을 이용해 촉매 표면의 반응 위치를 조절하는 연구입니다. 두 가지 반응 자리가 있는 모델 촉매판 위에서 이 기술이 얼마나 잘 작동하는지 살펴봅니다. 구체적인 재료 조성보다는 증착 방법과 장비 활용에 초점을 맞춘 연구입니다.
이 논문은 산화하프늄(HfOx) 박막을 원자층증착(ALD)으로 실리콘 위에 만들 때 사용하는 전구체 종류에 따라 표면 보호 성능이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. TEMAHf라는 전구체로 만든 산화하프늄이 다른 전구체(TDMAHf)보다 더 우수한 표면 보호 효과를 보였습니다. 이는 태양전지나 반도체 소자의 표면 결함을 줄이는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 트리메틸알루미늄과 몰리브덴 화합물을 이용해 알루미늄-몰리브덴 산화물이라는 특수한 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 원자층증착(ALD)이라는 매우 정밀한 코팅 기술을 사용해서 원자 하나씩 쌓아 올리듯 막을 만듭니다. 이런 기술은 반도체 칩을 만들 때 아주 중요하게 쓰입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 산화물 막을 만드는 연구입니다. 몰리브덴산화물(MoO3)과 티타늄-몰리브덴 산화물(TixMoyOz)이라는 두 가지 재료를 만들어서 특성을 살펴보았습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)이라는 특수한 방법으로 티타늄, 스칸듐, 산소가 섞인 아주 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막이 어떻게 자라는지, 어떤 결정 구조를 가지는지, 빛에 어떻게 반응하는지를 알아봤습니다. 새로운 재료의 특성을 이해하는데 도움이 되는 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미늄과 몰리브덴이 섞인 산화물 얇은 막을 만드는 연구입니다. 두 가지 다른 알루미늄 재료(염화알루미늄과 트리메틸알루미늄)를 써서 실험하고, 컴퓨터 계산으로 막이 자라고 변하는 과정을 알아봤습니다. 새로운 소재를 얇은 막으로 만드는 방법을 더 잘 이해하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 지르코늄과 티타늄이 섞인 산화막을 아주 얇게 쌓는 연구입니다. 이 막의 화학 성분, 결정 구조, 그리고 빛을 다루는 광학적 성질을 분석했습니다. 새로운 코팅 재료의 특성을 이해하는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 아연을 넣어서 특별한 산화바나듐 결정을 아연 바나데이트와 산화아연 나노입자로 바꾸는 방법을 소개합니다. 이 과정은 아주 짧은 시간(210초) 동안 정밀하게 진행되며, 물질의 자기적 성질도 바뀝니다. 이 기술은 친환경적이면서 정밀한 소재 제작 방법으로, 스핀트로닉스나 인공지능 컴퓨팅에 활용될 수 있습니다.
게르마늄(Ge) 기판 위에 페로브스카이트 박막을 원자층증착(ALD)으로 만들 때, 계면에서 진트합금층(Zintl layer)이라는 특별한 화학 구조가 생기는 것을 연구한 논문입니다. 이는 반도체와 새로운 박막 재료 사이의 경계면이 어떻게 형성되는지 이해하는 데 도움을 줍니다. 반도체 소자 제작 공정에 중요한 기초 정보를 제공합니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 만든 아주 얇은 몰리브덴(금속) 박막의 전기적 특성을 연구했습니다. 박막이 얇아질수록 전기가 흐르는 성질이 어떻게 변하는지 살펴봤습니다. 반도체 소자를 만들 때 중요한 금속 배선 재료 연구에 도움이 됩니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 산화아연(ZnO)이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막의 표면 모양, 빛을 다루는 성질, 전기가 통하는 성질을 조사했습니다. ZnO 박막은 반도체나 디스플레이 등 다양한 전자제품에 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 만든 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막에 원래부터 있는 작은 결함들을 연구했습니다. 전자를 쏘아주면 이 결함들이 어떻게 변하는지 관찰했습니다. 이를 통해 반도체 소재로 쓰이는 ZnO 박막의 특성을 더 잘 이해할 수 있습니다.
ALD(원자층증착법)로 얇은 알루미늄 산화막(Al2O3)을 만들고, 이를 임시 고분자 판에서 떼어내 다른 곳에 옮겨 붙이는 실험을 한 연구입니다. 이렇게 만든 얇은 막의 특성을 살펴봤습니다. 반도체 등 다양한 곳에 활용될 수 있는 기술입니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)으로 산화아연에 알루미늄을 도핑한 재료와 실리카를 섞어 만든 특수한 나노 복합체를 연구했습니다. 압력을 가하며 굽는 방식(소결)으로 독립적인 큰 덩어리 형태로 만드는 방법을 살펴봤습니다. 재료의 구조와 특성을 알아보는 기초 연구입니다.
이 논문은 열 원자층증착(ALD)으로 만든 산화아연(ZnO) 박막의 구조와 전기적 성질 사이 관계를 연구했습니다. 성장 온도, 전구체 펄스 시간, 정제 시간 등 공정 조건을 바꿔가며 결함과 전도성 변화를 분석했습니다. 그 결과 낮은 저항과 높은 투명도를 가진 최적의 조건을 찾았습니다.
이 논문은 얇은 산화막 트랜지스터에 쓰이는 두 가지 절연막(탄탈럼 산화물과 알루미늄 산화물)을 비교한 연구입니다. 알루미늄 산화물은 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 만들었습니다. 두 재료가 트랜지스터 성능에 어떤 영향을 주는지 살펴봤습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 만드는 연구입니다. 막의 두께와 만들 때의 온도를 다르게 하면서 성질이 어떻게 변하는지 살펴봤어요. 이런 얇은 막은 빛과 전기를 다루는 전자부품(광전자소자)을 만드는 데 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 만든 아주 얇은 알루미늄산화막(Al2O3)을 이용해 두 개의 유리(SiO2) 웨이퍼를 상온에서 붙이는 방법을 다룹니다. 열을 가하지 않고도 웨이퍼를 단단하게 접합할 수 있어 반도체 공정에 유용합니다. 제목만 있고 초록은 없어서 자세한 실험 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 낮은 온도에서 플라즈마를 이용한 원자층증착(PE-ALD) 방법으로 질화알루미늄(AlN) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 낮은 온도에서 만들면 막의 결정성(원자들이 얼마나 규칙적으로 배열되는지)에 한계가 있다는 것을 알아냈습니다. 이는 반도체 재료를 더 좋은 품질로 만드는 방법을 찾는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 ALD(원자층 증착)로 TiO2 얇은 막을 만들 때 기판 온도(200~275도)를 바꿔가며 막의 표면 모양과 결정 구조가 어떻게 변하는지 연구했습니다. 온도가 낮으면 부드럽고 결정이 없는 막이 만들어지고, 온도가 높아질수록 표면이 거칠어지고 결정이 잘 자란 anatase 구조가 생겼습니다. 이런 결과는 센서나 광촉매, 전자소자에 TiO2 막을 활용할 때 온도 조절이 중요하다는 것을 보여줍니다.
이 연구는 원자층 증착법으로 유리 위에 이산화티타늄(TiO2) 얇은 막을 만들었습니다. X선과 라만 분석으로 이 막이 아나타제라는 결정 구조를 가지며, 알갱이 크기가 약 28나노미터임을 확인했습니다. 또한 빛을 얼마나 흡수하는지 측정해 이 물질의 에너지 특성(밴드갭)도 알아냈습니다.
이 논문은 ALD로 만든 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 이용해 두 개의 반도체 조각을 붙이는 방법을 다룹니다. 이렇게 붙이면 여러 층을 쌓아 만드는 3D 반도체를 만들 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만 제목으로 보아 반도체 공정과 관련이 깊습니다.
이 논문은 MoP라는 특별한 물질(전자가 마치 질량이 없는 것처럼 움직이는 신기한 물질)을 아주 얇은 막으로 만드는 방법을 연구했어요. 원자층 증착이라는 기술로 실리콘 웨이퍼 위에 층층이 쌓아 만들었고, 이 막이 금속처럼 전기가 잘 통하고 아주 차가운 온도에서는 초전도 현상도 일부 보인다는 것을 발견했어요. 컴퓨터 계산으로 예측한 결정 구조와 실제 실험 결과가 잘 맞아떨어졌답니다.
이 논문은 IGZO라는 특수 산화물로 만든 얇은 트랜지스터(TFT)를 더 균일하게 만드는 방법을 연구했습니다. 스퍼터링, ALD, CVD 같은 진공 증착법과 잉크젯 프린팅 같은 용액 공정을 비교했습니다. 재료 조성, 증착 조건, 후처리 방법이 소자 품질을 좋게 만드는 핵심이라는 것을 밝혔습니다.
이 논문은 태양전지를 만들 때 사용하는 여러 얇은 막 증착 방법들(ALD, CVD, 스핀코팅 등)을 비교해서 정리한 리뷰 논문입니다. 각 방법의 장단점과 태양전지 성능에 미치는 영향을 살펴봅니다. 앞으로 더 좋은 태양전지를 저렴하게 만들 수 있는 방법을 찾는데 도움을 주고자 합니다.
이 논문은 플라즈마의 힘 세기를 조절해서 AlN(질화알루미늄)이라는 얇은 막을 만드는 실험을 다뤄요. 플라즈마 파워가 강할수록 막이 더 촘촘하고 결정 모양이 잘 만들어지는지 살펴봤어요. 반도체 같은 전자제품을 만들 때 이런 막의 품질이 중요하기 때문에 의미있는 연구예요.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD) 방법으로 아연과 마그네슘이 섞인 산화물(ZnMgO) 막을 만드는 연구입니다. 마그네슘 비율을 조절해서 막의 성질을 다양하게 바꿀 수 있다는 내용을 다룹니다. 반도체나 광학 소자에 쓰일 수 있는 새로운 재료를 만드는 방법을 소개합니다.
이 논문은 지르코니아에 이트륨을 섞은 얇은 막(YSZ)을 특수한 방법(플라즈마 원자층 증착)으로 아주 얇게(약 50나노미터) 만들어서 열이 얼마나 잘 통하는지 측정했어요. 이트륨을 많이 넣을수록 열이 덜 통하게 되는데, 이는 원자 배열의 빈틈이 열의 흐름을 방해하기 때문이에요. 이 방법으로 만든 막은 기존 방식보다 열을 더 잘 전달한다는 것도 알아냈어요.
이 연구는 철(Fe) 가루 표면에 아주 얇은 알루미늄산화물(Al2O3) 막을 원자층증착(ALD)으로 코팅했습니다. 이렇게 하면 전기 저항이 커져서 전자파를 막고 열도 잘 전달하는 성질이 좋아집니다. 이 재료는 반도체 패키징에서 전자파 차단과 열 관리에 쓸 수 있습니다.
이 논문은 휘어지는 플라스틱 위에 얇은 절연막을 여러 겹 쌓아 커패시터(전기 저장 소자)를 만드는 방법을 연구했습니다. 얇은 산화알루미늄 층을 끼워 넣으면 전류가 새는 것을 크게 줄일 수 있었고, 4만 번 구부려도 잘 견뎠습니다. 이는 접거나 구부릴 수 있는 전자기기에 쓸 수 있는 좋은 방법입니다.
이 논문은 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 초전도 나노박막인 니오븀-티타늄 질화물(NbTiN)을 빠르게 만드는 방법을 연구했습니다. 기판에 전기적 바이어스를 걸어주면 막의 전기저항이 크게 줄어드는 것을 발견했습니다. 이 기술은 미래 양자컴퓨터 소자에 쓰일 초전도 박막을 더 잘 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만들 때 수소가 섞이면 어떻게 되는지 연구했습니다. 수소가 산소와 결합해서 OH 형태로 존재하며, 이것이 막의 밀도와 구조에 영향을 준다는 것을 밝혔습니다. 이런 산화막은 반도체나 태양전지 소자에서 중요한 보호막 역할을 하기 때문에 이 연구가 의미가 있습니다.
이 논문은 얇은 고분자 막(HMDS 플라즈마 중합체) 표면에 산소 플라즈마 처리를 하고 그 위에 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 원자층증착(ALD)으로 입혀서 미세한 구멍을 막는 실험을 다룹니다. 분광학적 분석과 전기화학적 분석을 함께 사용해서 막의 미세 기공 구조가 어떻게 변하는지 알아냈습니다. 그 결과 산소 플라즈마 처리로 기공이 늘어나지만, Al2O3를 입히면 기공이 줄어들고 효과적으로 밀봉된다는 것을 확인했습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 기술과 박막 기술 전반을 소개하는 개요 논문입니다. 특정 재료보다는 장비와 공정 방법에 대해 설명하는 것으로 보입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 공정에 딥러닝 기술을 적용하는 내용을 다룹니다. 초록이 없어서 구체적인 내용은 알 수 없지만, 제목으로 보아 공정과 장비 관련 인공지능 활용을 연구한 것으로 보입니다. 반도체 제조 공정에 중요한 기술로 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 공정에서 중요한 조건들을 찾아내는 방법에 대한 내용입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다. 반도체 등 첨단 소재를 만드는 공정과 관련이 있을 것으로 보입니다.
이 논문은 원자층을 아주 얇게 쌓는 '공간형 원자층 증착(ALD)' 공정을 컴퓨터로 예측하는 새로운 계산 방법을 만든 연구입니다. 여러 크기(작은 분자 단위부터 장비 단위)를 동시에 고려하는 모델링 기법을 사용했습니다. 초록이 없어 자세한 실험 결과는 알 수 없지만, 반도체 공정 설계에 도움을 줄 수 있는 내용입니다.
이 연구는 알루미늄염화물(AlCl3)과 물을 사용해 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 산화알루미늄 막을 만드는 과정을 조사했습니다. 수정진동자저울(QCM)이라는 장비로 코팅되는 무게 변화를 실시간으로 측정해서 막이 한 층씩 균일하게 자라는 것을 확인했습니다. 최종적으로 만들어진 막의 두께와 성분도 다른 장비로 분석해 불순물이 조금 섞여 있음을 알아냈습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 니켈산화물이라는 아주 얇은 막을 3차원 전극 표면에 입혀서 물을 분해해 산소를 만드는 성능을 좋게 만드는 연구입니다. 표면을 특별하게 처리해서 화학 반응이 더 잘 일어나게 만드는 것이 핵심입니다. 태양광 에너지 등을 이용해 물에서 수소와 산소를 얻는 기술에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 하프늄, 스칸듐, 산소를 섞어서 아주 얇은 막을 만드는 연구입니다. 만든 막이 어떻게 자라는지와 어떤 결정 구조를 가지는지를 조사했습니다. 이런 얇은 막은 반도체 소자를 만들 때 중요하게 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 티타늄테트라클로라이드와 물을 이용한 원자층증착(ALD)으로 TiO2 얇은 막을 만들 때, 증착 온도와 후처리(어닐링) 온도가 막의 결정 구조(상 구성)에 어떤 영향을 주는지 연구했습니다. 즉 온도를 바꾸면 TiO2 막이 다른 형태의 결정으로 자라난다는 것을 확인한 실험 연구입니다. 초록이 없어 세부 내용은 제한적입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 바나듐 산화물이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 특히 수소 기체가 있는 환원 분위기에서 막을 만드는 것이 특징입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 얇은 막을 쌓는 원자층증착(ALD) 과정에서 나오는 빛을 분석해서 어떤 가스가 있는지 빠르게 알아내는 방법을 소개합니다. 광학 방출 분광법과 컴퓨터 계산 방법(비음수 행렬 분해)을 함께 사용해서 실시간으로 공정을 확인할 수 있게 했습니다. 이는 반도체 등을 만들 때 공정을 더 정확하게 관찰하고 조절하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 균일하게 입히는 방법에 대해 연구합니다. 무거운 비활성 기체를 추가해서 좁고 깊은 구멍에도 막이 고르게 덮이도록 하는 기술을 다룹니다. 반도체를 만들 때 아주 작은 틈에도 막을 잘 씌우는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은막 만드는 방법으로 이산화바나듐(VO2)이라는 특별한 재료를 만드는 것을 다룹니다. 이 재료는 미래의 메모리 장치를 만드는 데 유용할 수 있다고 합니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 아주 작은 가루 입자에 얇은 막을 씌우는 원자층증착(ALD) 공정을 컴퓨터 시뮬레이션(CFD-DDPM)과 실험으로 함께 연구했습니다. 입자들이 서로 뭉치는 성질을 고려해서 장비 안에서 가스와 입자가 어떻게 움직이는지 분석했습니다. 이를 통해 더 좋은 ALD 장비와 공정을 설계하는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 작은 알갱이(입자)들이 유동층에서 움직이는 동안 표면에 얇은 막을 입히는 원자층증착(ALD) 과정을 컴퓨터로 시뮬레이션한 연구입니다. 입자들의 움직임을 계산하는 방법(DEM)과 기체 흐름을 계산하는 방법(CFD)을 합쳐서 표면 반응까지 함께 계산했습니다. 이를 통해 가루 형태의 재료에 코팅막을 씌우는 공정을 더 잘 이해하고 설계할 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 작은 3차원 렌즈 같은 광학 부품 표면에 반사를 줄여주는 얇은 막을 입히는 기술을 다룹니다. 이렇게 하면 빛이 렌즈에 더 잘 통과해서 선명하게 보이게 됩니다. 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층을 아주 얇게 쌓는 기술인 ALD(원자층증착)가 실험실을 넘어 실제 산업 현장에서 널리 쓰일 수 있을지에 대해 이야기합니다. 초록이 없어서 구체적인 실험 내용은 알 수 없지만, ALD 공정과 장비의 실용화 가능성을 다루는 논의로 보입니다. 특정 재료보다는 기술 자체의 발전 방향에 대한 의견을 담은 글로 추정됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미나(산화알루미늄) 막을 만들 때 서로 다른 재료(전구체)를 사용하면 표면 성질이 어떻게 달라지는지 알아본 연구입니다. 표면광전압이라는 특별한 측정법으로 막의 전기적 특성을 비교했습니다. 이를 통해 반도체 소자에 더 좋은 절연막을 만드는 방법을 찾는 데 도움이 됩니다.
플라스틱 기판 위에 반사방지막을 만들 때 갈라지는 문제를 해결하기 위해, PEALD라는 방법으로 산화하프늄과 산화알루미늄을 얇게 번갈아 쌓았습니다. 산화알루미늄을 중간중간 넣으니 표면이 더 매끈해지고 잘 갈라지지 않아서, 내구성 테스트 시간이 56시간에서 352시간으로 크게 늘어났습니다. 이 연구는 디스플레이나 코팅 소재의 내구성을 높이는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 NbN이라는 초전도 얇은 막을 연구했어요. 테라헤르츠 빛을 이용해 이 막의 특별한 전자 상태(Dynes 밀도)를 관찰했습니다. 이를 통해 초전도체의 성질을 더 깊이 이해할 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 코팅 방법을 소개합니다. 이 기술을 레이저 관련 부품에 적용하는 새로운 코팅 방법으로 설명하고 있습니다. 구체적인 재료나 실험 데이터는 초록에 나와 있지 않습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 자외선(UV) 빛이 반사되지 않도록 막아주는 얇은 코팅막을 만드는 연구입니다. 이 코팅은 렌즈나 광학 장치에서 빛 손실을 줄이는 데 사용될 수 있습니다. 초록이 없어서 구체적인 재료나 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 만든 마이크로채널판에 세슘(Cs)을 처리해서 빛을 감지하는 장치의 신호를 더 크게 만드는 방법을 다룹니다. 마이크로채널판은 빛을 전기 신호로 바꿔주는 부품인데, 세슘 활성화로 성능을 높이는 것이 핵심입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 연료전지의 중요한 부품에 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 입히는 기술을 어떻게 사용하는지 정리한 리뷰 논문입니다. ALD는 아주 얇고 균일한 막을 정밀하게 쌓는 방법입니다. 이 논문은 그 기술을 연료전지에 적용한 여러 연구들을 종합적으로 소개합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법을 이용해 백금(Pt) 금속을 제올라이트라는 특수한 다공성 물질 안의 원하는 위치에 정확히 넣는 기술을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 n-헵테인이라는 화학물질을 방향족 화합물로 바꾸는 반응을 더 잘 도와줍니다. 반도체나 디스플레이와는 관련이 적고, 화학 촉매 연구에 가까운 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 제올라이트(KL zeolite)라는 작은 구멍이 많은 물질 안에 두 가지 금속을 원하는 위치에 넣는 방법을 연구했어요. 이렇게 만든 촉매는 n-헵탄이라는 화학물질을 다른 유용한 화합물로 바꾸는 반응을 더 잘 도와줍니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 화학 촉매 분야에 관한 연구예요.
이 논문은 공간분리형 원자층증착(SALD) 공정에서 전구체 가스가 섞이지 않고 정확한 위치에 있는지 확인하는 컴퓨터 모델을 만든 연구입니다. 이 모델은 가스 흐름을 예측해서 공정을 더 잘 관리하도록 도와줍니다. 실제 실험으로도 모델이 맞는지 검증했습니다.
이 논문은 알루미늄과 몰리브덴이 섞인 산화막을 원자층 증착(ALD)으로 만드는 두 가지 방법을 비교했어요. 알루미늄 원료로 트리메틸알루미늄(TMA)을 쓸 때와 염화알루미늄을 쓸 때 몰리브덴이 얼마나 환원되는지 XPS로 분석하고, 컴퓨터 계산(DFT)으로 어떤 반응이 더 유리한지 알아냈습니다. 결과적으로 TMA를 쓰는 방법이 화학적으로 더 유리하다는 것을 밝혔어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미늄과 몰리브덴이 섞인 산화막을 만드는 연구입니다. 물 증기를 추가했을 때와 아닐 때의 막 성장 속도와 두께, 표면 거칠기를 비교했습니다. 180도에서 만든 막은 매끈하고 균일하게 자란 비결정 구조였습니다.
이 논문은 티타늄과 스칸듐이 섞인 산화물 얇은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만들었어요. 스칸듐 비율을 바꾸면서 막의 결정 구조와 빛을 다루는 성질(굴절률 등)이 어떻게 변하는지 살펴봤어요. 이 결과는 태양전지나 광학 소재를 만드는 데 도움이 될 수 있어요.
이 연구는 알루미나 판 표면 거칠기에 따라 원자층증착(ALD) 방법으로 티타늄 산화물 코팅을 입혔을 때 특성이 어떻게 달라지는지 살펴봤어요. 표면이 더 거칠수록 티타늄이 더 많이 붙고, 코팅이 두꺼워질수록 표면도 거칠어지며 산소 감지 능력도 좋아진다는 것을 발견했어요. 이 결과는 가스 센서를 만드는데 도움이 될 수 있어요.
이 논문은 ALD(원자층증착) 기술을 이용해 얇은 2차원 나노시트 촉매를 정밀하게 만들어 수소를 생산하는 방법을 정리한 리뷰입니다. ALD로 만든 촉매는 태양광-수소 전환율과 안정성을 높이고, 비싼 백금 대신 저렴한 재료로도 좋은 성능을 낼 수 있음을 보여줍니다. 이를 통해 친환경 수소 생산 기술을 실용화하는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 유동층 원자층증착(ALD) 방법으로 SiO2와 TiO2를 얇게 코팅해서 빛을 이용해 오염물질을 분해하는 광촉매를 만든 연구입니다. 코팅 두께를 다르게 해서 성능을 비교했습니다. 특수한 장비(유동층 반응기)를 사용한 것이 특징입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 고체산화물 연료전지와 전해전지의 성능을 높이는 방법을 정리한 리뷰입니다. ALD로 아주 얇고 균일한 막을 만들어 전극과 전해질의 효율을 높이고 작동 온도를 낮출 수 있다고 설명합니다. 연료극, 공기극, 전해질에 ALD를 적용한 최근 연구 동향과 설계 전략을 소개합니다.
이 논문은 원하는 곳에만 얇은 막을 쌓을 수 있는 '영역선택 원자층증착(ASD)' 기술을 정리한 리뷰 논문입니다. 이 기술은 반도체뿐 아니라 사람 몸에 넣는 의료용 임플란트를 만들거나 성능을 높이는 데도 쓸 수 있다고 설명합니다. 예를 들어 생체센서를 만들거나, 플라스틱 임플란트를 보호막으로 감싸거나, 전극 성능을 좋게 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 작은 구멍이 많은 다공성 물질에 원자층을 얇게 쌓는 ALD 공정이 왜 완벽하게 되지 않는지 원인을 연구합니다. 구멍 속까지 재료가 골고루 들어가지 못하는 이유를 밝히려고 합니다. 이를 통해 더 나은 코팅 방법을 만드는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 입히는 기술을 이용해서, 구멍이 많은 전극의 표면 넓이를 정확하게 측정하는 방법을 개발했습니다. 알루미나(산화알루미늄)라는 물질을 전극 속 미세한 구조물 표면에 얇게 골고루 씌워서 표면적을 계산합니다. 이 방법은 고체 산화물 연료전지 같은 전기화학 장치의 전극을 연구하는 데 사용될 수 있습니다.
이 논문은 배터리 양극재료(NCM83) 표면에 아주 얇은 티타늄산화물(TiO2) 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 배터리 내부에서 일어나는 나쁜 화학반응을 줄이고 배터리 수명을 더 길게 만들 수 있습니다. 즉, 배터리를 더 오래 쓸 수 있게 도와주는 기술입니다.
이 논문은 니켈과 황으로 이루어진 얇은 막(NiS)을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만드는 새로운 공정을 개발했습니다. 이 막이 물을 분해하는 실험이나 높은 온도에서 어떻게 변하는지 조사했습니다. 물질의 안정성을 살펴본 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술을 사용해 수소 연료전지(PEMFC)의 성능을 높이는 방법을 설명합니다. 촉매, 막, 전극 등 여러 부품을 원자 단위로 정밀하게 만들 수 있다는 내용입니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 연료전지 응용에 초점을 맞추고 있습니다.
이 논문은 구리와 황, 유기물을 결합한 특수한 얇은 막을 만드는 새로운 방법을 소개해요. 원자층증착(ALD)이라는 기술로 3가지 재료를 순서대로 뿌려서 얇은 막을 만들었어요. 이 막은 온도 차이로 전기를 만들 수 있는 열전 소재로 쓸 수 있답니다.
탄화된 나무 위에 팔라듐(Pd) 나노입자와 팔라듐 원자 하나짜리 촉매를 원자층증착법(ALD)으로 만들었어요. 나노입자는 물을 분해하고, 낱개 원자는 수소를 잘 붙잡아서 두 가지가 힘을 합쳐 수소를 더 잘 만들어내요. 이 촉매는 수소 발생 반응을 효율적으로 도와줍니다.
이 논문은 산화물 코팅을 아주 빠르게 균일하게 만드는 새로운 원자층 증착 방법을 소개합니다. 이 방법은 기존 방식보다 훨씬 빠르게 얇은 막을 만들 수 있어서 광학 코팅에 사용할 수 있습니다. 즉, 유리나 렌즈 같은 표면에 얇고 고른 막을 빠르게 입히는 기술에 대한 내용입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 플라스틱과 유리가 섞인 3차원 마이크로 렌즈 위에 얇은 막을 입히는 연구입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다. 작은 렌즈를 더 좋게 만들기 위한 코팅 기술로 보입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 Al2O3와 Y2O3라는 두 물질을 아주 얇게 번갈아 쌓아 만든 나노 다층 필름을 연구했습니다. 이 필름이 빛을 어떻게 통과시키고 반응하는지(선형·비선형 광학 특성)를 살펴본 내용입니다. ALD 공정으로 물질을 정밀하게 쌓는 기술이 핵심입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 티타늄산화물(TiO2-x) 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 빛을 얇은 판 안에서 전달하는 슬랩 도파관이라는 광학 부품에 쓸 수 있는 재료로 제안됩니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 얇은 막을 만드는 기술에 대한 리뷰 논문입니다. ALD가 에너지저장, 태양전지, 메모리, 센서 등 여러 분야에 어떻게 쓰이는지와 관련 연구 동향을 통계적으로 분석했습니다. 특정 재료를 다루기보다는 ALD 기술 전반과 연구 현황을 정리한 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 산화물 막을 만들고, 그 막이 빛을 내는 성질(발광)을 연구한 내용입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 제목으로 보아 디스플레이나 발광 소재 연구와 관련이 있을 것으로 보입니다.
이 논문은 CdS와 ZnO라는 두 물질을 코어-쉘 구조로 나노막대 모양으로 쌓는 방법을 다룹니다. 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술을 사용해서 만들었습니다. 이렇게 만든 구조는 물을 분해해서 수소를 효율적으로 만드는 데 쓰입니다.
이 논문은 물을 깨끗하게 걸러주는 특수 빨대 모양 필터(고분자 속이 빈 섬유막) 표면에 원자층증착(ALD)이라는 기술로 아주 얇은 티타늄산화물(TiO2) 막을 입히는 방법을 연구했습니다. 이렇게 얇은 막을 코팅하면 필터 성능이 더 좋아져서 물을 깨끗하게 처리하는 데 도움이 됩니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 물 정화용 필터 코팅에 관한 연구입니다.
이 논문은 텅스텐 헥사카르보닐과 산소 플라즈마를 이용해 삼산화텅스텐(WO3) 얇은 막을 만드는 원자층증착(ALD) 방법을 다룹니다. 플라즈마를 이용한 특수한 증착 공정과 장비 조건을 설명하는 연구입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 제목으로 볼 때 재료와 공정, 장비를 함께 다루는 논문입니다.
이 논문은 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 원자층증착법(ALD)을 이용해 티타늄 산화물(TiO2)에 어븀(Er)이라는 원소를 조금 섞어 넣은 박막을 만들었습니다. 이렇게 만든 박막이 빛을 어떻게 반사하고 흡수하는지, 즉 광학적 성질을 연구했습니다. 새로운 재료를 만드는 정밀한 공정 기술과 그 재료의 빛에 대한 특성을 살펴본 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 특수한 방법으로 아주 얇은 코발트(Co) 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 자석처럼 위아래로 자성을 띠는 특징이 있고, 전류를 흘리면 자석의 경계선(도메인 벽)이 움직이는 현상을 관찰했습니다. 이는 미래 메모리 소자에 활용될 수 있는 중요한 기초 연구입니다.
핵융합로에서 수소(트리튬)가 재료를 뚫고 나가는 것을 막기 위해 특수한 원자층증착(ALD) 장비를 직접 만들었어요. 구리 호일 위에 아주 얇은 알루미나(산화알루미늄) 막을 입혀보니 수소가 통과하는 양이 10배 넘게 줄어들었습니다. 이 연구는 새로운 ALD 장비 설계와 수소 차단막 성능을 함께 확인한 결과입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 SnO2와 Ga2O3라는 두 물질을 얇게 쌓아서 웨이퍼 크기의 특별한 구조를 만든 연구입니다. 이렇게 만든 구조는 전기를 저장하는 슈퍼커패시터로 쓸 수 있는 성능을 가지고 있습니다. 반도체 재료를 이용해 에너지 저장 장치를 만드는 새로운 방법을 보여줍니다.
탄소나노튜브 숲 위에 플라즈마를 이용한 원자층증착법으로 루테늄 금속을 얇게 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 전극은 접착제 없이도 3차원 구조를 유지해 휘어지는 슈퍼커패시터에 사용할 수 있습니다. 새로운 증착 방법과 소자 응용을 함께 보여준 논문입니다.
이 논문은 열을 저장하는 작은 캡슐(상변화물질)의 열전도율을 원자층증착(ALD) 기술로 조절하는 방법을 연구했어요. ALD는 원자 하나씩 얇은 막을 쌓는 정밀한 코팅 방법이에요. 이를 통해 캡슐이 열을 더 잘 전달하거나 저장하도록 만들 수 있어요.
이 논문은 나트륨 이온 배터리에 쓰이는 작은 알갱이(마이크로스피어) 재료의 성능을 높이기 위해 원자층증착(ALD) 기술로 얇은 보호막을 씌우는 연구입니다. 이 보호막은 배터리가 더 오래, 더 안정적으로 전기를 저장할 수 있게 도와줍니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 제한적으로 파악했습니다.
이 논문은 나무 같은 생물자원에서 만든 탄소 재료 위에 아주 얇은 TiO2와 ZnO 막을 플라즈마 원자층 증착 방법으로 입혀 나트륨 이온 배터리의 음극재로 사용하는 연구입니다. 이렇게 얇은 막을 입히면 배터리 성능이 어떻게 좋아지는지 구조와 전기화학적 특성을 살펴봤습니다. 배터리를 더 오래, 더 잘 쓸 수 있게 만드는 것이 목표입니다.
이 논문은 3D 프린팅으로 만든 물건에 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 입혀서 전기 회로 센서를 만드는 방법을 다룹니다. ALD는 아주 얇고 균일한 막을 만드는 특별한 증착 장비와 공정을 사용합니다. 이렇게 만든 회로는 센서로 활용될 수 있습니다.
이 논문은 공간적 원자층 증착(Spatial ALD)이라는 빠른 코팅 기술을 소개합니다. 이 기술은 산화물 기반의 광학 코팅을 아주 빠르게 균일하게 만들 수 있게 해줍니다. 초록이 없어 자세한 실험 내용은 확인할 수 없지만, 제목만으로도 새로운 증착 장비와 공정에 관한 발표임을 알 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 만들어 마이크로채널판(작은 빛 검출 센서)의 신호 증폭 성능을 조절하는 연구입니다. Al2O3 막의 두께나 조건을 바꾸면 센서가 신호를 얼마나 잘 키우는지가 달라진다는 것을 보여줍니다. 즉, 얇은 막을 이용해 센서 성능을 정밀하게 조절하는 기술을 다룹니다.
이 논문은 압전 성질을 가진 재료를 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 기술을 정리한 리뷰 논문입니다. 압전 재료는 힘을 전기로, 전기를 힘으로 바꿀 수 있는 특별한 물질입니다. 논문은 이런 재료들을 ALD로 어떻게 만드는지 방법과 장비를 소개합니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 철-니켈-코발트 인화물과 질소가 도핑된 탄소를 그래핀에 붙여 만든 재료를 소개해요. 이 재료는 슈퍼커패시터라는 에너지 저장 장치의 성능을 높이는 데 사용돼요. 구조가 튼튼해서 오래 사용할 수 있다는 점이 특징이에요.
이 논문은 다이아몬드 표면을 어떻게 처리하느냐에 따라 원자층증착(ALD)으로 얇은 막을 만드는 시작(핵생성) 과정이 달라진다는 것을 연구했어요. 다이아몬드 표면의 화학적 상태가 막이 잘 붙는지 안 붙는지를 결정한다는 내용입니다. ALD 공정과 표면 처리 방법을 함께 다룬 연구예요.
이 논문은 반도체 만들 때 쓰는 얇은 막을 입히는 방법인 원자층증착(ALD)에 사용하는 여러 화학 물질(전구체)들이 얼마나 쉽게 증기로 변하는지를 컴퓨터 계산으로 미리 알아내는 방법을 소개합니다. 실험을 직접 하지 않고도 물질의 증기압을 예측할 수 있어서 새로운 전구체를 찾는 데 도움을 줍니다. 이는 반도체 공정 개발 속도를 높이는 데 유용합니다.
이 논문은 알루미늄으로 만든 거울 표면에 알루미늄플루오라이드라는 얇은 막을 씌워 보호하는 방법을 다룹니다. 작은 장비와 큰 장비에서 원자층증착(ALD)이라는 기술로 이 막을 만들었을 때 결과가 어떻게 다른지 비교했습니다. 실제 산업에서 사용할 수 있도록 장비 크기에 따른 차이를 확인하는 것이 목적입니다.
이 논문은 은으로 만든 망원경 거울을 오래 보호하기 위해 산화알루미늄(Al2O3) 얇은 막을 씌우는 연구입니다. 물과 고순도 오존을 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 이 보호막을 만들었습니다. 시간이 지나면서 거울 구조가 어떻게 변하는지 비교해서 오래 견디는지 살펴봤습니다.
이 연구는 원자층 증착(ALD) 기술을 이용해 Nb-Si 합금 표면에 TiO2라는 얇은 산화막을 입히는 방법을 다룹니다. 회전형 반응기를 사용해 온도, 질소 가스량, 회전 속도를 조절하며 고르게 코팅했습니다. 이를 통해 금속을 더 강하고 열에 잘 견디게 만드는 새로운 방법을 찾았습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 산화베릴륨(BeO)이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 얇은 막이 열을 얼마나 잘 전달하는지(열전도율)를 측정했습니다. 반도체나 전자 부품의 열 관리에 활용될 수 있는 재료 정보를 제공합니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 과정을 전기화학적 방법으로 실시간으로 관찰하는 새로운 기술을 다룹니다. 여러 원소가 쌓이는 얇은 막의 상태를 전기적 신호로 확인하는 방법을 연구했습니다. 이를 통해 박막이 잘 만들어지고 있는지 쉽게 알 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 2차원 실리카(이산화규소) 막을 만드는 것에 대한 이야기입니다. 이렇게 만든 얇은 막이 여러 곳에 쓰일 수 있다는 내용을 다루는 것으로 보입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 촉매를 만드는 방법을 다룹니다. 이 촉매는 무수말레산이라는 화학물질을 만드는 반응에 사용됩니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 화학 촉매 분야 연구입니다.
이 논문은 팔라듐이라는 금속을 아주 얇은 막으로 쌓는 ALD(원자층증착) 기술을 설명합니다. 어떻게 만드는지 방법부터 실제로 어디에 쓰이는지까지 정리한 리뷰 논문입니다. 새로운 실험보다는 기존 연구들을 종합해서 소개하는 글입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 만든 얇은 열전 소재(전기를 열로 바꾸는 재료) 필름들을 정리한 리뷰입니다. 칼코겐화물, 산화물, 초격자 구조 등 다양한 재료의 특성과 만드는 방법, 문제점을 비교했습니다. ALD가 다른 방법보다 항상 더 뛰어난 것은 아니지만, 정밀하게 얇은 막을 만드는 데는 유리하다고 설명합니다.
이 논문은 나트륨 이온 배터리 성능을 높이기 위해 원자층 증착(ALD) 기술을 활용하는 방법을 정리한 리뷰 논문입니다. ALD로 전극과 전해질 표면에 얇은 코팅막을 만들어 이온이 더 잘 이동하도록 돕는 연구들을 소개합니다. 앞으로의 과제와 발전 방향도 함께 다루고 있습니다.
니켈 촉매는 리그닌을 분해해서 유용한 화학물질을 만드는 데 쓰이지만, 사용하다 보면 니켈 알갱이들이 뭉쳐져서 성능이 나빠집니다. 이 연구에서는 액체 상태에서 알루미나(알루미늄 산화물)를 얇게 코팅하는 방법으로 니켈 알갱이가 뭉치는 것을 막았습니다. 그 결과 촉매를 여러 번 재사용해도 성능이 오래 유지되었습니다.
이 논문은 아연-공기 배터리에 쓰이는 촉매를 원자층증착(ALD)으로 얇은 니켈산화물 막을 씌워 성능을 높인 연구입니다. CoFe 나노입자와 탄소나노튜브로 만든 촉매에 니켈산화물 보호막을 입혀서 산소 반응 활성과 배터리 수명을 크게 늘렸습니다. 4개월(2700시간) 동안 안정적으로 작동하는 것을 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 표면을 개선한 촉매를 사용해 충전 가능한 아연-공기 배터리의 성능과 수명을 높이는 연구입니다. ALD라는 얇은막 만드는 공정을 이용해 배터리 반응을 도와주는 촉매를 더 좋게 만든 것입니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 배터리 에너지 분야에 적용된 사례입니다.
이 논문은 그래핀 표면에 산소 원자 하나가 붙었을 때 어떤 일이 일어나는지 컴퓨터 계산(DFT)으로 연구했습니다. 그래핀은 원래 화학반응이 잘 안 일어나는데, 원자층증착(ALD)을 하려면 먼저 산소로 표면을 처리해서 반응할 수 있는 자리를 만들어야 합니다. 연구 결과, 산소 원자가 그래핀에 손상을 주지 않으면 여전히 반응이 잘 안 일어나서, ALD가 잘 되려면 표면에 손상을 줘서 더 많은 반응 자리를 만들어야 한다는 것을 밝혔습니다.
이 논문은 아주 작은 가루(나노입자)에 얇은 막을 입히는 특수한 장비(유동층 원자층증착 반응기) 안에서 기체가 어떻게 퍼지는지 컴퓨터로 계산하는 방법을 연구했습니다. 새로운 계산 모델을 만들어서 장비 설계를 더 잘 이해하도록 도와줍니다. 특정 재료보다는 장비와 공정 원리를 다루는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 백금(Pt) 표면에 알루미나(Al2O3)를 얇게 입혀서 백금의 전자 상태를 바꾸는 연구입니다. 이렇게 처리하면 일산화탄소(CO)를 산화시키는 촉매 성능이 좋아진다는 것을 실험과 이론으로 밝혔습니다. 촉매 화학 분야의 연구로, 반도체나 디스플레이와는 직접 관련이 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 백금(Pt) 작은 알갱이를 금(Au)과 세리아(CeO2) 표면의 특정 위치에 붙이는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 촉매는 물-가스 전환 반응이라는 화학 반응에서 오래 튼튼하게 작동합니다. 반도체나 디스플레이보다는 촉매 화학 분야에 가까운 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 기술을 이용해 구리(Cu)를 다양한 구조의 제올라이트에 정밀하게 넣는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 재료는 낮은 온도에서도 자동차 배기가스의 질소산화물을 없애는 반응(NH3-SCR)을 더 잘 도와줍니다. ALD라는 정밀한 증착 공정을 이용해 촉매 성능을 높인 것이 핵심입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 ZnO라는 얇은 막을 만들어 CO2를 다른 물질로 바꾸는 전극에 사용하는 연구입니다. 이 전극은 막-전극 조립체라는 장치에 들어가서 CO2를 효율적으로 변환하도록 돕습니다. 즉, 특정 재료(ZnO)와 특정 공정(ALD)을 이용해 화학반응을 더 잘 조절하는 방법을 다룬 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 탄소천 위에 백금(Pt)을 나노입자에서 나노필름 형태로 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 전극은 산성과 알칼리성 환경 모두에서 수소를 만드는 반응(수소 발생)에 뛰어난 성능을 보입니다. 즉, 백금의 형태를 바꿔서 더 좋은 촉매 전극을 만드는 연구입니다.
이 논문은 니켈(Ni) 촉매를 특별한 원자층 증착(ALD) 방법으로 만들어서 메탄을 다른 화학물질로 바꾸는 반응에 안정적으로 사용할 수 있게 만드는 연구입니다. ABC-type이라는 새로운 증착 순서를 이용해 촉매의 안정성을 높였습니다. 이는 화학 공정에 필요한 촉매 재료와 제작 방법을 다루는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 피셔-트롭쉬 촉매 표면에 CeO2(세리아)를 얇게 입히는 방법을 연구했습니다. ALD는 원자 단위로 매우 정밀하게 코팅할 수 있는 특별한 증착 방법입니다. 이렇게 코팅하면 촉매의 성능을 효율적으로 개선할 수 있습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD)이라는 방법으로 티타늄 산화물(TiOx)과 니켈이 섞인 TiOx-Ni 얇은 막을 만드는 연구입니다. 막을 만들 때 조성을 조절하면 빛을 흡수하는 성질(밴드갭)이 바뀌는 것을 구조와 광학적 특성으로 확인했습니다. 새로운 소재의 성질을 더 잘 이해하는 기초 연구입니다.
이 논문은 아연이온배터리(ZIB) 성능을 높이기 위해 원자층증착(ALD) 기술을 활용한 연구들을 정리한 리뷰입니다. ALD는 아주 얇고 정밀한 막을 코팅할 수 있는 기술로, 배터리 전극의 안정성을 높이는 데 도움을 줍니다. 이 논문은 ALD의 원리, 현재까지의 적용 사례, 앞으로의 발전 방향과 어려움을 소개합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 기술로 다공성 열전 소재의 표면(계면)을 조절하는 방법을 다룹니다. 이렇게 하면 비용은 줄이면서 열을 전기로 바꾸는 성능을 높일 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 제한적입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)에 쓰이는 전구체 분자의 움직임을 컴퓨터로 빠르고 정확하게 예측하기 위한 기계학습 방법을 연구합니다. 이를 통해 실제 실험 없이도 어떤 전구체가 잘 작동할지 미리 알아낼 수 있습니다. 반도체 등 초박막 공정 설계에 도움을 줄 수 있는 기초 연구입니다.
이 논문은 리튬이온 배터리의 양극재료 표면을 얇은 막으로 코팅해 성능을 높이는 원자층증착(ALD) 기술을 소개하는 리뷰입니다. 반도체용으로 개발된 ALD를 배터리 전극처럼 구멍이 많은 구조에도 정밀하게 입힐 수 있다는 점을 설명합니다. 앞으로 대량 생산을 위한 플라즈마 ALD와 연속 분말 ALD 같은 새로운 방법도 다룹니다.
이 논문은 다공성 백금 위에 아주 얇은 이트리아-세리아 막을 원자층 증착법으로 입혀서 산소 환원 반응을 더 잘 일어나게 만드는 연구입니다. 이 얇은 막은 나노미터 크기로 매우 정밀하게 조절되어 있습니다. 이를 통해 연료전지 등에서 반응 효율을 높일 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법을 이용해 비스무트와 셀레늄으로 이루어진 아주 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 얇은 막의 특성을 분석하여 어떤 성질을 가지는지 알아보았습니다. 새로운 재료를 정밀하게 만드는 기술을 다룬 논문입니다.
이 논문은 회전형 원자층 증착(ALD)이라는 새로운 장비를 이용해 광학용 박막을 빠르게 만드는 방법을 연구했습니다. 기판을 회전시키면서 SiO2와 Ta2O5라는 두 물질을 얇게 코팅했는데, 빛을 잘 흡수하지 않고 두께도 매우 균일했습니다. 이 기술은 기존 ALD보다 빠르게 고품질 광학 코팅을 만들 수 있음을 보여줍니다.
이 연구는 울퉁불퉁하고 입체적인 유리 표면(돔 모양)에 빛 반사를 줄이는 아주 얇은 코팅을 균일하게 입히는 방법을 다룹니다. 원자층증착(ALD)이라는 기술을 사용해서 큰 유리 큐브 안팎 표면에 반사 방지막을 씌웠습니다. 그 결과 대부분의 표면에서 반사가 아주 적게(0.2~0.3% 이하) 나타났습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 백금과 알루미늄산화물, 니켈을 얇게 쌓아서 X선을 잘 반사하는 거울 코팅을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 코팅은 기존 방식보다 X선을 더 잘 반사하면서도 거울 모양이 휘지 않게 유지할 수 있었습니다. 이 기술로 우주 망원경에 쓰이는 정밀한 X선 거울을 대량으로 만들 수 있을 것으로 기대됩니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 얇은 막을 만드는 기술의 기본 개념을 쉽게 설명합니다. 그리고 이 기술이 4차 산업혁명 시대의 여러 첨단 제품에 어떻게 쓰이는지 소개합니다. 구체적인 재료나 실험 결과보다는 개념 정리와 응용 사례를 다루는 리뷰 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법을 이용해서 고체 산화물 연료전지 같은 장치의 전극을 아주 작은 크기로 만드는 방법을 다룹니다. 전극을 나노 구조로 만들면 성능이 더 좋아질 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)와 파릴렌을 함께 사용해서 전자부품을 습기와 부식으로부터 보호하는 코팅 기술을 소개합니다. 상온에서 코팅할 수 있어서 회로기판 같은 부품에 쓰기 좋습니다. 실험 결과 부식 방지 효과와 방수 성능이 크게 좋아졌다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 백금(Pt) 촉매를 만들 때, 증착 온도를 다르게 하면 촉매 성질이 어떻게 달라지는지 연구했어요. 이 촉매는 연료전지(PEMFC)라는 친환경 전기 발전 장치에 사용돼요. 온도 조절을 통해 더 좋은 촉매를 만드는 방법을 찾는 것이 목표예요.
이 논문은 세륨(Ce) 산화물 박막을 만들기 위한 새로운 화학물질(전구체)을 개발한 연구입니다. 네 가지 세륨 화합물을 만들어 특성을 비교하고, 그 중 하나를 이용해 원자층증착(ALD) 방법으로 실리콘 기판 위에 CeO2 얇은 막을 성공적으로 입혔습니다. 이 물질은 앞으로 반도체 박막 제조에 쓰일 수 있는 후보 재료입니다.
이 논문은 물을 깨끗하게 거르는 폴리설폰 필터막에 원자층증착(ALD) 기술로 아주 얇은 산화물 막(TiO2, ZnO, Al2O3)을 입혀서 성능을 좋게 만든 연구입니다. 코팅 후 필터가 물을 더 잘 통과시키고 오염에도 강해졌으며, 특히 TiO2를 입혔을 때 가장 효과가 좋았습니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 정수 필터 분야에 적용한 사례입니다.
이 논문은 수소 에너지 관련 기술에 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 매우 정밀하게 쌓는 공정을 어떻게 활용할 수 있는지 살펴본 리뷰 논문입니다. 초록이 제공되지 않아 구체적인 재료나 실험 조건은 알 수 없습니다. 다만 ALD 공정과 장비 자체를 다루는 것으로 보입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 작은 자석 튜브나 나선 모양 구조물을 만드는 내용입니다. 이렇게 만든 3D 구조에서 자석의 신비한 파동(마그논)이 어떻게 움직이는지 연구했습니다. 자석 소재의 새로운 성질을 알아보는 기초 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇고 정밀한 코팅 기술을 이용해 필터(멤브레인)의 성능을 좋게 만드는 방법을 정리한 리뷰 논문입니다. 물 정화나 기체 분리에 쓰이는 필터의 구멍 크기나 내구성을 ALD로 조절할 수 있다는 내용을 다룹니다. 반도체 소자보다는 필터 표면 개선에 초점을 맞춘 연구입니다.
이 논문은 ITO 전극 위에 백금을 나노기둥 모양으로 얇게 입히는 방법을 설명해요. 원자층증착과 경사각증착이라는 특수한 코팅 기술을 사용했어요. 이렇게 만든 전극은 과산화수소를 감지하는 센서로 쓸 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 산화철(α-Fe2O3)과 산화주석(SnO2)으로 이루어진 코어-쉘 구조의 나노선을 아주 정밀하게 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 나노선은 황화수소(H2S) 가스를 선택적으로 감지하는 초소형 센서(MEMS 기반)에 활용됩니다. 즉, 특정 냄새(가스)를 잘 맡는 아주 작은 센서를 만드는 기술에 관한 연구입니다.
이 논문은 복잡한 3D 표면에 얇은 막을 빠르게 입히는 원자층 증착(ALD) 기술에 대한 것입니다. 이 방법으로 정밀한 광학 코팅을 만들 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 작은 구멍이 많은 특수 유리판(위상지연판)을 얇은 막으로 감싸서 보호하는 방법을 다룹니다. ALD는 원자 하나씩 층을 쌓듯이 매우 정밀하게 코팅하는 공정입니다. 재료 이름이나 세부 조건은 초록이 없어 알 수 없습니다.
이 논문은 리튬 금속 배터리의 표면을 아주 얇은 막으로 코팅해서 성능을 좋게 만드는 방법을 다룹니다. 원자층 증착(ALD)과 분자층 증착(MLD)이라는 정밀한 코팅 기술을 사용합니다. 이를 통해 리튬 금속 배터리를 더 안전하고 오래 쓸 수 있게 만드는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 기술을 바이오에너지 변환과 에너지 저장 분야에 어떻게 활용하는지 소개합니다. 구체적인 재료나 실험 결과보다는 ALD 기술의 쓰임새를 설명하는 내용입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 기술을 어떻게 더 잘 사용할지 연구했어요. 이 기술로 만든 얇은 막을 센서를 만드는 데 활용하는 방법도 다뤘습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어려워요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 코발트(Co) 막을 만드는 연구입니다. 이 코발트 막은 자석처럼 특별한 방향으로 자성을 띠며, 전류를 흘려서 자석의 경계선을 움직일 수 있습니다. 이런 기술은 미래의 메모리 장치를 만드는데 사용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술이 금속의 부식(녹스는 것)을 막는 데 효과적이라는 것을 설명합니다. ALD는 원자 하나하나 층을 쌓듯이 코팅막을 만드는 특별한 방법입니다. 초록이 없어서 자세한 실험 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술을 이용해 리튬이온배터리의 전극과 전해질을 더 좋게 만드는 방법을 소개하는 리뷰 논문입니다. ALD로 아주 얇은 보호막을 만들어 배터리가 오래 사용되고 성능이 좋아지도록 돕는 다양한 연구들을 정리했습니다. 앞으로 배터리 산업에서 ALD 기술이 어떻게 발전할지도 함께 설명합니다.
이 논문은 질화붕소(BN)라는 재료를 원자층 하나씩 쌓는 ALD 방법으로 만드는 과정을 연구했어요. 실험과 컴퓨터 계산(DFT)을 함께 사용해서 왜 이런 방식으로 자라는지 원리를 알아냈어요. 초록이 없어서 자세한 내용은 제목만으로 판단했어요.
이 논문은 자외선(UV) 빛을 이용해 낮은 온도(85도)에서 알루미늄 산화막(Al2O3)을 얇게 만드는 방법을 연구했어요. UV를 쬐어주면 막이 더 빨리 자라고, 표면이 매끈해지며 불순물도 줄어들었어요. 이 방법은 열에 약한 재료나 가루 형태 물질 표면에도 좋은 코팅막을 만들 수 있다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 3D 프린팅 기술로 원하는 모양의 패턴을 먼저 만들고, 그 위에 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 압전 물질(누르면 전기가 생기는 물질)을 얇게 입히는 방법을 연구했습니다. 이렇게 하면 센서 같은 작은 부품을 원하는 모양으로 쉽게 만들 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 금속 표면에 알루미나(산화알루미늄) 코팅을 얇게 입혀서 전자가 부딪힐 때 얼마나 많은 2차 전자가 나오는지 연구했습니다. 코팅 두께와 표면 상태에 따라 전자 방출 특성이 달라진다는 것을 실험으로 밝혔습니다. 이 결과를 이용해 전자를 증폭시키는 새로운 장치(전자 배증기)를 만들어 테스트했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 불화마그네슘이라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막이 빛을 어떻게 반사하거나 통과시키는지, 화학적으로 어떤 성질을 가지는지, 그리고 표면을 얼마나 고르게 덮는지를 살펴봤습니다. 코팅 기술을 발전시키는 데 도움이 되는 연구입니다.
원자층증착(ALD)이라는 방법으로 알루미나(산화알루미늄)와 그래핀을 결합해 구멍이 많은 3차원 구조를 만들었습니다. 이 특별한 재료는 물을 깨끗하게 만드는 정수 처리에 사용될 수 있습니다. 알루미늄 산화물 재료와 증착 공정, 장비 활용이 함께 다뤄진 연구입니다.
이 논문은 작은 알갱이들이 둥둥 떠다니는 특수한 통(유동층 반응기) 안에서 원자층 증착 기술로 실리카(SiO2) 알갱이 표면에 아주 얇은 티타니아(TiO2) 막을 입히는 방법을 소개합니다. 이렇게 만든 코어-쉘 구조 알갱이는 빛을 이용해 오염물질을 분해하는 광촉매로 쓰일 수 있습니다. 특히 반응기 가운데에 관을 넣어 알갱이들이 더 잘 섞이고 골고루 코팅되도록 설계한 것이 특징입니다.
이 논문은 유동층 원자층증착(ALD)이라는 특별한 방법으로 이산화티타늄(TiO2) 얇은 막을 만드는 실험을 다룹니다. 이 막이 어떻게 자라나는지 성장 특성을 살펴봤습니다. 초록이 없어서 자세한 결과는 알기 어렵습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 특별한 방법으로 아주 작은 백금(Pt) 알갱이를 붕소가 섞인 3차원 그래핀 위에 만드는 방법을 설명합니다. 이렇게 만든 재료는 수소로 전기를 만드는 연료전지(PEMFC)에서 백금을 아주 적게 써도 잘 작동하는 촉매로 쓸 수 있습니다. 즉, 비싼 백금을 조금만 써도 효율 좋은 연료전지를 만들 수 있다는 연구입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 몰리브덴산화물과 텅스텐산화물을 섞은 얇은 막을 만들었습니다. 이 막을 이용해 도파민이라는 물질을 아주 민감하게, 다른 물질의 방해 없이 감지할 수 있는 센서를 만들었습니다. 몸속 신경전달물질을 정확히 측정하는 데 도움이 되는 연구입니다.
하프늄산화물(HfO2)이라는 물질을 원자층증착법(ALD)이라는 정밀한 방법으로 얇은 막으로 만들었어요. 이 막은 빛을 잘 통과시키고 굴절률이 높아서 자외선용 렌즈나 광학 부품에 쓰일 수 있어요. 연구팀은 120나노미터부터 600나노미터까지 다양한 빛의 파장에서 이 막의 굴절률을 측정했어요.
리튬이온 배터리의 LiFePO4 전극 표면에 아주 얇은 Al2O3 막을 코팅하는 연구입니다. 이 코팅은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 만들어졌습니다. 그 결과 배터리를 여러 번 충전하고 방전해도 성능이 오래 유지되는 효과가 있었습니다.
이 논문은 리튬 이온 배터리 양극재인 LiCoO2 표면에 ALD 방법으로 아주 얇은 LixSiyOz 보호막을 입히는 연구입니다. 이 코팅막이 높은 전압에서도 배터리가 잘 작동하도록 도와주고, 100번 충방전 후에도 용량이 23.4% 더 많이 유지되었습니다. 컴퓨터 계산(DFT)을 통해 코팅 물질이 어떻게 표면에 붙는지도 알아냈습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 작은 백금-아연(PtZn) 나노 결정을 균일하게 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 나노 입자는 연료전지에서 산소를 환원시키는 반응을 돕는 촉매로 사용됩니다. 크기가 3나노미터보다 작아서 성능이 더 좋아질 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 아주 얇은 티타늄산화막(TiO2) 안에 어븀(Er)이라는 원소를 넣고, 작은 공간(나노 공동)을 이용해 빛을 내는 성질을 더 강하게 만드는 연구입니다. 이를 통해 빛이 더 잘 나오게 하는 '퍼셀 효과'라는 현상을 관찰했습니다. 이 기술은 나중에 광센서나 발광 소재 개발에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)으로 아주 얇은 이산화티타늄(TiO2) 막을 다공성 막(PTFE, 석영섬유필터) 위에 만들었습니다. 열처리 온도에 따라 막의 결정 구조와 빛 흡수 성질이 달라졌고, 특히 석영섬유필터 위의 막이 물속 오염물질을 빛으로 분해하는 능력이 훨씬 좋았습니다. 이는 태양광을 이용해 물을 깨끗하게 만드는 필터 기술에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 아주 얇은 이산화티타늄(TiO2) 막을 다공성 막에 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 막은 물 속 오염물질을 빛으로 분해하는 데 사용될 수 있습니다. 즉, 오염된 물을 깨끗하게 만드는 필터를 만드는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 붕소 가루 표면에 아주 얇은 텅스텐 막을 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 하면 붕소가 불에 더 잘 타고 열에 의한 산화도 잘 견디게 됩니다. 화약이나 연료 재료 성능을 높이는 표면 처리 연구입니다.
이 논문은 배터리 양극재인 니켈이 많이 들어간 물질(NCM90) 표면에 아주 얇은 리튬인산화물(Li3PO4) 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 균일하게 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 배터리 성능이 더 좋아진다는 내용을 다룹니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 배터리 소재 개선에 관한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 철과 니켈로 이루어진 산화물 막을 탄소나노튜브 위에 아주 얇게 입히는 연구입니다. 철과 니켈 재료가 자라나는 모양이 서로 다르다는 것을 발견했고, 철과 니켈을 2대1 비율로 섞었을 때 물을 분해해서 산소를 만드는 화학 반응 성능이 가장 좋았습니다. 이 촉매는 15시간 동안 안정적으로 작동했습니다.
이 논문은 특정 색깔의 빛만 잘 감지하는 유기 광센서(OPD)를 필터 없이 만드는 방법을 연구했습니다. PM6와 PC70BM이라는 물질을 섞어서 677나노미터 빛만 선택적으로 감지하게 만들었어요. 또한 원자층증착(ALD)으로 얇은 보호막을 씌워서 30일 동안 공기 중에 두어도 성능이 그대로 유지되게 했습니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)으로 아주 얇은 황화철(FeSx) 나노시트를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 얇은 막은 물에서 수소를 만들어내는 화학 반응(수소 발생 반응)을 도와주는 촉매로 쓸 수 있습니다. 즉, 얇은 철-황 화합물 막을 정밀하게 쌓아서 친환경 수소 생산에 활용하는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 철황화물(FeSx) 나노시트를 만들어 수소를 만드는 화학반응(수소발생반응)의 촉매로 사용한 연구입니다. 이 촉매는 65시간 넘게 안정적으로 작동하고, 반응 중 구조가 변하면서 촉매 성능이 더 좋아지는 것을 발견했습니다. 반도체나 디스플레이용이 아니라 에너지 화학 촉매 연구에 가깝습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 몰리브덴을 넣은 티타늄산화물(TiO2) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 막은 햇빛(가시광선)을 받으면 오염물질을 분해하는 광촉매 역할을 할 수 있습니다. 환경 정화에 활용하기 위한 얇은 막 제작 기술을 다룹니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 만든 티타늄산화물과 아연산화물을 이용해 빛이 통과하는 작은 고리 모양 광학 장치를 만들었습니다. 이 재료들은 빛을 잘 가두고 통신용 파장에서 좋은 성능을 보여줍니다. ALD로 만든 재료가 광학·광통신 분야에도 유용하게 쓰일 수 있음을 보여주는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 기술을 이용해 리튬 금속 배터리의 음극을 보호하는 방법을 다룹니다. 이렇게 보호막을 씌우면 고전압 배터리에서도 안전하고 오래 쓸 수 있게 됩니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 나트륨 배터리의 양극 재료 표면을 원자층증착(ALD)이라는 얇은 코팅 기술로 처리해서 성능을 좋게 만드는 연구입니다. 배터리의 양극과 전해질이 만나는 경계면의 화학반응을 조절하는 것이 핵심입니다. 이를 통해 더 오래가고 효율이 좋은 나트륨이온전지를 만들 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)으로 만든 티타니아-알루미나 혼합 박막의 광학적 성질(에너지 갭, 굴절률)을 예측하는 연구입니다. 인공지능 기법인 적응형 뉴로-퍼지 추론 시스템(ANFIS)을 이용해 박막의 조성에 따른 성질 변화를 예측하고 조절하는 방법을 제안합니다. 초록이 없어 세부 공정 조건은 명확하지 않습니다.
이 논문은 풀러렌 가루 위에 산화아연(ZnO)을 얇게 입히는 두 가지 방법, 즉 열을 이용한 방법과 플라즈마를 이용한 방법을 비교했습니다. 이렇게 만든 재료는 물속의 색소(염료)를 빛으로 분해하는 데 사용됩니다. 어떤 방법이 더 좋은 결과를 내는지 알아보는 연구입니다.
이 논문은 철-실리콘-붕소-니오븀-구리로 만든 자석 가루에 원자층증착법(ALD)으로 아주 얇은 절연막을 균일하게 입혀서 전자기적 성질을 좋게 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 재료는 전기기기나 코일 같은 곳에 쓰일 수 있습니다. 반도체나 디스플레이 소자가 아니라 자성 재료에 관한 연구입니다.
이 논문은 그래핀 산화물(rGO) 전극 위에 아주 얇은 티타늄산화물(TiO2)과 티타늄질화물(TiN) 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 입혔어요. 두 재료가 슈퍼커패시터(전기를 빠르게 저장하는 장치)의 성능에 서로 다른 영향을 미치는지 비교했어요. 어떤 막이 에너지 저장에 더 좋은지 알아보는 연구예요.
이 논문은 슈퍼커패시터의 양극 재료로 인이 섞인 이산화망간 위에 원자층증착법으로 이산화티타늄 얇은 막을 만든 연구입니다. 열처리를 통해 이 막의 전기 저장 성능을 더 좋게 만들었습니다. 배터리처럼 에너지를 저장하는 장치를 개선하는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 산화물과 불화물을 섞은 특별한 박막을 만드는 연구입니다. 이 박막은 자외선(UV)이나 다양한 빛(광대역)에 활용할 수 있도록 성질을 바꿀 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 저온에서 작동하는 고체산화물연료전지(SOFC)의 얇은 막 음극을 보호하기 위해 ALD(원자층 증착)로 산화물 막을 입힌 연구입니다. 온도가 바뀔 때 이 보호막이 성능에 어떤 영향을 주는지 살펴봅니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 저온에서 작동하는 연료전지(SOFC)의 얇은 막 전극을 보호하기 위해 알루미나(Al2O3)라는 물질을 아주 얇게 코팅하는 연구입니다. ALD라는 정밀한 코팅 방법으로 코팅 횟수(사이클 수)를 다르게 해서 어떤 조건이 가장 좋은지 알아봅니다. 이렇게 하면 연료전지가 더 오래, 더 잘 작동하도록 도와줍니다.
이 논문은 물리적 기상증착(PVD)과 원자층증착(ALD)을 결합해 알루미늄-니켈 합금과 산화알루미늄 층을 번갈아 쌓은 얇은 막을 만드는 연구입니다. 두 가지 다른 증착 방법을 함께 써서 층과 층 사이의 경계를 더 정교하게 조절하는 방법을 보여줍니다. 이를 통해 재료의 특성을 세밀하게 설계할 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 SnO2와 TiO2라는 얇은 막을 BiOI라는 물질 위에 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 재료는 빛을 이용해 오염물질을 분해하는 화학 반응을 더 잘 일으키게 도와줍니다. 반도체나 디스플레이보다는 환경 정화 관련 소재 연구에 가깝습니다.
나무에서 얻은 탄소 전극 위에 니켈 산화물과 구리 산화물을 번갈아 얇게 입히는 특수한 코팅 방법을 연구했습니다. 이 방법은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 기술로 아주 얇고 균일한 막을 만듭니다. 이렇게 만든 전극은 물을 분해해 산소를 만드는 반응(산소 발생 반응)에 강하고 효율적으로 사용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 기술로 연료전지와 전기분해장치에 쓰이는 촉매를 만드는 방법을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 제목으로 보아 얇은 촉매막을 정밀하게 만드는 방법에 관한 연구로 보입니다. 반도체나 디스플레이 분야는 아니지만 에너지 관련 소재 기술 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 니켈(Ni) 나노입자 위에 철(Fe)을 아주 얇게 입히는 기술을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 메탄과 이산화탄소를 반응시켜 유용한 가스를 만드는 화학 공정(건식 개질)에 사용됩니다. 새로운 촉매 재료를 정밀하게 만드는 방법을 보여주는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)과 플라즈마 처리를 이용해 산화철(α-Fe2O3)과 산화알루미늄(Al2O3)을 겹쳐 만든 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 막은 수소가 금속을 뚫고 지나가는 것을 막아주는 역할을 합니다. 즉, 금속을 수소로부터 보호하는 특수한 코팅을 만드는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 팔라듐(Pd)과 이산화주석(SnO2) 막을 티타늄산화물 나노튜브 위에 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 구조는 물에서 수소를 효율적으로 만들어내는데 도움을 줍니다. 즉, 미래 친환경 에너지인 수소를 더 잘 만들기 위한 재료 만들기 연구입니다.
이 논문은 나노구조로 만든 얇은 판(웨이브플레이트)이 습기에 약한 문제를 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 코팅해서 튼튼하게 만드는 연구입니다. 이렇게 하면 레이저에도 강하고 습기에도 잘 견디는 광학 부품을 만들 수 있습니다. 실리카(유리 성분) 재료를 사용해서 코팅했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 페라이트(철 산화물) 막을 만드는 방법을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 재료와 공정 방법이 중심 주제로 보입니다.
이 논문은 3D 프린팅으로 만든 미세채널판(빛이나 입자를 감지하는 부품)을 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 입히는 기술로 성능을 좋게 만드는 방법을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 검출기를 만드는 장비와 공정에 관한 연구로 보입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 기술을 이용해서, 이산화탄소를 다른 물질로 바꾸는 화학 반응의 결과물 종류를 조절하는 방법을 연구했어요. ALD로 촉매 표면을 코팅하면 반응이 원하는 방향으로 더 잘 일어나게 만들 수 있다는 내용이에요. 초록이 없어서 자세한 재료나 공정 조건은 알 수 없어요.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 여러 종류의 물질을 조합해 촉매를 만드는 기술을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵지만, 여러 성분을 원자 단위로 쌓아 올리는 공정에 관한 연구로 보입니다. 촉매 성능을 높이기 위한 정밀 제조 기술로 추정됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 기술을 이용해서 특별한 모양을 가진 광학 부품 표면에 얇은 막을 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 하면 렌즈나 광학 장치에 새로운 기능을 추가할 수 있습니다. 다만 초록이 없어서 구체적인 재료나 공정 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)에 쓰이는 여러 화학 물질(전구체)들이 열을 받았을 때 얼마나 안정한지 측정한 데이터를 정리한 자료입니다. 이 데이터는 새로운 ALD 공정을 만들 때 어떤 물질을 쓸지 결정하는 데 도움이 됩니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 한 층씩 쌓는 기술을 이용해서, 수소를 만드는 반응에 쓰이는 아주 작은 촉매를 만드는 방법을 다룹니다. 원자 하나하나 크기의 촉매를 정밀하게 만드는 것이 목표입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 연구는 ALD(원자층증착) 방법으로 산화아연(ZnO) 얇은 막을 만들어 독성 가스를 감지하는 센서를 개발했습니다. 이 센서는 에탄올, 아세톤, 황화수소, 시안화수소 가스를 아주 적은 양(ppb 수준)까지 감지할 수 있었습니다. 컴퓨터 분석(PCA)을 이용해 각 가스를 구분하는 데도 성공해서, 실제 환경에서 유해가스를 실시간으로 감시하는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 스테인리스강 표면에 ALD 기술로 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 여러 두께로 입혀서 부식을 막는 실험을 했습니다. 막을 입힌 후에는 금속이 훨씬 덜 부식되고, 뜨거운 온도(60도)에서도 보호 효과가 잘 유지되었습니다. 중성자 반사율 측정으로 막의 두께와 표면 거칠기도 정확히 확인했습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 촉매 표면에 아주 얇은 인산화물, 붕산화물, 망간산화물 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 하면 촉매가 가벼운 탄화수소를 선택적으로 산화시키는 성능을 조절할 수 있습니다. 즉, 표면을 살짝 코팅해서 화학 반응을 더 잘 조절하는 방법을 보여준 연구입니다.
이 논문은 촉매로 쓰이는 다공성 알루미나 표면에 아주 얇고 고른 티타늄산화물 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 촉매는 석유를 정제하는 수첨공정(하이드로프로세싱)에 활용될 수 있습니다. 기체 상태의 티타늄 원료물질을 이용해 표면을 정밀하게 코팅할 수 있음을 보여주었습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 빛의 반사를 줄이는 특수 코팅막을 만드는 방법을 소개합니다. 기존 코팅보다 더 좋은 성능을 낼 수 있도록 굴절률을 서서히 바꾸는 기술을 사용합니다. 이를 통해 렌즈나 유리 표면의 반사를 크게 줄일 수 있습니다.
이 논문은 유리병(약병 등 1차 포장 용기)의 성질을 개선하기 위해 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 입히는 기술을 사용한 연구입니다. ALD로 유리 표면에 아주 얇은 보호막을 만들어 내구성이나 안전성을 높이는 방법을 다룹니다. 다만 초록이 없어 구체적인 재료나 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 막을 만들어서 더러운 물을 깨끗하게 만드는 기술을 정리한 리뷰 논문입니다. 특정한 하나의 재료보다는 여러 재료와 공정 방법을 소개하고 있습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 플라즈마 없이 낮은 온도에서 니켈(Ni)을 아주 얇게 코팅하는 새로운 방법을 개발했습니다. 아연산화물(ZnO)을 먼저 얇게 입힌 뒤 그 위에 니켈을 원자층 단위로 쌓는 방식입니다. 두께, 표면 거칠기, 성분을 현미경과 측정 장비로 확인해 코팅 품질이 좋다는 것을 보여주었습니다.
이 논문은 은(Ag) 나무 모양 구조를 이용한 SERS 센서 표면을 원자층 증착(ALD) 기술로 손상 없이 깨끗하게 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 하면 센서를 다시 깨끗하게 써서 여러 번 재사용할 수 있게 됩니다. 초록이 없어 자세한 공정 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 탄소나노튜브(CNT) 표면에 니켈산화물(NiO)을 아주 얇게 입혀서 새로운 복합 재료를 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 재료는 침 속의 젖산 성분을 감지하는 센서로 사용할 수 있습니다. 재료의 전기화학적 성질을 조절해서 센서 성능을 높이는 것이 목표입니다.
이 연구는 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 표면적이 넓은 탄소 재료 위에 아주 얇은 금속·금속산화물 막이나 입자를 만드는 방법을 다룹니다. ZrO2, SnO2, Ga2O3, 백금(Pt) 등을 탄소 위에 균일하게 붙이는 실험을 했습니다. 특히 단 한 번의 ALD 과정으로 아주 작은 백금 입자를 만드는 새로운 방법도 소개합니다.
이 논문은 SBA-15라는 다공성 물질 위에 ALD 방법으로 얇은 TiO2 막을 입히고 금 나노입자를 붙여 촉매를 만들었습니다. 이 촉매는 일산화탄소(CO)를 산소와 반응시켜 없애는 반응을 도와줍니다. 금과 TiO2가 만나는 경계 부분이 이 반응을 더 잘 일어나게 한다는 것을 알아냈습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 백금 촉매를 아주 얇고 정교하게 만드는 기술을 정리한 리뷰 논문입니다. 연료전지에서 백금을 적게 쓰면서도 성능을 좋게 만드는 방법과 그 원리를 설명합니다. 앞으로 이 기술을 실제 제품에 쓰기 위한 과제도 함께 다룹니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 탄소 전극에 아주 작은 루테늄(Ru) 촉매 알갱이를 붙여서 아연-공기 배터리를 더 잘 충전되게 만드는 연구입니다. 알칼리성이 아닌 중성 전해질에서도 산소를 잘 만들어내도록 도와주는 촉매를 개발했습니다. 그 결과 배터리가 더 안정적이고 충전이 잘 되는 것을 확인했습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 기술로 망간-철 산화물 촉매를 만들어 아연-공기 배터리의 공기 전극에 적용한 연구입니다. 이 촉매는 배터리가 방전과 충전 두 가지 작용을 모두 잘 할 수 있게 도와줍니다. 초록이 없어 구체적인 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 아연-공기 배터리의 전극에 쓰이는 값싼 촉매를 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇게 입히는 연구입니다. 망간과 철을 섞은 산화물 촉매를 만들었는데, 비싼 백금 촉매보다 오래 사용해도 성능이 덜 떨어졌습니다. 즉, 저렴한 재료로도 좋은 배터리를 만들 수 있다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 배터리의 양극 재료인 V2O5 박막을 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막으로 코팅해서 성능을 높이는 연구입니다. 1나노미터 두께로 코팅했을 때 배터리 용량과 수명이 가장 좋았습니다. 특히 젤 형태의 이온성 액체 전해질과 함께 사용했을 때 800번 충전해도 성능이 거의 유지되었습니다.
리튬이온배터리 양극재인 리튬니켈산화물(LNO)은 성능이 좋지만 표면이 불안정한 문제가 있습니다. 이 논문은 원자층증착(ALD)으로 아주 얇은 마그네슘-아연 산화물 보호막을 입혀서 배터리 수명을 늘리는 방법을 연구했습니다. 그 결과 100번 충전해도 용량이 22% 더 잘 유지되는 것을 확인했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 질화붕소(hBN) 표면에 알루미나(Al2O3)를 아주 얇게 입히는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만든 새로운 물질을 촉매 지지체로 사용해 플라스틱(에틸렌-프로필렌 고분자)을 만드는 실험을 했더니, 분자량이 10배나 더 큰 고분자를 만들 수 있었습니다. 이는 반도체나 디스플레이보다는 촉매화학과 고분자 산업에 관련된 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 티타늄산화물에 바나듐, 크롬, 몰리브덴을 섞어 만든 새로운 나노물질을 소개합니다. 이 물질은 항생제에 강한 세균도 잘 죽이고 동물 몸속에 넣어도 안전합니다. 앞으로 세균 감염병 치료에 도움이 될 것으로 기대됩니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 정밀한 방법으로 에너지를 만들고 저장하는 데 쓰이는 촉매를 만드는 방법을 소개합니다. ALD를 쓰면 원자 단위로 촉매를 정교하게 설계할 수 있어서 성능을 더 좋게 만들 수 있습니다. 이 논문은 여러 연구 결과를 모아서 ALD가 촉매 연구에 어떻게 도움이 되는지 설명하는 리뷰 논문입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 만들어요. 이 막을 이용해서 사람 몸속 단백질인 트랜스페린을 감지하는 센서를 만들었어요. 센서는 무게 변화를 감지해서 물질이 있는지 알아내는 방식이에요.
이 논문은 아주 얇은 VO2(산화바나듐) 막을 원자층 증착 방법으로 만들고, 빛에 대한 반응(굴절률 등)을 자외선부터 적외선까지 측정한 연구입니다. 온도에 따라 절연체에서 금속으로 변하는 특성도 함께 살펴보았습니다. 이를 통해 얇은 VO2 막의 빛 특성을 정확히 예측할 수 있는 모델을 만들었습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 흑연 음극을 코팅하는 방법을 다룹니다. 이를 통해 황화물 기반의 전고체 배터리에서 흑연 음극의 성능과 계면 안정성을 높이는 것이 목표입니다. 초록이 없어 구체적인 재료나 공정 조건은 확인할 수 없습니다.
리튬-황 배터리의 성능을 높이기 위해 원자층증착(ALD)으로 아주 작은 질화티타늄(TiN) 촉매 입자를 만들었습니다. 이 촉매는 황이 녹아 빠져나가는 것을 막아주어 배터리가 더 오래, 더 강하게 작동하도록 도와줍니다. 실험 결과 기존보다 2배 더 높은 방전 용량을 보였습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 금(Au)과 산화티타늄(TiO2)을 붙여서 촉매를 만드는 연구입니다. 이 촉매에서 금과 산화티타늄이 만나는 경계 부분을 자세히 관찰했습니다. 이를 통해 촉매가 어떻게 화학반응을 잘 일어나게 하는지 알아보려고 했습니다.
이 연구는 티타늄 임플란트 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 지르코니아(ZrO2) 얇은 막을 입혔습니다. 이 코팅이 토끼 뼈에 임플란트를 심었을 때 뼈와 더 잘 붙게 도와준다는 것을 보여줍니다. 의료용 임플란트의 성능을 높이는 코팅 기술에 관한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 코발트철산화물(CoFe2O4) 나노입자 표면에 금을 얇게 입혀서 특별한 나노플랫폼을 만든 연구입니다. 이 나노플랫폼은 열과 다른 자극에 반응해서 암 치료약(독소루비신)을 필요한 곳에서만 방출하도록 설계되었습니다. 대장암 치료에 활용하기 위한 약물 전달 시스템 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 석영 섬유 표면에 SiO2 나노막을 입혀서 치과용 섬유강화 복합재료를 개선하는 연구입니다. 이렇게 만든 재료가 치아에 붙는 힘, 기계적 강도, 세포와의 반응이 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 반도체나 디스플레이용이 아니라 치과 재료 분야에 적용된 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 2차원 형태의 SnO2와 ZnO를 섞은 특별한 전극을 만들었어요. 이 전극은 전기를 저장하는 슈퍼커패시터라는 장치에 사용될 수 있어요. ALD라는 정밀한 방법을 통해 두 물질을 균일하게 쌓아서 성능을 높이려는 연구예요.
이 연구는 우주에서 물체를 산소 원자로부터 보호하기 위해 아주 얇은 금속 산화물 막을 씌우는 방법(ALD)을 실험했어요. 실리콘, 폴리이미드 같은 여러 재료에 20나노미터 두께로 막을 입힌 뒤 산소 원자에 노출시켜 손상 정도를 비교했습니다. 그 결과, 코팅을 한 재료는 코팅 안 한 것보다 손상이 훨씬 적어서 우주에서 더 오래 버틸 수 있다는 것을 보여줬어요.
이 논문은 리튬이 많이 들어간 배터리 양극재료 표면에 아주 얇은 LiNbO3 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입혀서 배터리 성능을 오래 유지하도록 개선하는 연구입니다. ALD는 원자 단위로 얇은 막을 정밀하게 쌓는 특수한 증착 공정입니다. 이 코팅 덕분에 배터리를 여러 번 충전하고 방전해도 성능이 덜 떨어지게 됩니다.
이 논문은 알루미나 지지체에 그래핀 옥사이드(GO) 층을 코팅하고 ZnO 원자층증착(ALD)을 이용해 ZIF-8이라는 얇은 막을 만드는 방법을 소개합니다. 이렇게 만든 막은 두께가 매우 얇고 균일해서 가스를 더 잘 걸러낼 수 있습니다. 이 기술은 특정 가스(프로필렌)를 효과적으로 분리하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 막을 만들어서 나쁜 냄새나 위험한 가스를 감지하거나 없애는 재료를 만드는 방법을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 실험 내용은 알 수 없습니다. 가스 센서와 정화 기능을 가진 소재 개발에 관한 연구로 보입니다.
원자층증착(ALD) 방법으로 구리황화물(CuSx) 박막을 만들었어요. 이 박막을 이용해 흐름전지에서 이산화탄소를 개미산(포름산염)으로 바꾸는 실험을 했습니다. 새로운 촉매 재료를 만드는 방법을 보여주는 연구예요.
이 논문은 수소가 섞인 불꽃 환경에서 세라믹 코팅이 습기에 약해지는 문제를 다룹니다. 원자층증착(ALD)으로 아주 얇은 알루미나 막을 코팅 사이에 넣으면 습기가 통과하기 훨씬 어려워진다는 것을 실험으로 보였습니다. 결과적으로 알루미나 층이 위에 있을 때 습기 차단 효과가 가장 좋았습니다.
이 연구는 알루미나와 이트리아 안정화 지르코니아(YSZ)로 만든 열 차단 코팅이 습도와 시간에 따라 얼마나 잘 견디는지 실험했습니다. 얇은 알루미나 막을 추가하면 초반에는 산화를 잘 막아주지만, 시간이 지나면 습기에 의해 알루미나가 손상되어 보호 효과가 줄어드는 것을 발견했습니다. 이는 고온·고습 환경에서 더 튼튼한 코팅을 만드는 데 중요한 정보를 제공합니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD) 방법으로 티타늄바나듐질화물(TiVN) 박막을 만들 때, 증착 온도를 바꾸면 막의 내마모성과 물성이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 온도 조건에 따라 코팅막의 단단함과 마모 저항이 달라진다는 것을 보여줍니다. 이는 내구성 있는 보호막을 만드는 코팅 기술 연구에 해당합니다.
이 논문은 유동층 반응기 방식의 원자층증착(ALD) 장비를 이용해 Pt/C 촉매에 질소를 도핑하는 방법을 다룹니다. 이는 연료전지(PEMFC)의 성능을 높이기 위한 촉매 개선 연구입니다. 초록이 없어 자세한 공정 조건은 알 수 없지만, 장비와 공정이 핵심 주제로 보입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 매우 얇은 산화알루미늄 코팅을 연구했습니다. 이 코팅은 뜨거운 가스와 오래 접촉해도 잘 변하지 않고 튼튼했습니다. 그래서 뜨거운 가스로부터 표면을 보호하는 데 사용할 수 있다는 결론을 내렸습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해서 인공 그물망(메시)의 표면을 코팅하여 세균이 잘 자라지 못하게 만드는 연구입니다. 이렇게 하면 몸속에 넣는 의료용 그물망이 세균 감염을 줄이고 더 튼튼해질 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 재료나 공정 조건은 정확히 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 세균을 막는 아주 얇은 막을 만드는 방법을 소개해요. 이 막은 만성 상처(잘 낫지 않는 상처) 치료에 쓰일 수 있어요. 하지만 구체적인 재료나 실험 결과는 초록이 없어서 알 수 없어요.
이 연구는 ALD(원자층 증착) 기술로 티타늄 산화물의 여러 형태(TiO2, TiO, Ti2O)를 만들었습니다. 특히 Ti2O라는 특별한 물질이 물을 분해해서 산소나 수소를 만드는 촉매로 쓸 수 있다는 것을 발견했습니다. 컴퓨터 시뮬레이션(DFT)으로 이 물질이 왜 특별한 금속 성질을 갖는지도 밝혀냈습니다.
이 논문은 대기압 공간 원자층 증착(AP-SALD)이라는 방법으로 옷감(면, 폴리프로필렌)에 산화아연(ZnO)을 얇게 코팅하는 연구입니다. 이 코팅은 자외선 차단, 물방울이 튕기는 성질을 주고, 세탁이나 문지름에도 잘 견디는 튼튼한 막을 만듭니다. 실시간으로 두께를 측정하며 조절할 수 있어서 산업적으로 활용 가능성이 높습니다.
이 연구는 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 이산화티타늄 표면에 아주 작은 산화구리 알갱이를 붙였습니다. 증착 횟수를 조절하면 산화구리의 종류(CuO 또는 Cu2O)와 크기가 달라졌고, 이렇게 만든 구조는 빛을 받으면 오염물질을 분해하는 능력이 더 좋아졌습니다. 이는 산화구리에서 이산화티타늄으로 전자가 잘 이동해서 생기는 효과입니다.
이 연구는 액체 상태에서 원자층을 하나씩 쌓는 방법으로 구리(Cu)와 지르코늄산화물(ZrOx)의 작은 알갱이(클러스터)를 마그네슘산화물(MgO) 표면에 정밀하게 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 이산화탄소(CO2)를 수소와 반응시켜 다른 물질로 바꾸는 데 사용됩니다. 원자 하나하나를 조절해서 촉매 성능을 높이는 것이 목표입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 제올라이트 속 주석(Sn)의 위치를 조절하는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 특정 화학반응(Baeyer-Villiger 산화반응)에서 효율적으로 작동합니다. 즉, 아주 작은 원자 단위로 재료를 조절해 더 좋은 촉매를 만드는 연구입니다.
탄소나노튜브 섬유 위에 원자층증착법으로 TiO2를 얇게 입혀 3차원 구조의 촉매 섬유를 만들었습니다. 이 섬유는 빛을 받으면 화학반응을 도와주는 촉매 역할을 더 잘 합니다. 물속 오염물질을 없애는 등에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 레이저로 아주 작은 3D 모양을 만든 뒤, 열처리와 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막 코팅 기술을 이용해 투명하고 튼튼하게 만드는 방법을 소개합니다. 이렇게 하면 작은 렌즈 같은 광학 부품을 더 오래 쓸 수 있게 됩니다. 구체적인 재료나 공정 조건은 초록에 나와 있지 않습니다.
리튬이온 배터리 양극 표면에 아주 얇은 산화티타늄 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 코팅해서 배터리 성능을 개선하는 연구입니다. 코팅 온도와 두께에 따라 배터리가 빠르게 충전해도 용량을 더 잘 유지하는 것을 확인했습니다. 이 코팅 덕분에 배터리가 더 오래, 더 안정적으로 사용될 수 있습니다.
이 논문은 리튬이온배터리 음극 재료로 ALD(원자층증착) 방식으로 만든 산화아연(ZnO) 나노층을 사용했습니다. 리튬 원자가 아연과 결합하고 분해되는 화학반응을 특수한 NMR 분석법으로 자세히 관찰했습니다. 이를 통해 배터리 용량을 최대 40%까지 늘릴 수 있는 원리를 알아냈습니다.
이 논문은 마그네슘 배터리에서 금속 집전체를 보호하기 위해 ALD로 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 입히는 연구입니다. 이 코팅을 하면 니켈과 알루미늄 집전체가 전해질 속에서 더 안정적으로 견딜 수 있게 됩니다. 이를 통해 더 좋은 마그네슘 배터리를 만드는 데 도움이 될 수 있습니다.
이 논문은 나트륨 이온 배터리 전극을 보호하기 위해 원자층증착(ALD)으로 얇은 막을 입히는 연구입니다. Al2O3, TiO2, HfO2 세 가지 재료로 코팅해서 어떤 것이 물속에서 전극을 가장 잘 보호하는지 비교했습니다. 그 결과 HfO2가 가장 안정적이고 화학적으로 반응하지 않아 전극 보호에 가장 효과적이라는 것을 발견했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 감마-알루미나(γ-Al2O3) 촉매 표면에 갈륨산화물(Ga2O3)을 아주 얇게 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 촉매는 이산화탄소를 이용해 프로판을 프로필렌으로 바꾸는 반응에서 더 좋은 성능과 선택성을 보였습니다. 초록이 없어 자세한 공정 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)을 이용해 팔라듐(Pd)과 니켈(Ni)로 만든 아주 작은 합금 표면에 팔라듐만 얇게 덧입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 아세틸렌을 에틸렌으로 바꾸는 화학 반응을 더 잘 선택적으로 도와줍니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 촉매 화학 분야 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법을 이용해 아주 작은 백금(Pt) 알갱이를 제올라이트라는 특수한 돌 같은 재료 위에 아연의 도움을 받아 안정적으로 붙이는 연구입니다. 이렇게 만든 재료는 헵테인이라는 기름 성분을 다른 화학물질로 바꾸는 반응(방향족화)에 사용됩니다. 반도체나 디스플레이가 아니라 화학 촉매 연구에 가까운 논문입니다.
이 논문은 세라믹 필터막의 미세한 구멍 크기를 조절하기 위해 원자층증착(ALD)이라는 기술을 사용한 연구입니다. 기존에는 진공이 필요했지만, 이번에는 대기압 상태에서도 얇은 막을 입힐 수 있는 새로운 장치를 개발했습니다. 이 장치는 필터관 자체를 반응 공간으로 사용해서 비용과 시간을 줄이고, 구멍 크기 변화를 실시간으로 확인할 수 있게 해줍니다.
니켈 폼(다공성 니켈 금속)에 원자층증착(ALD) 방법을 사용해서 수산화니켈의 결정 형태 변화를 연구한 논문입니다. ALD 공정이 재료의 상(phase) 변화에 어떤 영향을 주는지 살펴봅니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 액체 속에서 아주 작은 원자 크기까지 볼 수 있는 현미경(AFM)의 탐침을 더 잘 만들기 위해 알루미늄 산화막(Al2O3)을 얇게 입히는 방법을 연구했습니다. ALD라는 방법으로 코팅 두께를 정밀하게 조절하면서 탐침 끝의 모양과 성질이 어떻게 바뀌는지 살펴봤습니다. 그 결과 코팅 두께에 따라 탐침 성능이 달라지고, 특정 조건에서 더 선명한 이미지를 얻을 수 있음을 확인했습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)과 분자층 증착(MLD) 기술을 이용해 이산화탄소를 잡아내고 활용하고 저장하는 재료를 만드는 방법을 소개합니다. 이산화탄소를 감지하는 센서에도 이 기술을 어떻게 쓸 수 있는지 설명합니다. 여러 연구들을 모아 정리한 리뷰 논문입니다.
이 논문은 얇은 플라스틱(PET) 위에 산화알루미늄(Al2O3) 막을 원자층 증착법으로 아주 얇게 쌓는 과정을 연구했습니다. 막이 어떻게 처음 생기고 자라나는지를 살펴본 연구입니다. 초록 내용이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 백금을 산화철(Fe2O3) 위에 아주 얇게 입혀서 촉매를 만드는 연구입니다. 산화철 지지체의 크기가 달라지면 촉매가 일산화탄소(CO)를 없애는 성능이 어떻게 바뀌는지 살펴봤습니다. 반도체나 디스플레이용 소재가 아니라 화학반응을 돕는 촉매에 관한 연구입니다.
이 논문은 배터리에 쓰이는 특별한 물질(리튬-니켈-망간-코발트 산화물)을 원자층 증착이라는 방법으로 아주 얇게 코팅하는 연구예요. 코팅을 언제(어느 단계에서) 하느냐에 따라 물질의 성질이 어떻게 달라지는지 알아봤어요. 배터리를 더 좋게 만드는 데 도움을 주는 연구랍니다.
이 논문은 원자층 증착법(ALD)이라는 매우 얇은 막을 만드는 기술로 몰리브데넘황화물(MoSx)이라는 물질을 만드는 방법을 다룹니다. 이 물질은 물을 분해해서 수소를 만드는 반응(수소 발생 반응)에 쓰일 수 있습니다. 논문은 이 물질의 구조가 어떻게 생겼는지 자세히 살펴봅니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 금속과 산화물이 만나는 특별한 경계면을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 재료가 일산화탄소(CO) 가스를 다른 물질로 바꾸는 반응(산화 반응)에 얼마나 잘 도움을 주는지 실험했습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만 촉매 연구로 보입니다.
이 논문은 리튬 배터리를 더 안전하고 오래 쓰기 위해 고체 전해질을 사용하는 방법을 다룹니다. 원자층증착(ALD)과 분자층증착(MLD)이라는 얇은 막을 입히는 기술로 배터리 내부 접촉면 문제를 해결하는 방법을 설명합니다. 앞으로 이 기술이 배터리 성능을 더 좋게 만들 방향도 소개합니다.
이 연구는 원자층증착(ALD) 방법으로 부직포에 TiO2(이산화티타늄) 코팅을 입혀서 물속 대장균을 없애는 실험을 했습니다. 자외선을 쪼이면 TiO2가 세균을 죽이는 화학물질을 만들어내서 물을 깨끗하게 만들 수 있음을 보였습니다. 이 기술은 식수를 정화하는 새로운 방법으로 활용될 수 있습니다.
이 논문은 리튬이온 배터리에 쓰이는 NMC라는 재료의 표면을 원자층 및 분자층 증착법(ALD/MLD)으로 코팅해서 성능을 좋게 만드는 방법들을 정리한 리뷰 논문입니다. 배터리가 오래가고 잘 작동하도록 표면을 얇게 코팅하는 다양한 기술들을 소개합니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 배터리 소재에 관한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 아주 얇은 티타늄산화물(TiO2)을 코발트 촉매 표면에 정밀하게 씌우는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 계면은 피셔-트롭쉬 반응(석유 대체 연료를 만드는 화학 반응)에서 촉매 성능을 조절하는 데 사용됩니다. 초록이 없어 세부 공정 조건은 확인할 수 없습니다.
이 논문은 황화물 기반 전고체 배터리에서 양극을 보호하는 얇은 막의 최소 두께를 찾는 연구입니다. 파우더-원자층증착(ALD)이라는 특별한 방법으로 아주 작은 가루에 코팅막을 입힙니다. 이를 통해 배터리 성능을 더 좋게 만들 수 있는 방법을 찾으려고 합니다.
이 논문은 아주 작은 플라즈마들을 배열로 만들어 초음파를 발생시키는 실험과, 이 미세플라즈마를 이용해 자외선 빛을 걸러주는 얇은 막(ZrO2와 Al2O3 층을 번갈아 쌓음)을 만드는 방법을 소개합니다. 이렇게 만든 필터는 특정 파장의 빛만 통과시키고 다른 빛은 막아주는 역할을 합니다. 두 가지 서로 다른 주제(소리와 빛 필터)를 같은 미세플라즈마 기술로 연구한 것이 특징입니다.
이 논문은 아주 작은 나노 입자 표면에 얇은 막을 씌우는 새로운 방법을 다룹니다. 특수한 화학 물질(리간드)로 표면을 미리 처리해서 원자층 증착이라는 기술을 나노 입자에도 적용할 수 있게 했습니다. 이를 통해 나노 입자를 더 정밀하게 코팅할 수 있게 됩니다.
3D 프린팅으로 만든 구멍이 뚫린 격자 구조물에 ALD라는 방법으로 아주 얇은 티타늄 산화물(TiO2) 막을 입히는 연구입니다. 복잡한 내부 채널까지도 균일하게 코팅되는지 전자현미경으로 확인했습니다. 이 기술은 의료용 임플란트나 인공장기에 쓰일 수 있는 가능성을 보여줍니다.
이 연구는 옥수수로 만든 플라스틱 필름(PLA) 위에 아주 얇은 알루미늄 산화막을 코팅해서 물을 잘 막아내고 식품을 더 오래 신선하게 보관할 수 있게 만드는 방법을 연구했습니다. 코팅을 하면 물방울이 잘 안 스며들고 수증기도 덜 통과하지만, 필름을 구부리면 성능이 조금 떨어지고 산성 음식과 만나면 알루미늄이 조금씩 녹아 나올 수 있다는 것을 발견했습니다. 그래서 식품 포장에 안전하게 쓰려면 코팅 두께와 품질을 잘 조절해야 한다는 결론을 얻었습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 만드는 기술에 대한 것으로 보입니다. 하지만 자세한 설명(초록)이 없어서 정확히 어떤 내용을 다루는지는 알 수 없습니다. 제목만으로는 구체적인 재료나 실험 결과를 확인하기 어렵습니다.
이 연구는 흑연 입자 표면에 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입혀서 리튬이온배터리 음극재로 사용했습니다. ZnO 막을 2번 입힌 흑연은 원래 흑연보다 방전 용량이 약 20% 더 높아졌습니다. 또한 500번 충전과 방전을 반복해도 성능이 안정적으로 유지되었습니다.
이 논문은 아연 전지의 음극을 아주 얇은 지르코니아(ZrO2) 막으로 코팅하는 방법을 다룹니다. 이 막을 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 입혀서 아연 전지가 더 오래, 더 안정적으로 작동하도록 만들었습니다. 배터리 수명을 늘리는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 반도체 제조 기술에 대해 세계 여러 회사들이 가진 특허를 분석한 연구입니다. 어떤 회사가 이 기술 분야에서 앞서가고 있는지 비교합니다. 실제 재료나 공정 실험이 아니라 특허 자료를 분석한 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 실리카 표면에 붕소와 백금을 순서대로 아주 얇게 입혀서 새로운 촉매를 만들었어요. 이 촉매는 프로판이라는 가스를 프로필렌으로 바꾸는 화학 반응에 쓰이는데, 붕소를 추가하니 반응이 더 잘 되고 오래 사용할 수 있게 되었대요. 반도체나 디스플레이가 아니라 화학 촉매 연구에 관한 논문입니다.
이 논문은 아연 이온 배터리를 더 좋게 만들기 위해 원자층 증착이라는 아주 얇은 막을 입히는 기술을 사용하는 방법을 다룹니다. 배터리 안에 얇은 보호막을 만들어서 성능을 높이는 것이 목표입니다. 다만 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 연구는 티타늄 임플란트 표면에 아주 얇은 산화티타늄(TiO2) 막을 얇은 원자층 쌓기 기술(ALD)로 코팅해서 몸에 더 잘 맞는지 살펴봤어요. 코팅을 하면 알루미늄과 바나듐 같은 해로운 성분이 덜 나와서 뼈세포가 더 잘 자라는 것을 확인했어요. 결국 이 코팅 기술이 인공 뼈 임플란트를 더 안전하게 만들어줄 수 있다는 결론이에요.
이 논문은 배터리를 만들 때 사용하는 '원자층 증착'이라는 아주 얇은 막을 입히는 기술의 미래 방향을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다. 배터리 제작 공정과 관련된 장비 및 방법에 대한 내용으로 추정됩니다.
이 논문은 니티놀(형상기억합금)로 만든 의료용 임플란트 표면에 원자층증착(ALD)으로 이산화티타늄(TiO2) 막을 입히는 방법을 다룹니다. 이 막은 몸속에서 니켈이 새어나오지 않게 막고 부식을 방지하는 역할을 합니다. 연구진은 이 산화막의 성분과 부식 저항성을 자세히 조사했습니다.
이 논문은 아주 작은 원뿔 모양 구멍(나노기공)에 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 얇은 막을 입혀서 성질을 바꾸고, 그것이 얼마나 안정적인지 살펴본 연구입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 제목으로 보아 ALD 공정과 장비 관련 내용을 다루는 것으로 보입니다. 특정 재료 이름은 언급되어 있지 않습니다.
이 연구는 리튬-황 전지 성능을 높이기 위해 그래핀 폼에 아주 얇은 알루미늄 산화막을 원자층증착법(ALD)으로 입혀 새로운 소재를 만들었습니다. 증착 횟수를 다르게 하면서 막의 두께와 구조를 조절했고, 여러 분석 방법으로 그 특성을 확인했습니다. 이 새로운 소재는 배터리 안에서 해로운 물질이 이동하는 것을 막아 배터리 성능을 향상시킬 것으로 기대됩니다.
이 연구는 원자층증착(ALD) 기술로 탄화규소(SiC) 알갱이 표면에 알루미나(Al2O3) 코팅을 아주 얇고 균일하게 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 코팅한 SiC를 이트리아(Y2O3)와 함께 소결하면 열전도율이 14~18% 좋아지고 밀도도 높아집니다. 이 기술은 원자력 발전소에서 사고에도 안전한 핵연료를 만드는데 도움이 될 수 있습니다.
PET 포장 필름 위에 ZnO와 ZnO/Cu를 얇게 코팅해서 음식이 상하지 않게 하는 항균 필름을 만들었습니다. 원자층 증착과 스퍼터링 기술로 코팅을 만들고, 치즈와 칠면조 고기에 사용해 세균 번식을 얼마나 막는지 실험했습니다. ZnO/Cu 코팅이 세균을 가장 잘 막아서 음식을 더 오래 신선하게 유지시켰습니다.
이 연구는 티타늄 임플란트 표면을 산화알루미늄(AAO)과 원자층증착(ALD) 알루미나로 코팅하여 뼈와 잘 붙는지 실험했습니다. 인산 전해질로 처리하고 ALD 코팅한 표면에서 뼈세포가 가장 잘 자라고 미네랄화가 잘 되는 것을 확인했습니다. 이를 통해 더 나은 인공 뼈 임플란트 재료를 개발할 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 얇은 막(필름)을 아주 정밀하게 쌓는 원자층증착법으로 에르븀이 섞인 알루미늄산화물 막을 만들었습니다. 그 후 열처리 온도를 다르게 하면서 막의 구조와 빛을 내는 성질이 어떻게 변하는지 알아보았습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 확인하기 어렵습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 방법을 아연이온 배터리를 더 좋게 만드는 데 사용하는 내용입니다. 하지만 구체적인 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다. 배터리 성능을 높이기 위한 코팅 기술로 볼 수 있습니다.
이 연구는 치과 임플란트용 지르코니아 표면에 ALD 기술로 TiO2, Al2O3, SiO2, ZnO 얇은 막을 입혀 세포가 얼마나 잘 자라는지 실험했습니다. 그 결과 TiO2를 입힌 지르코니아에서 세포가 가장 잘 자라는 것으로 나타났습니다. 이는 지르코니아 임플란트 표면을 개선하는 새로운 방법이 될 수 있음을 보여줍니다.
이 논문은 원자층 증착법(ALD)을 이용해 진주층(자개)처럼 층층이 쌓인 알루미나 복합재료를 만드는 방법을 다룹니다. 층 사이 경계 부분을 정교하게 조절해서 재료를 더 튼튼하게 만드는 기술입니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 배터리의 양극재료 표면에 아주 얇은 산화지르코늄(ZrO2) 막을 원자층 증착(ALD) 방법으로 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 배터리를 높은 전압에서 여러 번 충전·방전해도 성능이 오래 유지됩니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 배터리 소재 분야의 연구입니다.
이 논문은 뼈 치료에 쓰이는 티타늄 합금 표면에 원자층증착(ALD)으로 얇은 산화티타늄막을 입히는 연구입니다. 그 위에 은 나노입자를 붙여서 세균을 없애는 효과를 확인했습니다. 대장균에 대해 75% 이상의 항균 효과가 나타났습니다.
이 논문은 알루미늄 합금(2024)의 부식을 막기 위해 아주 얇은 크롬산화물(Cr2O3) 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 입히는 연구입니다. 이렇게 얇은 막을 입히면 알루미늄이 녹슬거나 부식되는 것을 더 잘 막아준다는 내용입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알기 어렵습니다.
이 논문은 아주 빠른 레이저로 아주 작은 3차원 광학 부품을 만드는 방법을 설명해요. 원자층 증착(ALD)이라는 얇은 막을 입히는 기술과 열처리(소성)를 함께 사용해서 투명하면서도 튼튼한 미니 렌즈 같은 것을 만들었어요. 초록 내용이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없어요.
치과 임플란트 표면에 백금 나노막대를 티타니아 나노튜브 속에 원자층증착법으로 심어 새로운 코팅을 만들었습니다. 이 코팅은 약한 적외선 빛을 쬐면 열을 내서 세균을 99% 이상 없애면서도, 잇몸 세포는 더 잘 자라게 도와줍니다. 안전성도 좋아서 백금이 거의 녹아나오지 않았습니다.
이 논문은 MoO3라는 작은 막대 모양 물질 위에 알루미늄이 조금 섞인 산화아연(AZO)을 아주 얇게 코팅하는 방법(원자층증착법)을 다룹니다. 이렇게 코팅하면 리튬 배터리에서 더 오래, 더 잘 작동하는 전극을 만들 수 있습니다. 배터리 성능을 높이기 위한 재료 개발 연구입니다.
이 논문은 전기차나 전자기기 배터리 수명을 늘리기 위해 애노드가 없는 배터리를 연구했습니다. 구리 집전체 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 산화니오븀이나 리튬니오븀산화물을 얇게 코팅해 리튬 금속 표면을 더 안정하게 만들었습니다. 그 결과 배터리의 충전-방전 반복 수명이 크게 늘어났습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 수술용 봉합사 표면에 바나듐이 섞인 티타늄산화물(TiVOx) 항균 코팅을 입히는 방법을 다룹니다. 이 코팅은 세균이 자라는 것을 막아 수술 후 감염을 예방하는데 효과가 좋고 오래 지속됩니다. 실험 결과 코팅된 봉합사는 대장균과 프로테우스균 성장을 거의 100% 억제했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 입히는 기술을 이용해서 음식이 오래 상하지 않도록 세균을 막아주는 특별한 포장재를 만드는 연구입니다. 이렇게 만들어진 포장재는 음식을 더 오래 신선하게 보관하는 데 도움을 줄 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 재료나 공정 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 치과용 플라스틱(PMMA) 표면에 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미나(Al2O3)라는 얇은 막을 입혀서 세균을 잘 죽이는지 연구했어요. 얇은 코팅막을 이용해 치과 재료를 더 깨끗하고 안전하게 만들려는 목적이에요. 반도체나 디스플레이가 아닌 의료용 재료 코팅 연구입니다.
리튬이온 배터리에 쓰이는 니켈이 많이 들어간 양극재(NMC90)에 아주 얇은 아연산화물 막을 원자층증착(ALD)으로 입혔습니다. 이 코팅 덕분에 배터리가 더 오래 쓰이고 전해질이 덜 분해되며 성능이 좋아졌습니다. 이 연구는 배터리를 더 튼튼하고 오래가게 만드는 방법을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 한 번만 맞아도 되고 열에 강한 사람유두종바이러스(HPV) 백신을 만드는 연구의 정정본입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없습니다. 백신 개발이 중심이라 반도체나 디스플레이 같은 분야와는 관련이 적습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 기술로 재료를 만드는 것에 대한 내용인 것 같아요. 하지만 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없어요. 제목만으로는 어떤 재료나 공정을 다뤘는지 정확히 파악하기 어려워요.
이 논문은 연료전지, 원자층증착(ALD), 코어-쉘 촉매에 관한 연구 논문들을 통계적으로 분석한 것입니다. 실제 실험이나 새로운 재료 개발은 하지 않고, 지금까지 나온 논문들의 경향과 빈 곳을 찾아본 것입니다. 앞으로 이 세 가지 주제를 합친 연구가 필요하다는 것을 알려줍니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 기술을 이용한 장비의 시장을 분석한 연구입니다. 초록이 없어서 구체적인 재료나 공정 조건은 알 수 없습니다. 기술 자체보다는 시장 분석에 초점을 맞춘 것으로 보입니다.
이 논문은 티타늄 질화막(TiN)을 아주 얇고 굴곡진 표면에도 고르게 입힐 수 있는 새로운 방법을 소개해요. 특별한 화학물질인 '터트부틸 클로라이드'를 도움 재료로 사용해서 원자 단위로 막을 쌓는 원자층 증착(ALD) 기술을 개선했어요. 이렇게 만든 얇은 막은 반도체 칩 같은 정밀 전자제품을 만드는 데 아주 유용하게 쓰일 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 루테늄(Ru)과 알루미늄이 섞인 산화티타늄(TiO2)을 얇게 층층이 쌓아서 실리콘 커패시터를 만드는 방법을 연구했어요. 이렇게 만든 커패시터는 전기를 더 잘 저장할 수 있어서 성능이 좋아진대요. 반도체 부품을 더 작고 강력하게 만드는 데 도움이 되는 연구예요.
이 논문은 반도체의 미세한 홈(트렌치)에 얇은 막을 고르게 입히는 원자층증착(ALD) 기술을 다룹니다. 무거운 비활성 기체인 크립톤(Kr)을 첨가해서 가스가 트렌치 아래까지 잘 퍼지도록 도와주는 방법을 제안했습니다. 이 방법으로 AlN 박막을 증착했을 때 막이 더 고르게 덮이는 효과를 확인했습니다.
이 논문은 수소 플라즈마를 이용해 루테늄(Ru) 얇은 막을 매우 순수하게 만드는 새로운 방법을 연구했습니다. 산소나 탄소가 거의 없는 깨끗한 루테늄 막을 만들어 전기가 잘 통하고 홈이 있는 표면에도 고르게 덮이도록 했습니다. 이 기술은 반도체 회로를 만드는 데 중요하게 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 수소로 덮인 실리콘 표면 위에 HfO2라는 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 과정을 연구했습니다. 테트라키스(에틸메틸아미노)하프늄이라는 원료 물질을 사용해서 막이 어떻게 자라나는지 그 원리를 밝혔습니다. 이는 반도체 소자를 만들 때 중요한 절연막 기술에 활용됩니다.
이 논문은 얇은 산화주석(SnO2) 막에 알루미늄을 살짝 섞어서 원자층 증착(ALD) 방법으로 아주 얇게 쌓아 만든 트랜지스터에 대한 연구입니다. 낮은 온도에서도 성능이 좋은 트랜지스터를 만들 수 있어서 디스플레이나 반도체 소자에 활용될 수 있습니다. 알루미늄 도핑과 채널을 얇게 만드는 최적화 과정이 핵심입니다.
반도체 배선을 아주 작게 만들 때 구리 대신 쓸 수 있는 코발트 합금 박막을 전기화학적 원자층 증착법으로 만든 연구입니다. 구리를 아주 조금(1% 이하) 섞어서 저항을 낮추는 최적 조건을 찾았습니다. 이 방법으로 차세대 반도체 배선에 쓸 수 있는 저저항 코발트 박막을 만들 수 있음을 보였습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 특수한 절연막 구조를 이용해 IGZO라는 반도체 트랜지스터의 성능과 신뢰성을 높이는 연구입니다. IGZO는 전자가 잘 움직이는 재료로 얇고 투명한 디스플레이용 반도체에 많이 쓰입니다. ALD 장비로 절연막을 정밀하게 쌓아서 트랜지스터가 더 오래, 더 안정적으로 작동하도록 만들었습니다.
이 논문은 갈륨 트리아제나이드와 물을 이용해 원자층 증착(ALD) 방법으로 산화갈륨(Ga2O3) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이 막은 열처리를 하면 투명하고 전기가 더 잘 흐르는 순수한 결정 구조로 바뀝니다. 산화갈륨은 전력 반도체나 자외선 센서에 쓰일 수 있는 중요한 물질입니다.
이 논문은 아주 얇은(4나노미터도 안 되는) 산화인듐(In2O3) 반도체 박막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만들 때, 시작 재료인 전구체가 어떤 역할을 하는지 연구했습니다. 전구체 종류에 따라 얇은 막의 성질이 달라지는지 알아본 것입니다. 이는 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 반도체 배선에 쓰일 루테늄(Ru) 얇은 막을 SiO2 위에 더 잘 만드는 방법을 연구했습니다. 특별한 전처리 물질을 먼저 뿌려주면 루테늄이 더 빨리, 더 고르게 붙는다는 것을 발견했습니다. 이렇게 만든 얇은 막은 전기가 더 잘 통하도록 열처리도 해주었습니다.
이 논문은 인듐 산화물을 아주 얇은 2차원 층으로 만들어 전자가 잘 흐르게 하는 트랜지스터를 원자층증착(ALD) 기술로 만드는 방법을 다룹니다. 계면을 개선해서 성능이 더 좋아진 반도체 소자를 만든 연구입니다. 반도체와 관련된 정밀한 박막 증착 공정을 핵심으로 다루고 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 IGZO(인듐갈륨아연산화물) 얇은 막을 이용해 자외선(UV) 빛으로 정보를 저장하는 메모리 소자를 만들었습니다. 트랜지스터 하나와 다이오드 하나로 구성된 1T1D 구조를 사용해서 데이터가 얼마나 오래 유지되는지와 소자가 작동하는 원리를 분석했습니다. 반도체 메모리 소자 개발에 중요한 연구입니다.
이 논문은 질화알루미늄(AlN)이라는 반도체 재료를 원자층 증착(ALD) 방법으로 얇게 만드는 과정을 연구했습니다. 알루미늄 원료(TMA)와 암모니아(NH3) 가스가 표면에서 어떻게 화학반응을 일으키는지 질량분석기로 자세히 살펴봤어요. 그 결과 표면에서 메틸기가 떨어지고 질소가 붙는 반응 과정을 알아냈습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)으로 MgO라는 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 MgO 막은 불소 플라즈마에 강해서 반도체 장비를 보호하는 데 쓸 수 있습니다. 반도체 제조 장비의 부품을 오래 쓸 수 있게 도와주는 코팅 기술입니다.
이 논문은 산화티타늄이라는 얇은 막을 반도체에 사용하기 위해 원자층을 하나씩 쌓는 방법(ALD)을 연구했습니다. 어떤 원료 물질(전구체)을 쓰는지, 어떤 조건에서 만드는지에 따라 막의 성질이 어떻게 달라지는지 알아봤습니다. 반도체를 만드는 중요한 기술이라서 이 연구는 꽤 중요합니다.
이 논문은 루테늄(Ru)이라는 금속을 아주 얇게 균일하게 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 산소를 얼마나 세게, 얼마나 오래 주느냐에 따라 막의 표면과 화학 성질이 달라진다는 것을 밝혀냈습니다. 이를 통해 반도체 배선이나 전극에 쓸 수 있는 매끈하고 얇은 루테늄 막을 만드는 방법을 제시했습니다.
이 논문은 반도체 공정에서 플라즈마에 잘 견디는 얇은 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 만드는 연구입니다. 란타넘 산화물과 알루미늄 산화물을 섞어서 값싸면서도 공기 중 습기에 강하고, 비싼 이트리아 산화막만큼 플라즈마에 잘 버티는 막을 만들었습니다. 이 막은 반도체 만들 때 쓰는 장비를 오래 보호하는데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 비싼 인듐 대신 주석산화물(SnOx)을 사용해 태양전지에 필요한 투명 전극을 만드는 새로운 방법을 소개합니다. 대기압 공간 원자층 증착(AP-SALD)이라는 저렴하고 빠른 방법으로 이 전극을 만들어서 실리콘 이종접합 태양전지의 효율을 20.8%까지 높였습니다. 이 기술은 인듐을 사용하지 않으면서도 성능이 좋은 태양전지를 만들 수 있는 친환경적인 대안입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 알루미늄이 섞인 산화아연(ZnO:Al) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 증착할 때 온도를 다르게 해서 막의 전기적 성질과 빛과 관련된 성질이 어떻게 변하는지 살펴봤습니다. 이런 막은 태양전지나 디스플레이 같은 전자제품에 투명하면서도 전기가 잘 통하는 재료로 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 만든 하프늄지르코늄산화물(HZO) 얇은 막에 이트륨(Y)을 조금씩 넣어서 성질이 어떻게 변하는지 연구했어요. 열처리 없이도 강유전성(전기를 저장하는 특별한 성질)이 안정적으로 생기고, 반복 사용해도 성능이 잘 유지된다는 것을 발견했어요. 이 기술은 미래 반도체 메모리 소자에 활용될 수 있어요.
이 논문은 유기 태양전지 안에 아주 얇은 산화알루미늄 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 넣어서 전지 성능을 높이는 연구입니다. 이 막이 산화아연 표면을 더 좋게 만들어서 전기가 더 잘 흐르고, 태양전지가 더 오래 튼튼하게 작동하게 도와줍니다. 그 결과 태양전지 효율이 16.61%까지 올라갔습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD) 방법으로 알루미늄-스칸듐 질화물(AlScN)이라는 특수한 강유전체 박막을 만드는 방법을 소개합니다. 이 박막은 특정 결정 방향으로 잘 자라며, 좁고 깊은 구조에도 골고루 얇게 코팅될 수 있음을 보여줍니다. 이는 차세대 반도체 메모리 소자에 활용될 수 있는 중요한 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 매우 얇은 막을 쌓는 기술로 MoO2라는 특수한 재료를 만들어, DRAM 메모리에 쓰이는 TiO2 박막이 더 좋은 결정 구조(루타일)로 자라도록 도와주는 방법을 연구했습니다. 새로운 화학 원료(전구체)를 사용해서 이 과정을 가능하게 만들었습니다. 이는 반도체 메모리 소자 성능을 높이는 데 중요한 공정 기술입니다.
이 논문은 HfO2라는 얇은 막을 깊고 좁은 구조물에 원하는 위치에만 골고루 입히는 새로운 방법을 연구했어요. 증기 형태의 보호막을 미리 뿌려서 원치 않는 곳에는 막이 생기지 않게 막아주는 기술이에요. 반도체를 만드는 데 아주 중요한 기술이랍니다.
이 논문은 DRAM 메모리의 저장 용량을 늘리기 위해 SrTiO3라는 특수한 유전체 물질을 사용하는 방법을 연구했습니다. SrVO3라는 전극이 증착 과정에서 손상되는 문제를 La 도핑 보호막과 오존 농도 조절로 해결했습니다. 그 결과 전기적 특성이 뛰어난 반도체 소자를 만들 수 있었습니다.
이 논문은 주석 산화물(SnOx) 박막을 만들 때 쓰는 화학 재료(TDMASn)가 쉽게 상해서 문제가 되는 것을 해결하는 방법을 다룹니다. 특정 첨가제(Ph3Sb)를 넣으면 재료가 오래 안 상하면서도 좋은 박막을 만들 수 있음을 보였습니다. 이렇게 만든 박막을 태양전지에 사용하니 전기를 만드는 효율이 24.5%까지 올라갔습니다.
새로운 인듐 재료(전구체)를 이용해 In2O3 박막을 원자층 증착(ALD)으로 만드는 연구입니다. 이 방법은 다양한 온도에서도 잘 작동해서 박막 트랜지스터를 만드는 데 사용될 수 있습니다. 반도체와 디스플레이 소자에 활용될 수 있는 중요한 기술입니다.
이 논문은 반도체 재료인 AlGaN 박막을 만들 때 알루미늄과 갈륨의 비율을 다르게 하면 어떤 특성 변화가 생기는지 연구합니다. 이를 위해 특수한 '슈퍼사이클' 방식의 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 기술을 사용했습니다. 결과적으로 원소 비율 조절이 박막의 성질에 큰 영향을 준다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 반도체 트랜지스터에 쓰이는 얇은 절연막(HfO2)에 실리콘을 넣는 새로운 방법을 소개해요. 탄소가 없는 특별한 실리콘 재료(트리실릴아민)를 사용해서 원자층 증착이라는 정밀한 방법으로 막을 만들었어요. 이렇게 하면 더 깨끗하고 좋은 성능의 반도체 부품을 만들 수 있어요.
이 논문은 ALD(원자층증착) 방법으로 SnO라는 얇은 반도체 막을 SiO2로 코팅된 HfO2 절연막 위에 가지런히 쌓아 만든 것입니다. 이렇게 만든 소자는 전류를 잘 흐르게 하면서 전력을 적게 쓰는 p형 박막 트랜지스터로 작동합니다. 반도체와 디스플레이에 쓰일 수 있는 새로운 저전력 트랜지스터 기술을 다룹니다.
이 논문은 낮은 온도에서 원자층증착(ALD) 방법으로 산화갈륨(Ga2O3) 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 막은 휘어지는 태양광 자외선 감지기(포토디텍터)에 사용되어 성능이 뛰어나다고 합니다. 반도체 재료와 공정 조건이 핵심 내용입니다.
이 논문은 탄소가 없는 SrTiO3라는 특수한 얇은 막을 만드는 새로운 방법을 소개합니다. SrF2와 TiO2라는 두 재료를 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 순서대로 쌓아서 만듭니다. 이렇게 만든 막은 컴퓨터 메모리인 DRAM의 축전기(커패시터)에 사용될 수 있습니다.
이 논문은 산소 플라즈마를 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 HZO라는 특수한 산화물 박막을 만들어 메모리 소자의 신뢰성을 높이는 연구입니다. 다섯 번 증착할 때마다 산소 플라즈마 처리를 추가해서 산소 빈자리를 줄이고, 결과적으로 훨씬 오래 사용해도 성능이 잘 유지되는 메모리를 만들었습니다. 이 기술은 반도체와 호환되어 차세대 비휘발성 메모리에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 공정에 인공지능(머신러닝)을 접목하는 방법을 소개하는 전망 논문입니다. 컴퓨터가 화학 반응을 더 잘 예측하고 새로운 재료나 공정을 설계하는 데 어떻게 도움이 될 수 있는지 설명합니다. 아직 이 분야 연구가 적어서 앞으로의 발전 방향과 과제를 제시합니다.
이 논문은 사파이어 기판 위에 원자층 증착법(ALD)으로 질화알루미늄(AlN) 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 만들어진 막의 구조를 자세히 분석해서 어떻게 생겼는지 알아봤습니다. 이는 반도체 소자를 만드는 데 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 특정 위치에만 얇은 막을 쌓는 '영역 선택적 원자층 증착(AS-ALD)' 기술을 컴퓨터 계산으로 연구하는 방법을 정리한 리뷰 논문입니다. 컴퓨터 시뮬레이션(DFT)으로 원자들이 표면에서 어떻게 반응하는지 알아내서 더 정밀한 반도체 제작 기술을 개발하는데 도움을 주는 내용입니다. 실제 실험보다는 이론과 계산 방법을 정리한 논문입니다.
이 연구는 산화코발트 표면 위에 황화하프늄(HfS2) 얇은 막을 원자층증착(ALD)으로 만드는 과정을 살펴봤어요. 표면에 산성 수소가 없어도 새로운 화학반응(루이스 산-염기 반응)을 통해 막이 잘 자라난다는 것을 발견했습니다. 이 결과는 앞으로 다양한 표면에 얇은 막을 잘 입히는 방법을 이해하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 TDMAT라는 재료와 산소 플라즈마를 이용해서 이산화티타늄(TiO2)이라는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 방법을 연구했습니다. 이 방법은 '플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD)'이라는 첨단 공정 기술을 사용합니다. 반도체 등 다양한 전자 부품을 만드는 데 활용될 수 있는 중요한 공정 기술입니다.
이 논문은 지르코늄과 물을 이용해 아주 얇은 산화지르코늄(ZrO2) 막을 만드는 방법을 소개해요. 이 방법을 '원자층증착법'이라고 부르는데, 원자 한 층씩 쌓아서 막을 만들어요. 이렇게 만든 막은 특별한 결정 모양(사방정계)을 가지고 있어서 반도체 소자에 쓰일 수 있어요.
이 논문은 넓은 면적에 얇은 막을 균일하게 입히는 원자층 증착(ALD) 공정에서, 마이크로파로 만든 표면파 플라즈마의 위상을 바꿔가며 사용하는 방법을 연구했습니다. 이렇게 하면 플라즈마를 더 넓고 균일하게 퍼뜨릴 수 있어서 큰 면적의 반도체나 소재를 만들 때 도움이 됩니다. 즉, 장비 설계와 공정 방법을 새롭게 개선한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미늄과 티타늄이 섞인 질화막(AlTiN)을 만드는 새로운 방법을 연구했어요. 두 가지 금속 재료를 동시에 증발시켜서 알루미늄이 많이 들어간 얇고 균일한 막을 만들었습니다. 700도로 가열하면 막의 결정 구조가 변하는 것도 확인했어요.
이 논문은 갈륨산화물에 인듐을 섞어서 자외선을 감지하는 센서를 원자층증착이라는 방법으로 만드는 연구입니다. 인듐을 얼마나 넣느냐에 따라 표면 모양과 성능이 달라지는 것을 확인했습니다. 인듐을 적절히 넣은 소자가 자외선을 가장 잘 감지했습니다.
이 논문은 두 가지 금속 재료(알루미늄, 티타늄)를 동시에 증발시켜서 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 막을 만드는 연구입니다. 만들어진 막은 불순물이 적고 균일했으며, 700도로 가열하면 결정 구조가 바뀌는 것을 관찰했습니다. 이 방법은 여러 재료를 섞은 새로운 박막을 만드는 좋은 방법이 될 수 있습니다.
이 논문은 아주 작은 3차원 배터리를 만들기 위해 원자층증착법(ALD)으로 리튬티타늄산화물(Li4Ti5O12) 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 얇은 알루미늄 산화막을 중간에 넣어서 더 빠르고 튼튼한 배터리 소재를 만들었습니다. 이렇게 만든 배터리는 빠르게 충전해도 오래 쓸 수 있고, 작은 반도체 칩에 넣기 좋습니다.
이 논문은 반도체 만들 때 쓰는 아주 얇은 티타늄나이트라이드(TiN) 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 만드는 실험을 다룹니다. 암모니아(NH3) 가스를 얼마나 흘려주느냐에 따라 이 막이 식각(깎아내는 작업)을 견디는 성질이 어떻게 좋아지는지 알아봤습니다. 반도체를 더 정밀하게 만드는 데 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 회전하는 특수한 장치를 이용해 얇은 산화막을 아주 균일하게 만드는 새로운 원자층 증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 이 장비는 기판을 빠르게 돌리면서 원료 가스를 순서대로 뿌려 고품질 막을 만드는 데 초점을 맞췄습니다. 반도체나 디스플레이용 얇은 막 제작 기술 발전에 도움이 될 수 있는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 방법으로 CuO와 TiO2라는 두 물질을 얇게 쌓아 특별한 구조를 만듭니다. 이렇게 만든 구조는 아주 작은 물질도 빛으로 감지할 수 있는 센서 성능을 크게 높여줍니다. 반도체 재료를 이용해 더 민감한 화학 센서를 만드는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 HfO2 얇은 막에 란타넘(La)이라는 원소를 골고루 넣었을 때 강유전체 성질이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. La가 얼마나 균일하게 퍼져있는지가 박막의 전기적 성질에 영향을 준다는 것을 보여줍니다. 이 연구는 반도체 메모리 소자에 사용될 수 있는 중요한 재료 연구입니다.
이 논문은 질화갈륨(GaN)이라는 반도체 물질을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 과정에서 표면에서 어떤 화학 반응이 일어나는지 질량분석기로 조사했습니다. 트리에틸갈륨과 암모니아 가스를 번갈아 뿌리면 표면에서 화학반응이 일어나 에탄이라는 부산물이 생기는 것을 알아냈습니다. 이는 반도체를 만드는 정밀한 박막 제작 기술을 더 잘 이해하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 몰리브덴 산화물(MoO2, MoO3)을 원하는 부분에만 선택적으로 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 기술을 다룹니다. 이 방법을 이용하면 전극이 스스로 분리되는 구조를 만들 수 있어서, 반도체 회로를 더 정밀하게 만드는 데 도움이 됩니다. 재료, 공정, 그리고 관련 장비 기술이 모두 중요하게 다뤄집니다.
이 논문은 초음파 진동을 이용해 작은 입자들 위에 아주 얇은 막을 골고루 입히는 원자층증착(ALD) 공정을 컴퓨터 시뮬레이션(CFD-DDPM)으로 연구했어요. 입자들이 진동을 통해 잘 섞이고 코팅되는 과정을 살펴본 것입니다. 실제 장비 설계와 공정 조건을 다루는 연구예요.
이 논문은 반도체를 만들 때 특정 부분에만 얇은 막을 입히는 원자층증착(ALD) 기술을 다룹니다. 피리딘이라는 화학물질을 이용해 산화물과 질화물 표면 중 원하는 곳에만 막이 쌀 붙도록 선택성을 높이는 방법을 연구했습니다. 이를 통해 더 정밀한 반도체 소자를 만들 수 있습니다.
이 논문은 산화갈륨(Ga2O3)이라는 반도체 재료를 아주 얇은 막으로 쌓는 원자층증착(ALD) 과정을 컴퓨터 계산(DFT)으로 분석했습니다. 어떻게 원자들이 표면에 붙고 반응하는지 그 원리를 밝혀내는 연구입니다. 실제 실험 대신 컴퓨터 시뮬레이션으로 화학 반응 과정을 이해하는 데 초점을 맞췄습니다.
이 논문은 인듐을 살짝 섞은 갈륨산화물(Ga2O3)이라는 특별한 재료를 플라즈마 원자층증착(ALD) 장비로 아주 얇게 만드는 연구입니다. 이 재료로 눈에 보이지 않는 자외선(태양광에는 없는 파장)만 감지하는 센서를 만들었습니다. 반도체 제조 장비와 공정을 함께 다루는 중요한 연구입니다.
이 논문은 갈륨나이트라이드(GaN)라는 반도체 재료를 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 과정을 컴퓨터로 계산해서 연구했습니다. 트리메틸갈륨과 암모니아라는 두 가지 화학물질이 표면에서 어떻게 반응하는지 분자 단위로 살펴봤습니다. 이를 통해 반도체 만드는 공정을 더 잘 이해할 수 있게 됩니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 산화갈륨(Ga2O3)이라는 물질을 아주 얇게 쌓아서 자외선을 감지하는 센서를 만든 연구입니다. 이 센서는 자외선을 잘 감지하는 성능을 가지고 있습니다. 반도체 소재를 이용한 빛 감지 장치에 관한 내용입니다.
이 논문은 아주 작은 반도체 알갱이인 InAs 양자점의 표면을 보호하는 새로운 방법을 소개해요. 디에틸아연이라는 화학물질을 이용한 원자층증착(ALD) 기술로 표면을 거의 손상시키지 않고 코팅했어요. 이렇게 하면 양자점이 더 오래, 더 잘 작동할 수 있게 돼요.
이 논문은 수은텔루라이드(HgTe)라는 작은 양자점 필름이 열에 약해서 성질이 나빠지는 것을 막기 위해, 알루미나(Al2O3)라는 얇은 보호막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 뜨거운 온도에서도 빛을 흡수하는 성질이 잘 유지되고, 전기적으로도 더 좋은 특성을 갖게 됩니다. 이 결과는 나중에 광전자 소자를 만들 때 유용하게 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)에서 가스를 뿌려주는 '샤워헤드' 부품의 모양을 컴퓨터로 빠르게 설계하는 방법을 연구했습니다. 인공지능(그래프 신경망)을 이용해 여러 모양을 몇 초 만에 평가하고, 물리 법칙을 지키면서 가장 균일하게 가스를 뿌리는 고리 모양 구조를 찾아냈습니다. 기존 방식보다 훨씬 좋은 균일도를 얻어 반도체 제조 장비 설계에 도움이 됩니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)로 실리콘 위에 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 만들고 그 특성을 조사했습니다. 표면이 매끄럽고 절연 성질이 뛰어나서 반도체 소자의 게이트 절연막으로 쓸 수 있다는 것을 보여줍니다. 전자 에너지 구조를 자세히 분석해 앞으로 반도체 연구에 참고 자료로 쓸 수 있게 했습니다.
이 논문은 공간형 원자층 증착(Spatial ALD) 장비 안에서 가스가 어떻게 흐르는지를 컴퓨터로 계산하는 방법을 연구했어요. 이를 통해 증착 장비의 챔버를 더 잘 설계하고 공정을 조절하는 방법을 찾으려고 했습니다. 반도체를 만드는 과정에서 중요한 장비와 공정 기술을 다루는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 방법으로 산화알루미늄, 갈륨산화물, 구리를 층층이 쌓아 특별한 전자소자(쇼트키 다이오드)를 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 소자가 뜨거운 온도에서도 잘 작동하는지 알아보았습니다. 반도체를 더 튼튼하게 만드는 방법을 찾는 연구예요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미늄이 섞인 산화아연(AZO) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 알루미늄을 얼마나 넣느냐에 따라 이 막의 전기적인 성질이 어떻게 바뀌는지 알아봤습니다. 이는 반도체나 디스플레이 소자를 만들 때 중요한 정보가 됩니다.
이 논문은 실리콘 표면 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 하프늄산화물(HfO2) 얇은 막을 어떻게 만드는지 연구했습니다. 특별한 화학 물질(TEMAH)을 사용해서 막이 자라는 원리를 알아냈어요. 이는 반도체 칩을 만드는데 중요한 기술입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 정밀하게 쌓는 기술로 알루미늄을 넣은 산화아연(ZnO) 박막을 만드는 연구입니다. 알루미늄의 양을 다르게 넣으면 전기가 흐르는 정도가 어떻게 달라지는지를 살펴봤습니다. 이 결과는 반도체나 디스플레이 소자를 만드는 데 활용될 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 아주 작은 구멍이 많은 판(마이크로채널판) 위에 Al2O3와 ZnO 얇은 막을 골고루 입히는 실험을 다룹니다. 가스를 얼마나 오래 넣어주는지(펄스 시간)에 따라 막이 얼마나 균일하게 만들어지는지 살펴봤습니다. 이는 정밀한 코팅 공정 기술을 연구하는 논문입니다.
이 논문은 아연과 실리콘을 섞은 산화물로 얇은 막을 만들어 수분을 막아주는 필름을 연구했어요. 이 막은 플라즈마 원자층 증착이라는 특별한 방법으로 만들어졌고, 세균도 막아주는 기능이 있어요. 디스플레이 등 전자제품을 보호하는데 쓰일 수 있어요.
이 논문은 실리콘 위에 원자층증착법(ALD)으로 에르븀을 넣은 게르마늄산화물(GeO2) 얇은 막을 만든 연구입니다. 열처리 온도를 다르게 하면서 막의 성질과 빛을 내는 정도(전계발광)가 어떻게 변하는지 살펴봤습니다. 반도체 소자에 쓰일 수 있는 발광 물질을 만드는 방법을 연구한 것입니다.
이 논문은 하나의 특별한 화학 물질(단일 소스 전구체)만 사용해서 하프늄과 실리콘이 섞인 얇은 막을 만드는 방법을 연구했습니다. 이 방법은 원자층 하나씩 쌓아서 아주 얇고 균일한 막을 만드는 ALD 기술을 사용합니다. 이런 얇은 막은 반도체 칩을 만들 때 매우 중요하게 쓰입니다.
이 논문은 아주 좁고 긴 통로에 얇은 막을 균일하게 입히는 ALD 공정을 컴퓨터로 모의실험한 연구입니다. 기체 분자가 얼마나 자유롭게 움직이는지를 나타내는 '크누센 수'에 따라 막이 얼마나 깊이, 어떻게 퍼지는지 분석했습니다. 이를 통해 공정 조건을 더 잘 예측할 수 있는 새로운 계산 방법을 제안했습니다.
이 논문은 OLED 화면을 보호하는 얇은 막을 만드는 특수한 원자층 증착 방법을 다룹니다. 공기 중에서도 빠르고 균일하게 막을 쌓는 장비와 공정 조건을 연구했습니다. 이를 통해 더 좋은 보호막을 만들 수 있는 방법을 제시합니다.
이 논문은 아주 좁고 긴 틈에 얇은 막을 균일하게 입히는 ALD(원자층 증착) 기술을 컴퓨터로 시뮬레이션한 연구입니다. 기체 분자가 얼마나 자유롭게 움직이는지(크누센 수)에 따라 코팅이 얼마나 깊이, 얼마나 균일하게 퍼지는지 계산했습니다. 이를 통해 실제 반도체 제조 공정에서 코팅 두께를 예측하는 방법을 제안했습니다.
이 논문은 아주 얇은 알루미늄 산화막(알루미나)을 원하는 곳에만 선택적으로 쌓는 ALD 공정에서, 원치 않는 곳에 재료가 붙는 것을 막기 위한 전구체(재료 원료물질) 설계 원리를 연구했습니다. 화학 결합의 세기, 입체적 방해, 분자끼리 뭉치는 성질 등을 컴퓨터 계산으로 분석해서 어떤 전구체가 더 잘 선택적으로 붙는지 알아냈습니다. 이를 바탕으로 더 좋은 알루미늄 전구체를 만드는 방법을 제안했습니다.
이 논문은 코발트를 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 공정에서 쓰이는 화학물질(전구체)이 어떻게 반응하는지 연구했습니다. 두 가지 다른 화학 구조를 비교해서 어떤 것이 불순물을 덜 남기고 더 잘 붙는지 알아냈습니다. 이를 통해 더 좋은 반도체용 코발트 박막을 만드는 방법을 제안합니다.
이 논문은 반도체 만들 때 원하는 곳에만 얇은 막을 쌓는 '선택적 원자층 증착' 기술에서, 작은 억제제 분자가 표면을 막아주는 원리를 컴퓨터 계산으로 분석했습니다. 이 억제제 막이 완벽하게 막아주지 못하고 시간이 지나면 조금씩 반응해서 뚫리는 이유를 밝혀냈습니다. 이 결과는 앞으로 더 선택적인 증착 공정을 만드는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 특별한 물(플라즈마로 활성화된 물, PAW)을 사용해서 알루미늄 산화막(Al2O3)을 얇게 쌓는 새로운 방법을 연구했어요. 이 물을 쓰면 낮은 온도에서도 막이 더 빨리, 더 두껍게 자라난다는 것을 발견했어요. 특히 물 속의 질산 성분이 이런 효과를 만드는 데 중요한 역할을 한다는 것을 알아냈어요.
이 논문은 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 방법으로 알루미늄 질화물(AlN) 박막을 만들 때, 미리 플라즈마로 처리하면 막의 품질이 좋아진다는 것을 보여줍니다. 플라즈마 사전 처리라는 공정 단계와 장비의 플라즈마 소스가 중요한 역할을 합니다. AlN은 반도체 소자에 자주 쓰이는 재료입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 만든 HfO2 얇은 막에 티타늄(Ti)을 살짝 섞었을 때 결정 구조와 전기적 성질이 어떻게 바뀌는지 연구했어요. Ti를 넣으면 막의 결정 모양이 달라지고 전기가 흐르는 특성도 변한다는 것을 알아냈습니다. 이 연구는 반도체 메모리 소자를 만드는 데 중요한 정보를 제공해요.
이 연구는 알루미늄 산화막을 만드는 원자층증착(ALD) 과정에서 사용하는 알루미늄 화합물들이 하나짜리(단량체)인지 두개가 붙은 형태(이량체)인지를 컴퓨터 계산으로 알아냈어요. 어떤 화합물은 항상 하나로 쪼개져 있고, 어떤 화합물은 두개가 붙어있는 것을 발견했습니다. 이는 반도체를 만들 때 특정 부분에만 얇은 막을 쌓는 기술을 더 잘 이해하는데 도움을 줍니다.
이 논문은 얇은 막을 원자 단위로 쌓는 ALD 공정을 더 잘 조절하는 방법을 연구했어요. 실시간으로 가스를 분석하는 특수 장비(사중극자 질량분석기)를 이용해서 공정 중 반응을 관찰하고 최적의 조건을 찾는 방법을 제안했어요. 이렇게 하면 반도체 만들 때 필요한 얇은 막을 더 정확하게 만들 수 있어요.
이 논문은 코발트라는 금속을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 방법에 쓰이는 화학물질(전구체)에 대해 연구했어요. 두 가지 종류의 화학물질을 비교해서 어떤 것이 더 깨끗하고 낮은 온도에서 잘 붙는지 알아봤습니다. 이 연구는 반도체를 만들 때 더 좋은 코팅 재료를 개발하는 데 도움을 줍니다.
이 논문은 트리메틸알루미늄과 아세톤이라는 두 재료를 사용해서 원자층 증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 알루미늄 산화막(Al2O3)을 만드는 방법을 연구했습니다. ALD는 원자 하나하나 층을 쌓듯이 매우 정밀하게 얇은 막을 만드는 특별한 공정입니다. 이런 얇은 막은 반도체 같은 첨단 전자제품을 만들 때 아주 중요하게 쓰입니다.
이 논문은 코발트라는 금속을 아주 얇게 쌓는 원자층 증착(ALD) 방법에서 사용하는 화학 물질(전구체)의 반응 원리를 연구했습니다. 두 가지 다른 화학 구조를 비교해서 어떤 것이 더 낮은 온도에서 잘 붙고 불순물이 적은지 알아냈습니다. 이는 반도체를 만들 때 더 좋은 금속 박막을 만드는 데 도움이 됩니다.
이 연구는 헤마타이트(산화철)라는 물질을 얇은 막으로 만들 때, 두 가지 다른 방법(ALD와 PVD+열처리)으로 만든 막의 전기적 성질을 비교했습니다. 막이 두꺼워질수록 특정 전압 값이 변하는 것을 발견했고, PVD+열처리 방법이 ALD의 대안이 될 수 있음을 보였습니다. 이는 태양전지 등에 쓰이는 얇은 막 재료 연구에 도움이 됩니다.
이 논문은 12인치 실리콘 웨이퍼 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 HfZrO2라는 특수한 강유전체 재료를 얇게 입혀 커패시터를 만드는 연구입니다. 웨이퍼 전체에서 전기적 성질이 얼마나 균일한지를 분석했습니다. 이는 메모리 반도체 소자 개발에 중요한 기초 연구입니다.
이 논문은 티타늄 질화물(TiN)이라는 특수한 얇은 막을 세 가지 다른 방법(펄스 직류 스퍼터링, 열 원자층 증착, 플라즈마 원자층 증착)으로 만들어 비교했습니다. 자외선부터 적외선까지 다양한 빛에 대해 이 막이 어떻게 반응하는지 살펴본 연구입니다. TiN은 빛을 반사하거나 흡수하는 특성이 좋아서 광학 소자에 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 실리콘과 탄소 표면 위에 특수한 화학막(자기조립단층막)을 씌워서 SiO2라는 얇은 막을 원하는 곳에만 골라서 쌓는 방법(ALD)을 연구했어요. 실리콘 표면에는 SiO2가 잘 붙고 탄소 표면에는 안 붙게 만드는 실험이에요. 반도체 칩을 더 정밀하게 만드는 데 도움이 되는 기술이에요.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 방법으로 산화인듐(인듐 옥사이드) 박막을 만드는 연구입니다. 액체 상태의 반응이 잘 되는 원료 물질과 산소 반응 물질의 종류를 바꿔가며 박막의 성질이 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 이를 통해 디스플레이나 반도체에 쓰이는 투명한 전도성 필름을 더 잘 만들 수 있는 방법을 찾으려 했습니다.
이 논문은 그래핀이라는 아주 얇은 탄소 소재 위에 특수한 방법(플라즈마 원자층 증착)으로 산화알루미늄이라는 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 잘 붙지 않는 문제를 해결하기 위해 중간층을 먼저 살짝 깔아주는 기술을 사용했습니다. 이는 반도체 소자를 만드는데 중요한 기초 기술입니다.
이 논문은 실리콘 표면을 미리 어떻게 처리하는지가 원자층증착(ALD)으로 만든 산화알루미늄(AlOx) 막의 계면 구조와 성능에 어떤 영향을 주는지 연구했어요. 표면 처리 방법에 따라 태양전지에서 중요한 '패시베이션'(전기적 손실을 줄이는 효과)이 달라진다는 것을 보여줍니다. 이는 태양전지 효율을 높이는 데 중요한 정보가 됩니다.
이 논문은 그래핀 위에 특정 부분에만 빛나는 유로피움 유기막을 정밀하게 쌓는 새로운 방법을 소개해요. 레이저로 그래핀 표면을 미리 활성화시켜 원하는 곳에만 90% 이상 정확하게 막을 만들었어요. 이렇게 만든 막은 예쁜 빛을 내고, 센서나 광학 소자 칩에 쓸 수 있어요.
이 논문은 GaN이라는 반도체 재료 위에 산화알루미늄이라는 얇은 막을 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 방법으로 입혀서 전기가 잘 통하는 부분(오믹 접촉)을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 소자는 수직형 쇼트키 다이오드라는 전자부품으로 사용될 수 있습니다. 반도체 소자 성능을 높이기 위한 박막 증착 공정을 다루고 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 산화인듐 얇은 막을 더 빨리 만드는 새로운 방법을 소개해요. 새로운 재료(전구체)와 반응 가스를 나눠서 넣는 특별한 방식을 사용했어요. 이렇게 하면 반도체나 디스플레이에 쓰이는 투명한 막을 더 빠르고 효율적으로 만들 수 있어요.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(PEALD) 방법으로 에르븀 산화물이라는 특수한 재료를 얇게 입히는 실험을 다룹니다. 기판의 온도를 다르게 하면 이 산화물의 성질과 빛을 내는 원리가 어떻게 변하는지 알아봅니다. 반도체 재료 연구에 도움이 되는 내용입니다.
이 논문은 아연과 마그네슘을 섞은 산화물(ZnMgO) 얇은 막을 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 만드는 연구입니다. 이 막의 구조와 강유전성(전기적 특성)을 살펴봤습니다. 반도체 소재 개발에 도움이 되는 기초 연구입니다.
이 논문은 코발트라는 금속을 아주 얇게 쌓는(원자층 증착) 방법에 쓰이는 화학 물질(전구체)의 반응 원리를 연구했어요. 실험과 컴퓨터 계산을 이용해서 어떤 화학 구조가 더 낮은 온도에서 잘 반응하고 불순물을 덜 남기는지 알아냈습니다. 이는 반도체를 만들 때 더 깨끗하고 정밀하게 금속층을 쌓는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 산화니오븀(Nb2O5)이라는 얇은 막을 만들 때 두 가지 방법(열 방식과 플라즈마 방식)을 비교했습니다. 플라즈마 방식으로 만들면 막이 더 촘촘하고 불순물이 적었지만, 나중에 뜨겁게 가열하면 오히려 산소가 부족한 부분이 생긴다는 것을 발견했습니다. 즉, 어떤 산소 재료를 쓰느냐에 따라 막의 특성과 나중 변화가 달라진다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 Sb2Te3와 SnSe2를 번갈아 쌓은 얇은 막을 만드는 연구입니다. SnSe2 층을 넣으면 Sb2Te3가 더 잘 자라고, 두 물질의 원자가 서로 섞이면서 열이 잘 전달되지 않는 특성이 생긴다는 것을 밝혔습니다. 이를 통해 나노구조를 조절해 열전달을 줄이는 새로운 박막 설계 방법을 제시했습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(PEALD)으로 4H-SiC 기판 위에 갈륨질화물(GaN) 얇은 막을 어떻게 키우는지 연구했어요. 반도체 재료로 쓰이는 GaN이 기판 위에서 어떤 방식으로 성장하는지 알아보는 것이 목적입니다. 이런 연구는 더 좋은 반도체 소자를 만드는 데 도움이 됩니다.
구부러지는 플라스틱(폴리이미드) 위에 산화인듐(In2O3) 얇은 막을 이용해 트랜지스터를 만드는 연구입니다. 대기압에서 빠르게 얇은 막을 쌓는 '공간분리형 원자층증착' 기술을 사용해서 전자 이동 속도가 빠르고 생산성도 높은 트랜지스터를 만들었습니다. 이 기술은 휘어지는 디스플레이 같은 곳에 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 TDMAS라는 물질을 이용해 플라즈마 원자층증착(PEALD)으로 실리콘 산화막(SiOx)을 낮은 에너지로 만드는 방법을 연구했습니다. 플라즈마 산화 시간과 산소·아르곤 가스 비율을 바꿔가며 막의 화학 구조와 성분을 분석했습니다. 그 결과 짧은 산화 시간과 산소+아르곤 조합이 더 좋은 SiOx막을 만드는데 유리하다는 것을 밝혔습니다.
이 연구는 산화아연(ZnO)이라는 반도체 박막을 200mm 실리콘 웨이퍼 위에 원자층증착(ALD)으로 만드는 방법을 다룹니다. 기존에 쓰던 위험한 재료(DEZ) 대신 더 안전한 새로운 재료([Zn(DMP)2])를 사용해서 비슷한 품질의 막을 만들 수 있음을 보여줍니다. 온도를 다르게 하며 실험한 결과, 높은 온도에서 더 좋은 결정 구조와 전기적 특성을 얻을 수 있었습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 쌓는 방법으로 코발트 필름을 만드는 방법을 연구했어요. 만든 코발트 막이 어떤 특징을 가지는지, 또 실리사이드라는 화합물이 어떻게 만들어지는지도 살펴봤어요. 이 기술은 반도체 칩을 만드는 데 중요하게 쓰일 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 티타늄이 섞인 산화철(TixFe2-xO3) 얇은 막을 만들어 태양광으로 물을 분해하는 광전극 소재를 연구했습니다. 증착 온도, 사이클 비율 같은 공정 조건을 통계적 방법(RSM)으로 최적화해서 전류 반응을 가장 좋게 만드는 조건을 찾았습니다. 결과적으로 막의 두께와 티타늄 농도가 성능에 가장 큰 영향을 준다는 것을 밝혔습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 금속과 금속 산화물 얇은 막을 만드는 과정을 표면과학 관점에서 연구한 보고서입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없지만, 반도체 등에 쓰이는 얇은 막을 어떻게 정밀하게 쌓는지 다루는 것으로 보입니다. 구체적인 재료나 실험 조건은 확인되지 않았습니다.
이 논문은 열 원자층 증착(ALD) 방법으로 코발트(Co) 박막을 만드는 공정을 연구합니다. 또한 이렇게 만든 코발트 막이 실리사이드 막으로 바뀌는 과정도 살펴봅니다. 반도체 소자의 배선이나 접촉 재료로 쓰일 수 있는 중요한 공정 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 티타늄이 섞인 산화철(TixFe2-xO3) 얇은 막을 만들어 태양광으로 물을 분해하는 광전극을 연구했습니다. 증착 조건(온도, 두께, 티타늄 비율)을 컴퓨터로 최적화해서 전기가 가장 잘 흐르는 조건을 찾았습니다. 결과적으로 막 두께와 티타늄 양이 전류 성능에 가장 큰 영향을 준다는 것을 알아냈습니다.
이 논문은 열을 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 게르마늄, 황, 셀레늄을 섞은 특수한 재료를 아주 얇게 쌓는 기술을 소개합니다. 이 재료는 3차원으로 쌓인 메모리 칩에서 스위치 역할을 하는 부품(OTS 셀렉터)을 만드는 데 사용됩니다. 반도체 메모리를 더 작고 성능 좋게 만드는 데 도움을 주는 연구입니다.
이 논문은 지방산(스테아르산) 얇은 막을 이용해 ZnO 표면 위에만 TiO2를 선택적으로 쌓는 원자층증착(ALD) 방법을 연구했습니다. 마찰력 현미경으로 표면을 관찰해 왜 선택성이 깨지는지 원인을 분석했습니다. 이는 반도체 소재의 정밀한 패턴 형성 기술 개발에 도움이 됩니다.
이 논문은 산화알루미늄(Al2O3) 박막을 만드는 플라즈마 원자층 증착(PEALD) 과정에서 사용하는 아르곤 플라즈마의 특성을 연구했어요. 플라즈마의 전기적 성질과 온도, 입자 상태를 조사해서 최적의 플라즈마 조건을 찾았습니다. 플라즈마에서 생긴 OH 라디칼이 박막을 더 좋은 결정 구조로 만드는 데 중요한 역할을 한다는 것을 알아냈어요.
새로운 갈륨 전구체(DBADMGa)를 이용해 넓은 온도 범위에서 산화갈륨(Ga2O3) 박막을 원자층 증착으로 만드는 연구입니다. 이 박막은 매우 투명하고 깊은 구멍 구조에도 골고루 잘 덮이는 특성을 보입니다. 이 기술로 만든 갈륨을 포함한 트랜지스터는 전기적 특성을 정밀하게 조절할 수 있음을 보였습니다.
이 논문은 실리콘 웨이퍼 표면에 특정 화학물질(TDMAMS)을 미리 발라서 특정 부분에만 산화아연(ZnO) 박막이 자라도록 하는 기술을 연구했습니다. 이렇게 하면 원하는 곳에만 선택적으로 얇은 막을 입힐 수 있어서 반도체 만들 때 유용합니다. 열을 가했을 때 이 화학물질이 얼마나 잘 버티는지도 실험으로 확인했습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법으로 니오븀을 넣은 이산화티타늄 얇은 막을 만드는 연구입니다. 니오븀을 얼마나 넣는지와 열처리(어닐링)를 어떻게 하는지에 따라 막의 구조, 빛을 통과시키는 성질, 전기적 성질이 어떻게 변하는지 알아봅니다. '슈퍼사이클'이라는 특별한 방법을 사용해서 도핑 비율을 조절합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 II-VI족 화합물을 얇게 쌓아 전자를 특정 방향으로 회전시키는 특별한 전자 공급원을 만드는 연구입니다. 이런 전자 공급원은 반도체나 센서 등 첨단 기기에 쓰일 수 있습니다. 다만 초록이 없어 구체적인 공정 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 아주 얇은 ZnO와 알루미늄을 넣은 ZnO(AZO) 막을 만들어서 투명한 필름 히터를 만드는 연구입니다. 이 필름은 투명하면서도 전기가 통해서 열을 낼 수 있습니다. 창문이나 화면을 뜨겁게 데우는 투명 발열체로 쓸 수 있어요.
이 논문은 아주 얇은 산화하프늄(HfO2) 절연막을 ALD라는 방법으로 만들어 박막 트랜지스터에 적용한 연구입니다. 절연막의 두께가 낮은 전압에서도 트랜지스터가 잘 작동하는 데 어떤 영향을 주는지 살펴봅니다. 반도체 소자 성능 향상에 도움이 되는 연구입니다.
이 논문은 텅스텐 박막을 아주 얇게 쌓는 ALD(원자층증착) 공정의 첫 단계를 자세히 연구했습니다. 텅스텐 원료 물질(BTBMW)이 실리콘 표면과 어떻게 반응하는지 분자 수준에서 알아보기 위해 비슷한 분자를 만들어 비교했습니다. 그 결과 이 원료가 표면과 골고루, 효율적으로 반응해서 얇은 텅스텐 막을 만들 수 있다는 것을 밝혔습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착법(ALD)으로 니켈산화물(NiO)과 니켈탄화물(Ni3C) 박막을 만드는 새로운 방법을 연구했어요. 플라즈마의 세기를 조절하면 만들어지는 물질의 종류와 결정 구조가 달라진다는 것을 발견했습니다. 이 방법은 기존보다 더 빠르게 박막을 만들 수 있어서 전자재료 제작에 유용할 것으로 기대됩니다.
이 연구는 특수한 증착 방법(PE-ALD)을 이용해 실리콘 위에 GaN과 InGaN이라는 얇은 반도체 막을 만들었습니다. 이 막들은 빛을 감지하는 센서로 사용할 수 있으며, 빛에 반응하는 속도와 성질을 자세히 분석했습니다. 결과적으로 두 물질 모두 광센서로 활용 가능성이 높다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 반도체 재료인 질화갈륨(GaN)을 두 가지 방법(ALD, CVD)으로 얇게 입힐 때 환경에 얼마나 영향을 주는지 분석했어요. 전기 사용량과 특정 화학물질이 환경에 큰 영향을 미치며, ALD가 CVD보다 온도는 낮지만 오히려 환경 부담이 더 크다는 것을 발견했어요. 실리콘 기판까지 고려하면 환경 영향의 중심이 기판 제조 쪽으로 옮겨진다는 것도 알아냈어요.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 방법을 이용해 In2O3라는 얇은 씨앗층 위에 SnS라는 반도체 박막을 특별한 결정 구조(입방형)로 만드는 연구입니다. 씨앗층을 사용하면 SnS 박막이 더 잘 자라도록 도와줄 수 있습니다. 이 기술은 태양전지나 반도체 소자에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 아주 얇은 막을 한 층씩 쌓는 원자층증착(ALD)이라는 기술에 인공지능(머신러닝)을 적용해서 공정을 더 똑똑하게 예측하고 개선하는 방법을 다룹니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 반도체 만들 때 쓰이는 중요한 공정 기술과 관련이 있습니다. 컴퓨터가 실험 데이터를 배워서 최적의 조건을 찾아주는 연구로 보입니다.
이 논문은 속이 빈 금속관 모양의 특수 플라즈마 장치를 이용해 결정성 있는 산화니켈(NiO) 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 산화니켈 막은 전기가 특정 방향으로만 흐르는 p형 반도체 성질을 가집니다. 새로운 장비 구조와 공정 조건을 사용해 더 좋은 품질의 박막을 만드는 연구입니다.
이 논문은 새로 설계한 플라즈마 강화 원자층증착(ALD) 장비로 산소가 섞이지 않은 순수한 불화마그네슘(MgF2) 얇은 막을 만드는 방법을 다룹니다. 특별한 장비 설계 덕분에 불순물 없는 깨끗한 막을 얻을 수 있었습니다. 이 기술은 얇고 균일한 코팅이 필요한 분야에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 알루미늄과 아연을 섞은 금속층과 산화알루미늄층을 번갈아 쌓아서 아주 얇은 여러 겹의 막을 만드는 연구입니다. 스퍼터링(PVD)과 원자층증착(ALD)이라는 두 가지 방법을 함께 사용해서 층과 층 사이의 경계를 더 정교하게 만들었습니다. 이렇게 하면 필름의 성질을 더 세밀하게 조절할 수 있습니다.
이 논문은 아주 얇은 금속막을 한 층씩 쌓는 원자층증착(ALD) 장비에 대한 최종 보고서입니다. 하지만 자세한 설명(초록)이 없어서 정확히 어떤 실험을 했는지는 알기 어렵습니다. 그래도 장비와 공정을 다루는 연구라는 것은 짐작할 수 있습니다.
이 논문은 얇은 산화알루미늄 위에 산화아연(ZnO)을 아주 얇게 쌓는 원자층증착(ALD) 과정을 연구했어요. 처음에는 ZnO가 작은 섬처럼 뭉쳐서 자라다가 곧 전체를 덮는 막이 된다는 것을 발견했습니다. 이런 성장 방식이 빛을 내는 성질(발광 특성)에 영향을 준다는 것을 보여줬어요.
이 논문은 다이아몬드 표면을 어떻게 처리하느냐에 따라 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막 코팅 방법이 시작되는 방식이 달라진다는 것을 연구했어요. 표면의 성질(터미네이션)이 막이 잘 붙는지 안 붙는지에 영향을 준다는 내용이에요. 반도체나 정밀 재료 연구에 도움이 되는 기초 연구예요.
이 논문은 특정 부분에만 얇은 막을 쌓는 '면적 선택적 원자층 증착' 기술을 다룹니다. 원하지 않는 부분을 미리 막아주는 스테아르산이라는 물질의 얇은 막(자기조립단분자막)을 부드럽게 제거하는 방법을 연구했습니다. 이를 통해 반도체 소자를 만들 때 더 정밀하게 원하는 곳에만 물질을 입힐 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 과정에서 다공성 기판의 온도가 어떻게 변하는지 컴퓨터로 계산한 연구입니다. 실제 실험 없이 수학적 모델을 이용해 온도 변화를 예측했습니다. 이를 통해 ALD 공정을 더 잘 이해하고 개선하는 데 도움을 줄 수 있습니다.
이 논문은 3D 프린팅으로 만든 물건 위에 원자층 증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 입히는 기술로 전기 회로를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 하면 센서에 필요한 회로를 3D 프린터로 만든 모양에 바로 만들 수 있습니다. 초록이 제공되지 않아 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 MgO라는 물질의 표면에서 특정 부분만 물에 반응하게 만들어서, 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 씌우는 방법을 조절하는 연구입니다. 표면의 어느 자리가 반응을 잘하는지 알아내면 원하는 곳에만 정밀하게 막을 입힐 수 있습니다. 이는 반도체 같은 작은 부품을 만들 때 유용하게 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 Al2O3와 ZnO 막을 미세채널판 위에 만드는 실험을 다룹니다. 펄스 시간을 다르게 조절하면 막이 얼마나 균일하게 만들어지는지 살펴봤습니다. 즉, 공정 조건(펄스 시간)이 얇은 막의 품질에 어떤 영향을 주는지 연구한 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 기술을 이용해 은으로 만든 나뭇가지 모양 구조물을 기판에 잘 붙게 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 구조는 아주 작은 물질을 탐지하는 센서(SERS)로 사용할 수 있습니다. 접착력이 좋아서 쉽게 떨어지지 않는 것이 장점입니다.
이 논문은 베릴륨 산화물이라는 얇은 막을 낮은 온도에서 원자 단위로 아주 얇게 쌓는 새로운 방법을 연구했어요. 재료를 조금씩 나누어 넣는 특별한 방법을 사용해서 더 좋은 막을 만드는 방법을 찾았어요. 이런 기술은 반도체 같은 첨단 전자제품을 만드는 데 활용될 수 있어요.
이 논문은 탄소나노섬유, MXene, MoS2를 층층이 쌓아 만든 특수한 에어로젤 재료를 원자층증착(ALD) 기술로 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 재료는 전자파(마이크로파)를 아주 잘 흡수하는 성질을 가집니다. 여러 재료를 정교하게 쌓는 ALD 공정이 핵심 역할을 합니다.
이 논문은 리튬이온배터리의 니켈이 많이 들어간 양극재(NMC811)를 더 오래, 더 안전하게 쓰기 위해 표면에 ZrO2라는 얇은 막을 씌우는 연구입니다. 가루 상태에서 코팅하는 방법과 전극 상태에서 코팅하는 방법을 비교했는데, 가루 상태로 코팅했을 때 더 균일하게 막이 형성되어 배터리 성능이 더 좋았습니다. 이를 통해 배터리의 수명과 안정성을 높이는 새로운 코팅 전략을 제시했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 아주 얇게 쌓는 기술로 알루미늄 산화물(Al2O3)을 만드는 과정을 연구했어요. 특히 카벤이라는 특수한 작은 분자를 사용해서 막이 특정 곳에는 붙지 않도록 막아주는 억제제 역할을 어떻게 하는지 알아봤어요. 이를 통해 반도체를 만들 때 필요한 부분에만 정확하게 막을 씌우는 방법을 더 잘 이해할 수 있어요.
이 논문은 원자층증착(ALD)으로 얇은 이황화몰리브덴(MoS2) 막을 만들고, 이를 질소 가스로 처리해서 질화몰리브덴(MoN) 나노시트로 바꾸는 새로운 방법을 소개해요. 즉, 얇은 재료를 만드는 새로운 화학적 방법을 연구한 논문이에요. 초록이 없어서 자세한 성능 결과는 알 수 없어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 니켈옥사이드(산화니켈) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 니켈 원료(NiCp2)와 오존(O3)을 사용해서 막을 층층이 쌓았습니다. 이렇게 만든 막은 색이 변하는 전기변색(스마트유리 같은) 기술에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 ZnO(산화아연) 얇은 막을 특별한 방법(공간 원자층 증착법)으로 만들면서, 휘발성 화학물질을 이용해 막의 결정 방향과 표면 성질을 조절하는 연구입니다. 이렇게 하면 반도체나 센서 등에 쓰일 더 좋은 성질의 얇은 막을 만들 수 있습니다. ALD 장비의 증착 방식과 화학물질 사용법이 핵심적으로 다뤄집니다.
이 논문은 세리아 나노입자 표면에 알루미나와 산화아연 얇은 막을 원자층 증착법으로 입히는 연구입니다. 특별히 만든 유동층 반응기 장비를 사용해서 자외선을 막는 성질을 조절할 수 있게 만들었습니다. 재료, 공정, 장비 설계가 모두 중요하게 다뤄진 논문입니다.
이 논문은 알루미늄-니켈 합금과 산화알루미늄 박막을 번갈아 쌓아 나노 적층 구조를 만드는 연구입니다. 물리적 증착(PVD)과 원자층 증착(ALD)을 함께 사용해서 두 층 사이의 경계(인터페이스)를 더 잘 조절하는 방법을 제안했습니다. 초록이 없어 세부 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 아주 작은 구멍(나노기공)을 뚫은 필름 위에 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 얇은 막을 덧입혀서 그 구멍의 성질과 안정성을 알아본 연구입니다. ALD 코팅으로 나노기공의 크기나 표면 특성이 어떻게 바뀌는지 살펴봅니다. 이런 나노기공은 센서나 미세 필터 같은 곳에 쓰일 수 있습니다.
이 논문은 3D 나노 구조 ITO 전극 위에 백금을 얇게 코팅해서 과산화수소를 아주 정밀하게 감지하는 센서를 만든 연구입니다. 원자층 증착(ALD)과 경사각 증착(GLAD) 기술을 이용해 백금이 ITO 기둥을 고르게 덮도록 했습니다. 이 센서는 아주 적은 양의 과산화수소도 빠르고 정확하게, 50일 동안 안정적으로 검출할 수 있었습니다.
이 논문은 작은 ITO 나노입자 표면에 얇은 산화물 막을 원자 단위로 씌우는 콜로이드 ALD 기술을 다룹니다. Al2O3, TiO2, Ga2O3 같은 껍질을 입히면 나노입자 표면의 결함이 줄어들어 빛과 전기적 성질이 좋아진다는 것을 보여줍니다. 용액 속에서도 나노입자가 잘 퍼져 있도록 유지하면서 성능을 높이는 방법을 연구한 기초 재료과학 논문입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 알레인(AlH3) 박막을 만들고 그 표면 모양과 성분을 분석한 연구입니다. 이 박막은 수소를 저장하는 에너지 기술에 활용될 수 있습니다. 특정 장비 구조보다는 재료의 특성 분석에 초점을 맞췄습니다.
이 논문은 감마-알루미나(Γ-Al2O3) 표면에 있는 탄산염 불순물을 제거하면 백금(Pt) 원자층 증착(ALD)이 더 잘 시작된다는 것을 연구했습니다. 표면을 깨끗하게 만들수록 백금 원자들이 더 쉽게 달라붙기 시작한다는 뜻입니다. 이는 촉매나 나노소재를 만들 때 중요한 기초 공정 연구입니다.
이 연구는 레이저로 아주 작은 렌즈 모양을 정밀하게 만들고, 그 위에 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 얇은 산화막(알루미늄산화물, 티타늄산화물)을 코팅했습니다. 이렇게 하면 빛이 반사되지 않고 더 잘 통과해서 투명도가 99.9%까지 좋아집니다. 이 기술은 아주 작은 광학 렌즈나 광통신 부품을 만드는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 상온에서 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 ZnO 막이 빛을 받으면 오염 물질을 분해하는 광촉매 성질을 얼마나 잘 가지는지 알아봅니다. 즉, 얇은 막을 만드는 공정과 그 막의 특성을 함께 연구한 논문입니다.
이 논문은 SBA-15라는 다공성 물질 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 금속 산화물 얇은 막을 만들고 그 두께를 측정하는 방법을 다룹니다. ALD는 원자 단위로 아주 얇은 막을 정밀하게 쌓는 특별한 기술입니다. 이 연구는 그 막이 얼마나 두꺼운지 정확히 알아내는 방법을 연구한 것입니다.
이 논문은 나노 입자 표면에 아주 얇은 금속 산화물 막을 씌우는 새로운 원자층 증착(ALD) 방법을 소개합니다. 특수하게 변형된 화학물질(리간드)을 이용해 나노 입자가 액체 속에서도 뭉치지 않고 균일하게 코팅되도록 했습니다. 이 방법은 디스플레이, 빛 감지, 촉매 등 다양한 분야에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 용융 탄산염 전해 셀의 안정성을 높이기 위해 원자층증착(ALD) 방법으로 알루미나(Al2O3)와 지르코니아(ZrO2) 얇은 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 셀이 더 오래, 더 안정적으로 작동할 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 나트륨 이온 배터리용 양극 재료인 Na3V2(PO4)2F3-2xO2x 마이크로구슬을 원자층증착(ALD)으로 얇은 인공 보호막을 씌워 성능을 높이는 연구입니다. 이 코팅은 배터리의 용량과 수명을 더 좋게 만들어줍니다. 자세한 실험 조건은 초록이 없어 알 수 없습니다.
이 논문은 풀러렌 가루 위에 산화아연(ZnO)을 얇게 입히는 두 가지 방법(열 원자층 증착과 플라즈마 원자층 증착)을 비교합니다. 이렇게 만든 재료로 물속 염료를 없애는 광촉매 성능을 살펴봅니다. 어떤 증착 방법이 더 효과적인지 알아보는 연구입니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)으로 AlN 가루 표면에 아주 얇은 Al2O3 막을 1~8nm 두께로 입히는 연구입니다. 3nm로 코팅했을 때 물에 잘 견디면서도 열을 잘 전달하는 성질을 거의 그대로 유지할 수 있음을 발견했습니다. 즉, 적절한 두께의 코팅으로 AlN 가루를 물에 강하게 만들면서도 성능은 유지할 수 있다는 내용입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 얇은 막을 매우 정밀하게 쌓는 기술로 자석 성질을 가진 산화철과 백금, 실리콘산화막을 층층이 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 층들은 자석과 금속의 특성을 동시에 가진 특별한 구조를 만듭니다. 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 공간 원자층 증착(ALD) 방법으로 산화아연(ZnO) 얇은 막을 만들어 이산화질소(NO2) 가스를 감지하는 센서를 개발했어요. 자외선(UV)을 비춰주면 센서의 성능이 훨씬 좋아진다는 것을 보여줍니다. 초록이 없어 자세한 내용은 제목만으로 추정했습니다.
이 논문은 ALD와 수열합성법을 이용해 TiO2와 ZnO의 역오팔 구조 위에 ZnO 나노막대를 만드는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 구조는 빛을 이용해 오염물질을 분해하는 광촉매로 활용될 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 내용은 확인하기 어렵습니다.
이 논문은 산화아연(ZnO) 얇은 막을 특수한 원자층 증착법(SALD)으로 만들어 NO2 가스를 매우 잘 감지하는 센서를 개발했습니다. 자외선을 쬐어주면 반응 세기가 훨씬 커지고 가스가 빠르게 회복되어 아주 적은 양의 가스도 검출할 수 있습니다. 이 기술은 다른 가스 센서보다 성능이 뛰어나고 대량 생산에도 적합합니다.
이 논문은 ALD(원자층증착)라는 방법으로 금속과 금속산화물 얇은 막을 만드는 과정을 표면과학적으로 연구한 최종 보고서입니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없지만, 막이 어떻게 만들어지는지 표면에서 일어나는 화학반응을 살펴본 연구로 보입니다. 반도체 등 여러 분야에 쓰일 수 있는 기초 연구입니다.
이 연구는 ALD로 만든 SnO2 얇은 막을 긁어서(스크래치) 표면을 활성화시키면 NO2 가스를 더 잘 감지할 수 있다는 것을 보여줍니다. 증착 온도를 높이면 결정성이 좋아지고, 긁힌 표면은 산소 관련 결함을 늘려 전기 잡음을 줄이고 감지 능력을 높입니다. 결과적으로 아주 적은 양의 NO2(80 ppb)까지 정확하게 감지할 수 있는 센서를 만들었습니다.
이 논문은 ALD 방식으로 만든 산화지르코늄(ZrO2) 얇은 막을 유리 위에 코팅해서 빛 반사를 막는 실험을 했습니다. 650도로 열처리하면 막이 갈라지고 표면이 거칠어지며 빛 투과율이 떨어지는 문제가 생겼습니다. 이는 ALD 공정에서 물을 사용해 만들어지는 수소 성분이 막과 유리 사이 결합을 약하게 만들기 때문으로 추정됩니다.
PDMS라는 말랑한 재료는 화학물질에 약하고 표면이 매끈해서 다른 물질을 붙이기 어려운 문제가 있어요. 이 논문은 대기압 원자층증착(AP-ALD)이라는 방법으로 얇은 티타늄 산화물 막을 입혀서 이 두 문제를 동시에 해결했어요. 그 결과 표면이 물을 잘 흡수하게 되고, 금 나노입자도 잘 붙일 수 있어서 촉매나 바이오센서 같은 곳에 쓸 수 있게 되었어요.
탄소섬유 위에 하프늄산화물(HfO2)이라는 얇은 막을 원자층증착법으로 입혔습니다. 이 막을 이용해 요산을 감지하는 센서를 만들 수 있습니다. 유연하게 휘어지는 특성을 가진 것이 특징입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 작은 다공성 물질(SBA-15) 위에 항균 효과가 있는 산화아연(ZnO) 얇은 막을 만드는 연구입니다. 이렇게 만든 산화아연은 세균을 죽이는 데 도움을 줄 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 탄소나노튜브(CNT)와 에폭시로 만든 복합재료의 전기전도성을 낮추기 위해 특수한 코팅 기술(파우더 원자층증착)을 사용했습니다. 이렇게 하면 CNT를 많이 넣어도 전기가 잘 통하지 않게 만들 수 있습니다. 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 리튬이온배터리의 양극 재료인 LFP에 ALD 방법으로 아주 얇은 알루미늄산화물(Al2O3) 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 배터리가 충전과 방전을 반복해도 성능이 덜 나빠지는 것을 실험으로 확인했습니다. 코팅한 전극은 100번 충방전 후에도 더 많은 용량을 유지했습니다.
이 논문은 팔라듐(Pd)이라는 금속을 아주 얇은 막 형태로 특별한 화학 방법을 이용해 규칙적으로 쌓는 방법을 연구했습니다. 전기화학과 원자층 증착이라는 두 가지 기술을 한 번에 사용하는 특이한 장치를 이용했습니다. 반도체나 디스플레이 같은 곳에 바로 쓰이기보다는 새로운 재료를 만드는 기초 연구에 가깝습니다.
이 논문은 레이저로 만든 작은 렌즈에 반사를 줄여주는 얇은 막을 원자층증착(ALD) 방법으로 입혔어요. 이 막을 씌우니 빛이 반사되는 양이 3.3%에서 0.1%로 크게 줄었어요. 렌즈 모양은 그대로 유지하면서 성능만 좋아진 거예요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 팔라듐(Pd)을 란타넘(La)이 붙어있는 니켈코발트산화물 나노상자 위에 얇게 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 촉매는 낮은 온도에서도 메탄을 잘 태울 수 있게 도와줍니다. 즉, 새로운 촉매를 정밀하게 만드는 방법에 관한 연구입니다.
이 논문은 파우더 원자층증착(ALD) 기술로 리튬 티타네이트라는 얇은 보호막을 만들어서 배터리 성능을 좋게 만드는 방법을 연구했어요. 이 보호막은 황화물을 사용하는 전고체 배터리에 사용됩니다. 이 막이 배터리를 더 오래, 더 잘 작동하게 도와줍니다.
이 연구는 ALD와 수열합성법을 결합해 여러 겹으로 둘러싸인 산화아연(ZnO) 나노구조를 만들었습니다. 희생층인 산화알루미늄(Al2O3)을 나중에 제거해서 표면적을 넓히는 방법을 사용했습니다. 이렇게 만든 가스 센서는 기존보다 최대 150% 더 민감하게 반응했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 탄소가 섞인 삼산화텅스텐(WO3) 박막을 만드는 연구입니다. 오존 가스를 짧게 넣는 방법과 증착 온도를 바꿔서 탄소 양을 조절했고, 그 결과 막이 갈색으로 변했습니다. 실리콘과 ITO 표면 위에서 실험했으며 막의 구조와 성분을 자세히 분석했습니다.
이 논문은 SnS2라는 얇은 판 모양의 물질 위에 ZnO를 아주 얇게 입혀서 NO2라는 나쁜 가스를 더 잘 감지하는 센서를 만드는 연구입니다. ZnO를 코팅하면 전자의 움직임이 바뀌어서 가스를 더 잘 알아챌 수 있게 됩니다. 이 방법은 원자층증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술을 사용합니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 섬유 표면에 아주 얇은 산화아연(ZnO) 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 만든 막이 빛을 받아 오염물질을 분해하는 능력(광촉매 활성)이 얼마나 좋은지 기계학습으로 예측했습니다. 재료와 공정, 장비 모두 관련된 연구입니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD) 방법으로 아연과 실리콘을 섞은 산화물 막을 만든 연구입니다. 이 막은 세균을 막아주고 물이 통과하지 못하게 하는 기능을 가집니다. 초록이 없어서 자세한 실험 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 SBA-15라는 다공성 물질 위에 원자층증착(ALD) 방법으로 금속 산화물 박막을 아주 얇게 입히고, 그 두께를 측정하는 방법을 다룹니다. ALD는 원자 단위로 얇은 막을 정밀하게 쌓는 기술입니다. 이 연구는 그렇게 만든 막이 얼마나 얇은지 정확히 알아내는 것이 핵심입니다.
이 논문은 작은 페로브스카이트 결정에 알루미늄 산화물 껍질을 씌워서 오래 안정적으로 유지되게 만드는 방법을 연구했습니다. 이렇게 만들어진 결정들은 25일 동안 구조가 잘 유지되고 빛을 더 잘 내는 것으로 나타났습니다. 껍질을 씌우면 결정들이 더 단단해지고 촘촘하게 쌓여서 균일한 구조를 만든다는 것을 발견했습니다.
이 논문은 플라즈마를 이용한 원자층증착(ALD) 방법으로 팔라듐(Pd) 나노입자를 알루미나와 철산화물 지지체 위에 만드는 방법을 설명합니다. 이렇게 만든 촉매는 이산화탄소를 수소와 반응시켜 메탄올이나 메탄으로 바꾸는 화학반응(CO2 수소화)에 사용됩니다. 실험 결과, 새로운 촉매가 이산화탄소를 효과적으로 변환시키는 성능을 보였습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 정밀한 코팅 기술을 이용해 ZIF-8이라는 얇고 촘촘한 막을 만드는 방법을 다룹니다. 이 막은 아연 배터리의 성능을 높이는 데 사용됩니다. 즉, 배터리를 더 좋게 만들기 위한 특수 코팅 방법에 관한 연구입니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술을 이용해 코발트 얇은 막의 표면 모양을 정교하게 조절하는 방법을 다룹니다. 코발트막의 표면 구조를 바꾸면 물을 분해해서 수소와 산소를 만드는 반응이 어떻게 달라지는지 연구했습니다. 이를 통해 더 효율적인 물 분해 촉매를 만드는 방법을 찾고자 했습니다.
이 논문은 나트륨 이온 배터리의 양극 재료인 마이크로구 형태의 물질에 원자층증착(ALD) 방법으로 얇은 인공 보호막을 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 배터리의 저장 용량과 오래 사용해도 성능이 잘 유지되는 안정성이 좋아집니다. 초록이 없어 자세한 실험 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 산화철을 얇게 입혀서 팔라듐/알루미나 촉매의 성능을 높이는 연구입니다. 이렇게 하면 촉매 표면에 탄소가 쌓이는 것을 줄이고 열에도 더 강하게 만들 수 있습니다. 메탄을 이용한 화학 반응에서 촉매를 더 오래 잘 쓸 수 있게 도와줍니다.
이 논문은 고체산화물 연료전지에 쓰이는 특수한 전극 재료 표면에 루테늄(Ru)이라는 작은 금속 입자를 얇게 입히는 방법을 연구했습니다. 이때 플라즈마를 이용한 원자층 증착(PEALD)이라는 정밀한 코팅 기술을 사용했습니다. 이렇게 하면 연료전지의 성능을 더 좋게 만들 수 있습니다.
AlN 가루 표면에 아주 얇은 알루미늄 산화물(Al2O3) 막을 원자층증착법으로 입혔어요. 3나노미터 두께로 코팅하면 물에 강하면서도 열을 잘 전달하는 성질을 최대한 유지할 수 있었어요. 너무 두껍게 코팅하면 열 전달 능력이 떨어진다는 것도 알아냈어요.
이 논문은 원자층증착(ALD) 기술로 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄(Al2O3) 같은 얇은 촉매 막을 만들어 이산화탄소를 플라즈마로 분해하는 실험을 했습니다. TiO2가 가장 효율적으로 이산화탄소를 산소와 일산화탄소로 바꾸는 것을 발견했습니다. ALD를 이용하면 촉매 재료의 효과를 정확하게 비교할 수 있다는 것을 보여줍니다.
이 연구는 원자층 증착(ALD) 기술로 아주 적은 양의 티타늄 산화물을 알루미나 위에 정밀하게 뿌려서 촉매를 만들었어요. 티타늄이 표면에 골고루 퍼지도록 조절하면 코발트-티타늄 산화물 계면이 좋아져서 화학 반응(피셔-트롭쉬 합성)이 더 잘 일어나게 돼요. 이는 촉매를 만들 때 재료가 어디에 분포하는지가 매우 중요하다는 것을 보여줍니다.
이 논문은 우라늄으로 만든 와이어 표면에 원자층 증착법(ALD)으로 Nb2O5라는 얇은 막을 입히는 새로운 제조 방법을 다룹니다. 이렇게 코팅을 하면 와이어의 성질을 더 좋게 바꿀 수 있습니다. 다만 초록이 없어 자세한 실험 내용은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD) 방법으로 다공성 알루미나 구슬 안에 백금을 골고루 입히는 방법을 연구했습니다. 노출 시간을 조절하면 처음에는 표면에만 백금이 쌓이지만, 시간이 길어지면 내부까지 균일하게 퍼진다는 것을 실험과 계산으로 보여줬습니다. 이 기술은 촉매나 배터리 소재를 만들 때 유용하게 쓰일 수 있습니다.
이 연구는 PVDF 섬유막에 공간 원자층증착(AP-SALD) 방법으로 TiO2를 얇게 입혀서 습기를 이용해 전기를 만드는 장치를 만들었습니다. 이 장치는 물을 잘 흡수하도록 만들어져서 가만히 있어도 전기가 나오고, 눌러주면 더 많은 전기가 나옵니다. 이 전기로 작은 축전기를 충전할 수 있었습니다.
이 논문은 스프레이 건조로 만든 SiO2 다공성 입자에 원자층증착(ALD) 방법으로 백금을 아주 조금씩 입혀서 촉매를 만드는 연구입니다. 백금 원자층을 쌓는 횟수를 바꿔가며 촉매 성능이 어떻게 달라지는지 살펴봤습니다. 이렇게 만든 촉매는 귀금속인 백금을 아주 적게 써도 화학반응(4-니트로페놀 수소화)을 잘 촉진할 수 있음을 보여줍니다.
전기방사와 원자층증착(ALD)을 결합해 속이 빈 이중 껍질 구조의 아주 가는 섬유를 만들었어요. 먼저 알루미늄 산화물로 얇은 막을 씌우고, 그 다음 니켈, 코발트, 철을 넣은 산화아연을 입혔습니다. 여러 현미경과 분석 장비로 이 섬유의 모양과 성분을 자세히 조사했습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 기술로 다공성 탄소 위에 아주 얇은 산화티타늄 막을 균일하게 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 코팅하면 전기를 저장하는 슈퍼커패시터 전극의 성능을 높일 수 있습니다. 초록이 없어 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 원자층증착법(ALD)으로 스테인리스강(304, 316L) 표면에 이산화티타늄(TiO2) 얇은 막을 입힌 연구입니다. 두 종류의 스테인리스강에서 막의 구조, 표면 모양, 접착력을 비교했습니다. 실험 결과 두 금속 모두에서 TiO2 막이 잘 붙어있는 것으로 나타났습니다.
이 논문은 3D 프린터로 만든 니티놀(형상기억합금) 표면에 아주 얇은 아연-티타늄 산화물 막을 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 입히는 연구입니다. 이렇게 코팅하면 인체에 더 안전하고 여러 기능을 가진 표면을 만들 수 있습니다. 주로 의료용 재료 코팅에 관한 내용입니다.
이 논문은 특정 위치에만 얇은 막을 입히는 '영역 선택적 원자층 증착(ALD)' 기술을 이용해 촉매 표면의 반응 위치를 조절하는 연구입니다. 두 가지 반응 자리를 가진 모델 촉매판을 사용해 실험을 진행했습니다. 초록이 없어 구체적인 재료나 장비 정보는 확인할 수 없습니다.
이 논문은 구멍이 송송 뚫린 비스무트-텔루륨(Bi2Te3) 물질을 이용해 열을 전기로 바꾸는 열전소자를 연구했습니다. 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 씌우는 기술로 물질 표면의 경계면을 정밀하게 다듬어서 성능을 높였습니다. 이렇게 하면 더 적은 에너지 손실로 전기를 만들 수 있게 됩니다.
이 연구는 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 산화지르코늄(ZrO2)이라는 다공성 물질 위에 산화아연(ZnO)을 아주 얇게 입히는 실험을 했습니다. 온도와 반복 횟수를 바꿔가며 아연이 얼마나 잘 붙는지 살펴봤습니다. 이 기술은 나중에 촉매 같은 곳에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 다공성 지르코니아 위에 산화아연(ZnO)을 원자층 증착(ALD) 방법으로 얇게 입히는 연구입니다. 아연 원료로 아세틸아세토네이트와 공기를 사용해 온도와 반복 횟수에 따라 아연이 얼마나 잘 쌓이는지 알아보았습니다. 이 기술은 촉매 등에 쓰일 수 있는 새로운 코팅 방법을 제시합니다.
이 논문은 ALD라는 방법으로 아주 얇은 MoO3-WO3 막을 만들어 전극으로 사용했습니다. 이 전극은 도파민이라는 물질을 다른 방해물질 없이 아주 민감하게 감지할 수 있습니다. 즉, 몸속 화학물질을 정확하게 찾아내는 센서를 만든 연구입니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD) 과정 중 산화막이 만들어지는 초기 단계에서 빛의 성질이 어떻게 변하는지 연구했어요. 얇은 산화막이 두꺼워지는 중간 단계의 광학적 특성을 살펴본 연구입니다. 초록이 없어 자세한 내용은 알 수 없어요.
이 논문은 열을 이용한 원자층 증착(ALD) 방법으로 아주 얇은 리튬 코발트 산화물 막을 만드는 연구로 보입니다. 하지만 초록이 없어서 자세한 내용은 알 수 없습니다. 제목만으로는 정확히 어떤 재료와 조건을 다뤘는지 확실하지 않습니다.
이 논문은 원자층증착(ALD)이라는 아주 얇은 막을 만드는 기술로 세균을 죽이는 항균 코팅을 만드는 연구들을 모아서 정리한 리뷰 논문입니다. 산화티타늄, 산화아연 같은 재료와 은, 구리 같은 금속 입자를 이용한 코팅들의 효과를 비교했습니다. 앞으로 의료 분야에서 어떤 방향으로 연구가 발전할지도 제안했습니다.
이 논문은 얇은 막을 만드는 원자층 증착(ALD) 기술과 3D 프린팅을 함께 다루는 것으로 보입니다. 초록이 없어서 구체적인 실험 내용이나 결과는 알 수 없습니다. 제목만으로는 정확한 재료나 공정 조건을 파악하기 어렵습니다.
이 논문은 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 니켈산화물이라는 얇은 막을 3차원 전극 표면에 입혀서 물을 분해해 산소를 만드는 성능을 좋게 만드는 연구입니다. 반도체나 디스플레이 같은 분야보다는 에너지 관련 화학 반응에 쓰이는 전극을 개선하는 내용입니다. 초록이 없어서 자세한 실험 조건은 알 수 없습니다.
이 논문은 리튬이온 배터리의 양극재인 리튬인산철(LiFePO4) 표면에 원자층증착(ALD) 기술로 아주 얇은 산화알루미늄(Al2O3) 막을 입히는 연구입니다. 이렇게 하면 배터리 성능이 더 좋아질 수 있습니다. 재료가 많이 들어간 전극에 적용한 것이 특징입니다.
이 논문은 레이저로 아주 작은 3D 광학 구조물을 만들고, 그 위에 원자층 증착(ALD) 방법으로 알루미늄 산화물과 티타늄 산화물의 얇은 반사방지막을 입히는 연구입니다. 이 코팅으로 빛이 거의 다 통과하게 만들어 광학 성능을 크게 높였습니다. 이 기술은 나노미터 크기의 복잡한 렌즈나 광집적회로에 활용될 수 있습니다.
이 논문은 콜라겐 섬유(뼈를 이루는 재료) 표면에 원자층 증착법(ALD)이라는 기술로 아주 작은 은(銀) 알갱이들을 붙이는 방법을 다룹니다. 이렇게 만든 재료는 뼈가 더 잘 낫도록 도와줍니다. 반도체나 디스플레이용 스퍼터링과는 관련이 적은 의료용 소재 연구입니다.
이 논문은 몰리브덴산화물(MoO3) 나노막대 위에 알루미늄이 섞인 산화아연(AZO)을 아주 얇게 입히는 방법을 연구했어요. 이렇게 코팅을 하면 리튬 배터리에서 전기를 더 잘 저장할 수 있게 된대요. 원자층 증착이라는 정밀한 방법으로 얇은 막을 만들었어요.
이 논문은 원자층/분자층 증착(ALD/MLD) 기술로 아주 얇은 비결정질 금속-유기 골격체(ZIF) 막을 만드는 방법을 다룹니다. 증착 횟수를 늘리면 기체가 통과하는 속도는 줄지만 특정 기체를 더 잘 걸러내는 성질이 좋아졌습니다. 이 방법으로 수소, 이산화탄소 등 다양한 기체를 효과적으로 분리하는 얇은 막을 만들 수 있음을 보여줍니다.
이 연구는 원자층증착(ALD)과 표면유기금속화학 기법을 이용해 TiO2 위에 코발트 나노입자를 만들어 CO2를 수소로 변환하는 촉매를 만들었습니다. 이렇게 만든 촉매는 X선으로 자세히 관찰할 수 있어서 반응 중 코발트가 금속 상태를 유지하며 메탄을 만드는 반응을 잘 일으킨다는 것을 알아냈습니다. 이는 촉매의 구조와 성능 관계를 이해하는 데 도움이 됩니다.
이 논문은 배터리 양극재(NMC811)의 성능을 높이기 위해 플라즈마 원자층증착(PEALD) 방법으로 얇은 산화물 막(Al2O3, MoO3)을 코팅하는 연구입니다. 이 코팅막은 배터리가 오래 사용해도 성능이 잘 유지되도록 도와줍니다. 실험 결과 Al2O3 코팅이 MoO3보다 더 좋은 성능을 보였습니다.
이 연구는 ALD(원자층 증착)로 만든 산화물 박막(ZnO, TiO2, ZrO2)에 알루미늄 산화물(Al2O3)을 섞었을 때 빛이 통과하는 성질(굴절률)이 어떻게 변하는지 살펴봤습니다. 빛을 이용한 측정(타원계측법)과 성분 분석(EDX)을 통해 실제 측정값과 이론 모델이 잘 맞는지 확인했습니다. 재료의 조성과 광학적 특성 연구에 초점을 맞춘 기초 물성 연구입니다.
이 연구는 원자층증착(ALD)이라는 아주 정밀한 코팅 기술을 이용해서, 스펀지처럼 구멍이 많은 물질(MOF)인 NU-1000에 백금(Pt) 원자를 아주 정확하게 넣는 방법을 개발했습니다. 이를 통해 백금을 최대 28.4%까지 균일하게 넣을 수 있었습니다. 이 기술은 반도체용 스퍼터링 공정과는 다른 화학 촉매 재료 연구 분야입니다.
이 논문은 마그네슘 합금(AZ31)이 몸속이나 물속에서 녹이 스는 것을 막기 위해, 원자층증착(ALD)이라는 방법으로 아주 얇은 알루미늄 산화막(Al2O3) 코팅을 입히는 연구입니다. 이 코팅이 마그네슘 합금의 부식을 얼마나 잘 막아주는지 조절하고 확인하는 내용을 다룹니다. 반도체나 디스플레이 같은 첨단 산업보다는 의료용 금속 재료 보호에 관련된 연구입니다.
이 논문은 콜라겐 막에 상온에서 산화마그네슘(MgO)이라는 물질을 얇게 입히는 방법을 다룹니다. 이렇게 처리하면 뼈가 잘 자라도록 돕고 세균도 막아주는 효과가 생깁니다. 반도체나 디스플레이가 아닌 의료용 재료 코팅에 관한 연구입니다.
이 논문은 전기분무 방식으로 얇은 막을 여러 층으로 쌓는 새로운 방법을 소개해요. 전압을 조절하면 막의 두께를 단계별로 조절할 수 있다는 것을 보여줬어요. 이 방법으로 복잡한 모양에도 균일하게 코팅하고 튼튼한 나노 복합재료도 만들 수 있었어요.
이 연구는 원자층 증착(ALD)이라는 방법으로 다공성 지르코니아 위에 산화아연을 아주 얇게 입히는 실험입니다. 온도와 반응 횟수를 바꿔가며 아연이 얼마나 잘 붙는지 알아보았습니다. 이 기술은 촉매 같은 분야에 활용될 수 있습니다.